JPH07123209B2 - バイアス始動回路 - Google Patents

バイアス始動回路

Info

Publication number
JPH07123209B2
JPH07123209B2 JP4161624A JP16162492A JPH07123209B2 JP H07123209 B2 JPH07123209 B2 JP H07123209B2 JP 4161624 A JP4161624 A JP 4161624A JP 16162492 A JP16162492 A JP 16162492A JP H07123209 B2 JPH07123209 B2 JP H07123209B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
current
circuit
node
bias
charging
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP4161624A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH05283947A (ja
Inventor
ルエツ ジェイ．エリック
Original Assignee
サムスング・セミコンダクター・インコーポレイテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by サムスング・セミコンダクター・インコーポレイテッド filed Critical サムスング・セミコンダクター・インコーポレイテッド
Publication of JPH05283947A publication Critical patent/JPH05283947A/ja
Publication of JPH07123209B2 publication Critical patent/JPH07123209B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/34—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled
    • H03F3/343—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/22—Modifications for ensuring a predetermined initial state when the supply voltage has been applied
    • H03K17/223—Modifications for ensuring a predetermined initial state when the supply voltage has been applied in field-effect transistor switches
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02—Regulating voltage or current
    • G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is DC
    • G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/26—Current mirrors
    • G05F3/267—Current mirrors using both bipolar and field-effect technology
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/22—Modifications for ensuring a predetermined initial state when the supply voltage has been applied
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/22—Modifications for ensuring a predetermined initial state when the supply voltage has been applied
    • H03K2017/226—Modifications for ensuring a predetermined initial state when the supply voltage has been applied in bipolar transistor switches

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Control Of Electrical Variables (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Charge And Discharge Circuits For Batteries Or The Like (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はパワーアップ中にバイア
ス発生回路を定常電流状態とする始動回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】電流ミラー構成とされたトランジスタを
含むいくつかの電流径路を利用したバイアス発生回路が
広く使用されている。これらの回路は２つの安定動作状
態、すなわちゼロ電流状態および定常電流状態を有して
いる。電源が投入されると、バイアス発生回路はいずれ
かの状態へ安定化することができる。
【０００３】回路がゼロ電流状態へ安定化する場合に
は、強制的に定常電流状態としなければならない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】パワーアップ中にバイ
アス回路を強制的に定常電流状態とする標準技術は一つ
の選定された電源回路内のノードへ少量の電流を注入す
ることである。この技術の問題点はバイアス回路が作動
した後でも少量の電流が選定電流径路へ流れ続けて、バ
イアス電圧および／もしくは出力信号レベルの精度が劣
化することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明により、バイアス
発生回路をパワーアップ中に定常電流状態とする始動回
路が提供される。本発明の一つの特徴により、電源投入
時にバイアス発生回路がゼロ電流状態であれば、バイア
ス発生回路の一つの電流径路内のノードへ電流源が接続
される。電流源により給電されるこの始動回路により、
バイアス発生回路は強制的に定常電流状態とされる。始
動した後、電流源は電流径路内のノードから離され、電
流源からの始動電流によりバイアス発生回路の動作が影
響を受けないようにされる。
【０００６】本発明のもう一つの特徴により、電源投入
時にバイアス発生回路がゼロ電流状態であれば、始動回
路内の充電ノードが電流源により充電される。この充電
ノードが充電されると、充電ノードを電流径路内のノー
ドへ結合する結合トランジスタがオンとされて電流源か
ら電流径路内のノードへ始動電流を通し、バイアス発生
回路を強制的に定常電流状態とする。バイアス発生回路
が定常電流状態である場合には放電トランジスタがオン
とされ、充電ノードを放電させて結合トランジスタをオ
フとする。したがって、バイアス発生回路が定常電流状
態となると、電流源は電流径路内のノードから絶縁され
る。
【０００７】
【実施例】図１は本発明の実施例の回路図である。図１
において、バイアス回路１０は第１および第２の電流径
路１２，１４からなっている。第１の電流径路１２がバ
イアス抵抗器１６を含む点を除けば、各電流径路は同じ
回路素子により構成されている。第１のバイアス電圧出
力ＮＢが第２の電流径路１４内の第１の出力ノード１８
に接続されている。第２のバイアス電圧出力ＮＢ２が第
１の電流径路１２内の第２の出力ノード２０に接続され
ている。第１および第２の出力ノード２０，１８は、そ
れぞれ、トランジスタＮ８６，Ｎ４０のゲートに接続さ
れて出力ＰＢにバイアス電流信号を与える。
【０００８】バイアス始動回路２２はソースがＶＣＣに
接続され、ゲートが接地され、ドレーンが充電ノード２
４に接続されているＰチャネルトランジスタＩ３と、ド
レーンおよびゲートが充電ノード２４に接続され、ソー
スが第２の出力ノード２０に接続されているＮチャネル
トランジスタＮ３１と、ドレーンが充電ノード２４に接
続され、ソースが接地されゲートがノード１８に接続さ
れたＮチャネルトランジスタＮ３０により構成されてい
る。
【０００９】次に、バイアス始動回路の動作について説
明する。電源を投入すると、Ｉ１７のドレーン電圧はＶ
ＣＣに等しく回路はゼロ電流状態となる。しなしなが
ら、電源を投入して回路がゼロ電流状態となると、始動
回路２２内のＩ３はオンとされＮ３１およびＮ３０はオ
フとされる。Ｉ３のＷ／Ｌ比は小さく数μＡの電流しか
通さず、充電ノード２４へ電流を供給するブリーダ抵抗
器として機能する。しかしながら、短時間後に充電ノー
ド２４はＮ３１のゲート電圧がＮ３１をオンとするのに
充分高い点まで充電される。次に、Ｉ３およびＮ３１へ
電流が流れて第２の出力ノード２０を充電しそのノード
の電圧レベルを確立してバイアス発生回路を強制的に定
常電流状態とする。
【００１０】バイアス回路が定常電流状態となると、Ｎ
３０のゲートに接続された第１の出力ノード１８に確立
される電圧により、Ｎ３０がオンとされる。トランジス
タＩ３は充電ノード２４に供給される電流が定常電流状
態Ｎ３０のバイアス電流の１／５よりも低くなるような
サイズとされる。したがって、バイアス回路が定常電流
状態であれば、充電ノード２４が放電されてＮ３１がオ
フとされる。
【００１１】Ｎ３１がオフとされると、始動回路は第２
の出力ノード２０へ電流を通さなくなり、したがってバ
イアス回路の動作に影響を及ぼさない。充電ノード２４
が放電されると、Ｉ３により通される電流は作動中のバ
イアス回路１０から有効に絶縁される。さらに、始動回
路から引き出される電流はＩ３からの電流だけとなり、
それは数μＡにすぎない。したがって、始動回路の消費
電力は無視できる。
【００１２】実施例を参照として本発明を説明してき
た。同業者ならば容易に変更および置換が可能と思われ
る。特に、Ｐチャネルトランジスタはブリーダ抵抗器と
して使用されているが、ポリシリコン抵抗器等の他種の
回路素子で置換することができる。さらに、電圧レール
およびトランジスタの種類を切り替えることにより反対
極性のデバイスを使用することができる。したがって、
実施例は本発明を制約するものではなく、本発明は特許
請求の範囲によってのみ制約される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例の回路図。
【符号の説明】 １０ バイアス回路 １２ 電流径路 １４ 電流径路 １６ バイアス抵抗 １８ 出力ノード ２０ 出力ノード ２２ バイアス始動回路 ２４ 充電ノード

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 多数の電流径路を有するバイアス発生回
    路の電流径路内の選定ノードを充電して電源を投入した
    時にバイアス発生回路を定常電流状態とする始動回路に
    おいて、電源投入時 にバイアス発生回路がゼロ電流状態であると
    きに電源電圧を充電ノードに結合して充電電流を導通さ
    せて該充電ノードを充電する導通手段と、 前記充電ノードが充電された時にオンにされて前記充電
    ノードから電流径路内の選定ノードへ電流を導通してバ
    イアス発生回路を定常電流状態とする第１のトランジス
    タと、前記 充電ノードに接続され、バイアス発生回路が定常電
    流状態になった時にオンにされて前記導通手段によって
    導通される充電電流よりも実質的に大きい電流を導通し
    て前記充電ノードを放電させて前記第１のトランジスタ
    をオフにすると共にバイアス発生回路が定常電流状態に
    なった後は始動回路を前記選定ノードから絶縁する第２
    のトランジスタと、 を具備する前記始動回路。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の回路において、前記導通
    手段は順バイアストランジスタである、前記始動回路。
  3. 【請求項３】 請求項１記載の回路において、前記導通
    手段は抵抗器である、前記始動回路。
JP4161624A 1991-05-10 1992-05-11 バイアス始動回路 Expired - Lifetime JPH07123209B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US698423 1991-05-10
US07/698,423 US5155384A (en) 1991-05-10 1991-05-10 Bias start-up circuit

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH05283947A JPH05283947A (ja) 1993-10-29
JPH07123209B2 true JPH07123209B2 (ja) 1995-12-25

Family

ID=24805179

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4161624A Expired - Lifetime JPH07123209B2 (ja) 1991-05-10 1992-05-11 バイアス始動回路

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5155384A (ja)
EP (1) EP0515065B1 (ja)
JP (1) JPH07123209B2 (ja)
KR (1) KR960006630B1 (ja)
DE (1) DE69210087T2 (ja)

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR940004026Y1 (ko) * 1991-05-13 1994-06-17 금성일렉트론 주식회사 바이어스의 스타트업회로
GB9304954D0 (en) * 1993-03-11 1993-04-28 Sgs Thomson Microelectronics Reference current generating circuit
JP3037031B2 (ja) * 1993-08-02 2000-04-24 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社 パワーオン信号発生回路
JPH07130170A (ja) * 1993-10-29 1995-05-19 Mitsubishi Electric Corp 基準電圧発生回路
KR960004573B1 (ko) * 1994-02-15 1996-04-09 금성일렉트론주식회사 기동회로를 갖는 기준전압발생회로
US5638011A (en) * 1994-04-12 1997-06-10 I.C. Works, Inc. Digital to analog converter (DAC) current source arrangement
FR2721771B1 (fr) * 1994-06-27 1996-09-06 Sgs Thomson Microelectronics Dispositif de mise en veille d'une source de polarisation.
FR2721772B1 (fr) * 1994-06-27 1996-09-06 Sgs Thomson Microelectronics Circuit de commande d'une source de polarisation comportant un dispositif de mise en veille.
US5646563A (en) * 1994-07-15 1997-07-08 National Semiconductor Corporation Charge pump with near zero offset current
JP3650186B2 (ja) * 1995-11-28 2005-05-18 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置および比較回路
FR2767976B1 (fr) * 1997-08-28 1999-11-12 Sgs Thomson Microelectronics Dispositif d'aide au demarrage pour une pluralite de sources de courant
GB2336960B (en) * 1998-05-01 2003-08-27 Sgs Thomson Microelectronics Start up circuits and bias generators
US6525598B1 (en) 1999-01-29 2003-02-25 Cirrus Logic, Incorporated Bias start up circuit and method
US6124741A (en) * 1999-03-08 2000-09-26 Pericom Semiconductor Corp. Accurate PLL charge pump with matched up/down currents from Vds-compensated common-gate switches
US6459306B1 (en) * 1999-07-22 2002-10-01 Lucent Technologies Inc. Low power differential comparator with stable hysteresis
US6201435B1 (en) 1999-08-26 2001-03-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Low-power start-up circuit for a reference voltage generator
US6404252B1 (en) 2000-07-31 2002-06-11 National Semiconductor Corporation No standby current consuming start up circuit
US6351111B1 (en) 2001-04-13 2002-02-26 Ami Semiconductor, Inc. Circuits and methods for providing a current reference with a controlled temperature coefficient using a series composite resistor
US6342781B1 (en) 2001-04-13 2002-01-29 Ami Semiconductor, Inc. Circuits and methods for providing a bandgap voltage reference using composite resistors
FR2860307B1 (fr) * 2003-09-26 2005-11-18 Atmel Grenoble Sa Circuit integre avec fonction de demarrage automatique
US7015746B1 (en) 2004-05-06 2006-03-21 National Semiconductor Corporation Bootstrapped bias mixer with soft start POR
US7145372B2 (en) * 2004-08-31 2006-12-05 Micron Technology, Inc. Startup circuit and method
TW200715092A (en) * 2005-10-06 2007-04-16 Denmos Technology Inc Current bias circuit and current bias start-up circuit thereof
US7446568B2 (en) * 2006-05-29 2008-11-04 Himax Technologies Limited Receiver start-up compensation circuit
US20080150594A1 (en) * 2006-12-22 2008-06-26 Taylor Stewart S Start-up circuit for supply independent biasing
TW200901608A (en) * 2007-06-27 2009-01-01 Beyond Innovation Tech Co Ltd Bias supply, start-up circuit, and start-up method for bias circuit
TW200903213A (en) * 2007-07-02 2009-01-16 Beyond Innovation Tech Co Ltd Bias supply, start-up circuit, and start-up method for bias circuit
JP5424750B2 (ja) * 2009-07-09 2014-02-26 新日本無線株式会社 バイアス回路
WO2016098593A1 (ja) * 2014-12-16 2016-06-23 ソニー株式会社 電源監視回路、パワーオンリセット回路、および半導体装置
JP7284593B2 (ja) * 2018-03-22 2023-05-31 株式会社東芝 電流駆動回路
US11867571B2 (en) * 2021-10-01 2024-01-09 Nxp B.V. Self-turn-on temperature detector circuit

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4342926A (en) * 1980-11-17 1982-08-03 Motorola, Inc. Bias current reference circuit
US4450367A (en) * 1981-12-14 1984-05-22 Motorola, Inc. Delta VBE bias current reference circuit
US4495425A (en) * 1982-06-24 1985-01-22 Motorola, Inc. VBE Voltage reference circuit
US4461991A (en) * 1983-02-28 1984-07-24 Motorola, Inc. Current source circuit having reduced error
JPS6310215A (ja) * 1986-07-02 1988-01-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 定電流回路
GB2228384A (en) * 1989-02-17 1990-08-22 Philips Electronic Associated Current conveyor circuit
JP2906522B2 (ja) * 1990-02-02 1999-06-21 日本電気株式会社 バイアス回路

Also Published As

Publication number Publication date
DE69210087T2 (de) 1996-11-28
US5155384A (en) 1992-10-13
KR920022642A (ko) 1992-12-19
EP0515065B1 (en) 1996-04-24
JPH05283947A (ja) 1993-10-29
DE69210087D1 (de) 1996-05-30
EP0515065A1 (en) 1992-11-25
KR960006630B1 (ko) 1996-05-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH07123209B2 (ja) バイアス始動回路
US4812679A (en) Power-on reset circuit
TWI433149B (zh) 降低ｓｒａｍ漏電流之電路
US5696440A (en) Constant current generating apparatus capable of stable operation
JPS6052112A (ja) 論理回路
JPH08272467A (ja) 基板電位発生回路
JPH11191726A (ja) 定スルーレート増幅器
JPH0581900A (ja) 半導体メモリー装置のストレスモード感知装置
JPH0830994B2 (ja) パワー・ブースト・システムを備えた電圧レギュレータ装置
US5742155A (en) Zero-current start-up circuit
JPH03109822A (ja) Ｄａｃを選択的にスイッチングするための装置と方法
JPS6046610A (ja) 単一入力発振回路
US7342463B2 (en) Timer circuits and method
JPH08298444A (ja) 電源検出回路
US5479122A (en) Sync signal detection apparatus
JP2788890B2 (ja) レベルシフト回路
JPH0677804A (ja) 出力回路
KR20030072527A (ko) 직류-직류 컨버터의 발진기
US6650152B2 (en) Intermediate voltage control circuit having reduced power consumption
KR0157916B1 (ko) 파워 온 리셋 회로
JPH0658615B2 (ja) 基準電圧発生回路
KR100380158B1 (ko) 지연 회로
JP3510228B2 (ja) 電圧比較回路
JP3429969B2 (ja) バイアス回路
JPS6243367B2 (ja)

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071225

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081225

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091225

Year of fee payment: 14

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091225

Year of fee payment: 14

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101225

Year of fee payment: 15

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101225

Year of fee payment: 15

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111225

Year of fee payment: 16

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111225

Year of fee payment: 16

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121225

Year of fee payment: 17

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121225

Year of fee payment: 17