JPH07120044B2 - 感光性組成物およびそれを用いるパターン形成方法 - Google Patents
感光性組成物およびそれを用いるパターン形成方法Info
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- JPH07120044B2 JPH07120044B2 JP61071107A JP7110786A JPH07120044B2 JP H07120044 B2 JPH07120044 B2 JP H07120044B2 JP 61071107 A JP61071107 A JP 61071107A JP 7110786 A JP7110786 A JP 7110786A JP H07120044 B2 JPH07120044 B2 JP H07120044B2
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- G03F7/004—Photosensitive materials
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は感光性組成物に関し、さらに詳しくは、半導体
素子の集積回路を製造する際に微細なレジストパターン
を形成することが可能な感光性組成物に関する。また、
本発明は、そのような感光性組成物を用いる、アルカリ
現象によるパターン形成方法に関する。
素子の集積回路を製造する際に微細なレジストパターン
を形成することが可能な感光性組成物に関する。また、
本発明は、そのような感光性組成物を用いる、アルカリ
現象によるパターン形成方法に関する。
（従来の技術） 半導体をはじめとする平板印刷を用いるプロセスの分野
においては、感光性組成物が広く用いられている。電子
機器の多機能化、高度化に伴い、高密度化、ならびに高
集積化を図るために、パターンの微細化が強く要請され
ている。
においては、感光性組成物が広く用いられている。電子
機器の多機能化、高度化に伴い、高密度化、ならびに高
集積化を図るために、パターンの微細化が強く要請され
ている。
即ち、集積回路の横方向の寸法の縮小に比べてその縦方
向の寸法はあまり縮小されていかないために、レジスト
パターンの幅に対する高さの比は大きくならざるを得な
かった。このため、複雑な段差構造を有するウェハー上
でレジストパターンの寸法変化を抑制していくことは、
パターンの微細化が進むにつれてより困難になってき
た。さらに、各種の露光方式においても、最小寸法の縮
小に伴い問題が生じてきている。例えば、光による集光
では、基板の段差に基づく反射光の干渉作用が寸法精度
に大きな影響を与えるようになり、一方、電子ビーム露
光においては、電子の後方散乱によって生じる近接効果
により、微細なレジストパターンの高さと幅の比を大き
くすることができなくなった。
向の寸法はあまり縮小されていかないために、レジスト
パターンの幅に対する高さの比は大きくならざるを得な
かった。このため、複雑な段差構造を有するウェハー上
でレジストパターンの寸法変化を抑制していくことは、
パターンの微細化が進むにつれてより困難になってき
た。さらに、各種の露光方式においても、最小寸法の縮
小に伴い問題が生じてきている。例えば、光による集光
では、基板の段差に基づく反射光の干渉作用が寸法精度
に大きな影響を与えるようになり、一方、電子ビーム露
光においては、電子の後方散乱によって生じる近接効果
により、微細なレジストパターンの高さと幅の比を大き
くすることができなくなった。
これらの多くの問題は、多層レジストシステムを用いる
ことにより解消されることが見出されている。多層レジ
ストシステムについては、ソリッドステート・テクノロ
ジー,74（1981）〔Solid State Technology,74（198
1）〕に概説が掲載されているが、この他にもこのシス
テムに関する多くの研究が発表されている。現在、一般
的に多く試みられている方法は、３層構造のレジストシ
ステムで、基板の段差の平坦化と基板からの反射防止の
役割を有する最下層、最下層をエッチングするためのマ
スクとして機能する中間層、および感光層としての最上
層からなっている。しかしながら、この３層レジストシ
ステムは、単層レジスト法と比べて、微細なパターンニ
ングが可能であるという長所を有している反面、パター
ン形成までの工程数が増えてしまうという欠点があっ
た。
ことにより解消されることが見出されている。多層レジ
ストシステムについては、ソリッドステート・テクノロ
ジー,74（1981）〔Solid State Technology,74（198
1）〕に概説が掲載されているが、この他にもこのシス
テムに関する多くの研究が発表されている。現在、一般
的に多く試みられている方法は、３層構造のレジストシ
ステムで、基板の段差の平坦化と基板からの反射防止の
役割を有する最下層、最下層をエッチングするためのマ
スクとして機能する中間層、および感光層としての最上
層からなっている。しかしながら、この３層レジストシ
ステムは、単層レジスト法と比べて、微細なパターンニ
ングが可能であるという長所を有している反面、パター
ン形成までの工程数が増えてしまうという欠点があっ
た。
（発明が解決しようとする問題点） このように、従来は微細なレジストパターンを得るため
には、３層構造のレジストシステムを採用しなければな
らず、そのため、工程数の増加を余儀なくされていた。
には、３層構造のレジストシステムを採用しなければな
らず、そのため、工程数の増加を余儀なくされていた。
本発明は、従来のこのような問題を解消し、３層構造の
レジストシステムを採用することなく、２層レジスト法
を適用することができ、しかも微細なパターンを形成し
うる感光性組成物およびそれを用いるパターン形成方法
の提供を目的とする。
レジストシステムを採用することなく、２層レジスト法
を適用することができ、しかも微細なパターンを形成し
うる感光性組成物およびそれを用いるパターン形成方法
の提供を目的とする。
（問題を解決するための手段） 本発明感光性組成物は、 （Ａ）次式： で示される構造単位を有するポリシロキサン樹脂、なら
びに （Ｂ）感光性化合物 を必須成分として含有することを特徴とし、さらに、本
発明の感光性組成物は、これらの必須成分のほかに、ア
ルカリ可溶性樹脂を含有していてもよい。
びに （Ｂ）感光性化合物 を必須成分として含有することを特徴とし、さらに、本
発明の感光性組成物は、これらの必須成分のほかに、ア
ルカリ可溶性樹脂を含有していてもよい。
また、本発明のパターン形成方法は、このような感光性
組成物を基材に塗布し、露光後、アルカリ水溶液を用い
て現象することを特徴とする。
組成物を基材に塗布し、露光後、アルカリ水溶液を用い
て現象することを特徴とする。
（Ｉ）において、R1は炭素原子数１〜10の置換もしくは
非置換アルキル基、炭素数６〜14の置換もしくは非置換
アリール基、またはシロキシ基もしくは置換シロキシ基
を表わし、R2〜R6は、そのうちの少なくとも１つの基が
カルボキシル基もしくはフェノール性水酸基またはこれ
を含有する基であり、かつ、残りの基は水素原子、ハロ
ゲン原子、アルキル基、もしくはハロゲノアルキル基、
シアノアルキル基、アルコキシアルキル基のような置換
アルキル基、カルボキシル基、アルキルカルボニル基、
アルコキシカルボニル基、アルコキシ基、アシルオキシ
基、アリル基、炭素原子数６〜14の置換もしくは非置換
アリール基、アミドまたはイミドを表わし、R2、R3のい
ずれか一方と、R4、R5、R6のうちの１個とが協働して環
を形成していてもよい。
非置換アルキル基、炭素数６〜14の置換もしくは非置換
アリール基、またはシロキシ基もしくは置換シロキシ基
を表わし、R2〜R6は、そのうちの少なくとも１つの基が
カルボキシル基もしくはフェノール性水酸基またはこれ
を含有する基であり、かつ、残りの基は水素原子、ハロ
ゲン原子、アルキル基、もしくはハロゲノアルキル基、
シアノアルキル基、アルコキシアルキル基のような置換
アルキル基、カルボキシル基、アルキルカルボニル基、
アルコキシカルボニル基、アルコキシ基、アシルオキシ
基、アリル基、炭素原子数６〜14の置換もしくは非置換
アリール基、アミドまたはイミドを表わし、R2、R3のい
ずれか一方と、R4、R5、R6のうちの１個とが協働して環
を形成していてもよい。
式（Ｉ）において、炭素数１〜10のアルキル基として
は、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イ
ソプロピル基、ｎ−ブチル基、sec−ブチル基、tert−
ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オク
チル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基などが挙げられ
る。また、置換もしくは非置換アリール基としては、例
えば、フェニル基、ｏ−ヒドロキシフェニル基、ｐ−ヒ
ドロキシフェニル基、ｏ−メチルフェニル基、ｐ−メチ
ルフェニル基、ｏ−メトキシフェニル基、ｐ−メトキシ
フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、β−ナフチル基、
９−アントラニル基などが挙げられる。
は、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イ
ソプロピル基、ｎ−ブチル基、sec−ブチル基、tert−
ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オク
チル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基などが挙げられ
る。また、置換もしくは非置換アリール基としては、例
えば、フェニル基、ｏ−ヒドロキシフェニル基、ｐ−ヒ
ドロキシフェニル基、ｏ−メチルフェニル基、ｐ−メチ
ルフェニル基、ｏ−メトキシフェニル基、ｐ−メトキシ
フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、β−ナフチル基、
９−アントラニル基などが挙げられる。
さらに、上記式（Ｉ）においてR1がシロキシ基もしくは
置換シロキシ基である場合には、下記に示すように、こ
れらの基が隣接する構造単位のシロキシ基もしくは置換
シロシキ基と結合した構造、または、他の分子中のシロ
キシ基もしくは置換シロキシ基と結合した構造などの二
次元もしくは三次元構造のものであってもよい。
置換シロキシ基である場合には、下記に示すように、こ
れらの基が隣接する構造単位のシロキシ基もしくは置換
シロシキ基と結合した構造、または、他の分子中のシロ
キシ基もしくは置換シロキシ基と結合した構造などの二
次元もしくは三次元構造のものであってもよい。
さらに、式（Ｉ）で示される構造単位の具体例として
は、 などを挙げることができる。
は、 などを挙げることができる。
なお、上記式（Ｉ）で示される化合物は、例えば次のよ
うにして製造することができる。すなわち、フェノール
あるいはカルボン酸をトリメチルシリル基あるいはアル
キルエーテルなどで保護して得られる、不飽和結合を有
する化合物と、トリクロロシラン、モノ置換ジクロロシ
ランあるいはトリエトキシシラン、モノ置換ジエトキシ
シランとを白金触媒などにより反応させ、その後で加水
分解縮合を行なわせることにより製造される。
うにして製造することができる。すなわち、フェノール
あるいはカルボン酸をトリメチルシリル基あるいはアル
キルエーテルなどで保護して得られる、不飽和結合を有
する化合物と、トリクロロシラン、モノ置換ジクロロシ
ランあるいはトリエトキシシラン、モノ置換ジエトキシ
シランとを白金触媒などにより反応させ、その後で加水
分解縮合を行なわせることにより製造される。
つぎに、本発明で使用する感光性化合物は、一般に感光
剤として知られているものであればいかなるものであっ
てもよく、例えば、アジド化合物、ナフトキノンジアジ
ドスルホン酸エステル、ジアゾニウム塩が挙げられる。
このアジド化合物の具体例としては、4,4′−ジアジド
カルコン、2,6−ビス（４′−アジドベンザル）シクロ
ヘキサノン、2,6−ビス（４′−アジドベンザル）−４
−メチレンシクロヘキサノン、1,3−ビス（４′−アジ
トベンザル）−２−プロパノン、1,3−ビス（４′−ア
ジドシンナミリデン）−２−プロパノン、4,4′−ジア
ジドスチルベン、4,4′−ジアジトビフェニル、4,4′−
ジアジドジフェニルスルフィド、3,3′−ジアジドジフ
ェニルスルフィド、4,4′−ジアジドジフェニルスルホ
ン、3,3′−ジアジドジフェニルスルホンおよび4,4′−
ジアジドスチルベンが挙げられる。また、特開昭50-701
05号公報、同50-40626号公報、同49-8214号公報、同48-
94420号公報または同48-94419号公報に記載された化合
物も挙げられる。さらにまた、ナフトキノンジアジド基
やベンゾキノンジアジド基を含む化合物も挙げられる。
この化合物は、例えばナフトキノンジアジドスルホン酸
クロリドやベンゾキノンジアジドスルホン酸クロリドと
ヒドロキシ基を有する低分子化合物や高分子化合物を、
弱アルカリの存在下に縮合することにより得られる。こ
こで低分子化合物の例としてはハイドロキノン、レゾル
シン、フロログルシン、2,4−ジヒドロキシベンゾフェ
ノン、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン、没食子
酸アルキルエステル、カテキン、ケルセチン、キナリザ
リン、プルプリン等が挙げられ、高分子化合物の例とし
てはフェノール−ホルムアルデヒドノボラック樹脂、ク
レゾール−ホルムアルデヒドノボラック樹脂、ポリヒド
ロキシスチレン等が挙げられる。
剤として知られているものであればいかなるものであっ
てもよく、例えば、アジド化合物、ナフトキノンジアジ
ドスルホン酸エステル、ジアゾニウム塩が挙げられる。
このアジド化合物の具体例としては、4,4′−ジアジド
カルコン、2,6−ビス（４′−アジドベンザル）シクロ
ヘキサノン、2,6−ビス（４′−アジドベンザル）−４
−メチレンシクロヘキサノン、1,3−ビス（４′−アジ
トベンザル）−２−プロパノン、1,3−ビス（４′−ア
ジドシンナミリデン）−２−プロパノン、4,4′−ジア
ジドスチルベン、4,4′−ジアジトビフェニル、4,4′−
ジアジドジフェニルスルフィド、3,3′−ジアジドジフ
ェニルスルフィド、4,4′−ジアジドジフェニルスルホ
ン、3,3′−ジアジドジフェニルスルホンおよび4,4′−
ジアジドスチルベンが挙げられる。また、特開昭50-701
05号公報、同50-40626号公報、同49-8214号公報、同48-
94420号公報または同48-94419号公報に記載された化合
物も挙げられる。さらにまた、ナフトキノンジアジド基
やベンゾキノンジアジド基を含む化合物も挙げられる。
この化合物は、例えばナフトキノンジアジドスルホン酸
クロリドやベンゾキノンジアジドスルホン酸クロリドと
ヒドロキシ基を有する低分子化合物や高分子化合物を、
弱アルカリの存在下に縮合することにより得られる。こ
こで低分子化合物の例としてはハイドロキノン、レゾル
シン、フロログルシン、2,4−ジヒドロキシベンゾフェ
ノン、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン、没食子
酸アルキルエステル、カテキン、ケルセチン、キナリザ
リン、プルプリン等が挙げられ、高分子化合物の例とし
てはフェノール−ホルムアルデヒドノボラック樹脂、ク
レゾール−ホルムアルデヒドノボラック樹脂、ポリヒド
ロキシスチレン等が挙げられる。
これらの化合物の中でも、アジド化合物が好ましい。さ
らに好ましいものは、ナフトキノンジアジドスルホン酸
エステルまたはアリールアジド化合物である。これらは
単独で、または混合系で用いられる。
らに好ましいものは、ナフトキノンジアジドスルホン酸
エステルまたはアリールアジド化合物である。これらは
単独で、または混合系で用いられる。
このような本発明の感光性組成物において、必須成分で
あるポリシロキサン樹脂と感光性化合物の配合割合はと
くに限定されるものではないが、ポリシロキサン樹脂10
0重量部に対し、感光性化合物が通常、５〜100重量部で
ある。５重量部未満の場合には、未露光部と露光部のア
ルカリ溶解性の差がとれないので、きれいなパターンが
できず、100重量部を超えると塗膜にならない。
あるポリシロキサン樹脂と感光性化合物の配合割合はと
くに限定されるものではないが、ポリシロキサン樹脂10
0重量部に対し、感光性化合物が通常、５〜100重量部で
ある。５重量部未満の場合には、未露光部と露光部のア
ルカリ溶解性の差がとれないので、きれいなパターンが
できず、100重量部を超えると塗膜にならない。
さらに本発明の感光性組成物にあって、必要に応じて含
有されるアルカリ可溶性樹脂としては、アルカリ可溶性
である樹脂であればとくに限定されるものではないが、
例えば、ポリ−ｐ−ビニルフェノール、ポリ−ｏ−ビニ
ルフェノール、ポリ−ｍ−イソプロペニルフェノール、
ポリ−ｐ−イソプロペニルフェノール、m,p−クレゾー
ルノボラック樹脂、ｐ−ビニルフェノールとメタクリル
酸メチルとの共重合体、ｐ−イソプロペニルフェノール
と無水マレイン酸との共重合体、ポリ−ｐ−ビニルフェ
ノールの部分ベイゾイル化物、ポリ−ｐ−ビニルフェノ
ールの部分ｏ−メチル化物、ポリメタクリル酸、ポリア
クリル酸などを挙げることができ、とくに、フェノール
性水酸基を有するものが好ましい。また、このアルカリ
可溶性樹脂の配合量は、上記ポリシロキサン樹脂100重
量部に対し、５〜100重量部程度に設定される。
有されるアルカリ可溶性樹脂としては、アルカリ可溶性
である樹脂であればとくに限定されるものではないが、
例えば、ポリ−ｐ−ビニルフェノール、ポリ−ｏ−ビニ
ルフェノール、ポリ−ｍ−イソプロペニルフェノール、
ポリ−ｐ−イソプロペニルフェノール、m,p−クレゾー
ルノボラック樹脂、ｐ−ビニルフェノールとメタクリル
酸メチルとの共重合体、ｐ−イソプロペニルフェノール
と無水マレイン酸との共重合体、ポリ−ｐ−ビニルフェ
ノールの部分ベイゾイル化物、ポリ−ｐ−ビニルフェノ
ールの部分ｏ−メチル化物、ポリメタクリル酸、ポリア
クリル酸などを挙げることができ、とくに、フェノール
性水酸基を有するものが好ましい。また、このアルカリ
可溶性樹脂の配合量は、上記ポリシロキサン樹脂100重
量部に対し、５〜100重量部程度に設定される。
本発明の感光性組成物は、上記した各成分を、例えば、
溶剤に溶解させるなどの常用の方法を用いて容易に得る
ことができる。なお、本発明の組成物は、必要に応じ
て、増感剤、染料、界面活性剤、塗膜の改質のための他
のポリマー、例えば、エポキシ樹脂、ポリメチルメタク
リレート樹脂、プロピレンオキシド−エチレンオキシド
共重合体、ポリスチレン、シリコーンラダーポリマーな
どが配合されてもよい。
溶剤に溶解させるなどの常用の方法を用いて容易に得る
ことができる。なお、本発明の組成物は、必要に応じ
て、増感剤、染料、界面活性剤、塗膜の改質のための他
のポリマー、例えば、エポキシ樹脂、ポリメチルメタク
リレート樹脂、プロピレンオキシド−エチレンオキシド
共重合体、ポリスチレン、シリコーンラダーポリマーな
どが配合されてもよい。
以下、本発明のパターンの形成について説明する。ま
ず、本発明の組成物を溶剤に溶かしてから塗布する。用
いる溶剤は格別限定されず、例えば、トルエン、キシレ
ン、ｏ−ジクロロベンゼン、クロロホルム、エタノー
ル、イソプロピルアルコール、シクロペンタノン、シク
ロヘキサノン、酢酸セロソルブおよびメチルエチルケト
ンが挙げられる。また、塗布方法も常法に従い行われる
が、好ましくはスピンコート法が採用される。
ず、本発明の組成物を溶剤に溶かしてから塗布する。用
いる溶剤は格別限定されず、例えば、トルエン、キシレ
ン、ｏ−ジクロロベンゼン、クロロホルム、エタノー
ル、イソプロピルアルコール、シクロペンタノン、シク
ロヘキサノン、酢酸セロソルブおよびメチルエチルケト
ンが挙げられる。また、塗布方法も常法に従い行われる
が、好ましくはスピンコート法が採用される。
上記樹脂を塗布した後、乾燥する。乾燥条件は、下層用
樹脂の場合、通常50〜250℃、好ましくは80〜220℃で、
通常0.5〜120分間、好ましくは１〜90分間であり、感光
性シリコーン樹脂の場合、通常50〜200℃、好ましくは8
0〜120℃で、通常0.5〜120分間、好ましくは１〜60分間
である。
樹脂の場合、通常50〜250℃、好ましくは80〜220℃で、
通常0.5〜120分間、好ましくは１〜90分間であり、感光
性シリコーン樹脂の場合、通常50〜200℃、好ましくは8
0〜120℃で、通常0.5〜120分間、好ましくは１〜60分間
である。
つぎに、本発明の感光性組成物層を所定パターンのマス
クを通して露光する。露光は常法に従い、可視・赤外・
紫外光線または電子線などのエネルギー線を照射するこ
とにより行われる。
クを通して露光する。露光は常法に従い、可視・赤外・
紫外光線または電子線などのエネルギー線を照射するこ
とにより行われる。
露光した後、溶剤で現象する。現象時間は通常0.5〜10
分間であり、溶剤としては、好ましくはアルカリ水溶液
が使用される。次に、通常50〜200℃で0.5〜120分間乾
燥する。最後に、下層を酸素ガスプラズマまたは適宜の
溶剤を用いてエッチングすることにより、所定のレジス
トパターンが得られる。なお好ましくは酸素ガスプラズ
マでエッチングする。この場合は、通常１×10-4〜１×
10-1Torr、0.01〜10W/cm2で１〜120分間処理する。
分間であり、溶剤としては、好ましくはアルカリ水溶液
が使用される。次に、通常50〜200℃で0.5〜120分間乾
燥する。最後に、下層を酸素ガスプラズマまたは適宜の
溶剤を用いてエッチングすることにより、所定のレジス
トパターンが得られる。なお好ましくは酸素ガスプラズ
マでエッチングする。この場合は、通常１×10-4〜１×
10-1Torr、0.01〜10W/cm2で１〜120分間処理する。
（実施例） 実施例１ 次式： で示される構造単位を有するポリシロキサン樹脂（分子
量5,000）80重量部と、感光性化合物として、４−アジ
ド−２′−メチル−４′〔Ｎ−（２−エトキシエチル）
−Ｎ−エチル−アミノ〕−α−シアノスチルベン20重量
部とを使用し、これらをシクロヘキサノン200重量部に
溶解して感光性組成物を調製した。
量5,000）80重量部と、感光性化合物として、４−アジ
ド−２′−メチル−４′〔Ｎ−（２−エトキシエチル）
−Ｎ−エチル−アミノ〕−α−シアノスチルベン20重量
部とを使用し、これらをシクロヘキサノン200重量部に
溶解して感光性組成物を調製した。
つぎに、シリコンウェハー上に、ノボラック系市販レジ
ストOFPR-800（東京応化製）をスピナーで塗布し、220
℃で１時間乾燥させて下層を形成した。下層の厚さは2.
0μｍであった。ついで、その上に上記により得られた
感光性組成物溶液をスピナーで塗布し、ホットプレート
上で90℃において２分間乾燥させ、厚さ0.5μｍの感光
性塗膜を形成した。しかるのち、波長436nmの単色光を
用いた縮小投影露光装置（ステッパー）により露光し、
水酸化テトラメチルアンモニウムの1.5％水溶液で45秒
間現象することにより、レジストパターンを形成した。
その後、酸素ガスプラズマ（2.0×10-2Torr、0.06W/c
m2）を使用して30分間エッチングを行ない、線幅0.5μ
ｍの良好なパターンが形成された。
ストOFPR-800（東京応化製）をスピナーで塗布し、220
℃で１時間乾燥させて下層を形成した。下層の厚さは2.
0μｍであった。ついで、その上に上記により得られた
感光性組成物溶液をスピナーで塗布し、ホットプレート
上で90℃において２分間乾燥させ、厚さ0.5μｍの感光
性塗膜を形成した。しかるのち、波長436nmの単色光を
用いた縮小投影露光装置（ステッパー）により露光し、
水酸化テトラメチルアンモニウムの1.5％水溶液で45秒
間現象することにより、レジストパターンを形成した。
その後、酸素ガスプラズマ（2.0×10-2Torr、0.06W/c
m2）を使用して30分間エッチングを行ない、線幅0.5μ
ｍの良好なパターンが形成された。
実施例２ 感光性化合物として、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフ
ェノンの1,2−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸
エステル（平均エステル化率2.0）を使用したことを除
いては上記実施例１と同様にしたところ、線幅0.5μｍ
の良好なパターンが形成された。
ェノンの1,2−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸
エステル（平均エステル化率2.0）を使用したことを除
いては上記実施例１と同様にしたところ、線幅0.5μｍ
の良好なパターンが形成された。
実施例３ 次式： で示される構造単位を有するもポリシロキサン樹脂（分
子量7,000）80重量部と、感光剤としてプルプリンの1,2
−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル（平
均エステル化率3.0）20重量部とをシクロヘキサノン200
重量部とを混合して感光性組成物を調製し、実施例１と
同様にしてパターンを形成したところ、線幅0.5μｍの
良好なパターンが形成された。
子量7,000）80重量部と、感光剤としてプルプリンの1,2
−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル（平
均エステル化率3.0）20重量部とをシクロヘキサノン200
重量部とを混合して感光性組成物を調製し、実施例１と
同様にしてパターンを形成したところ、線幅0.5μｍの
良好なパターンが形成された。
実施例４ 次式： で示される構造単位を有するポリシロキサン樹脂（分子
量3,000）30重量部と、市販ポジ型レジストOFPR-800
〔東京応化製、固形分30％、（m,p−クレゾールノボラ
ック樹脂、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノンのナ
フトキノンジアジドスルホン酸エステル化物および溶剤
からなるもの）〕100重量部とを混合して感光性組成物
を調製し、実施例１と同様にしてパターンを形成したと
ころ、線幅0.5μｍの良好なパターンが形成された。
量3,000）30重量部と、市販ポジ型レジストOFPR-800
〔東京応化製、固形分30％、（m,p−クレゾールノボラ
ック樹脂、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノンのナ
フトキノンジアジドスルホン酸エステル化物および溶剤
からなるもの）〕100重量部とを混合して感光性組成物
を調製し、実施例１と同様にしてパターンを形成したと
ころ、線幅0.5μｍの良好なパターンが形成された。
実施例５ ポリシロキサン樹脂として、次式： で示される構造単位を有するもの（分子量2,500）100重
量部、感光性化合物として、ケルセチンのナフトキノン
ジアジドスルホン酸エステル（−OH基に対するエステル
化率80％）50重量部およびアルカリ可溶性樹脂としてm,
p−クレゾールノボラック樹脂（分子量4,000）50重量部
とを混合して感光性組成物を調製し、実施例１と同様に
してパターンを形成したところ、線幅0.5μｍの良好な
パターンが形成された。
量部、感光性化合物として、ケルセチンのナフトキノン
ジアジドスルホン酸エステル（−OH基に対するエステル
化率80％）50重量部およびアルカリ可溶性樹脂としてm,
p−クレゾールノボラック樹脂（分子量4,000）50重量部
とを混合して感光性組成物を調製し、実施例１と同様に
してパターンを形成したところ、線幅0.5μｍの良好な
パターンが形成された。
実施例６ ポリシロキサン樹脂として、次式： で示される構造単位を有するもの（分子量3,000）100重
量部、感光性化合物として、ケルセチンのナフトキノン
ジアジドスルホン酸エステル（−OH基に対するエステル
化率80％）30重量部、およびシリコーンラダーポリマー
GR-950（米国オーエンス−イリノイ社製）30重量部とを
混合して感光性組成物を調製し、実施例１と同様にして
パターンを形成したところ、線幅0.5μｍの良好なパタ
ーンが形成された。
量部、感光性化合物として、ケルセチンのナフトキノン
ジアジドスルホン酸エステル（−OH基に対するエステル
化率80％）30重量部、およびシリコーンラダーポリマー
GR-950（米国オーエンス−イリノイ社製）30重量部とを
混合して感光性組成物を調製し、実施例１と同様にして
パターンを形成したところ、線幅0.5μｍの良好なパタ
ーンが形成された。
実施例７ 感光性化合物として、次式： で示される化合物を使用したことを除いては、上記実施
例６と同様にしてパターン形成を行なったところ、線幅
0.5μｍの良好なパターンが形成された。
例６と同様にしてパターン形成を行なったところ、線幅
0.5μｍの良好なパターンが形成された。
以上の説明から明らかなように、本発明の感光性組成物
は、レジストパターンの形成に際し、従来のような多層
の積層体を形成することなしに、極めて微細なレジスト
パターンの形成を可能にするものであり、例えば、半導
体素子の集積回路の製造工程など幅広い用途に適用して
有用であり、その工業的価値が大である。
は、レジストパターンの形成に際し、従来のような多層
の積層体を形成することなしに、極めて微細なレジスト
パターンの形成を可能にするものであり、例えば、半導
体素子の集積回路の製造工程など幅広い用途に適用して
有用であり、その工業的価値が大である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−80844（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−36661（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−159141（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】（Ａ）次式： （式中、R1は炭素原子数１〜10の置換もしくは非置換ア
ルキル基、炭素数６〜14の置換もしくは非置換アリール
基、またはシロキシ基もしくは置換シロキシ基を表わ
し、R2〜R6は、そのうちの少なくとも１つの基がカルボ
キシル基もしくはフェノール性水酸基またはこれを含有
する基であり、かつ、残りの基は水素原子、ハロゲン原
子、置換もしくは非置換アルキル基、カルボキシル基、
アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アル
コキシ基、アシルオキシ基、アリル基、炭素原子数６〜
14の置換もしくは非置換アリール基、アミドまたはイミ
ドを表わし、あるいはR2、R3のいずれか一方と、R4、
R5、R6のうちの１個とが協働して環を形成していてもよ
い） で示される構造単位を有するポリシロキサン樹脂、なら
びに （Ｂ）感光性化合物 を必須成分として含有することを特徴とする感光性組成
物。 - 【請求項２】さらに、アルカリ可溶性樹脂を含有する特
許請求の範囲第１項記載の感光性組成物。 - 【請求項３】（Ａ）次式： （式中、R1は炭素原子数１〜10の置換もしくは非置換ア
ルキル基、炭素数６〜14の置換もしくは非置換アリール
基、またはシロキシ基もしくは置換シロキシ基を表わ
し、R2〜R6は、そのうちの少なくとも１つの基がカルボ
キシル基もしくはフェノール性水酸基またはこれを含有
する基であり、かつ、残りの基は水素原子、ハロゲン原
子、置換もしくは非置換アルキル基、カルボキシル基、
アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アル
コキシ基、アシルオキシ基、アリル基、炭素原子数６〜
14の置換もしくは非置換アリール基、アミドまたはイミ
ドを表わし、あるいはR2、R3のいずれか一方と、R4、
R5、R6のうちの１個とが協働して環を形成していてもよ
い） で示される構造単位を有するポリシロキサン樹脂、なら
びに （Ｂ）感光性化合物 を必須成分として含有する感光性組成物を基材に塗布
し、露光後、アルカリ水溶液を用いて現像することを特
徴とするパターン形成方法。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61071107A JPH07120044B2 (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 感光性組成物およびそれを用いるパターン形成方法 |
| US06/938,874 US4822716A (en) | 1985-12-27 | 1986-12-08 | Polysilanes, Polysiloxanes and silicone resist materials containing these compounds |
| DE3689692T DE3689692T2 (de) | 1985-12-27 | 1986-12-16 | "Silicon-resist"-Materialien, die Polysiloxane Verbindungen enthalten. |
| EP86117468A EP0231497B1 (en) | 1985-12-27 | 1986-12-16 | Silicone resist materials containing polysiloxanes |
| EP92103859A EP0493367B1 (en) | 1985-12-27 | 1986-12-16 | Silane resist materials and method for their preparation |
| DE3650633T DE3650633T2 (de) | 1985-12-27 | 1986-12-16 | Polysilan-Resist-Materialien und Methode zu deren Herstellung |
| US07/304,231 US5017453A (en) | 1985-03-31 | 1989-01-31 | A silicone resist materials containing a polysiloxane and a photo-sensitive agent |
| US07/673,185 US5198520A (en) | 1985-12-27 | 1991-03-21 | Polysilanes, polysiloxanes and silicone resist materials containing these compounds |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61071107A JPH07120044B2 (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 感光性組成物およびそれを用いるパターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62229136A JPS62229136A (ja) | 1987-10-07 |
| JPH07120044B2 true JPH07120044B2 (ja) | 1995-12-20 |
Family
ID=13450997
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61071107A Expired - Fee Related JPH07120044B2 (ja) | 1985-03-31 | 1986-03-31 | 感光性組成物およびそれを用いるパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07120044B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0769608B2 (ja) * | 1986-10-06 | 1995-07-31 | 株式会社日立製作所 | 感光性樹脂組成物 |
| JPH0769610B2 (ja) * | 1987-03-19 | 1995-07-31 | 株式会社日立製作所 | パターン形成方法 |
| JP2573996B2 (ja) * | 1988-05-11 | 1997-01-22 | 日本電信電話株式会社 | パターン形成材料 |
| JP2597163B2 (ja) * | 1988-09-22 | 1997-04-02 | 富士写真フイルム株式会社 | 感光性組成物 |
| JPH02308857A (ja) * | 1989-05-02 | 1990-12-21 | Union Carbide Chem & Plast Co Inc | 室温硬化ポリオルガノシロキサン |
| EP0410606B1 (en) | 1989-07-12 | 1996-11-13 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Siloxane polymers and positive working light-sensitive compositions comprising the same |
| JPH03100553A (ja) * | 1989-09-14 | 1991-04-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | レジスト材料及び感光性樹脂組成物 |
| JPH0450947A (ja) * | 1990-06-15 | 1992-02-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
| JPH04330709A (ja) * | 1991-04-25 | 1992-11-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 微細パターン形成材料およびパターン形成方法 |
| US5998509A (en) * | 1996-11-29 | 1999-12-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Resin composition and semiconductor device employing the same |
| KR100707767B1 (ko) * | 1999-09-28 | 2007-04-17 | 후지필름 가부시키가이샤 | 포지티브 포토레지스트 조성물 |
| JP3697426B2 (ja) | 2002-04-24 | 2005-09-21 | 株式会社東芝 | パターン形成方法および半導体装置の製造方法 |
| JP5284880B2 (ja) * | 2009-06-10 | 2013-09-11 | 株式会社カネカ | 光硬化性組成物およびそれを用いた絶縁性薄膜および薄膜トランジスタ |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS578248A (en) * | 1980-06-19 | 1982-01-16 | Toray Ind Inc | Production of photosensitive resin |
| JPS6080844A (ja) * | 1983-10-11 | 1985-05-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | パタ−ン形成用材料及びパタ−ン形成方法 |
| JPS6236661A (ja) * | 1985-08-12 | 1987-02-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 感光性樹脂組成物及びその使用方法 |
| JP2619358B2 (ja) * | 1986-01-08 | 1997-06-11 | 株式会社日立製作所 | 感光性樹脂組成物 |
-
1986
- 1986-03-31 JP JP61071107A patent/JPH07120044B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62229136A (ja) | 1987-10-07 |
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|---|---|---|---|
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