JPH0712744A - 異物検査装置 - Google Patents

異物検査装置

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JPH0712744A
JPH0712744A JP5177390A JP17739093A JPH0712744A JP H0712744 A JPH0712744 A JP H0712744A JP 5177390 A JP5177390 A JP 5177390A JP 17739093 A JP17739093 A JP 17739093A JP H0712744 A JPH0712744 A JP H0712744A
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flatness
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JP5177390A
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Fumitomo Hayano
史倫 早野
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    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ペリクル表面の平面度を測定する手段を設け
て、表面のへこみやふくらみが許容範囲を超えるペリク
ルの異物検査を回避することのできるような異物検査装
置を提供することを目的とする。 【構成】 本発明は、レチクルにフレームを介して装着
されたペリクルの表面上に付着した異物を検査する異物
検査装置において、ペリクル表面の平面度を測定するた
めの平面度測定手段を備えていることを特徴とする。平
面度測定手段は、共焦点型の光学系と、ペリクル表面と
光学的に共役な位置に設けられた遮光手段10と、該遮
光手段10を通過した光を受光するための受光手段11
とを備え、ペリクル表面100からの戻り光の光量に基
づいてペリクル表面の平面度を測定することを特徴とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は異物検査装置に関し、特
に半導体露光工程に用いられるレチクルやマスク(以
下、「レチクル」と総称する)に異物付着防止のために
フレームを介して装着される薄膜(以下、「ペリクル」
と総称する)の表面上に付着した異物を検査する装置に
関する。
【0002】
【従来の技術】半導体露光工程において、レチクルやペ
リクル等に塵埃等の異物が付着することがあり、これら
の付着した異物がウェハ上に転写され、製造されるウェ
ハの欠陥の原因となることがある。このため、回路パタ
ーンを有する被検査物の表面に付着した異物を光学的に
検査する装置が提案されている(例えば、特公昭第63
−64738号公報等)。
【0003】前記提案された従来の装置では、被検査物
の表面に光ビームを斜めに入射し、表面と光ビームとを
相対的に移動することによって、被検査物の表面上を光
ビームで二次元的に走査可能となる。被検査面からの反
射光を複数の光電手段(フォトマルチプライヤー等)に
よって受光し、光電手段からの各光電信号に基づいて、
欠陥の有無および大きさを検査していた。さらに詳細に
は、パターンからの反射光は指向性が強い回折光である
のに対し、異物からの反射光は指向性の弱い散乱光であ
ることに着目し、すべての光電信号が所定の大きさ以上
のときには異物が存在すると判定し、その異物の大きさ
を光電信号の大きさに基づいて求めていた。
【0004】一方、レチクルにフレームを介して装着さ
れるペリクルの表面が全体的にへこんだりふくらんだり
して所定の平面度を保持していない場合、後述する理由
により上記従来の異物検査装置では検査を行うことがで
きなかった。ペリクルはまず、ペリクル内外の気圧差に
起因してへこんだりふくらんだりする。たとえば、ペリ
クルをレチクルに装着したときよりも外気圧が高くなる
と、ペリクルとレチクルとで密閉された空間の圧力(す
なわち装着したときの気圧)が周囲の気圧より低くなる
ためペリクルは全体的にへこむ。反対に、ペリクルをレ
チクル装着したときよりも外気圧が低くなると、ペリク
ルは全体的にふくらむ。
【0005】ペリクルはさらに、ペリクルとレチクルと
の間の静電気による電位差に起因してへこむ。ペリクル
の材質等によってはペリクル自体が静電気を帯びやす
い。特に冬のように空気が乾燥している季節において
は、使用する場所がたとえクリーンルームのような場所
であっても室内の湿度は低下するので、ペリクルが静電
気を帯び易い。レチクルもまた静電気を帯びる場合があ
る。特に5インチサイズのレチクルよりも6インチサイ
ズのレチクルの方が、体積が大きい分だけ帯びる電荷量
も大きくなる。ペリクルの材質として静電気を帯びにく
い材質を選定したとしても、レチクルが帯びた静電気に
誘因されてペリクルが表裏面で分極し、ペリクルがレチ
クルに引っ張られる。すなわち、ペリクルの表面が全体
的にへこんでしまう。当然、ペリクルおよびレチクルの
双方が静電気を帯び、その電位差に基づきペリクル表面
が全体的にへこむこともある。
【0006】ペリクル内外の気圧差に起因したペリクル
のへこみやふくらみは、たとえばペリクルフレームに予
め穴を設けて通気性をもたせることにより未然に防止す
ることができる。しかしながら、静電気によるペリクル
表面のへこみは、イオナイザ等の除電手段(静電気を除
去するための手段)を使用しなければ解消することがで
きない。以上のような理由により、ペリクル表面が許容
範囲を超えて全体的にへこんだりふくらんだりしている
場合、従来の異物検査装置を使用して異物検査を行うと
次のような検査不良が生じる。
【0007】 ペリクル表面上に付着した異物を検査
する場合、たとえば光ビームをペリクル表面上に集光
し、ペリクル表面上に付着した異物からの散乱光の強度
が所定の基準値より大きいとき異物有りとして検査して
いる。このとき、光ビームの焦点深度以上にペリクル表
面がへこんだりふくらんだりしている場合、ペリクル表
面上の光ビームの輝度(単位面積当たりの光量)が減る
ため、異物から得られる散乱光の光量が減って正常状態
(ペリクル表面が平面の状態)において検出されるべき
サイズの異物も検出することができなくなる。すなわ
ち、検出感度が低下する。
【0008】 また、光ビームがペリクル表面に対し
て斜入射している場合、ペリクル表面のへこみやふくら
みによるペリクル表面の高さ変化(表面に直交する方向
の変化)をΔZとし、光ビームの入射角をθとすると、
ΔY=ΔZ・tanθだけ走査線のずれが発生する。へ
こみやふくらみに基づく高さ変化ΔZはペリクルフレー
ム近傍ではほとんどないためΔZ=0とみなせるが、ペ
リクルの中央部では高さ変化ΔZが最大になる。したが
って、走査線のずれΔYもペリクルフレーム近傍ではΔ
Y=0であり、ペリクルの中央部ではΔYは最大にな
る。すなわち、ペリクル表面が平面である正常状態では
直線である走査線が、ペリクル表面が全体的にふくらん
だりへこんだりするとほぼ円弧状に湾曲するため、検出
した異物の位置情報が走査方向と直交する方向にずれて
しまう。
【0009】さらに、このとき厳密には、走査方向(X
方向)にも検出異物の位置がずれるが、たとえば図1の
構成で光ビーム走査するとき走査レンズ109の光軸に
対して走査角度範囲が大きくない場合には、このX方向
のずれ量はY方向のずれ量に比べて小さくなる。すなわ
ち一般には、走査レンズ109を通る走査ビーム112
はテレセントリック(走査レンズ109の光軸に対し走
査ビーム112が常に平行)でないまでも、走査レンズ
109に対し走査線の両端においても走査ビーム112
は10°程度の角度しかないため、走査線の両端ではふ
くらみやへこみ量は走査線の中央(ペリクル中央)に比
べて少ないということとあわせて、X方向のずれ量は小
さくなる。したがって、本発明ではY方向のみの位置ず
れを問題として掲げておく。
【0010】 さらに受光レンズ114を介して走査
線と共役な位置に走査線上の光情報のみを検出器116
に通すようにスリット115を設ける場合には、前記
で記述した走査線のY方向にずれによりスリット115
で光情報が遮光されてしまうという問題もある。以上
乃至の問題の程度を数値例を用いて説明すると、ペリ
クル上のレーザビームの大きさがX方向で30μm程度
で、45°の入射角で斜入射するとき、ペリクルが0.
5mmふくらむと、およびの影響でペリクル中央部
の異物の検出光量が平坦なペリクルのときに比べ約1/
2程度に低下し、により検出位置もY方向に0.5m
m(ペリクル中央部)ずれる。この場合は、0.3mm
程度がペリクルのふくらみ(またはへこみ)の許容値と
なる。したがって、ペリクルの平坦度を測定し、許容値
内であるか否かを判定する必要がある。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、レチク
ルにフレームを介して装着されるペリクルの表面が全体
的にへこんだりふくらんだりして所定の平面度を保持し
ていない場合、従来の異物検査装置では所望の異物検査
を行うことができない。換言すれば、所定の平面度を保
持していないペリクル表面を従来の異物検査装置で異物
検査しても、実際に付着している所定サイズ以上の異物
を位置ずれなく検出することができず、ペリクルに付着
した異物がウェハ上に転写され製造されるウェハの欠陥
の原因となるという不都合があった。本発明は、前述の
課題に鑑みてなされたものであり、ペリクル表面の平面
度を測定する手段を設けて、表面のへこみやふくらみが
許容範囲を超えるペリクルの異物検査を回避することの
できるような異物検査装置を提供することを目的とす
る。
【0012】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明においては、レチクルにフレームを介して装
着されたペリクルの表面上に付着した異物を検査する異
物検査装置において、ペリクル表面の平面度を測定する
ための平面度測定手段を備えていることを特徴とする装
置を提供する。好ましい態様によれば、前記平面度測定
手段は、測定された平面度が許容範囲内であるか否かを
判定するための判定手段と、該判定手段の結果を表示す
るための表示手段とを備え、さらに好ましくは、前記レ
チクルおよびペリクルの帯電を除去するための除電手段
を備えている。
【0013】
【作用】本発明は、ペリクル表面の全体的なへこみやふ
くらみといった同一ペリクル表面の各部における相対的
高さ方向ずれの問題を解決するものである。また、ペリ
クル表面の全体的なへこみやふくらみが許容範囲を超え
るか否かを判定し、そのままでは正常な異物検査を行う
ことができない場合、異物検査を回避することにより誤
った異物検査が防止できる。
【0014】そこで、本発明の異物検査装置では、ペリ
クル表面の平面度を測定するための平面度測定手段が従
来の装置に付設されている。平面度測定手段は、たとえ
ば共焦点型の光学系と、ペリクル表面と光学的に共役な
位置に設けられた遮光手段と、該遮光手段を通過した光
を受光するための受光手段とからなり、ペリクル表面か
らの戻り光の光量に基づいてペリクル表面の平面度を測
定する。一般的にペリクル表面に全体的なへこみやふく
らみがある場合、ペリクル中央部では高さ方向ずれが最
も大きく、逆にペリクル周辺部では高さ方向ずれが最も
小さい。したがって、ペリクル表面の中央部における高
さ位置と周辺部における高さ位置との少なくとも2点を
測定して比較すれば、その高さ位置の差からへこみまた
はふくらみの程度がわかる。本発明では、前記乃至
で規定される許容範囲を、測定した高さ位置の差が超え
ていない場合のみペリクルの異物検査を行うので、異常
検査が確実に回避される。
【0015】
【実施例】本発明の実施例を、添付図面に基づいて説明
する。図1は、本発明の実施例にかかる異物検査装置の
異物検査部の構成を模式的に説明する斜視図である。図
示の異物検査部において、ペリクル100が矩形状のフ
レーム101を介してレチクル102と平行に支持され
ている。すなわち、被検査物であるペリクル100の表
面は、理想的にはレチクル102からフレーム101の
高さ量だけ離れ且つ図中XY平面とほぼ平行な平面に沿
って広がっている。ステージ103は駆動部104によ
り図中Y方向に往復移動可能であり、その移動量はたと
えばリニアエンコーダのような測長器105により計測
可能なように構成されている。
【0016】一方、たとえばレーザ光源等の光源(不図
示)から射出された光ビーム106は、ビームエキスパ
ンダ等のビーム径拡大手段(不図示)により所定のビー
ム径に調整される。そして、光ビーム106は、ガルバ
ノスキャナまたはポリゴンミラー等のスキャナ107に
より偏向され、図中レチクル102上をX方向に偏向走
査される。偏向走査された光ビーム108は、たとえば
fθレンズのような走査レンズ109によりペリクル1
00上に収束した光ビーム112となって入射角θ(た
とえば45°)でペリクル100上に斜入射し、X方向
にほぼ平行な走査線110を形成する。このように、X
方向の光ビーム走査と駆動部104によるペリクル10
0のY方向移動とにより、被検査面であるペリクル10
0の全面に亘り二次元的な光ビームの走査が可能になっ
ている。ちなみに、このペリクル100の表面上のジグ
ザグ走査をラスター走査と呼ぶ。また、ぺリクル100
のY方向移動速度は、光ビーム112のX方向走査速度
に比して極めて小さく設定されている。
【0017】図示のように、ペリクル100の走査線1
10上に異物111が付着している場合、光ビーム11
2の照射を受けた異物111から散乱光113が発生す
る。散乱光113は、受光レンズの光軸120が理想的
なペリクル表面(フレーム101の高さとほぼ平行な平
面)に対して所定角度β(たとえば45°)だけ傾き、
かつ光軸120のペリクル面への正射影と走査線110
とが角度α(たとえば30°)だけ傾くように適宜配置
された受光レンズ114により集光され、さらに走査線
110と光学的にほぼ共役な空間に設けられたスリット
115を透過する。スリット115を透過した散乱光1
13は、スリット115の後方に配設されたたとえばフ
ォトマルチプライヤーやシリコンダイオード等の光電検
出器116で受光される。光電検出器116は、受光光
量にほぼ比例した光電信号を出力する。スリット115
は、走査線110上の光情報以外の光、たとえば光ビー
ム112がペリクル110を透過してレチクル102を
照射したときにレチクル102の表面および裏面から発
生する光や、レチクル102の表面および裏面で多重反
射した光がフレーム101の内壁に当たって散乱する光
等を遮光するためのものである。
【0018】上述したラスター走査中に光電検出器11
6が散乱光を受光したとき、測長器105で計測された
Y方向位置からペリクル100上の異物111のY方向
座標が求められ、偏向器107の偏向角度出力から異物
111のX方向座標が求まる。なお、通常ガルバノスキ
ャナーにおいては偏向角は入力電圧に比例するので、ガ
ルバノスキャナーへの入力電圧を測定すれば偏向角度が
求まる。また、異物111のサイズが大きいほど発生す
る散乱光113の光量が大きいため、光電検出器116
の光電信号の大きさに基づいて異物111のサイズを求
めることができる。こうして測定した異物の位置情報お
よびサイズ情報を、たとえば表形式でプリントしたり、
CRT上に二次元マップとして表示したりすることがで
きる。
【0019】図2は、本発明の実施例にかかる異物検査
装置の平面度測定部の構成を概略的に説明する図であ
る。図示の平面度測定部は、LEDやレーザ等の光源1
を備えている。光源1から発した光ビームはレンズ2に
よってほぼ平行な光ビーム3となってハーフミラー4に
入射する。ハーフミラー4で反射した光ビームは集光レ
ンズ5により集光され、光ビーム6となってレチクル1
02にフレームを介して装着されたペリクル100に入
射する。このように、光ビーム106がペリクル表面上
で集光するように、光学系に対してペリクル100が位
置決めされている。
【0020】ペリクル100で反射した光ビームは、入
射光ビーム6と同光路を通ってハーフミラー4に入射し
透過する。ハーフミラー4をそのまま透過した光ビーム
7は、ハーフミラー8により分岐される。ハーフミラー
8を透過した光ビームはレンズ9により集光され、集光
位置に設けられたピンホール10を通りシリコンダイオ
ード(SPD)等の受光素子11に入射する。一方、ハ
ーフミラー8で反射した光ビームは、集光レンズ12に
より集光されSPD等の受光素子13に入射する。ペリ
クル100の表面が全体的にへこんだりふくらんだりし
ていて照射する表面の位置におけるZ方向の高さが変化
すると、ピンホール10上でデフォーカスして光ビーム
が部分的にピンホール10を通過することができないた
め、受光素子11に入射する光ビームの光量は変化す
る。上述したように、ピンホール10とペリクル100
の理想的な平面(フレーム101の高さとほぼ平行な平
面)とが光学的に共役関係になるように位置決めされて
いるので、ペリクル100の照射面が理想的な平面と同
じレベルにあれば、ピンホール10上で光ビームがベス
トフォーカスとなり、受光素子11の受光光量が最大に
なる。
【0021】しかしながら、光源1の光ビームの波長に
対するペリクル100の反射率はその種類によってまち
まちであるため、ペリクル100の反射光量もその反射
率によってひいてはその種類によって変化する。そのた
め、ペリクル100の反射率の変化に基づく反射光量の
変化と、ペリクル100の照射面の高さ方向ずれに基づ
く反射光量の変化とを混同することがないように、受光
素子13の受光光量と受光素子11の受光光量とを比較
するのが好ましい。受光素子13にはピンホール10の
ような遮光手段を介することなくペリクル100の反射
光が入射するので、受光素子13の受光光量はペリクル
100の反射率の変化には依存するがペリクル100の
照射面の高さ方向ずれには依存しない。こうして、受光
素子11の出力信号と受光素子13の出力信号の比をと
れば、ペリクル100の照射面の高さ方向ずれにのみ依
存するペリクル100の平面度情報を得ることができ
る。受光素子11の出力信号と受光素子13の出力信号
との比の変化に対するペリクル100の高さ方向のずれ
の関係は、予め求めておくものとする。
【0022】図3は、本発明の実施例にかかる異物検査
装置の全体構成を模式的に説明する図である。図示の異
物検査装置20は、図1に示す異物検査部28と図2に
示す平面度測定部25とを備え、さらに図中破線で示す
搬送部24を備えている。搬送部24は、レチクルにフ
レームを介して装着されたペリクル100を図中Y方向
に往復移動させる。異物検査装置20はCRT等の表示
装置21に接続され、この表示装置21は異物検査結果
等を表示するようになっている。
【0023】以下、図1乃至図3を参照して本発明の異
物検査装置の動作を説明する。レチクルに装着されたペ
リクル100はレチクル格納部23から搬送部24によ
って取り出される。搬送部24は、ペリクル100の表
面を図中XY平面と平行に支持してY方向に往復移動可
能である。レチクル格納部23から取り出されたペリク
ル100は搬送部24によって図中Y方向上方に移動
し、ペリクル100は図2に示す平面度測定部25を通
過する。このとき、平面度測定部25は通過するペリク
ル100の表面を光ビーム6でY方向に走査してその平
面度を測定する。すなわち、ペリクル100の一方の端
部が平面度測定部25を通過するポジション26からペ
リクル100の他方の端部が平面度測定部25を通過す
るポジション27にかけて連続的または断続的に測定す
る。平面度測定部25で測定するペリクル100上の位
置は最低2点であるのが好ましく、その場合ペリクルフ
レーム近傍およびペリクル中央部で測定するのがよい。
なぜなら、ペリクル100は等方的(中心部からみて均
一に)ふくらんだりへこんだりするからである。
【0024】このとき、受光素子11の出力信号と受光
素子13の出力信号との比による2点の差が、光ビーム
112の前記乃至で規定される許容値とに基づいて
規定される許容範囲内であるならば、ペリクル100は
異物検査部28に送給される。そうでない場合、表示装
置21にはたとえば「ペリクル平面度異常」の警告表示
がなされ、搬送部24が図中Y方向下方に移動してペリ
クル100を異物検査することなくレチクル格納部23
に戻す。なお、受光素子11の出力信号と受光素子13
の出力信号の比で決まる高さ方向のずれの半分の位置に
ペリクル100の中央部がくるように、ペリクル100
を下方に移動してもよい。たとえば、ペリクル100の
中央部とフレーム近傍部との高さずれが0.4mmと
し、ビームの焦点深度が0.3mmとし、ペリクルフレ
ームに焦点が合っているとすると、ペリクル中央部をビ
ームの焦点位置から0.2mmずれるように高さ位置を
調整することにより、ペリクル全面を光ビームの焦点深
度内にすることができる。
【0025】さらに、レチクル格納部23と異物検査部
28との間の搬送経路中にイオナイザ等の除電手段29
を設けるのが好ましい。この場合、平面度測定部25で
「平面度異常」と判定されたペリクルおよびレチクルが
帯びている静電気を除去した後、再度平面度測定部25
によって除電したペリクル100の平面度を測定するこ
ともできる。測定の結果、平面度が許容範囲内であれば
異物検査部28に送給し、そうでなければ異物検査する
ことなくレチクル格納部23に戻す。なお、ペリクルと
レチクルとを貼り合わせるペリクル貼付け部と異物検査
部とを併せ備えた異物検査装置においては、平面度測定
部および除電手段は異物検査部とペリクル貼付け部との
間の任意の位置に設けることが可能であり、たとえばペ
リクル貼付け部側に設けてもよい。
【0026】図4は、平面度測定部の第2の実施例(変
形例)の構成を概略的に示す斜視図である。図示の平面
度測定部は、図1の異物検査部の斜入射光ビーム112
の反射光を利用するものであり、図1の異物検査部と基
本的構成は同じである。しかしながら、平面度測定部に
固有の構成要素として、光ビーム112の反射光の位置
を検出するための一次元CCDのような一次元位置検出
素子46乃至48がXZ平面に平行な所定の受光面内に
配設されている。図4では明瞭化のために、参照符号1
03(ステージ)乃至116(光電検出器)で示す共通
要素の図示を省略している。
【0027】斜入射光ビーム40(光ビーム112と同
一)が、図中XY平面に平行に支持されたペリクル10
0の表面上に入射する。ペリクル100の表面が完全な
平面であれば、光ビーム40は直線状の走査線41(破
線)を形成し、ペリクル100の反射光も上記受光面で
は直線状の軌跡42(破線)を描く。一方、ペリクル1
00がたとえば全体的にふくらんでいる場合は、上述し
たようにペリクル100の表面上の走査線43(実線)
は円弧状に湾曲し、その反射光44も上記受光面におい
て円弧状の軌跡45(実線)を描く。
【0028】上記受光面には一次元位置検出素子46乃
至48が配設されているので、上記円弧状に軌跡45に
対応する反射光のZ方向のずれを測定することができ
る。この測定した反射光のZ方向ずれは、ペリクル10
0の表面の測定点におけるへこみまたはふくらみの量に
一対一対応している。したがって、一次元位置検出素子
46乃至48の位置出力信号からペリクル100の平面
度を測定することができる。一般に、ペリクル100の
レチクル102に対する高さ位置がフレームの高さ等に
依存して変化するので、ペリクル中央部およびペリクル
フレーム近傍の少なくとの2点で測定するのが好まし
い。しかしながら、ペリクル100のレチクル102に
対する高さ位置ずれがほとんどない場合には、ペリクル
中央部の反射光を受光する一次元位置検出素子47だけ
を用いてペリクル100の平面度を検出することも可能
である。
【0029】図3の異物検査装置20において、光ビー
ム40(すなわち図1の光ビーム112)がペリクル1
00の中央部分を照射することができるようなY方向位
置までペリクルを搬送し、光ビーム40を偏向器107
で少なくとも一回だけX方向に走査する。そして、一次
元位置検出素子46乃至48の位置出力信号に基づき、
ペリクル100の平面度を測定する。測定した平面度が
すでに上述した許容範囲内であれば、レチクル100を
異物検査部28に送給し、そうでなければ異物検査する
ことなくレチクル格納部23に戻す。さらに、必要に応
じて除電手段によりペリクルの静電気を除去した後、再
度平面度を測定することもできる。測定の結果、平面度
が許容範囲内であれば異物検査部28に送給し、そうで
なければ異物検査することなくレチクル格納部23に戻
す。
【0030】なお、処理時間を短縮するためには、各処
理を行う際のレチクルの移動距離を極力短くすることが
重要である。したがって、本実施例のように平面度測定
部で使用する光ビームと異物検査部の走査光ビームとを
共通に使用する場合、除電手段も異物検査部の内部の設
けるのがよい。なお、本実施例では、平面度測定部で使
用する光ビームと異物検査部の走査光ビームとを共通に
使用する例を示したが、別の光ビームを使用する平面度
測定部を異物検査部と全くは別個に設け、その間に除電
手段を設ける構成をとってもよい。また、以上の実施例
では光ビームを走査させるタイプの異物検査装置につい
て説明したが、特開昭57−80546号公報等に開示
されているような、斜めからペリクルを照射して帯状の
照射領域を一括して形成し、照射領域とペリクルとを相
対移動して異物検査を行うタイプの異物検査装置に本発
明を適用してもよい。
【0031】
【効果】以上説明したごとく、本発明の異物検査装置で
は、ペリクルの平面度を測定することができる。したが
って、ペリクル表面のへこみやふくらみが大きくて平面
度が許容範囲を超えるようなペリクルの検査を確実に回
避することができるので、異物検査の信頼性が著しく向
上する。また、本発明の好ましい実施態様によれば除電
手段を備えているので、平面度が許容範囲を超えるよう
なペリクルおよびレチクルの静電気を取り除くことがで
きる。したがって、一旦平面度異常と判定されたペリク
ルを所望の平面度に矯正して異物検査を行うことができ
るのでスループットが著しく向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例にかかる異物検査装置の異物検
査部の構成を模式的に説明する斜視図である。
【図2】本発明の実施例にかかる異物検査装置の平面度
測定部の構成を概略的に説明する図である。
【図3】本発明の実施例にかかる異物検査装置の全体構
成を模式的に説明する図である。
【図4】平面度測定部の第2の実施例(変形例)の構成
を概略的に示す斜視図である。
【符号の説明】
100 ペリクル 102 レチクル 103 ステージ 106 光ビーム 107 偏向器 113 異物 114 受光レンズ 116 光電検出器 1 光源 4、8 ハーフミラー 10 ピンホール 11 受光素子 13 受光素子

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 レチクルにフレームを介して装着された
    ペリクルの表面上に付着した異物を検査する異物検査装
    置において、 ペリクル表面の平面度を測定するための平面度測定手段
    を備えていることを特徴とする装置。
  2. 【請求項2】 前記平面度測定手段は、測定された平面
    度が許容範囲内であるか否かを判定するための判定手段
    と、該判定手段の結果を表示するための表示手段とを備
    えていることを特徴とする請求項1に記載の装置。
  3. 【請求項3】 前記レチクルおよびペリクルの帯電を除
    去するための除電手段を備えていることを特徴とする請
    求項1または2に記載の装置。
  4. 【請求項4】 前記平面度測定手段は、共焦点型の光学
    系と、ペリクル表面と光学的に共役な位置に設けられた
    遮光手段と、該遮光手段を通過した光を受光するための
    受光手段とを備え、ペリクル表面からの戻り光の光量に
    基づいてペリクル表面の平面度を測定することを特徴と
    する請求項1乃至3のいずれか1項に記載の装置。
  5. 【請求項5】 前記平面度測定手段は、ペリクル表面を
    光ビームで走査するための光ビーム走査手段と、ペリク
    ル表面からの反射光の位置を検出するための位置検出手
    段とを備えていることを特徴とする請求項1乃至3のい
    ずれか1項に記載の装置。
  6. 【請求項6】 前記平面度測定手段は、前記ペリクルの
    ほぼ中心部と周辺部との少なくとも2点の高さ位置を検
    出し、該少なくとも2点の高さ位置に基づいて前記ペリ
    クルの平面度を測定することを特徴とする請求項1に記
    載の装置。
  7. 【請求項7】 前記平面度測定手段は、前記ペリクル表
    面の平面度が許容値内であれば異物検査を続行し、許容
    値外であれば異物検査を中止するための判定手段を備え
    ていることを特徴とする請求項1に記載の装置。
JP5177390A 1993-06-24 1993-06-24 異物検査装置 Pending JPH0712744A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006251480A (ja) * 2005-03-11 2006-09-21 Nikon Corp 異物検出装置、異物検出方法、露光装置、露光方法、及びデバイスの製造方法
US7911535B2 (en) 2009-03-03 2011-03-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Image signal processing apparatus and method of controlling the same

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JP2006251480A (ja) * 2005-03-11 2006-09-21 Nikon Corp 異物検出装置、異物検出方法、露光装置、露光方法、及びデバイスの製造方法
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