JPH07118073B2 - 薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気ディスク装置 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気ディスク装置Info
- Publication number
- JPH07118073B2 JPH07118073B2 JP61108447A JP10844786A JPH07118073B2 JP H07118073 B2 JPH07118073 B2 JP H07118073B2 JP 61108447 A JP61108447 A JP 61108447A JP 10844786 A JP10844786 A JP 10844786A JP H07118073 B2 JPH07118073 B2 JP H07118073B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic disk
- slider
- thin film
- magnetic
- magnetic head
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/10—Structure or manufacture of housings or shields for heads
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Adjustment Of The Magnetic Head Position Track Following On Tapes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気デイスク記憶装置用の磁気ヘツドのスライ
ダ材料に係り、特に磁気デイスクとの摺動性がよりスラ
イダに設けられた薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気ディス
ク装置に関する。
ダ材料に係り、特に磁気デイスクとの摺動性がよりスラ
イダに設けられた薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気ディス
ク装置に関する。
磁気デイスク記憶装置の分野においては、ますます増大
する高記録密度化の要請に応えるため、磁気ヘツドと磁
気デイスクの空隙（浮上量）の狭小化が進み、薄膜磁気
ヘツドや薄膜磁気デイスクの採用が注目されている。
する高記録密度化の要請に応えるため、磁気ヘツドと磁
気デイスクの空隙（浮上量）の狭小化が進み、薄膜磁気
ヘツドや薄膜磁気デイスクの採用が注目されている。
浮上量の減少（0.1〜0.3μｍ）によつて磁気ヘツド・ス
ライダと磁気デイスクが接触，摺動する機会は一層増大
する。さらに薄膜磁気デイスクの使用においては、デイ
スクの磁性層は0.05〜0.1μｍと極めて薄いため、接
触，摺動によつて受ける損傷の許容される大きさは極め
て小さくなる。このため、磁気デイスクの損傷を最小限
にし、記録の読取り、書込みを長期にわたつて安定に行
うには、磁気ヘツド・スライダは磁気デイスクとの摺動
性がよいことがますます重要になつている。
ライダと磁気デイスクが接触，摺動する機会は一層増大
する。さらに薄膜磁気デイスクの使用においては、デイ
スクの磁性層は0.05〜0.1μｍと極めて薄いため、接
触，摺動によつて受ける損傷の許容される大きさは極め
て小さくなる。このため、磁気デイスクの損傷を最小限
にし、記録の読取り、書込みを長期にわたつて安定に行
うには、磁気ヘツド・スライダは磁気デイスクとの摺動
性がよいことがますます重要になつている。
従来の薄膜磁気ヘツドスライダ材料としては、代表的な
ものとして特公昭58−5470号公報に開示されたAl2O3/Ti
C複合焼結体がある。このスライダ材料は薄膜素子を形
成するには優れた材料であるが、磁気デイスクとの摺動
性に関しては必ずしも満足のいくものではなかつた。そ
こで磁気デイスクとの摺動性を改善するために、例えば
特開昭58−41467号公報に開示されたSiC/WSi2/Si複合焼
結体が提案されている。この材料はWSi2とSiの少量添加
によつて磁気デイスクとの摺動性が改善されている。し
かしながら、SiCが主材であるために熱膨張率が小さ
く、現行の薄膜素子形成材料として用いるには次の問題
点がある。すなわち、薄膜素子は高温でAl2O3保護膜と
薄膜磁気回路を積層形成して得るために、熱膨張率がAl
2O3よりもかなり小さいSiCの如きスライダ材料では薄膜
素子部とスライダ部が剥離するという問題点がある。ま
た、薄膜磁気回路に普通に用いられるパーマロイなどの
磁性材料も一般に熱膨張率がAl2O3並み以上に大きく、
上記熱膨張率の小さなスライダ材料を用いた場合、熱歪
によつて磁性材料の磁気特性が損われるという問題もあ
つた。
ものとして特公昭58−5470号公報に開示されたAl2O3/Ti
C複合焼結体がある。このスライダ材料は薄膜素子を形
成するには優れた材料であるが、磁気デイスクとの摺動
性に関しては必ずしも満足のいくものではなかつた。そ
こで磁気デイスクとの摺動性を改善するために、例えば
特開昭58−41467号公報に開示されたSiC/WSi2/Si複合焼
結体が提案されている。この材料はWSi2とSiの少量添加
によつて磁気デイスクとの摺動性が改善されている。し
かしながら、SiCが主材であるために熱膨張率が小さ
く、現行の薄膜素子形成材料として用いるには次の問題
点がある。すなわち、薄膜素子は高温でAl2O3保護膜と
薄膜磁気回路を積層形成して得るために、熱膨張率がAl
2O3よりもかなり小さいSiCの如きスライダ材料では薄膜
素子部とスライダ部が剥離するという問題点がある。ま
た、薄膜磁気回路に普通に用いられるパーマロイなどの
磁性材料も一般に熱膨張率がAl2O3並み以上に大きく、
上記熱膨張率の小さなスライダ材料を用いた場合、熱歪
によつて磁性材料の磁気特性が損われるという問題もあ
つた。
本発明の目的は上記の問題点を解決し、磁気デイスクと
の摺動性がよく、かつ薄膜磁気ヘツドを形成するのに適
した薄膜磁気ヘツドスライダ材料を提供することによっ
て、信頼性の高い磁気ディスク装置を提供することにあ
る。
の摺動性がよく、かつ薄膜磁気ヘツドを形成するのに適
した薄膜磁気ヘツドスライダ材料を提供することによっ
て、信頼性の高い磁気ディスク装置を提供することにあ
る。
本発明は、情報を記録する磁気デイスクと、該磁気デイ
スクを回転させる回転手段と、スライダに設けられた情
報の書き込みと読み出しとを行う薄膜磁気ヘッドと、該
薄膜磁気ヘッドを支持して、磁気ディスクに対して位置
を変える手段とを具備した磁気ディスク装置において、 前記スライダがMoSi2,WSi2,TaSi2,NbSi2,ZrSi2の群から
選ばれた１種以上よりなる金属珪化物焼結体からなるこ
とを特徴とする薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気ディスク
装置にある。
スクを回転させる回転手段と、スライダに設けられた情
報の書き込みと読み出しとを行う薄膜磁気ヘッドと、該
薄膜磁気ヘッドを支持して、磁気ディスクに対して位置
を変える手段とを具備した磁気ディスク装置において、 前記スライダがMoSi2,WSi2,TaSi2,NbSi2,ZrSi2の群から
選ばれた１種以上よりなる金属珪化物焼結体からなるこ
とを特徴とする薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気ディスク
装置にある。
金属珪化物は一般にそれ自体が潤滑作用を有するため、
金属珪化物より成る焼結体は磁気デイスクとの摺動性が
よく、磁気デイスクに損傷を与えにくい。さらに磁気デ
イスクに与える損傷をより小さくするためには、焼結体
の硬さは小さい方がよく、望ましくはビツカース硬度が
1500Hv以下がよい。また焼結体は薄膜素子形成に適する
ために、熱膨張係数がAl2O3近くなければならない。形
成した薄膜素子部が剥離しないためには焼結体の熱膨張
係数が６×10-6℃-1以上かつ10×10-6℃-1以下であるこ
とが必要である。
金属珪化物より成る焼結体は磁気デイスクとの摺動性が
よく、磁気デイスクに損傷を与えにくい。さらに磁気デ
イスクに与える損傷をより小さくするためには、焼結体
の硬さは小さい方がよく、望ましくはビツカース硬度が
1500Hv以下がよい。また焼結体は薄膜素子形成に適する
ために、熱膨張係数がAl2O3近くなければならない。形
成した薄膜素子部が剥離しないためには焼結体の熱膨張
係数が６×10-6℃-1以上かつ10×10-6℃-1以下であるこ
とが必要である。
熱膨張係数が６×10-6℃-1以上かつ10×10-6℃-1以下で
望ましくは硬さが1500Hv以下の単一または混合金属珪化
物焼結体は磁気デイスクとの摺動性が優れ、薄膜素子形
成に適するが、金属珪化物の中でもMoSi2,WSi2,TaSi2,N
bSi2,ZrSi2などはそれ自体が熱膨張係数と硬さの上記条
件を満足する。したがつて、MoSi2,WSi2,TaSi2,NbSi2,Z
rSi2などのうち１種または２種以上の混合より成る焼結
体は、特性の微視的な均一性が図れるので、スライダ材
料として好ましい。
望ましくは硬さが1500Hv以下の単一または混合金属珪化
物焼結体は磁気デイスクとの摺動性が優れ、薄膜素子形
成に適するが、金属珪化物の中でもMoSi2,WSi2,TaSi2,N
bSi2,ZrSi2などはそれ自体が熱膨張係数と硬さの上記条
件を満足する。したがつて、MoSi2,WSi2,TaSi2,NbSi2,Z
rSi2などのうち１種または２種以上の混合より成る焼結
体は、特性の微視的な均一性が図れるので、スライダ材
料として好ましい。
以下に本発明の実施例を述べる。
実施例１ MoSi2,WSi2,TaSi2,NbSi2,ZrSi2及びTiSiの各粉末を50時
間ボールミル粉砕し、粉粒径を１μｍ以下とした。得た
粉末は1000kg/cm2の圧力で金型で圧粉成形した後、プ
レス圧力500kg/cm2にて真空雰囲気中で１時間ホツト
プレス焼成した。焼成温度はWSi2,TaSi2,MoSi2の場合は
1800℃,NbSi2の場合は1500℃,ZrSi2とTiSiの場合は1300
℃とした。
間ボールミル粉砕し、粉粒径を１μｍ以下とした。得た
粉末は1000kg/cm2の圧力で金型で圧粉成形した後、プ
レス圧力500kg/cm2にて真空雰囲気中で１時間ホツト
プレス焼成した。焼成温度はWSi2,TaSi2,MoSi2の場合は
1800℃,NbSi2の場合は1500℃,ZrSi2とTiSiの場合は1300
℃とした。
得た焼結体は室温から450℃の間での熱膨張係数は測定
した。また荷重300gでビツカース硬度を測定した。第
１表は測定結果を示す。いずれの熱膨張係数も６×10-6
℃-1以上かつ1010-6℃-1以下であつた。硬さはTiSi以外
はいずれも1500Hv以下であり好ましい値を有している。
した。また荷重300gでビツカース硬度を測定した。第
１表は測定結果を示す。いずれの熱膨張係数も６×10-6
℃-1以上かつ1010-6℃-1以下であつた。硬さはTiSi以外
はいずれも1500Hv以下であり好ましい値を有している。
また得た焼結体から面寸法が50×50mm,厚さが4mmの板材
を切り出し、表面をラツプ研摩した後、450℃にて面上
に厚さ約30μｍのAl2O3スパツタ膜を形成したところ、
いずれも剥離が生じなかつた。これから、本焼結体は薄
膜素子の形成に適していることがわかる。
を切り出し、表面をラツプ研摩した後、450℃にて面上
に厚さ約30μｍのAl2O3スパツタ膜を形成したところ、
いずれも剥離が生じなかつた。これから、本焼結体は薄
膜素子の形成に適していることがわかる。
前述で得た焼結体を用いて第１図に示したスライダを加
工した。スライダと磁気デイスクとの摺動性は以下の方
法で評価した。
工した。スライダと磁気デイスクとの摺動性は以下の方
法で評価した。
まずスライダはジンバルバネによつてささえて磁気デイ
スク面上に保持した。スライダ位置での周速が40m/sと
なる回転数で磁気デイスクを回転させスライダを約0.3
μｍ浮上させた。次いでジンバルバネに54Hzの振動を与
えてスライダと磁気デイスクを強制的に連結接触させ、
この接触により磁気デイスクの磁性層が摩滅し地金が露
出するまでの時間を測定した。磁気デイスクは磁性粉と
Al2O3粉フイラーが混練された有機物樹脂がAl製地金の
表面に磁性層として塗られた塗布型デイスクを用いた。
なお比較例としてAl2O3/TiC複合焼結体で作製したスラ
イダの試験も実施した。
スク面上に保持した。スライダ位置での周速が40m/sと
なる回転数で磁気デイスクを回転させスライダを約0.3
μｍ浮上させた。次いでジンバルバネに54Hzの振動を与
えてスライダと磁気デイスクを強制的に連結接触させ、
この接触により磁気デイスクの磁性層が摩滅し地金が露
出するまでの時間を測定した。磁気デイスクは磁性粉と
Al2O3粉フイラーが混練された有機物樹脂がAl製地金の
表面に磁性層として塗られた塗布型デイスクを用いた。
なお比較例としてAl2O3/TiC複合焼結体で作製したスラ
イダの試験も実施した。
第２表は測定結果を示す。これから本発明品はいずれも
従来品のAl2O3/TiC複合焼結体製スライダに比べ、磁気
デイスクとの摺動性が少なくとも４倍以上優れ、特に硬
さが1500Hv以下のMoSi2,WSi2,TaSi2,NbSi2,ZrSi2焼結体
製スライダの場合には６倍以上優れていることがわか
る。
従来品のAl2O3/TiC複合焼結体製スライダに比べ、磁気
デイスクとの摺動性が少なくとも４倍以上優れ、特に硬
さが1500Hv以下のMoSi2,WSi2,TaSi2,NbSi2,ZrSi2焼結体
製スライダの場合には６倍以上優れていることがわか
る。
従って、本発明からなるスライダに薄膜磁気ヘッドを設
けたものは長寿命の磁気ディスク装置が得られる。
けたものは長寿命の磁気ディスク装置が得られる。
〔発明の効果〕 本発明によれば、磁気デイスクとの摺動性が優れ薄膜磁
気ヘツドの形成に適したスライダを得ることができるの
で、長寿命で高記録密度の磁気デイスク記録装置を得る
ことができる。
気ヘツドの形成に適したスライダを得ることができるの
で、長寿命で高記録密度の磁気デイスク記録装置を得る
ことができる。
第１図は本発明の一実施例のスライダの斜視図である。 １……スライダ、２……薄膜素子形成面、３……磁気デ
イスク摺動面。
イスク摺動面。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三▲吉▼ 忠彦 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 大浦 正樹 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所小田原工場内 (72)発明者 長池 完訓 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所小田原工場内 (56)参考文献 特開 昭58−41467（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】情報を記録する磁気ディスクと、該磁気デ
ィスクを回転させる回転手段と、スライダに設けられた
情報の書き込みと読み出しとを行う薄膜磁気ヘッドと、
該薄膜磁気ヘッドを支持して、磁気ディスクに対して位
置を変える手段とを具備した磁気ディスク装置におい
て、 前記スライダがMoSi2,WSi2,TaSi2,NbSi2,ZrSi2の群から
選ばれた１種以上よりなる金属珪化物焼結体からなるこ
とを特徴とする薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気ディスク
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61108447A JPH07118073B2 (ja) | 1986-05-14 | 1986-05-14 | 薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気ディスク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61108447A JPH07118073B2 (ja) | 1986-05-14 | 1986-05-14 | 薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気ディスク装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62266726A JPS62266726A (ja) | 1987-11-19 |
| JPH07118073B2 true JPH07118073B2 (ja) | 1995-12-18 |
Family
ID=14485012
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61108447A Expired - Lifetime JPH07118073B2 (ja) | 1986-05-14 | 1986-05-14 | 薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気ディスク装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07118073B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01250830A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-05 | Teraoka Seiko Co Ltd | 組合せ秤における商品排出装置 |
| JP2500479B2 (ja) * | 1993-04-22 | 1996-05-29 | ティーディーケイ株式会社 | 磁気ヘッド装置用スライダ及び該スライダの製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5841467A (ja) * | 1981-08-31 | 1983-03-10 | Nippon Tungsten Co Ltd | 磁気ヘツド・スライダ−用材料及びその製造方法 |
-
1986
- 1986-05-14 JP JP61108447A patent/JPH07118073B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62266726A (ja) | 1987-11-19 |
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