JPH0769610B2 - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
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- JPH0769610B2 JPH0769610B2 JP62065205A JP6520587A JPH0769610B2 JP H0769610 B2 JPH0769610 B2 JP H0769610B2 JP 62065205 A JP62065205 A JP 62065205A JP 6520587 A JP6520587 A JP 6520587A JP H0769610 B2 JPH0769610 B2 JP H0769610B2
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- resist
- polymer
- layer
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、パターン形成方法に関し、特に、超LSI、超
高速トランジスタ、磁気バブルメモリ等の製造におい
て、サブミクロンレベルの微細レジストパターンを形成
する方法に関する。
高速トランジスタ、磁気バブルメモリ等の製造におい
て、サブミクロンレベルの微細レジストパターンを形成
する方法に関する。
［従来の技術］ 近年、半導体素子等の集積度の著しい向上に伴ない、線
幅や間隔が極めて小さいパターンを高精度で形成する方
法が望まれている。
幅や間隔が極めて小さいパターンを高精度で形成する方
法が望まれている。
集積度の向上に伴なって、半導体素子等においては多層
配線構造が増々必要となり、パターニングを施すべき半
導体基板表面には、フォトリングラフィ工程において無
視できない凹凸が現われるようになってきた。このよう
な凹凸が、フォトレジストを通過した露光光を乱反射
し、本来露光すべきでない部分が照射される現象が生じ
る。また、下地基板からの反射光と入射光の干渉に基づ
く定在波が発生する。
配線構造が増々必要となり、パターニングを施すべき半
導体基板表面には、フォトリングラフィ工程において無
視できない凹凸が現われるようになってきた。このよう
な凹凸が、フォトレジストを通過した露光光を乱反射
し、本来露光すべきでない部分が照射される現象が生じ
る。また、下地基板からの反射光と入射光の干渉に基づ
く定在波が発生する。
これらの効果はいずれも解像度の低下をもたらす要因と
なるため、単層のレジストを用いる従来法では、実素子
上において高解像度の微細加工を行なうことが困難とな
ってきた。
なるため、単層のレジストを用いる従来法では、実素子
上において高解像度の微細加工を行なうことが困難とな
ってきた。
以上のような問題を解決する目的で、種々の多層レジス
ト法が提案され、最近になって基板上に在来のフォトレ
ジストを用いて第１レジスト層を形成して下地の凹凸を
平坦化し、この上に有機ケイ素ポリマからなる光および
放射線感応性高分子で第２レジスト層を形成する二層レ
ジスト法が活発に研究されている（例えば、E.Ong and
E.L.Hu,Solid State Technology,160（1984）。
ト法が提案され、最近になって基板上に在来のフォトレ
ジストを用いて第１レジスト層を形成して下地の凹凸を
平坦化し、この上に有機ケイ素ポリマからなる光および
放射線感応性高分子で第２レジスト層を形成する二層レ
ジスト法が活発に研究されている（例えば、E.Ong and
E.L.Hu,Solid State Technology,160（1984）。
このような二層レジスト法を用いたリングラフィプロセ
スの概略を第１図に示す。まず、第１図（ａ）のように
半導体基板１上に第１レジスト層２、第２レジスト層３
を設け、第２レジスト層３の所定の部分に光または放射
線を照射した後、現像により第１図（ｂ）のようにパタ
ーンを形成し、次いで酸素プラズマにより処理すると、
第２レジスト層３の残っている部分は表面がSiO2化して
エッチングが進行せず、一方第１レジスト層２が露出し
た部分では、第１レジスト層が酸化的にエッチング除去
されて、第１図（ｃ）の状態となる。
スの概略を第１図に示す。まず、第１図（ａ）のように
半導体基板１上に第１レジスト層２、第２レジスト層３
を設け、第２レジスト層３の所定の部分に光または放射
線を照射した後、現像により第１図（ｂ）のようにパタ
ーンを形成し、次いで酸素プラズマにより処理すると、
第２レジスト層３の残っている部分は表面がSiO2化して
エッチングが進行せず、一方第１レジスト層２が露出し
た部分では、第１レジスト層が酸化的にエッチング除去
されて、第１図（ｃ）の状態となる。
このようにすれば、下地基板の凹凸は平坦化され、第２
レジスト層は、薄く均一となるため、理想的な露光条件
となり、高解像度のパターン転写が期待される。
レジスト層は、薄く均一となるため、理想的な露光条件
となり、高解像度のパターン転写が期待される。
以上のような二層レジスト法を用いて、高解像度を達成
するためには、以下の条件が必須である。
するためには、以下の条件が必須である。
（１） 第１レジスト層が第２レジスト層の露光に用い
る光を十分に吸収し、下地からの反射および定在波の影
響が第２レジスト層に及ばないこと。
る光を十分に吸収し、下地からの反射および定在波の影
響が第２レジスト層に及ばないこと。
（２） 第１レジスト層と第２レジスト層の酸素プラズ
マによるエッチンググレート比が十分に大きいこと。
マによるエッチンググレート比が十分に大きいこと。
（３） 第１レジスト層が、第２レジスト層の塗布溶
剤、現像溶剤、リンス溶剤によって浸されないこと。
剤、現像溶剤、リンス溶剤によって浸されないこと。
（４） 第１レジスト層は基板のドライエッチングに耐
えること。
えること。
上記のような二層レジスト法を実現することを目的とし
て、現在までに第２レジスト層用材料として様々なレジ
スト材料が提案されている（例えば、E.Reichanis,G.Sm
olinsky,and C.W.Wilkins,Jr.,Solid State Technology
130（1985））。これらの材料は、いずれも有機ケイ素
ポリマを含有し、材料中のSi原子が酸素プラズマ処理時
にSiO2化してレジスト表面に酸素プラズマ耐性膜を形成
する。この性質を利用して、第１図のように第１レジス
ト層を加工する。さて、このような有機ケイ素系レジス
トは、今までのところ大部分がネガ形レジストであり、
感光域もDeep UV、Ｘ線、電子線に限られているため、
用途が限定されている。またネガ形レジストの場合に
は、一般に照射部分が高度に架橋するため、プロセス終
了時の剥離が難しいというプロセス上の問題もかかえて
いる。一方、ポジ形レジストも数種知られているが、や
はり多くは感光域がDeep UV、Ｘ線、電子線に限られて
いる。また、第１図（ｂ）から（ｃ）に至るO2RIE（O2
リアクティブイオンエッチング、即ち酸素プラズマによ
る反応性イオンエッチング）のプロセスにおいて、第２
レジスト層から第１レジスト層へのパターン変換差をで
きるだけ小さく抑えるためには、第２レジスト層に対し
て極めて高い酸素プラズマ耐性が要求されるが、既存の
ポジ形レジストでこの要求を満たすものは認められな
い。
て、現在までに第２レジスト層用材料として様々なレジ
スト材料が提案されている（例えば、E.Reichanis,G.Sm
olinsky,and C.W.Wilkins,Jr.,Solid State Technology
130（1985））。これらの材料は、いずれも有機ケイ素
ポリマを含有し、材料中のSi原子が酸素プラズマ処理時
にSiO2化してレジスト表面に酸素プラズマ耐性膜を形成
する。この性質を利用して、第１図のように第１レジス
ト層を加工する。さて、このような有機ケイ素系レジス
トは、今までのところ大部分がネガ形レジストであり、
感光域もDeep UV、Ｘ線、電子線に限られているため、
用途が限定されている。またネガ形レジストの場合に
は、一般に照射部分が高度に架橋するため、プロセス終
了時の剥離が難しいというプロセス上の問題もかかえて
いる。一方、ポジ形レジストも数種知られているが、や
はり多くは感光域がDeep UV、Ｘ線、電子線に限られて
いる。また、第１図（ｂ）から（ｃ）に至るO2RIE（O2
リアクティブイオンエッチング、即ち酸素プラズマによ
る反応性イオンエッチング）のプロセスにおいて、第２
レジスト層から第１レジスト層へのパターン変換差をで
きるだけ小さく抑えるためには、第２レジスト層に対し
て極めて高い酸素プラズマ耐性が要求されるが、既存の
ポジ形レジストでこの要求を満たすものは認められな
い。
以上のように、実用性の観点からは既知の有機ケイ素系
レジストは、二層レジスト法の上層レジスト（第１図の
第２レジスト層）としてはまだ十分とは言えず、大幅な
改良を必要としている。
レジストは、二層レジスト法の上層レジスト（第１図の
第２レジスト層）としてはまだ十分とは言えず、大幅な
改良を必要としている。
現行の半導体プロセスのリソグラフィ工程においては、
原理的に解像度、耐ドライエッチ性に優れたアルカリ現
像ポジ系レジストが主流となっており、今後ともこの傾
向が持続するものと考えられる。従って、実用性の点も
考慮に入れれば、二層レジストプロセスとしては、解像
度・感度・酸素プラズマ耐性にすぐれ、なおかつアルカ
リ現像形であるポジ形レジストを上層レジストとして用
いるプロセスが最も有望である。
原理的に解像度、耐ドライエッチ性に優れたアルカリ現
像ポジ系レジストが主流となっており、今後ともこの傾
向が持続するものと考えられる。従って、実用性の点も
考慮に入れれば、二層レジストプロセスとしては、解像
度・感度・酸素プラズマ耐性にすぐれ、なおかつアルカ
リ現像形であるポジ形レジストを上層レジストとして用
いるプロセスが最も有望である。
［発明が解決しようとする問題点］ 以上のように、従来の二層レジスト法では、解像度・感
度・感光波長域ならびに上層から下層へのパターン転写
精度のすべての条件を満足するものは得られていない。
度・感光波長域ならびに上層から下層へのパターン転写
精度のすべての条件を満足するものは得られていない。
本発明の目的は、解像度・感度および酸素プラズマ耐性
に極めて優れたアルカリ現像性ポジ形有機ケイ素レジス
トを上層レジストとして用いることにより、上記各条件
を満足するとともに、極めて実用性に優れた二層レジス
ト法を提供することにある。
に極めて優れたアルカリ現像性ポジ形有機ケイ素レジス
トを上層レジストとして用いることにより、上記各条件
を満足するとともに、極めて実用性に優れた二層レジス
ト法を提供することにある。
［問題点を解決するための手段］ 上記目的を達成するために、発明者らは種々の材料を検
討した結果、ある種のアルカリ可溶性有機ケイ素ポリマ
と感光性溶解阻害剤を主成分とする感光性樹脂組成物
を、上記第２レジスト層として用いる方法が有力である
ことを見い出し、本発明を成すに至った。
討した結果、ある種のアルカリ可溶性有機ケイ素ポリマ
と感光性溶解阻害剤を主成分とする感光性樹脂組成物
を、上記第２レジスト層として用いる方法が有力である
ことを見い出し、本発明を成すに至った。
二層レジスト法では、第２レジスト層として、感光性と
酸素プラズマ耐性の両方を兼ね備えた高分子材料を用い
る必要がある。そのような材料としては、分子中に金属
原子を含む有機金属ポリマが使える。と言うのは、一般
に有機金属ポリマ被膜は、酸素プラズマ処理によってポ
リマ中の金属元素に由来する金属酸化物膜を表面に形成
し、この酸化物膜が酸素プラズマに対して著しい耐性を
持つからである。しかし、有機金属ポリマそのものに感
光性を付与することは、困難であった。そこで、種々の
可能性を検討の結果、酸素プラズマ耐性と感光性をそれ
ぞれ別々の物質に受け持たせ、両者を混合して得られる
組成物を第２レジスト層として用いる方法が有効である
ことを見い出した。即ち、アルカリ可溶性有機金属ポリ
マと感光性溶解阻害剤の混合物からなる塗膜では、光照
射部分のみがアルカリ現像液に選択的に可溶化し、ポジ
形のレジストパターンが得られることを見い出した。次
いでこのようなポジレジストパターンを上記と同様にし
て、適当な有機高分子材料被膜の上に形成し、O2RIE処
理を施したところ、第１図（ｂ）から（ｃ）のように、
下層の有機高分子材料被膜がエッチングされ、上層から
下層へ精度よくパターン転写されることを確認した。
酸素プラズマ耐性の両方を兼ね備えた高分子材料を用い
る必要がある。そのような材料としては、分子中に金属
原子を含む有機金属ポリマが使える。と言うのは、一般
に有機金属ポリマ被膜は、酸素プラズマ処理によってポ
リマ中の金属元素に由来する金属酸化物膜を表面に形成
し、この酸化物膜が酸素プラズマに対して著しい耐性を
持つからである。しかし、有機金属ポリマそのものに感
光性を付与することは、困難であった。そこで、種々の
可能性を検討の結果、酸素プラズマ耐性と感光性をそれ
ぞれ別々の物質に受け持たせ、両者を混合して得られる
組成物を第２レジスト層として用いる方法が有効である
ことを見い出した。即ち、アルカリ可溶性有機金属ポリ
マと感光性溶解阻害剤の混合物からなる塗膜では、光照
射部分のみがアルカリ現像液に選択的に可溶化し、ポジ
形のレジストパターンが得られることを見い出した。次
いでこのようなポジレジストパターンを上記と同様にし
て、適当な有機高分子材料被膜の上に形成し、O2RIE処
理を施したところ、第１図（ｂ）から（ｃ）のように、
下層の有機高分子材料被膜がエッチングされ、上層から
下層へ精度よくパターン転写されることを確認した。
すなわち、本発明は、基板上に第１レジスト層を設け、
この第１レジスト層の上に第２レジスト層を形成し、こ
の第２のレジスト層を光により所望の部分を露光し、現
像して第１レジスト層の所望の部分が露出したパターン
を形成し、露出した第１レジスト層の部分をドライエッ
チングにより除去することによって微細パターンを形成
する方法において、側鎖のすべてあるいは一部がフェノ
ール性水酸基を有する有機基であるアルカリ可溶性ポリ
オルガノシルセスキオキサン系重合体と感光性溶解阻害
剤とを主成分として含有する組成物を、上記第２レジス
ト層形成用感光性樹脂組成物として用いるものである。
この第１レジスト層の上に第２レジスト層を形成し、こ
の第２のレジスト層を光により所望の部分を露光し、現
像して第１レジスト層の所望の部分が露出したパターン
を形成し、露出した第１レジスト層の部分をドライエッ
チングにより除去することによって微細パターンを形成
する方法において、側鎖のすべてあるいは一部がフェノ
ール性水酸基を有する有機基であるアルカリ可溶性ポリ
オルガノシルセスキオキサン系重合体と感光性溶解阻害
剤とを主成分として含有する組成物を、上記第２レジス
ト層形成用感光性樹脂組成物として用いるものである。
アルカリ可溶性有機金属ポリマ 本発明に使用する感光性樹脂組成物の主成分の一つであ
るアルカリ可溶性有機金属ポリマについて詳述する。
るアルカリ可溶性有機金属ポリマについて詳述する。
アルカリ可溶性有機金属ポリマは、その役割から考え
て、酸素プラズマとの接触によって効率よく緻密な金属
酸化物へと変換されることが望ましく、そのために金属
元素は、ポリマ側鎖に存在するよりはポリマ主鎖に含ま
れていた方が有利である。また金属元素としては、Si、
Ge、Sn、Ti等が考えられるが、原料の入手、合成の容易
さ、安全性等を考慮すると、Siが最も有力である。有機
金属ポリマにアルカリ可溶性を付与するためには、ポリ
マ側鎖にフェノール性水酸基、カルボキシル基等の酸性
基を導入すればよい。
て、酸素プラズマとの接触によって効率よく緻密な金属
酸化物へと変換されることが望ましく、そのために金属
元素は、ポリマ側鎖に存在するよりはポリマ主鎖に含ま
れていた方が有利である。また金属元素としては、Si、
Ge、Sn、Ti等が考えられるが、原料の入手、合成の容易
さ、安全性等を考慮すると、Siが最も有力である。有機
金属ポリマにアルカリ可溶性を付与するためには、ポリ
マ側鎖にフェノール性水酸基、カルボキシル基等の酸性
基を導入すればよい。
以上のような観点から、アルカリ可溶性有機金属ポリマ
として、種々の有機ケイ素ポリマを検討した結果、アル
カリ可溶性ポリオルガノシルセスキオキサン系重合体が
好ましく、特に、下記一般式（１）で表わされるアルカ
リ可溶性ポリオルガノシルセスキオキサン系重合体があ
らゆる特性において優れていることが明らかとなった。
として、種々の有機ケイ素ポリマを検討した結果、アル
カリ可溶性ポリオルガノシルセスキオキサン系重合体が
好ましく、特に、下記一般式（１）で表わされるアルカ
リ可溶性ポリオルガノシルセスキオキサン系重合体があ
らゆる特性において優れていることが明らかとなった。
(R1-SiO3/2)n(R2-SiO3/2)m(R3-SiO3/2)1 (R4-SiO3/2)o(R5-SiO3/2)p(R6-SiO3/2)q …（１） ここで、一般式（１）中のR1R2は、それぞれ、フェノー
ル性水酸基を有する有機基であり、例えば、ヒドロキシ
フェニル基またはジヒドロキシフェニル基と、該フェニ
ル基に結合した炭素数１〜６のアルキレン基とからなる
有機基等である。なお、該アルキレン基の炭素数は、１
〜２であることがさらに好ましい。また、R3、R4、R5、
R6はフェノール性水酸基を含まない有機基であり、特
に、これらに関しては制限はない。ｎ、ｍはゼロを含む
正の整数であるが、共にゼロになる場合を除く。ｌ、
ｏ、ｐ、ｑはゼロを含む正の整数で、充分なアルカリ可
溶性を得るためには（ｎ＋ｍ）／（ｎ＋ｍ＋ｌ＋ｏ＋ｐ
＋ｑ）＞0.4を満たさなければならない。
ル性水酸基を有する有機基であり、例えば、ヒドロキシ
フェニル基またはジヒドロキシフェニル基と、該フェニ
ル基に結合した炭素数１〜６のアルキレン基とからなる
有機基等である。なお、該アルキレン基の炭素数は、１
〜２であることがさらに好ましい。また、R3、R4、R5、
R6はフェノール性水酸基を含まない有機基であり、特
に、これらに関しては制限はない。ｎ、ｍはゼロを含む
正の整数であるが、共にゼロになる場合を除く。ｌ、
ｏ、ｐ、ｑはゼロを含む正の整数で、充分なアルカリ可
溶性を得るためには（ｎ＋ｍ）／（ｎ＋ｍ＋ｌ＋ｏ＋ｐ
＋ｑ）＞0.4を満たさなければならない。
上記一般式（１）中の側鎖は、具体的には、例えば である。
これらのアルカリ可溶性ポリオルガノシルセスキオキサ
ン系重合体は、アルカリ溶液、例えば、水酸化テトラメ
チルアンモニウム水溶液や水酸化ナトリウム水溶液等に
可溶である一方、汎用有機溶剤、例えば、アルコール
系、エーテル系、アミド系、ケトン系、エステル系ある
いはセロソルブ系等の有機溶剤にも容易に溶解する。ま
た、これらのアルカリ可溶性ポリオルガノシルセスキオ
キサン系重合体は、酸素プラズマ中でほとんど膜べりせ
ず、極めて高いドライエッチング耐性を示す。
ン系重合体は、アルカリ溶液、例えば、水酸化テトラメ
チルアンモニウム水溶液や水酸化ナトリウム水溶液等に
可溶である一方、汎用有機溶剤、例えば、アルコール
系、エーテル系、アミド系、ケトン系、エステル系ある
いはセロソルブ系等の有機溶剤にも容易に溶解する。ま
た、これらのアルカリ可溶性ポリオルガノシルセスキオ
キサン系重合体は、酸素プラズマ中でほとんど膜べりせ
ず、極めて高いドライエッチング耐性を示す。
感光性溶解阻害剤 次に、本発明に使用する感光性樹脂組成物のもう一つの
主成分である感光性溶解阻害剤について述べる。
主成分である感光性溶解阻害剤について述べる。
アルカリ現像形の感光性樹脂組成物における感光性溶解
阻害剤の役割は、未露光部においてはアルカリ可溶性有
機ケイ素ポリマのアルカリ溶解性を阻害する作用をし、
一方露光部においては、光分解によりアルカリ可溶性の
化合物に変化するかあるいはアルカリ溶解阻害効果を失
い、露光部をアルカリ可溶性にすることである。本発明
に関する感光性溶解阻害剤としては、ｏ−ニトロベンジ
ルエステル、ジアゾメルドラム酸、ｏ−キノンジアジド
類等が使用できるが、特に300nm以上のUV光に感光する
ものとしては、1,2−ナフトキノンジアジド類が有効で
ある。1,2−ナフトキノンジアジド類としては、下記一
般式（２）で表わされるものが好ましい。
阻害剤の役割は、未露光部においてはアルカリ可溶性有
機ケイ素ポリマのアルカリ溶解性を阻害する作用をし、
一方露光部においては、光分解によりアルカリ可溶性の
化合物に変化するかあるいはアルカリ溶解阻害効果を失
い、露光部をアルカリ可溶性にすることである。本発明
に関する感光性溶解阻害剤としては、ｏ−ニトロベンジ
ルエステル、ジアゾメルドラム酸、ｏ−キノンジアジド
類等が使用できるが、特に300nm以上のUV光に感光する
ものとしては、1,2−ナフトキノンジアジド類が有効で
ある。1,2−ナフトキノンジアジド類としては、下記一
般式（２）で表わされるものが好ましい。
（但し、R7は一価の有機基である。） 具体的には、例えば、以下に示す（Ｉ）〜（XXIV）の化
合物が挙げられる。
合物が挙げられる。
次に、上記感光性樹脂組成物を用いて、本発明の二層レ
ジスト法により微細パターンを形成する方法について説
明する。
ジスト法により微細パターンを形成する方法について説
明する。
アルカリ可溶性有機ケイ素ポリマ（これらのポリマは単
独あるいは混合物の形で用いても差し支えない。）を70
〜100重量％含有するベースポリマ70〜95重量％（アル
カリ可溶性有機ケイ素ポリマに、例えばノボラック樹脂
のような被膜形成助剤になるポリマを０〜30重量％の範
囲で混合することができる。一般的には、この範囲を超
えると、酸素プラズマ耐性の点で好ましくない。）と感
光性溶解阻害剤30〜５重量％（この範囲を超える量の感
光性溶解阻害剤を用いた場合には、一般的に、感度・酸
素プラズマ耐性の点で好ましくない。なお感光性溶解阻
害剤は、単一物質でも、また複数の物質からなる混合物
でも差し支えない。）とからなる感光性樹脂組成物を、
エチルセロソルブアセテート等の汎用有機溶剤に溶解さ
せたものを、第２層レジスト溶液として用いる。
独あるいは混合物の形で用いても差し支えない。）を70
〜100重量％含有するベースポリマ70〜95重量％（アル
カリ可溶性有機ケイ素ポリマに、例えばノボラック樹脂
のような被膜形成助剤になるポリマを０〜30重量％の範
囲で混合することができる。一般的には、この範囲を超
えると、酸素プラズマ耐性の点で好ましくない。）と感
光性溶解阻害剤30〜５重量％（この範囲を超える量の感
光性溶解阻害剤を用いた場合には、一般的に、感度・酸
素プラズマ耐性の点で好ましくない。なお感光性溶解阻
害剤は、単一物質でも、また複数の物質からなる混合物
でも差し支えない。）とからなる感光性樹脂組成物を、
エチルセロソルブアセテート等の汎用有機溶剤に溶解さ
せたものを、第２層レジスト溶液として用いる。
次に上記感光性樹脂組成物を用いた二層レジスト法の概
略を述べる。まず二層レジスト法の第１レジスト層とし
ては、市販ポジ形レジスト（例えば、シップレイ社製
AZ1350J、マイクロポジット1300シリーズ、東京応化製
CFPR-800等）をハードベークしたものや、ポリイミド
樹脂（例えば、日立化成製 PIQ等）が使用できる。こ
れらの下地平坦化材は、基板の凹凸を十分に平坦化する
とともに、第２レジスト層の露光光を十分に吸収し、か
つ第２レジスト層の塗布、現像、リンス時に浸されるこ
とが全く無い。
略を述べる。まず二層レジスト法の第１レジスト層とし
ては、市販ポジ形レジスト（例えば、シップレイ社製
AZ1350J、マイクロポジット1300シリーズ、東京応化製
CFPR-800等）をハードベークしたものや、ポリイミド
樹脂（例えば、日立化成製 PIQ等）が使用できる。こ
れらの下地平坦化材は、基板の凹凸を十分に平坦化する
とともに、第２レジスト層の露光光を十分に吸収し、か
つ第２レジスト層の塗布、現像、リンス時に浸されるこ
とが全く無い。
これらの下地平坦化材をスピン塗布し、所定条件でハー
ドベークしたものを第１レジスト層とする。この上に、
上記第２層レジスト溶液をスピン塗布し、所定条件でプ
リベークして二層レジストを形成する（第１図
（ａ））。次いで、上層（第２レジスト層）に、所望の
パターン露光を施し、アルカリ現像液、例えば水酸化テ
トラメチルアンモニウム水溶液を用いて、被照射部分の
みを選択的に溶解させ、ポジ形のレジストパターンを上
層に形成する。これを酸素プラズマによるドライエッチ
ング（O2リアクティブイオンエッチングまたはO2RIEと
称する。）で処理すると、上層レジストパターンをマス
クとして、下層（第１レジスト層）を加工することがで
きる。この時、目的によって下層の加工形状を、O2RIE
中の酸素ガス圧（Po2）により制御することが可能であ
る。高アスペクト比の垂直形状を得るためには、比較的
低い酸素ガス圧（Po2＜数mtorr）が望ましく、また比較
的高い酸素ガス圧（Po2＞数mtorr）では、テーパエッチ
形状が可能である。以上のような二層レジストプロセス
により、少なくともアスペクト比３以上で、サブミクロ
ンレベルの微細加工が容易にできる。
ドベークしたものを第１レジスト層とする。この上に、
上記第２層レジスト溶液をスピン塗布し、所定条件でプ
リベークして二層レジストを形成する（第１図
（ａ））。次いで、上層（第２レジスト層）に、所望の
パターン露光を施し、アルカリ現像液、例えば水酸化テ
トラメチルアンモニウム水溶液を用いて、被照射部分の
みを選択的に溶解させ、ポジ形のレジストパターンを上
層に形成する。これを酸素プラズマによるドライエッチ
ング（O2リアクティブイオンエッチングまたはO2RIEと
称する。）で処理すると、上層レジストパターンをマス
クとして、下層（第１レジスト層）を加工することがで
きる。この時、目的によって下層の加工形状を、O2RIE
中の酸素ガス圧（Po2）により制御することが可能であ
る。高アスペクト比の垂直形状を得るためには、比較的
低い酸素ガス圧（Po2＜数mtorr）が望ましく、また比較
的高い酸素ガス圧（Po2＞数mtorr）では、テーパエッチ
形状が可能である。以上のような二層レジストプロセス
により、少なくともアスペクト比３以上で、サブミクロ
ンレベルの微細加工が容易にできる。
［作用］ まず本発明に関する感光性樹脂組成物において、一方の
成分であるアルカリ可溶性有機ケイ素ポリマは、酸素プ
ラズマ中でケイ素酸化物被膜を形成するため、O2RIE耐
性膜として機能する。他方、もう一つの主成分である感
光性溶解阻害剤は、未露光部においては上記アルカリ可
溶性有機ケイ素ポリマのアルカリ可溶化を阻害し、露光
部においては光分解により阻害剤自体がアルカリ可溶性
となり、露光部全体をアルカリ現像液に溶解させる働き
をする。従って、これら二つの主成分からなる感光性樹
脂組成物は、二層レジスト法の上層レジスト（第２レジ
スト）として使用できる。即ち、半導体基板面上に適当
な有機高分子材料からなる第１レジスト層を形成し、こ
の上に上記感光性樹脂組成物からなる第２レジスト層を
形成し、第２レジスト層を上述のようにパターニングす
ると、この第２レジスト層が高いO2RIE耐性を持つので
このパターンをマスクとして、第１レジスト層をO2RIE
によりドライエッチすることができる。
成分であるアルカリ可溶性有機ケイ素ポリマは、酸素プ
ラズマ中でケイ素酸化物被膜を形成するため、O2RIE耐
性膜として機能する。他方、もう一つの主成分である感
光性溶解阻害剤は、未露光部においては上記アルカリ可
溶性有機ケイ素ポリマのアルカリ可溶化を阻害し、露光
部においては光分解により阻害剤自体がアルカリ可溶性
となり、露光部全体をアルカリ現像液に溶解させる働き
をする。従って、これら二つの主成分からなる感光性樹
脂組成物は、二層レジスト法の上層レジスト（第２レジ
スト）として使用できる。即ち、半導体基板面上に適当
な有機高分子材料からなる第１レジスト層を形成し、こ
の上に上記感光性樹脂組成物からなる第２レジスト層を
形成し、第２レジスト層を上述のようにパターニングす
ると、この第２レジスト層が高いO2RIE耐性を持つので
このパターンをマスクとして、第１レジスト層をO2RIE
によりドライエッチすることができる。
以上のようなプロセスにより、高アスペクト比のサブミ
クロンパターンが容易に形成できるものである。
クロンパターンが容易に形成できるものである。
［実施例］ 以下、本発明の実施例のうち、いくつかについて具体的
に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。まず、本発明に使用する第２レジスト層形成用アル
カリ可溶性ポリオルガノシルセスキオキサン系重合体の
合成例を挙げる。
に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。まず、本発明に使用する第２レジスト層形成用アル
カリ可溶性ポリオルガノシルセスキオキサン系重合体の
合成例を挙げる。
合成例１ ｐ−ヒドロキシベンジル基がフェノール性水
酸基を有する有機基であるアルカリ可溶性ポリオルガノ
シルセスキオキサン系重合体。
酸基を有する有機基であるアルカリ可溶性ポリオルガノ
シルセスキオキサン系重合体。
1.1 ｐ−メトキシベンジルトリクロロシランの合成 撹拌機、冷却管、滴下ロートおよび塩酸トラップを備え
た5l三ッ口フラスコを窒素置換する。フラスコに、塩化
第一銅79g（0.80mol）とトリ−ｎ−プロピルアミン1261
g（8.80mol）を入れ、ｐ−メトキシベンジルクロライド
1256g（8.02mol）とトリクロロシラン1184g（8.74mol）
の混合物を、窒素圧下撹拌しながら５時間かけて滴下す
る。フラスコ温度が室温に戻るまで熟成した後、ヘキサ
ン１を入れ、塩を析出させる。塩を濾過した後、減圧
蒸留することにより目的物を1182g（4.62mol）得た。収
率57.7％；沸点92℃/4mmHg;NMR（60MHz,CCL4，CH2Cl2，
δ5.33），δ2.93（2H,s），δ3.83（3H,s），δ6.86
（2H,d,J＝9Hz），δ7.15（2H,d,J＝9Hz） 1.2 ポリ（ｐ−メトキシベンジルシルセスキオキサ
ン）の合成 撹拌機、冷却管、滴下ロートおよび塩酸トラップを備え
た5l三ッ口フラスコに水2lを入れる。トルエン１に溶
解させたｐ−メトキシベンジルトリクロロシラン1182g
（4.62mol）を撹拌しながら、1.5時間で滴下し、ついで
1.5時間熟成する。混合物を分液ロートに移し、トルエ
ン層を分離する。トルエンと水を蒸留により除いた後、
上記加水分解生成物に水酸化カリウムの10重量％メタノ
ール溶液12gを入れ、200℃で２時間加熱する。減圧加熱
することにより、目的物を797g（4.60mol）得た。収率9
9.4％；数平均分子量1000〜100000;NMR（60MHz,CDCl3，
CH2Cl2，δ5.33），δ1.95（2H,br.s），δ3.83（3H,b
r.s），δ6.80（4H,br.s）;IR（νcm-1）2940,2850,162
0,1520,1470,1305,1260,1190,1130,1040,845 1.3 ポリ（ｐ−ヒドロキシベンジルシルセスキオキサ
ン）の合成 撹拌機、冷却管、滴下ロートおよび塩酸トラップを備え
た5l三ッ口フラスコを窒素置換する。ポリ（ｐ−メトキ
シベンジルシルセスキオキサン）797g（4.60mol）をア
セトニトリル600mlに加熱溶解させてフラスコに入れ、
ついでヨウ化ナトリウム1378g（9.20mol）を加える。窒
素圧下加熱還流しながら、トリメチルクロロシラン999g
（9.20mol）を４時間で滴下する。窒素圧下加熱還流し
ながら18時間熟成した後、水200mlをゆっくり滴下し、
ついで、水とアセトニトリルを加えて、さらに加熱還流
を６時間行なう。アセトニトリル層を分離し、ついで、
アセトニトリル層を亜硫酸水素ナトリウムと食塩の混合
水溶液で洗い、水に滴下して再沈する。真空加熱により
乾燥し、目的物を368g（2.31mol）得た。収率50.2％；
数平均分子量1000〜100000;NMR（60MHz,DMSO-d6，CH2Cl
2，δ5.68），δ1.75（2H,br.s），δ6.61（4H,br.
s），δ8.93（1H,br.s）,IR（νcm-1）3350,1620,1520,
1430,1250,1190,1130,1050,845,805,760 1.4 ポリ（ｐ−ヒドロキシベンジルシルセスキオキサ
ン−co−ｐ−メトキシベンジルシルセスキオキサン−co
−ｐ−トリメチルシロキシベンジルシルセスキオキサ
ン）の合成 1.3項記載のポリ（ｐ−ヒドロキシベンジルシルセスキ
オキサン）の合成法において、メトキシ基をトリメチル
シロキシ基に変換する反応試薬（トリメチルクロロシラ
ンとヨウ化ナトリウム）の量を減らすかあるいは熟成時
間を短くすることにより、メトキシ基を任意の割合で残
すことができる。また、トリメチルシロキシ基を加水分
解により水酸基に変換する過程において、熟成時間を短
くすると、トリメチルシロキシ基の約15％まではそのま
ま残すことができる。
た5l三ッ口フラスコを窒素置換する。フラスコに、塩化
第一銅79g（0.80mol）とトリ−ｎ−プロピルアミン1261
g（8.80mol）を入れ、ｐ−メトキシベンジルクロライド
1256g（8.02mol）とトリクロロシラン1184g（8.74mol）
の混合物を、窒素圧下撹拌しながら５時間かけて滴下す
る。フラスコ温度が室温に戻るまで熟成した後、ヘキサ
ン１を入れ、塩を析出させる。塩を濾過した後、減圧
蒸留することにより目的物を1182g（4.62mol）得た。収
率57.7％；沸点92℃/4mmHg;NMR（60MHz,CCL4，CH2Cl2，
δ5.33），δ2.93（2H,s），δ3.83（3H,s），δ6.86
（2H,d,J＝9Hz），δ7.15（2H,d,J＝9Hz） 1.2 ポリ（ｐ−メトキシベンジルシルセスキオキサ
ン）の合成 撹拌機、冷却管、滴下ロートおよび塩酸トラップを備え
た5l三ッ口フラスコに水2lを入れる。トルエン１に溶
解させたｐ−メトキシベンジルトリクロロシラン1182g
（4.62mol）を撹拌しながら、1.5時間で滴下し、ついで
1.5時間熟成する。混合物を分液ロートに移し、トルエ
ン層を分離する。トルエンと水を蒸留により除いた後、
上記加水分解生成物に水酸化カリウムの10重量％メタノ
ール溶液12gを入れ、200℃で２時間加熱する。減圧加熱
することにより、目的物を797g（4.60mol）得た。収率9
9.4％；数平均分子量1000〜100000;NMR（60MHz,CDCl3，
CH2Cl2，δ5.33），δ1.95（2H,br.s），δ3.83（3H,b
r.s），δ6.80（4H,br.s）;IR（νcm-1）2940,2850,162
0,1520,1470,1305,1260,1190,1130,1040,845 1.3 ポリ（ｐ−ヒドロキシベンジルシルセスキオキサ
ン）の合成 撹拌機、冷却管、滴下ロートおよび塩酸トラップを備え
た5l三ッ口フラスコを窒素置換する。ポリ（ｐ−メトキ
シベンジルシルセスキオキサン）797g（4.60mol）をア
セトニトリル600mlに加熱溶解させてフラスコに入れ、
ついでヨウ化ナトリウム1378g（9.20mol）を加える。窒
素圧下加熱還流しながら、トリメチルクロロシラン999g
（9.20mol）を４時間で滴下する。窒素圧下加熱還流し
ながら18時間熟成した後、水200mlをゆっくり滴下し、
ついで、水とアセトニトリルを加えて、さらに加熱還流
を６時間行なう。アセトニトリル層を分離し、ついで、
アセトニトリル層を亜硫酸水素ナトリウムと食塩の混合
水溶液で洗い、水に滴下して再沈する。真空加熱により
乾燥し、目的物を368g（2.31mol）得た。収率50.2％；
数平均分子量1000〜100000;NMR（60MHz,DMSO-d6，CH2Cl
2，δ5.68），δ1.75（2H,br.s），δ6.61（4H,br.
s），δ8.93（1H,br.s）,IR（νcm-1）3350,1620,1520,
1430,1250,1190,1130,1050,845,805,760 1.4 ポリ（ｐ−ヒドロキシベンジルシルセスキオキサ
ン−co−ｐ−メトキシベンジルシルセスキオキサン−co
−ｐ−トリメチルシロキシベンジルシルセスキオキサ
ン）の合成 1.3項記載のポリ（ｐ−ヒドロキシベンジルシルセスキ
オキサン）の合成法において、メトキシ基をトリメチル
シロキシ基に変換する反応試薬（トリメチルクロロシラ
ンとヨウ化ナトリウム）の量を減らすかあるいは熟成時
間を短くすることにより、メトキシ基を任意の割合で残
すことができる。また、トリメチルシロキシ基を加水分
解により水酸基に変換する過程において、熟成時間を短
くすると、トリメチルシロキシ基の約15％まではそのま
ま残すことができる。
上述のようにして合成されるポリ（ｐ−ヒドロキシベン
ジルシルセスキオキサン−co−ｐ−メトキシベンジルシ
ルセスキオキサン−co−ｐ−トリメチルシロキシベンジ
ルシルセスキオキサン）は、ｍ＝ｏ＝ｑ＝０とし、R1を
ｐ−ヒドロキシベンジル基、R3をｐ−メトキシベンジル
基、R5をｐ−トリメチルシロキシベンジル基としたと
き、一般式（１） (R1-SiO3/2)n(R2-SiO3/2)m(R3-SiO3/2)1(R4-SiO3/2)o(R
5-SiO3/2)p(R6-SiO3/2)q ……一般式（１） で表わすことができる。表１に、熟成時間を変えたとき
のポリ（ｐ−ヒドロキシベンジルシルセスキオキサン−
co−ｐ−メトキシベンジルシルセスキオキサン−co−ｐ
−トリメチルシロキシベンジルシルセスキオキサン）に
おけるそれぞれの構成単位（R1、R3、R5）の構成比率を
示す。
ジルシルセスキオキサン−co−ｐ−メトキシベンジルシ
ルセスキオキサン−co−ｐ−トリメチルシロキシベンジ
ルシルセスキオキサン）は、ｍ＝ｏ＝ｑ＝０とし、R1を
ｐ−ヒドロキシベンジル基、R3をｐ−メトキシベンジル
基、R5をｐ−トリメチルシロキシベンジル基としたと
き、一般式（１） (R1-SiO3/2)n(R2-SiO3/2)m(R3-SiO3/2)1(R4-SiO3/2)o(R
5-SiO3/2)p(R6-SiO3/2)q ……一般式（１） で表わすことができる。表１に、熟成時間を変えたとき
のポリ（ｐ−ヒドロキシベンジルシルセスキオキサン−
co−ｐ−メトキシベンジルシルセスキオキサン−co−ｐ
−トリメチルシロキシベンジルシルセスキオキサン）に
おけるそれぞれの構成単位（R1、R3、R5）の構成比率を
示す。
合成例２ ２−（ｐ−ヒドロキシフェニル）エチル基が
フェニール性水酸基を有する有機基であるアルカリ可溶
性ポリオルガノシルセスキオキサン系重合体 2.1 ２−（ｐ−メトキシフェニル）エチルトリクロロ
シランの合成 ｐ−メトキシスチレン 36.7g（0.274mol）とトリクロ
ロシラン 37.1g（0.274mol）Pyrex管に入れる。次い
で、塩化白金酸99.4mg、トリ−ｎ−ブチルアミン81.0mg
およびｐ−メトキシスチレン0.1888gから成るサスペン
ジョンを数滴Pyrex管に加え、封管する。封管を80℃〜1
00℃のオイルバスに入れ反応させた後、封管を開け、内
容物を蒸留することにより目的物を40.0g（0.148mol）
得た。収率54％；沸点84〜85℃/2mmHg;NMR（60MHz,CC
l4,TMS），δ1.48〜1.76（2H,m），δ2.62〜2.88（2H,
m），δ3.6（3H,s），δ6.61（2H,d,J＝8.5Hz），δ6.9
2（2H,d,J＝8.5Hz） 2.2 ポリ（２−（ｐ−メトキシフェニル）エチルシル
セスキオキサン）の合成 撹拌機、冷却管、滴下ロートおよび塩酸トラップを備え
た200ml三ッ口フラスコに水80mlを入れる。トルエン20m
lに溶解させた２−（ｐ−メトキシフェニル）エチルト
リクロロシラン21.6g（80.0mmol）を撹拌しながら15分
で滴下し、次いで１時間熟成する。混合物を分液ロート
に移し、トルエン層を分離する。トルエンと水を蒸留に
より除いた後、上記加水分解生成物に水酸化カリウムの
10重量％メタノール溶液0.21gを入れ、200℃で２時間加
熱する。反応混合物をテトラヒドロフランに溶解させ、
不溶物を濾過により除いた後、テトラヒドロフランを留
去することにより目的物を7.9g（42mmol）得た。収率53
％；数平均分子量1000〜300000;NMR（60MHz,DMSO-d6,TM
S），δ0.83（2H,br.s），δ2.50（2H,br.s），δ3.58
（3H,br.s），δ6.63（4H,br.s） 2.3 ポリ（２−（ｐ−ヒドロキシフェニル）エチルシ
ルセスキオキサン）の合成 撹拌機、冷却管、滴下ロートおよび塩酸トラップを備え
た100ml三ッ口フラスコを窒素置換する。ポリ（２−
（ｐ−メトキシフェニル）エチルシルセスキオキサン）
7.9g（42mmol）をアセトニトリル20mlに加熱溶解させて
フラスコに入れ、次いでヨウ化ナトリウム18.9g（0.126
mol）を加える。窒素圧下加熱還流しながら、トリメチ
ルクロロシラン13.7g（0.126mol）を15分で滴下する。2
4時間熟成した後、水とアセトニトリルを滴下して、さ
らに６時間加熱還流を続ける。反応終了後、アセトニト
リル層を分離し、亜硫酸水素ナトリウム水溶液で洗う。
ポリマのアセトニトリル溶液を20倍の水に滴下再沈させ
ポリマを濾過する。真空加熱により乾燥して目的物を5.
8g（34mmol）得た。収率81％；数平均分子量1000〜3000
00;NMR（60MHz,DMSO-d6,TMS），δ0.93（2H,br.s），δ
2.60（2H,br.s），δ6.67（4H,br.s），δ9.08（1H,br.
s） 2.4 ポリ（２−（ｐ−ヒドロキシフェニル）エチルシ
ルセスキオキサン）−co−２−（ｐ−メトキシフェニ
ル）エチルシルセスキオキサン−co−２−（ｐ−トリメ
チルシロキシフェニル）エチルシルセスキオキサン）の
合成 2.3項記載のポリ（２−（ｐ−ヒドロキシフェニル）エ
チルシルセスキオキサン）の合成法において、メトキシ
基をトリメチルシロキシ基に変換する反応試薬（トリメ
チルクロロシランとヨウ化ナトリウム）の量を減らすか
あるいは熟成時間を短くすることにより、メトキシ基を
任意の割合で残すことができる。また、トリメチルシロ
キシ基を加水分解により水酸基に変換する過程におい
て、熟成時間を短くすると、トリメチルシロキシ基の約
15％まではそのまま残すことができる。
フェニール性水酸基を有する有機基であるアルカリ可溶
性ポリオルガノシルセスキオキサン系重合体 2.1 ２−（ｐ−メトキシフェニル）エチルトリクロロ
シランの合成 ｐ−メトキシスチレン 36.7g（0.274mol）とトリクロ
ロシラン 37.1g（0.274mol）Pyrex管に入れる。次い
で、塩化白金酸99.4mg、トリ−ｎ−ブチルアミン81.0mg
およびｐ−メトキシスチレン0.1888gから成るサスペン
ジョンを数滴Pyrex管に加え、封管する。封管を80℃〜1
00℃のオイルバスに入れ反応させた後、封管を開け、内
容物を蒸留することにより目的物を40.0g（0.148mol）
得た。収率54％；沸点84〜85℃/2mmHg;NMR（60MHz,CC
l4,TMS），δ1.48〜1.76（2H,m），δ2.62〜2.88（2H,
m），δ3.6（3H,s），δ6.61（2H,d,J＝8.5Hz），δ6.9
2（2H,d,J＝8.5Hz） 2.2 ポリ（２−（ｐ−メトキシフェニル）エチルシル
セスキオキサン）の合成 撹拌機、冷却管、滴下ロートおよび塩酸トラップを備え
た200ml三ッ口フラスコに水80mlを入れる。トルエン20m
lに溶解させた２−（ｐ−メトキシフェニル）エチルト
リクロロシラン21.6g（80.0mmol）を撹拌しながら15分
で滴下し、次いで１時間熟成する。混合物を分液ロート
に移し、トルエン層を分離する。トルエンと水を蒸留に
より除いた後、上記加水分解生成物に水酸化カリウムの
10重量％メタノール溶液0.21gを入れ、200℃で２時間加
熱する。反応混合物をテトラヒドロフランに溶解させ、
不溶物を濾過により除いた後、テトラヒドロフランを留
去することにより目的物を7.9g（42mmol）得た。収率53
％；数平均分子量1000〜300000;NMR（60MHz,DMSO-d6,TM
S），δ0.83（2H,br.s），δ2.50（2H,br.s），δ3.58
（3H,br.s），δ6.63（4H,br.s） 2.3 ポリ（２−（ｐ−ヒドロキシフェニル）エチルシ
ルセスキオキサン）の合成 撹拌機、冷却管、滴下ロートおよび塩酸トラップを備え
た100ml三ッ口フラスコを窒素置換する。ポリ（２−
（ｐ−メトキシフェニル）エチルシルセスキオキサン）
7.9g（42mmol）をアセトニトリル20mlに加熱溶解させて
フラスコに入れ、次いでヨウ化ナトリウム18.9g（0.126
mol）を加える。窒素圧下加熱還流しながら、トリメチ
ルクロロシラン13.7g（0.126mol）を15分で滴下する。2
4時間熟成した後、水とアセトニトリルを滴下して、さ
らに６時間加熱還流を続ける。反応終了後、アセトニト
リル層を分離し、亜硫酸水素ナトリウム水溶液で洗う。
ポリマのアセトニトリル溶液を20倍の水に滴下再沈させ
ポリマを濾過する。真空加熱により乾燥して目的物を5.
8g（34mmol）得た。収率81％；数平均分子量1000〜3000
00;NMR（60MHz,DMSO-d6,TMS），δ0.93（2H,br.s），δ
2.60（2H,br.s），δ6.67（4H,br.s），δ9.08（1H,br.
s） 2.4 ポリ（２−（ｐ−ヒドロキシフェニル）エチルシ
ルセスキオキサン）−co−２−（ｐ−メトキシフェニ
ル）エチルシルセスキオキサン−co−２−（ｐ−トリメ
チルシロキシフェニル）エチルシルセスキオキサン）の
合成 2.3項記載のポリ（２−（ｐ−ヒドロキシフェニル）エ
チルシルセスキオキサン）の合成法において、メトキシ
基をトリメチルシロキシ基に変換する反応試薬（トリメ
チルクロロシランとヨウ化ナトリウム）の量を減らすか
あるいは熟成時間を短くすることにより、メトキシ基を
任意の割合で残すことができる。また、トリメチルシロ
キシ基を加水分解により水酸基に変換する過程におい
て、熟成時間を短くすると、トリメチルシロキシ基の約
15％まではそのまま残すことができる。
上述のようにして合成されるポリ（２−（ｐ−ヒドロキ
シフェニル）エチルシルセスキオキサン−co−２−（ｐ
−メトキシフェニル）エチルシルセスキオキサン−co−
２−（ｐ−トリメチルシロキシフェニル）エチルシルセ
スキオキサン）は、ｎ＝１＝ｐ＝０とし、R2を２−（ｐ
−ヒドロキシフェニル）エチル基、R4を２−（ｐ−メト
キシフェニル）エチル基、R6を２−（ｐ−トリメチルシ
ロキシフェニル）エチル基としたとき、一般式（１） (R1-SiO3/2)n(R2-SiO3/2)m(R3-SiO3/2)l(R4-SiO3/2)o(R
5-SiO3/2)p(R6-SiO3/2)q ……一般式（１） で表わすことができる。表２に、熟成時間を変えたとき
のポリ（２−（ｐ−ヒドロキシフェニル）エチルシルセ
スキオキサン−co−２−（ｐ−メトキシフェニル）エチ
ルシルセスキオキサン−co−２−（ｐ−トリメチルシロ
キシフェニル）エチルシルセスキオキサン）におけるそ
れぞれの構成単位（R2、R4、R6）の構成比率を示す。
シフェニル）エチルシルセスキオキサン−co−２−（ｐ
−メトキシフェニル）エチルシルセスキオキサン−co−
２−（ｐ−トリメチルシロキシフェニル）エチルシルセ
スキオキサン）は、ｎ＝１＝ｐ＝０とし、R2を２−（ｐ
−ヒドロキシフェニル）エチル基、R4を２−（ｐ−メト
キシフェニル）エチル基、R6を２−（ｐ−トリメチルシ
ロキシフェニル）エチル基としたとき、一般式（１） (R1-SiO3/2)n(R2-SiO3/2)m(R3-SiO3/2)l(R4-SiO3/2)o(R
5-SiO3/2)p(R6-SiO3/2)q ……一般式（１） で表わすことができる。表２に、熟成時間を変えたとき
のポリ（２−（ｐ−ヒドロキシフェニル）エチルシルセ
スキオキサン−co−２−（ｐ−メトキシフェニル）エチ
ルシルセスキオキサン−co−２−（ｐ−トリメチルシロ
キシフェニル）エチルシルセスキオキサン）におけるそ
れぞれの構成単位（R2、R4、R6）の構成比率を示す。
合成例３ ｐ−ヒドロキシベンジル基と２−（ｐ−ヒド
ロキシフェニル）エチル基がフェノール性水酸基を有す
る有機基であるアルカリ可溶性ポリオルガノシルセスキ
オキサン系重合体 3.1 ポリ（ｐ−メトキシベンジルシルセスキオキサン
−co−２−（ｐ−メトキシフェニル）エチルシルセスキ
オキサン）の合成 撹拌機、冷却管、滴下ロートおよび塩酸トラップを備え
た200ml三ッ口フラスコに水80mlを入れる。トルエン20m
lに溶解させた２−（ｐ−メトキシフェニル）エチルト
リクロロシラン10.8g（40mmol）と、ｐ−メトキシベン
ジルトリクロロシラン10.2g（40mmol）を撹拌しながら1
5分で滴下し、次いで１時間熟成する。混合物を分液ロ
ートに移し、トルエン層を分離する。トルエンと水を蒸
留により除いた後、上記加水分解生成物に水酸化カリウ
ムの10重量％メタノール溶液0.21gを入れ、200℃で２時
間加熱する。反応混合物をテトラヒドロフランに溶解さ
せ、不溶物を濾過により除いた後、テトラヒドロフラン
を留去することにより目的物を5.3g得た。数平均分子量
1000〜300000;NMR（60MHz,DMSO-d6,TMS），δ0.72（2H.
br.s），δ1.97（2H,br.s），δ2.37（2H,br.s），δ3.
58（6H,br.s），δ6.67（8H,br.s）。２−（ｐ−メトキ
シフェニル）エチル基とｐ−メトキシベンジル基の比は
約50:50であった。
ロキシフェニル）エチル基がフェノール性水酸基を有す
る有機基であるアルカリ可溶性ポリオルガノシルセスキ
オキサン系重合体 3.1 ポリ（ｐ−メトキシベンジルシルセスキオキサン
−co−２−（ｐ−メトキシフェニル）エチルシルセスキ
オキサン）の合成 撹拌機、冷却管、滴下ロートおよび塩酸トラップを備え
た200ml三ッ口フラスコに水80mlを入れる。トルエン20m
lに溶解させた２−（ｐ−メトキシフェニル）エチルト
リクロロシラン10.8g（40mmol）と、ｐ−メトキシベン
ジルトリクロロシラン10.2g（40mmol）を撹拌しながら1
5分で滴下し、次いで１時間熟成する。混合物を分液ロ
ートに移し、トルエン層を分離する。トルエンと水を蒸
留により除いた後、上記加水分解生成物に水酸化カリウ
ムの10重量％メタノール溶液0.21gを入れ、200℃で２時
間加熱する。反応混合物をテトラヒドロフランに溶解さ
せ、不溶物を濾過により除いた後、テトラヒドロフラン
を留去することにより目的物を5.3g得た。数平均分子量
1000〜300000;NMR（60MHz,DMSO-d6,TMS），δ0.72（2H.
br.s），δ1.97（2H,br.s），δ2.37（2H,br.s），δ3.
58（6H,br.s），δ6.67（8H,br.s）。２−（ｐ−メトキ
シフェニル）エチル基とｐ−メトキシベンジル基の比は
約50:50であった。
3.2 ポリ（ｐ−ヒドロキシベンジルシルセスキオキサ
ン−co−２−（ｐ−ヒドロキシフェニル）エチルシルセ
スキオキサン）の合成 撹拌機、冷却管、滴下ロートおよび塩酸トラップを備え
た100ml三ッ口フラスコを窒素置換する。3.1項記載のポ
リ（ｐ−メトキシベンジルシルセスキオキサン−co−２
（ｐ−メトキシフェニル）エチルシルセスキオキサン）
5.0gをアセトニトリル15mlに加熱溶解させてフラスコに
入れ、次いで、ヨウ化ナトリウム13.0gを加える。窒素
圧下加熱還流しながら、トリメチルクロロシラン9.4gを
15分で滴下する。窒素圧下加熱還流しながら50時間熟成
した後、水20mlを滴下し、次いで、アセトニトリルを加
えて反応混合物をさらに６時間加熱還流する。反応終了
後、反応混合物を分液ロートに移しアセトニトリル層を
分離する。次いで、アセトニトリル層を亜硫酸水素ナト
リウム水溶液で洗う。アセトニトリル層を多量の水に滴
下し、ポリマを濾過した後、真空加熱して目的物を3.9g
得た。NMR（60MHz,DMSO-d6,TMS），δ0.78（2H.br.
s），δ1.90（2H,br.s），δ2.45（2H,br.s），δ6.60
（8H,br.s），δ8.97（2H,br.s） 数平均分子量およびｐ−ヒドロキシベンジル基と２−
（ｐ−ヒドロキシフェニル）エチル基の割合は3.1項記
載の前駆体と変らない。
ン−co−２−（ｐ−ヒドロキシフェニル）エチルシルセ
スキオキサン）の合成 撹拌機、冷却管、滴下ロートおよび塩酸トラップを備え
た100ml三ッ口フラスコを窒素置換する。3.1項記載のポ
リ（ｐ−メトキシベンジルシルセスキオキサン−co−２
（ｐ−メトキシフェニル）エチルシルセスキオキサン）
5.0gをアセトニトリル15mlに加熱溶解させてフラスコに
入れ、次いで、ヨウ化ナトリウム13.0gを加える。窒素
圧下加熱還流しながら、トリメチルクロロシラン9.4gを
15分で滴下する。窒素圧下加熱還流しながら50時間熟成
した後、水20mlを滴下し、次いで、アセトニトリルを加
えて反応混合物をさらに６時間加熱還流する。反応終了
後、反応混合物を分液ロートに移しアセトニトリル層を
分離する。次いで、アセトニトリル層を亜硫酸水素ナト
リウム水溶液で洗う。アセトニトリル層を多量の水に滴
下し、ポリマを濾過した後、真空加熱して目的物を3.9g
得た。NMR（60MHz,DMSO-d6,TMS），δ0.78（2H.br.
s），δ1.90（2H,br.s），δ2.45（2H,br.s），δ6.60
（8H,br.s），δ8.97（2H,br.s） 数平均分子量およびｐ−ヒドロキシベンジル基と２−
（ｐ−ヒドロキシフェニル）エチル基の割合は3.1項記
載の前駆体と変らない。
この他、ｐ−ヒドロキシベンジル基とｐ−ヒドロキシフ
ェニルエチル基の割合を変えた共重合体は、ｐ−メトキ
シベンジルトリクロロシランと、２−（ｐ−メトキシフ
ェニル）エチルトリクロロシランの加水分解時の割合に
より、任意に変えることができた。
ェニルエチル基の割合を変えた共重合体は、ｐ−メトキ
シベンジルトリクロロシランと、２−（ｐ−メトキシフ
ェニル）エチルトリクロロシランの加水分解時の割合に
より、任意に変えることができた。
3.3 ポリ（ｐ−ヒドロキシベンジルシルセスキオキサ
ン−co−２−（ｐ−ヒドロキシフェニル）エチルシルセ
スキオキサン−co−ｐ−メトキシベンジルシルセスキオ
キサン−co−２−（ｐ−メトキシフェニル）エチルシル
セスキオキサン−co−ｐ−トリメチルシロキシベンジル
シルセスキオキサン−co−２−（ｐ−トリメチルシロキ
シフェニル）エチルシルセスキオキサン）の合成 3.2項記載のポリ（ｐ−ヒドロキシベンジルシルセスキ
オキサン−co−２−（ｐ−ヒドロキシフェニル）エチル
シルセスキオキサン）の合成法において、メトキシ基を
トリメチルシロキシ基に変換する反応試薬（トリメチル
クロロシランとヨウ化ナトリウム）の量を減らすかある
いは熟成時間を短くすることにより、メトキシ基を任意
の割合で残すことができる。また、トリメチルシロキシ
基を加水分解により水酸基に変換する過程において、熟
成時間を短くすると、トリメチルシロキシ基の約15％ま
ではそのまま残すことができる。
ン−co−２−（ｐ−ヒドロキシフェニル）エチルシルセ
スキオキサン−co−ｐ−メトキシベンジルシルセスキオ
キサン−co−２−（ｐ−メトキシフェニル）エチルシル
セスキオキサン−co−ｐ−トリメチルシロキシベンジル
シルセスキオキサン−co−２−（ｐ−トリメチルシロキ
シフェニル）エチルシルセスキオキサン）の合成 3.2項記載のポリ（ｐ−ヒドロキシベンジルシルセスキ
オキサン−co−２−（ｐ−ヒドロキシフェニル）エチル
シルセスキオキサン）の合成法において、メトキシ基を
トリメチルシロキシ基に変換する反応試薬（トリメチル
クロロシランとヨウ化ナトリウム）の量を減らすかある
いは熟成時間を短くすることにより、メトキシ基を任意
の割合で残すことができる。また、トリメチルシロキシ
基を加水分解により水酸基に変換する過程において、熟
成時間を短くすると、トリメチルシロキシ基の約15％ま
ではそのまま残すことができる。
但し、水酸基、メトキシ基およびトリメチルシロキシ基
が、ベンジル基についているかあるいはフェニルエチル
基についているかは特定できない。
が、ベンジル基についているかあるいはフェニルエチル
基についているかは特定できない。
表３に、3.1項記載のポリマと同様のポリマを使い、3.2
項記載の試薬量で反応させた場合の、得られるポリ（ｐ
−ヒドロキシベンジルシルセスキオキサン−co−２−
（ｐ−ヒドロキシフェニル）エチルシルセスキオキサン
−co−ｐ−メトキシベンジルシルセスキオキサン−co−
２−（ｐ−メトキシフェニル）エチルシルセスキオキサ
ン−co−ｐ−トリメチルシロキシベンジルシルセスキオ
キサン−co−２−（ｐ−トリメチルシロキシフェニル）
エチルシルセスキオキサン）の水酸基含量、メトキシ基
含量、トリメチルシロキシ基含量、それぞれの熟成時間
依存性を示す。
項記載の試薬量で反応させた場合の、得られるポリ（ｐ
−ヒドロキシベンジルシルセスキオキサン−co−２−
（ｐ−ヒドロキシフェニル）エチルシルセスキオキサン
−co−ｐ−メトキシベンジルシルセスキオキサン−co−
２−（ｐ−メトキシフェニル）エチルシルセスキオキサ
ン−co−ｐ−トリメチルシロキシベンジルシルセスキオ
キサン−co−２−（ｐ−トリメチルシロキシフェニル）
エチルシルセスキオキサン）の水酸基含量、メトキシ基
含量、トリメチルシロキシ基含量、それぞれの熟成時間
依存性を示す。
溶解性の検討 上記重合体の溶解性に関して、代表的汎用有機溶剤で調
べた結果、水酸基含有量40％以上の重合体は、メタノー
ル、テトラヒドロフラン、N,N−ジメチルアセトアミ
ド、２−メチルシクロヘキサノン、酢酸イソアミル、メ
チルセロソルブ、ジメチルスルホキシドには溶解した
が、トルエン、ヘキサン、四塩化炭素には不溶であっ
た。一方、水溶液では、水酸化テトラメチルアンモニウ
ム水溶液、水酸化ナトリウム水溶液に溶解した。
べた結果、水酸基含有量40％以上の重合体は、メタノー
ル、テトラヒドロフラン、N,N−ジメチルアセトアミ
ド、２−メチルシクロヘキサノン、酢酸イソアミル、メ
チルセロソルブ、ジメチルスルホキシドには溶解した
が、トルエン、ヘキサン、四塩化炭素には不溶であっ
た。一方、水溶液では、水酸化テトラメチルアンモニウ
ム水溶液、水酸化ナトリウム水溶液に溶解した。
酸素プラズマ耐性の検討 上記重合体の10重量％エチルセロソルブ溶液をシリコン
基板上にスピンコーティング法により塗布し、100℃で3
0分間プリベークして膜厚約0.2μｍの重合体塗膜を形成
した。続いて、バレル形アッシャーを用いて、酸素プラ
ズマ（条件：酸素圧0.5torr,RF 300W）に20分間さらし
たが、上記重合体は全く膜べりしなかった。しかし、平
行平板型O2RIE装置（条件：酸素圧20mtorr,RF 200W（14
MHz），カソードバイアス電圧−130V）を用いたとこ
ろ、合成例１の重合体の膜べり速度は23Å/min、合成例
２の重合体は40Å/min、合成例３の重合体は33Å/minで
あった。この時、一般に酸素プラズマ耐性が比較的高い
とされている有機物、例えばPIQ（日立化成製）、OFPR-
800（東京応化製）、AZ1350J（ヘキスト社製）等は約12
20Å/minの膜べり速度であった。また、上記重合体の膜
べり速度は水酸基含有量にほとんど影響されなかった。
基板上にスピンコーティング法により塗布し、100℃で3
0分間プリベークして膜厚約0.2μｍの重合体塗膜を形成
した。続いて、バレル形アッシャーを用いて、酸素プラ
ズマ（条件：酸素圧0.5torr,RF 300W）に20分間さらし
たが、上記重合体は全く膜べりしなかった。しかし、平
行平板型O2RIE装置（条件：酸素圧20mtorr,RF 200W（14
MHz），カソードバイアス電圧−130V）を用いたとこ
ろ、合成例１の重合体の膜べり速度は23Å/min、合成例
２の重合体は40Å/min、合成例３の重合体は33Å/minで
あった。この時、一般に酸素プラズマ耐性が比較的高い
とされている有機物、例えばPIQ（日立化成製）、OFPR-
800（東京応化製）、AZ1350J（ヘキスト社製）等は約12
20Å/minの膜べり速度であった。また、上記重合体の膜
べり速度は水酸基含有量にほとんど影響されなかった。
次に、上記合成例のアルカリ可溶性ポリオルガノシルセ
スキオキサン系重合体を用いた感光性樹脂組成物（第２
レジスト層用感光性樹脂組成物）の例を示す。
スキオキサン系重合体を用いた感光性樹脂組成物（第２
レジスト層用感光性樹脂組成物）の例を示す。
組成物例１ 合成例1.3項に示したポリ（ｐ−ヒドロキシベンジルシ
ルセスキオキサン）80重量％と前述の1,2−ナフトキノ
ンジアジド誘導体XII20重量％とをエチルセロソルブア
セテートに溶解させ、固形物27重量％のレジスト溶液を
作成した。次いで、上記レジスト溶液をシリコンウエハ
上にスピン塗布し、85℃で30分間プリベークして1.0μ
ｍ厚のレジスト膜を形成させた。これに種々の異なる照
射量の光を露光し、東京応化製現像液NMD−３（2.38％
水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液）を0.45％に希
釈したアルカリ現像液で１分間現像し、次いで１分間水
洗した後、残存レジスト膜の厚みを測定した。そして、
残存膜厚（規格化）を露光量（mJ/cm2 at 365nm）に対
してプロットし、残膜率ゼロとなる最少露光量（この値
を感度と定義する）を求めたところ、約30mJ/cm2であ
り、高感度なポジ型フォトレジストであることが確認さ
れた。
ルセスキオキサン）80重量％と前述の1,2−ナフトキノ
ンジアジド誘導体XII20重量％とをエチルセロソルブア
セテートに溶解させ、固形物27重量％のレジスト溶液を
作成した。次いで、上記レジスト溶液をシリコンウエハ
上にスピン塗布し、85℃で30分間プリベークして1.0μ
ｍ厚のレジスト膜を形成させた。これに種々の異なる照
射量の光を露光し、東京応化製現像液NMD−３（2.38％
水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液）を0.45％に希
釈したアルカリ現像液で１分間現像し、次いで１分間水
洗した後、残存レジスト膜の厚みを測定した。そして、
残存膜厚（規格化）を露光量（mJ/cm2 at 365nm）に対
してプロットし、残膜率ゼロとなる最少露光量（この値
を感度と定義する）を求めたところ、約30mJ/cm2であ
り、高感度なポジ型フォトレジストであることが確認さ
れた。
組成物例２〜36 組成物例１と同様にして、種々の組成物を検討した。組
成物の成分、配合割合、現像条件および感度に関する具
体的な値は、合成例１の重合体については表４に、合成
例２の重合体については表５に、合成例３の重合体につ
いては表６にそれらをまとめた。
成物の成分、配合割合、現像条件および感度に関する具
体的な値は、合成例１の重合体については表４に、合成
例２の重合体については表５に、合成例３の重合体につ
いては表６にそれらをまとめた。
次に二層レジスト法の実施例について述べる。
実施例１ まず、シリコンウエハ上に第１レジスト層としてOFPR-8
00（東京応化製）を２μｍ厚にスピン塗布し、90℃で30
分、200℃で30分ベークし（以下、これを“ハードベー
クOFPR-800"と略称する。）、次いで、第２レジスト層
として前述の感光性樹脂組成物例１の組成物を前記と同
様にして１μｍ厚に成膜した。
00（東京応化製）を２μｍ厚にスピン塗布し、90℃で30
分、200℃で30分ベークし（以下、これを“ハードベー
クOFPR-800"と略称する。）、次いで、第２レジスト層
として前述の感光性樹脂組成物例１の組成物を前記と同
様にして１μｍ厚に成膜した。
第２レジスト層のパターニングは、COBILT AF2800Hを用
いて密着露光により行なった。ここで、現像液は前述の
組成物例１に使用して現像液を用い、現像時間は３分と
した。また、最適露光量は便宜上１μm lines＆spaces
が1:1に転写される露光量とした。本実施例において
は、最適露光量は80mJ/cm2 at 365nmであった。
いて密着露光により行なった。ここで、現像液は前述の
組成物例１に使用して現像液を用い、現像時間は３分と
した。また、最適露光量は便宜上１μm lines＆spaces
が1:1に転写される露光量とした。本実施例において
は、最適露光量は80mJ/cm2 at 365nmであった。
次に、上記第２レジスト層のパターンをマスクとして、
第１レジスト層をO2RIE（平行平板型RIE装置：酵素圧3m
torr,RFPWR 0.64mW/cm（7MHz）,20〜30分）によりパタ
ーニングした。その結果、サブミクロンレベルのパター
ン寸法でアスペクト比３以上の垂直段差形状を持つレジ
ストパターンが精度よく得られた。この時、第２レジス
トパターンから第１レジストパターンへの寸法変換差は
0.1μｍ以下であった。
第１レジスト層をO2RIE（平行平板型RIE装置：酵素圧3m
torr,RFPWR 0.64mW/cm（7MHz）,20〜30分）によりパタ
ーニングした。その結果、サブミクロンレベルのパター
ン寸法でアスペクト比３以上の垂直段差形状を持つレジ
ストパターンが精度よく得られた。この時、第２レジス
トパターンから第１レジストパターンへの寸法変換差は
0.1μｍ以下であった。
実施例２〜36 実施例１と同様にして、表４、５、６に示した感光性樹
脂組成物を用い、二層レジスト法を試みたところ、いず
れにおいても、サブミクロンレベルのパターン寸法でア
スペクト比３以上の垂直段差形状を持つ微細レジストパ
ターンを得ることができた。実施例２〜36を表７にまと
める。
脂組成物を用い、二層レジスト法を試みたところ、いず
れにおいても、サブミクロンレベルのパターン寸法でア
スペクト比３以上の垂直段差形状を持つ微細レジストパ
ターンを得ることができた。実施例２〜36を表７にまと
める。
［発明の効果］ 以上述べたように、本発明によれば、サブミクロンレベ
ルのパターン寸法で高アスペクト比の微細レジストパタ
ーンが精度よく得られる。しかも、現在半導体プロセス
において主流を占めているアルカリ現像プロセスをその
まま適用できるので、実用上極めて有利であり、半導体
素子等の製造プロセスにとって非常に有力な技術であ
る。
ルのパターン寸法で高アスペクト比の微細レジストパタ
ーンが精度よく得られる。しかも、現在半導体プロセス
において主流を占めているアルカリ現像プロセスをその
まま適用できるので、実用上極めて有利であり、半導体
素子等の製造プロセスにとって非常に有力な技術であ
る。
第１図は二層レジスト法を用いたリソグラフィプロセス
の概略図である。 １……半導体基板、２……有機高分子材料被膜（第１レ
ジスト層）、３……光および放射線感応性高分子膜（第
２レジスト層）。
の概略図である。 １……半導体基板、２……有機高分子材料被膜（第１レ
ジスト層）、３……光および放射線感応性高分子膜（第
２レジスト層）。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 名手 和男 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (56)参考文献 特開 昭61−3139（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−144639（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−256347（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−36661（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−229136（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】基板上に第１レジスト層を設ける工程と、 上記第１レジスト層の上に、感光性樹脂組成物を用いて
第２レジスト層を形成する工程と、 上記第２のレジスト層の所望の部分を露光し、現像して
第１レジスト層の所望の部分を露出させる工程と、 上記第１レジスト層の露出部分を酸素プラズマによるド
ライエッチングにより除去してパターンを形成する工程
とを有し、 上記感光性樹脂組成物は、 アルカリ可溶性ポリオルガノシルセスキオキサン系重合
体を含有するベースポリマーと、感光性溶解阻害剤とを
含有し、 上記アルカリ可溶性ポリオルガノシルセスキオキサン系
重合体は、 ポリ（ｐ−ヒドロキシベンジルシルセスキオキサン−co
−２−（ｐ−ヒドロキシフェニル）エチルシルセスキオ
キサン−co−ｐ−メトキシベンジルシルセスキオキサン
−co−２−（ｐ−メトキシフェニル）エチルシルセスキ
オキサン−co−ｐ−トリメチルシロキシベンジルシルセ
スキオキサン−co−２−（ｐ−トリメチルシロキシフェ
ニル）エチルシルセスキオキサン）であることを特徴と
するパターン形成方法。 - 【請求項２】請求項１において、 上記感光性樹脂組成物は、70〜95重量％の上記ベースポ
リマーと、30〜５重量％の上記感光性溶解阻害剤とを含
み、 上記ベースポリマーは、上記アルカリ可溶性ポリオルガ
ノシルセスキオキサン系重合体を70〜100重量％含むこ
とを特徴とするパターン形成方法。 - 【請求項３】請求項１において、 上記ベースポリマーは、30重量％以下のノボラック樹脂
を被膜形成剤としてさらに含むことを特徴とするパター
ン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62065205A JPH0769610B2 (ja) | 1987-03-19 | 1987-03-19 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62065205A JPH0769610B2 (ja) | 1987-03-19 | 1987-03-19 | パターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63231331A JPS63231331A (ja) | 1988-09-27 |
| JPH0769610B2 true JPH0769610B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=13280181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62065205A Expired - Fee Related JPH0769610B2 (ja) | 1987-03-19 | 1987-03-19 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0769610B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2567984B2 (ja) * | 1990-09-21 | 1996-12-25 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
| DE69300616T2 (de) * | 1992-04-30 | 1996-05-30 | Ibm | Silikon enthaltendes positives Photoresistmaterial und dessen Verwendung in Dünnfilm-Verpackung-Technologie. |
| JPH05326718A (ja) * | 1992-05-25 | 1993-12-10 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| KR100335070B1 (ko) * | 1999-04-21 | 2002-05-03 | 백승준 | 압축 성형 기법을 이용한 미세 패턴 형성 방법 |
| WO2003035932A1 (en) * | 2001-09-25 | 2003-05-01 | Minuta Technology Co., Ltd. | Method for forming a micro-pattern on a substrate by using capillary force |
| JP5533232B2 (ja) * | 2009-06-29 | 2014-06-25 | Ｊｓｒ株式会社 | ポジ型感放射線性組成物、硬化膜、層間絶縁膜、層間絶縁膜の形成方法、表示素子、及び層間絶縁膜形成用のシロキサンポリマー |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPS61144639A (ja) * | 1984-12-19 | 1986-07-02 | Hitachi Ltd | 放射線感応性組成物及びそれを用いたパタ−ン形成法 |
| JPH07120044B2 (ja) * | 1986-03-31 | 1995-12-20 | 株式会社東芝 | 感光性組成物およびそれを用いるパターン形成方法 |
| JPS61256347A (ja) * | 1985-05-10 | 1986-11-13 | Hitachi Ltd | アルカリ可溶性シロキサン重合体 |
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| JP2619358B2 (ja) * | 1986-01-08 | 1997-06-11 | 株式会社日立製作所 | 感光性樹脂組成物 |
| JPS62240954A (ja) * | 1986-04-12 | 1987-10-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | レジスト材料 |
| JPH061381B2 (ja) * | 1986-02-18 | 1994-01-05 | 株式会社日立製作所 | 放射線感応性樹脂組成物 |
| JPS62287242A (ja) * | 1986-06-06 | 1987-12-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | レジスト組成物 |
| JPH0769609B2 (ja) * | 1987-02-09 | 1995-07-31 | 日本電信電話株式会社 | 感光性樹脂組成物 |
| JPS63204254A (ja) * | 1987-02-20 | 1988-08-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ホトレジストの現像方法 |
-
1987
- 1987-03-19 JP JP62065205A patent/JPH0769610B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JPS63231331A (ja) | 1988-09-27 |
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