JPH07138759A - 真空処理装置 - Google Patents
真空処理装置Info
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- JPH07138759A JPH07138759A JP28829693A JP28829693A JPH07138759A JP H07138759 A JPH07138759 A JP H07138759A JP 28829693 A JP28829693 A JP 28829693A JP 28829693 A JP28829693 A JP 28829693A JP H07138759 A JPH07138759 A JP H07138759A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 真空処理室内を所定の処理真空度に維持し
て、この真空処理室に被処理物を連続的に通過させ、こ
の被処理物に生産性良く目的とする真空処理を実施で
き、しかも安価に、不純物の混入が少ない状態でその処
理を実施できる真空処理装置を提供する。 【構成】 プラズマ処理を実施する真空処理室１９の入
口２０Ｄ及び出口２０Ｅのそれぞれに小室を直列接続し
てなる補助真空室１１０及び１２０を接続し、これらに
おける被処理物Ｓ３の通路２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２
０Ｄ、２０Ｅ、２０Ｆ、２０Ｇ、２０Ｈのそれぞれに、
被被処理物Ｓ３の実質上全周に被処理物Ｓ３の通過を許
しつつ密接するシール部材２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２
０ｄ、２０ｅ、２０ｆ、２０ｇ、２０ｈを設けた真空処
理装置。
て、この真空処理室に被処理物を連続的に通過させ、こ
の被処理物に生産性良く目的とする真空処理を実施で
き、しかも安価に、不純物の混入が少ない状態でその処
理を実施できる真空処理装置を提供する。 【構成】 プラズマ処理を実施する真空処理室１９の入
口２０Ｄ及び出口２０Ｅのそれぞれに小室を直列接続し
てなる補助真空室１１０及び１２０を接続し、これらに
おける被処理物Ｓ３の通路２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２
０Ｄ、２０Ｅ、２０Ｆ、２０Ｇ、２０Ｈのそれぞれに、
被被処理物Ｓ３の実質上全周に被処理物Ｓ３の通過を許
しつつ密接するシール部材２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２
０ｄ、２０ｅ、２０ｆ、２０ｇ、２０ｈを設けた真空処
理装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、それには限定されない
が、主としてパイプ状物、棒状物、線又は糸状物、連続
シート状物のような長尺の被処理物に、所定真空下でプ
ラズマＣＶＤ処理のようなプラズマ処理、真空蒸着処
理、イオン注入等の目的とする真空処理を施す被処理物
の真空処理装置に関する。
が、主としてパイプ状物、棒状物、線又は糸状物、連続
シート状物のような長尺の被処理物に、所定真空下でプ
ラズマＣＶＤ処理のようなプラズマ処理、真空蒸着処
理、イオン注入等の目的とする真空処理を施す被処理物
の真空処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】所定真空下で被処理物に目的とするプラ
ズマ処理、真空蒸着処理、イオン注入等の真空処理を生
産性良く施す装置としてこれまで知られている代表的な
ものを例示すると、図２に示す装置及び図３に示す装置
がある。図２に示す装置は短尺の被処理物をバッチ処理
するのに適するもので、被処理物Ｓ１を搬入、搬出する
ゲート弁１、２を有し、図示しない排気装置に接続さ
れ、図示しない真空処理手段を備えた真空処理室３の前
記ゲート弁１、２にそれぞれロードロック室４、５を連
設したものである。該ロードロック室４、５もまた図示
しない排気装置に接続され、被処理物Ｓ１を装置外から
搬入し、装置外へ搬出するゲート弁６、７を有してい
る。
ズマ処理、真空蒸着処理、イオン注入等の真空処理を生
産性良く施す装置としてこれまで知られている代表的な
ものを例示すると、図２に示す装置及び図３に示す装置
がある。図２に示す装置は短尺の被処理物をバッチ処理
するのに適するもので、被処理物Ｓ１を搬入、搬出する
ゲート弁１、２を有し、図示しない排気装置に接続さ
れ、図示しない真空処理手段を備えた真空処理室３の前
記ゲート弁１、２にそれぞれロードロック室４、５を連
設したものである。該ロードロック室４、５もまた図示
しない排気装置に接続され、被処理物Ｓ１を装置外から
搬入し、装置外へ搬出するゲート弁６、７を有してい
る。
【０００３】この装置によると、真空処理に当たり、ま
ず真空処理室３が所定真空度とされた後、ロードロック
室４のゲート弁６が開かれ被処理物Ｓ１がロードロック
室４へ搬入され、該ゲート弁６が閉じられる。次いでロ
ードロック室４内が真空処理室３内とほぼ同じ真空度に
された後、ゲート弁１が開けられ被処理物Ｓ１が真空処
理室３へ搬入され、弁１が閉じられて該被処理物Ｓ１に
目的とする処理が施される。この間に予めロードロック
室５内が真空処理室３内とほぼ同じ真空度とされ、又は
前記処理終了後にその真空度とされた後、ゲート弁２が
開けられ被処理物Ｓ１が真空処理室３からロードロック
室５へ搬出され、弁２が閉じられる。さらに、ロードロ
ック室５が大気圧に戻された後、該室５のゲート弁７が
開けられ被処理物Ｓ１が搬出され、そのあと弁７が閉じ
られる。
ず真空処理室３が所定真空度とされた後、ロードロック
室４のゲート弁６が開かれ被処理物Ｓ１がロードロック
室４へ搬入され、該ゲート弁６が閉じられる。次いでロ
ードロック室４内が真空処理室３内とほぼ同じ真空度に
された後、ゲート弁１が開けられ被処理物Ｓ１が真空処
理室３へ搬入され、弁１が閉じられて該被処理物Ｓ１に
目的とする処理が施される。この間に予めロードロック
室５内が真空処理室３内とほぼ同じ真空度とされ、又は
前記処理終了後にその真空度とされた後、ゲート弁２が
開けられ被処理物Ｓ１が真空処理室３からロードロック
室５へ搬出され、弁２が閉じられる。さらに、ロードロ
ック室５が大気圧に戻された後、該室５のゲート弁７が
開けられ被処理物Ｓ１が搬出され、そのあと弁７が閉じ
られる。
【０００４】また、図３に示す装置は長尺の被処理物を
処理するのに適するもので、長尺の被処理物Ｓ２の搬入
口８及び搬出口９を有し、図示しない排気装置が接続さ
れ、図示しない真空処理手段を備えた真空処理室１０
と、前記搬入口８及び搬出口９にそれぞれ接続された補
助真空維持手段１１、１２を備えている。補助真空維持
手段１１、１２は直列に接続された複数の小真空室１１
１、１１２、１１３及び１２１、１２２、１２３からな
り、該各小室は図示しない排気装置により排気され、所
定の補助真空度とされる。このとき、通常少なくとも真
空処理室１０に最も近い小室１１１、１２１の真空度が
真空処理室１０内の所定処理真空度と同じか又はそれに
近い真空度とされる。真空処理室１０から最も離れた小
室１１３、１２３に設けられた外部と通じる被処理物Ｓ
２の通過口１３、１４、各隣り合う小室間の各被処理物
通路１５、１６、１７、１８、真空処理室１０とそれに
隣接する小室１１１、１２１との間の被処理物通路８、
９のそれぞれは、被処理物の断面積に近い開口寸法に形
成されるとともに適当な長さに形成されている。
処理するのに適するもので、長尺の被処理物Ｓ２の搬入
口８及び搬出口９を有し、図示しない排気装置が接続さ
れ、図示しない真空処理手段を備えた真空処理室１０
と、前記搬入口８及び搬出口９にそれぞれ接続された補
助真空維持手段１１、１２を備えている。補助真空維持
手段１１、１２は直列に接続された複数の小真空室１１
１、１１２、１１３及び１２１、１２２、１２３からな
り、該各小室は図示しない排気装置により排気され、所
定の補助真空度とされる。このとき、通常少なくとも真
空処理室１０に最も近い小室１１１、１２１の真空度が
真空処理室１０内の所定処理真空度と同じか又はそれに
近い真空度とされる。真空処理室１０から最も離れた小
室１１３、１２３に設けられた外部と通じる被処理物Ｓ
２の通過口１３、１４、各隣り合う小室間の各被処理物
通路１５、１６、１７、１８、真空処理室１０とそれに
隣接する小室１１１、１２１との間の被処理物通路８、
９のそれぞれは、被処理物の断面積に近い開口寸法に形
成されるとともに適当な長さに形成されている。
【０００５】この装置によると、真空処理室１０内が所
定処理真空度に維持された状態で、被処理物Ｓ２が補助
真空維持手段１１の各小室１１３、１１２、１１１に順
次通され、真空処理室１０内に搬入され、引き続き補助
真空維持手段１２の各小室１２１、１２２、１２３を通
って搬出される。この間、被処理物Ｓ２の真空処理室１
０に配置された部分に順次目的とする処理が施される。
定処理真空度に維持された状態で、被処理物Ｓ２が補助
真空維持手段１１の各小室１１３、１１２、１１１に順
次通され、真空処理室１０内に搬入され、引き続き補助
真空維持手段１２の各小室１２１、１２２、１２３を通
って搬出される。この間、被処理物Ｓ２の真空処理室１
０に配置された部分に順次目的とする処理が施される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】以上説明した従来装置
のうち図３の装置は、被処理物の生産性良好な連続処理
に適するが、次のような問題がある。即ち、各小室壁に
おける被処理物の通路により真空処理室内が外気と連通
しており、外気侵入があるため、真空処理室を所定処理
真空度に維持するには大きな排気能力が必要である。従
って排気手段が大型化し、それだけコスト高となる。ま
た前記通路を介して外部からダストが侵入し、不純物と
して被処理物に付着する等して目的とする処理の妨げと
なる。
のうち図３の装置は、被処理物の生産性良好な連続処理
に適するが、次のような問題がある。即ち、各小室壁に
おける被処理物の通路により真空処理室内が外気と連通
しており、外気侵入があるため、真空処理室を所定処理
真空度に維持するには大きな排気能力が必要である。従
って排気手段が大型化し、それだけコスト高となる。ま
た前記通路を介して外部からダストが侵入し、不純物と
して被処理物に付着する等して目的とする処理の妨げと
なる。
【０００７】そこで本発明は、真空処理室内を所定の処
理真空度に維持して、この真空処理室に被処理物を連続
的に通過させ、該被処理物に生産性良く目的とする真空
処理を実施でき、しかも安価に、不純物の混入が少ない
状態でその処理を実施できる真空処理装置を提供するこ
とを課題とする。
理真空度に維持して、この真空処理室に被処理物を連続
的に通過させ、該被処理物に生産性良く目的とする真空
処理を実施でき、しかも安価に、不純物の混入が少ない
状態でその処理を実施できる真空処理装置を提供するこ
とを課題とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決する本発
明の装置は、被処理物の入口及び出口を有する真空処理
室と、前記真空処理室内を所定真空度に排気するための
排気手段と、前記真空処理室の入口及び出口間に通され
る被処理物の部分に所定真空下で目的とする処理を施す
処理手段と、前記被処理物の部分に対する目的とする処
理中、前記真空処理室を所定真空度に維持するために前
記真空処理室の入口及び出口にそれぞれ連通接続された
補助真空維持手段とを備え、前記補助真空維持手段のう
ち前記真空処理室入口に連通接続された補助真空維持手
段又は該入口側の補助真空維持手段と真空処理室出口に
連通接続された補助真空維持手段のいずれもが、外部と
通じる被処理物の通過口を有する補助真空室と、該補助
真空室内を所定補助真空度に排気するための排気手段
と、前記補助真空室の外部と通じる前記通過口及び該補
助真空室と前記真空処理室とを連通させる被処理物の通
路のそれぞれに設けられたシール部材とを含んでおり、
前記各シール部材は、被処理物の実質上全周に該被処理
物の通過を許しつつ密接するシール部材であることを特
徴とする。
明の装置は、被処理物の入口及び出口を有する真空処理
室と、前記真空処理室内を所定真空度に排気するための
排気手段と、前記真空処理室の入口及び出口間に通され
る被処理物の部分に所定真空下で目的とする処理を施す
処理手段と、前記被処理物の部分に対する目的とする処
理中、前記真空処理室を所定真空度に維持するために前
記真空処理室の入口及び出口にそれぞれ連通接続された
補助真空維持手段とを備え、前記補助真空維持手段のう
ち前記真空処理室入口に連通接続された補助真空維持手
段又は該入口側の補助真空維持手段と真空処理室出口に
連通接続された補助真空維持手段のいずれもが、外部と
通じる被処理物の通過口を有する補助真空室と、該補助
真空室内を所定補助真空度に排気するための排気手段
と、前記補助真空室の外部と通じる前記通過口及び該補
助真空室と前記真空処理室とを連通させる被処理物の通
路のそれぞれに設けられたシール部材とを含んでおり、
前記各シール部材は、被処理物の実質上全周に該被処理
物の通過を許しつつ密接するシール部材であることを特
徴とする。
【０００９】また、前記補助真空維持手段の少なくとも
一つにおける補助真空室は、直列につながる複数の小室
に分割され、各隣り合う小室間には被処理物の通路が形
成されているとともに該通路に被処理物の実質上全周に
該被処理物の通過を許しつつ密接するシール部材を設け
てあってもよい。また、内部が複数の小室に分割された
前記補助真空室に接続された前記排気手段が、前記真空
処理室に近い小室から遠い小室へ順次真空度を低くする
ように排気するものであってもよい。
一つにおける補助真空室は、直列につながる複数の小室
に分割され、各隣り合う小室間には被処理物の通路が形
成されているとともに該通路に被処理物の実質上全周に
該被処理物の通過を許しつつ密接するシール部材を設け
てあってもよい。また、内部が複数の小室に分割された
前記補助真空室に接続された前記排気手段が、前記真空
処理室に近い小室から遠い小室へ順次真空度を低くする
ように排気するものであってもよい。
【００１０】被処理物に所定真空下で目的とする処理を
施す前記処理手段としては、プラズマＣＶＤ、プラズマ
エッチング、プラズマによる表面改質等のプラズマ処理
を施す手段、真空蒸着、スパッタリング等の各種蒸着膜
形成手段、イオン注入を行う手段等を挙げることができ
る。前記真空処理装置において前記シール部材の材質
は、可撓性及び弾性のある各種のゴム、樹脂、それらの
組み合わせ等が考えられる。
施す前記処理手段としては、プラズマＣＶＤ、プラズマ
エッチング、プラズマによる表面改質等のプラズマ処理
を施す手段、真空蒸着、スパッタリング等の各種蒸着膜
形成手段、イオン注入を行う手段等を挙げることができ
る。前記真空処理装置において前記シール部材の材質
は、可撓性及び弾性のある各種のゴム、樹脂、それらの
組み合わせ等が考えられる。
【００１１】また被処理物の実質上全周に密接するシー
ル部材としては、例えば被処理物の断面が円形、略円
形、四角形、三角形等の場合においてその外周全面に密
接する無端又は分割リング状の部材等が考えられ、被処
理物がシート状の場合は、該被処理物の両面に密接する
ことで該被処理物の実質上全周に密接する部材等が考え
られる。
ル部材としては、例えば被処理物の断面が円形、略円
形、四角形、三角形等の場合においてその外周全面に密
接する無端又は分割リング状の部材等が考えられ、被処
理物がシート状の場合は、該被処理物の両面に密接する
ことで該被処理物の実質上全周に密接する部材等が考え
られる。
【００１２】前記真空処理室入口側に接続された補助真
空維持手段のみが、前記被処理物の入口及び出口を有す
る補助真空室、その排気手段及びシール部材を含むもの
であるときには、前記真空処理室出口側に接続された補
助真空維持手段は例えば図３に示すようなシール部材を
備えない従来の補助真空維持手段であることが考えられ
る。
空維持手段のみが、前記被処理物の入口及び出口を有す
る補助真空室、その排気手段及びシール部材を含むもの
であるときには、前記真空処理室出口側に接続された補
助真空維持手段は例えば図３に示すようなシール部材を
備えない従来の補助真空維持手段であることが考えられ
る。
【００１３】ここで、前記真空処理室の少なくとも入口
側に接続された補助真空維持手段が被処理物の入口及び
出口を有する補助真空室、その排気手段及びシール部材
を含んでいるのは、被処理物が進入してくる側から侵入
し易い外気や不純物をそれによって阻止できるからであ
る。前記真空処理装置において、排気手段は真空処理室
及び補助真空室のそれぞれに、或いは補助真空室の小室
のそれぞれに設けられてもよいが、これら排気手段はそ
の一部をそれらの室の全部又は一部について互いに共通
使用できるように構成されてもよい。
側に接続された補助真空維持手段が被処理物の入口及び
出口を有する補助真空室、その排気手段及びシール部材
を含んでいるのは、被処理物が進入してくる側から侵入
し易い外気や不純物をそれによって阻止できるからであ
る。前記真空処理装置において、排気手段は真空処理室
及び補助真空室のそれぞれに、或いは補助真空室の小室
のそれぞれに設けられてもよいが、これら排気手段はそ
の一部をそれらの室の全部又は一部について互いに共通
使用できるように構成されてもよい。
【００１４】
【作用】本発明の真空処理装置によると、少なくとも前
記真空処理室入口に連通接続された補助真空維持手段
が、前記の被処理物の入口及び出口を有する補助真空
室、その排気手段及びシール部材を含んでおり、被処理
物の実質上全周が該シール部材に密接して前記真空処理
室内へ進入することで、該進入に伴う外気の侵入が低減
し該真空処理室の真空度低下が抑えられる。また被処理
物の進入に伴う外部ダストの侵入が低減し、被処理物へ
の不純物混入が低減する。
記真空処理室入口に連通接続された補助真空維持手段
が、前記の被処理物の入口及び出口を有する補助真空
室、その排気手段及びシール部材を含んでおり、被処理
物の実質上全周が該シール部材に密接して前記真空処理
室内へ進入することで、該進入に伴う外気の侵入が低減
し該真空処理室の真空度低下が抑えられる。また被処理
物の進入に伴う外部ダストの侵入が低減し、被処理物へ
の不純物混入が低減する。
【００１５】また、前記補助真空維持手段の少なくとも
一つにおける補助真空室が、直列につながる複数の小室
に分割され、各隣り合う小室間には被処理物の通路が形
成されているとともに該通路に被処理物の実質上全周に
該被処理物の通過を許しつつ密接するシール部材を設け
てあるときには、被処理物の通過に伴う外気及びダスト
の侵入が一層低減し、該真空処理室の真空度低下及び被
処理物への不純物混入が一層低減する。
一つにおける補助真空室が、直列につながる複数の小室
に分割され、各隣り合う小室間には被処理物の通路が形
成されているとともに該通路に被処理物の実質上全周に
該被処理物の通過を許しつつ密接するシール部材を設け
てあるときには、被処理物の通過に伴う外気及びダスト
の侵入が一層低減し、該真空処理室の真空度低下及び被
処理物への不純物混入が一層低減する。
【００１６】また、内部が複数の小室に分割された前記
補助真空室に接続された前記排気手段が、前記真空処理
室に近い小室から遠い小室へ順次真空度を低くするよう
に排気するものであるときには、前記真空処理室の真空
度が一層効率よく維持され、小さい排気能力で該処理室
内が所望の真空度に維持される。すなわち、全ての小室
を真空処理室内と同程度の真空度で排気する場合に比
べ、該排気手段の排気能力は低く済み、それだけ排気手
段を安価とし、ひいては装置全体を安価に抑制できる。
補助真空室に接続された前記排気手段が、前記真空処理
室に近い小室から遠い小室へ順次真空度を低くするよう
に排気するものであるときには、前記真空処理室の真空
度が一層効率よく維持され、小さい排気能力で該処理室
内が所望の真空度に維持される。すなわち、全ての小室
を真空処理室内と同程度の真空度で排気する場合に比
べ、該排気手段の排気能力は低く済み、それだけ排気手
段を安価とし、ひいては装置全体を安価に抑制できる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１は本発明の１実施例であるプラズマ処理装置
の概略構成を示したものである。図１の図（Ａ）のプラ
ズマ処理装置は、図３に示す従来の長尺の被処理物の真
空処理装置において、真空処理室１０に代えてプラズマ
処理室１９を備え、被処理物Ｓ３の通過口１３、１５、
１７、８、９、１６、１８及び１４の代わりにシール部
材２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ、２０ｅ、２０ｆ、
２０ｇ及び２０ｈを備えた被処理物Ｓ３の通過口２０
Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄ、２０Ｅ、２０Ｆ、２０Ｇ
及び２０Ｈを備えたものである。この実施例において、
直列の小真空室１１３、１１２及び１１１は処理室１９
の入口側に連通接続された補助真空室１１０を形成して
おり、直列の小真空室１２１、１２２及び１２３は処理
室１９の出口側に連通接続された補助真空室１２０を形
成している。プラズマ処理室１９及び小真空室１１３、
１１２、１１１、１２１、１２２、１２３には排気装置
２１が接続され、プラズマ処理室１９には高周波電力印
加手段２２及びプラズマ原料ガスの供給部２３が設けら
れている。ここで排気装置２１は１つの排気ポンプ２１
０及び流量制御弁２１１、２１２、２１３、２１４、２
１５、２１６、２１７からなり、該流量制御弁による排
気量制御のもとにプラズマ処理室１９及び補助真空室１
１３、１１２、１１１、１２１、１２２、１２３をそれ
ぞれ排気できるようにしたものである。また、高周波電
力印加手段２２はプラズマ処理室１９外周にコイル状に
巻きつけた高周波電極２２１がマッチングボックス２２
２を介して高周波電源２２３に接続されたものである。
ガス供給部２３には１又は２以上のマスフローコントロ
ーラ２３１ａ、２３１ｂ・・・及び開閉弁２３２ａ、２
３２ｂ・・・を介してプラズマ処理室１９に必要量のプ
ラズマ原料ガスを供給するガス源２３３ａ、２３３ｂ・
・・が含まれている。またプラズマ処理室１９は接地さ
れている。
する。図１は本発明の１実施例であるプラズマ処理装置
の概略構成を示したものである。図１の図（Ａ）のプラ
ズマ処理装置は、図３に示す従来の長尺の被処理物の真
空処理装置において、真空処理室１０に代えてプラズマ
処理室１９を備え、被処理物Ｓ３の通過口１３、１５、
１７、８、９、１６、１８及び１４の代わりにシール部
材２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ、２０ｅ、２０ｆ、
２０ｇ及び２０ｈを備えた被処理物Ｓ３の通過口２０
Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄ、２０Ｅ、２０Ｆ、２０Ｇ
及び２０Ｈを備えたものである。この実施例において、
直列の小真空室１１３、１１２及び１１１は処理室１９
の入口側に連通接続された補助真空室１１０を形成して
おり、直列の小真空室１２１、１２２及び１２３は処理
室１９の出口側に連通接続された補助真空室１２０を形
成している。プラズマ処理室１９及び小真空室１１３、
１１２、１１１、１２１、１２２、１２３には排気装置
２１が接続され、プラズマ処理室１９には高周波電力印
加手段２２及びプラズマ原料ガスの供給部２３が設けら
れている。ここで排気装置２１は１つの排気ポンプ２１
０及び流量制御弁２１１、２１２、２１３、２１４、２
１５、２１６、２１７からなり、該流量制御弁による排
気量制御のもとにプラズマ処理室１９及び補助真空室１
１３、１１２、１１１、１２１、１２２、１２３をそれ
ぞれ排気できるようにしたものである。また、高周波電
力印加手段２２はプラズマ処理室１９外周にコイル状に
巻きつけた高周波電極２２１がマッチングボックス２２
２を介して高周波電源２２３に接続されたものである。
ガス供給部２３には１又は２以上のマスフローコントロ
ーラ２３１ａ、２３１ｂ・・・及び開閉弁２３２ａ、２
３２ｂ・・・を介してプラズマ処理室１９に必要量のプ
ラズマ原料ガスを供給するガス源２３３ａ、２３３ｂ・
・・が含まれている。またプラズマ処理室１９は接地さ
れている。
【００１８】以上説明したプラズマ処理装置によると、
プラズマ処理室１９及び各小真空室１１１、１１２、１
１３、１２１、１２２及び１２３が排気ポンプ２１０の
運転にて所定の真空度とされ、次いでガス供給部２３か
らプラズマ原料ガスがプラズマ処理室１９に供給され
る。それと同時に高周波電極２２１に対しマッチングボ
ックス２２２を介して高周波電源２２３より高周波電力
が印加され、それによって導入されたガスがプラズマ化
される。
プラズマ処理室１９及び各小真空室１１１、１１２、１
１３、１２１、１２２及び１２３が排気ポンプ２１０の
運転にて所定の真空度とされ、次いでガス供給部２３か
らプラズマ原料ガスがプラズマ処理室１９に供給され
る。それと同時に高周波電極２２１に対しマッチングボ
ックス２２２を介して高周波電源２２３より高周波電力
が印加され、それによって導入されたガスがプラズマ化
される。
【００１９】各小真空室内の真空度は、プラズマ処理室
１９に近い小真空室から遠い小真空室へ向かい順次低く
するように、即ち、プラズマ処理室１９の入口側におい
ては補助真空室１１１、１１２、１１３の順に低く、プ
ラズマ処理室１９の出口側においては補助真空室１２
１、１２２、１２３の順に低くなるように、流量制御弁
２１２、２１３、２１４、２１５、２１６、２１７にて
調節される。なお、プラズマ処理室１９に近い小真空室
１１１、１２１については処理室１９内の真空度と同じ
又はそれに近い真空度とされる。
１９に近い小真空室から遠い小真空室へ向かい順次低く
するように、即ち、プラズマ処理室１９の入口側におい
ては補助真空室１１１、１１２、１１３の順に低く、プ
ラズマ処理室１９の出口側においては補助真空室１２
１、１２２、１２３の順に低くなるように、流量制御弁
２１２、２１３、２１４、２１５、２１６、２１７にて
調節される。なお、プラズマ処理室１９に近い小真空室
１１１、１２１については処理室１９内の真空度と同じ
又はそれに近い真空度とされる。
【００２０】一方、被処理物Ｓ３が補助真空室１１０の
各小真空室１１３、１１２、１１１に順次通され、プラ
ズマ処理室１９内に搬入され、引き続き補助真空室１２
０の各小真空室１２１、１２２、１２３を通って搬出さ
れる。ここで被処理物Ｓ３は、実質上その全周を通過口
２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄ、２０Ｅ、２０Ｆ、２
０Ｇ及び２０Ｈに設けられたシール部材２０ａ、２０
ｂ、２０ｃ、２０ｄ、２０ｅ、２０ｆ、２０ｇ及び２０
ｈに密接した状態で外部から搬入され搬出される。この
間、被処理物Ｓ３のプラズマ処理室１９に配置された部
分の表面に、前記プラズマの下に順次所定のプラズマ処
理が施される。
各小真空室１１３、１１２、１１１に順次通され、プラ
ズマ処理室１９内に搬入され、引き続き補助真空室１２
０の各小真空室１２１、１２２、１２３を通って搬出さ
れる。ここで被処理物Ｓ３は、実質上その全周を通過口
２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄ、２０Ｅ、２０Ｆ、２
０Ｇ及び２０Ｈに設けられたシール部材２０ａ、２０
ｂ、２０ｃ、２０ｄ、２０ｅ、２０ｆ、２０ｇ及び２０
ｈに密接した状態で外部から搬入され搬出される。この
間、被処理物Ｓ３のプラズマ処理室１９に配置された部
分の表面に、前記プラズマの下に順次所定のプラズマ処
理が施される。
【００２１】この処理中、被処理物Ｓ３は実質上その全
周をシール部材２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ、２０
ｅ、２０ｆ、２０ｇ及び２０ｈに密接した状態で搬入さ
れ搬出されるため、被処理物Ｓ３のプラズマ処理室１９
への進入に伴う外気の侵入が少なく、プラズマ処理室１
９を所定の処理真空度に維持するための排気装置２１の
能力が小さくて済み、その分コストを低減することがで
きる。また外部からのダスト侵入も少なく、被処理物Ｓ
３への不純物の混入を少なくすることができる。
周をシール部材２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ、２０
ｅ、２０ｆ、２０ｇ及び２０ｈに密接した状態で搬入さ
れ搬出されるため、被処理物Ｓ３のプラズマ処理室１９
への進入に伴う外気の侵入が少なく、プラズマ処理室１
９を所定の処理真空度に維持するための排気装置２１の
能力が小さくて済み、その分コストを低減することがで
きる。また外部からのダスト侵入も少なく、被処理物Ｓ
３への不純物の混入を少なくすることができる。
【００２２】また、補助真空室１１０及び１２０がそれ
ぞれ複数の小真空室に分割されていることにより、プラ
ズマ処理室１９への外気の侵入及びダストの侵入が一層
少なくなり、排気装置２１に要するコストは一層低減さ
れ、また、被処理物Ｓ３への不純物の混入を一層少なく
することができる。また、各補助真空における小室内の
真空度がプラズマ処理室１９に近い小真空室から遠い小
真空室へ向かい順次低く維持されていることにより、プ
ラズマ処理室１９内の真空度を一層効率よく維持するこ
とができ、小さい排気装置能力でプラズマ処理室１９内
を例えば１×１０-3Ｔｏｒｒ以下の高い真空度にするこ
とができる。
ぞれ複数の小真空室に分割されていることにより、プラ
ズマ処理室１９への外気の侵入及びダストの侵入が一層
少なくなり、排気装置２１に要するコストは一層低減さ
れ、また、被処理物Ｓ３への不純物の混入を一層少なく
することができる。また、各補助真空における小室内の
真空度がプラズマ処理室１９に近い小真空室から遠い小
真空室へ向かい順次低く維持されていることにより、プ
ラズマ処理室１９内の真空度を一層効率よく維持するこ
とができ、小さい排気装置能力でプラズマ処理室１９内
を例えば１×１０-3Ｔｏｒｒ以下の高い真空度にするこ
とができる。
【００２３】以上説明した図１の図（Ａ）の装置によ
り、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂から
なる中空チューブ状の被処理物Ｓ３に酸素（Ｏ2 ）プラ
ズマ処理を施した具体例について説明する。この線状の
被処理物Ｓ３は、表面強化の目的でその表面をビニル樹
脂で被覆するに当たり、該両者の密着性を向上させるた
めに、ビニル樹脂被覆に先立ってＯ2 プラズマ処理によ
り該被処理物Ｓ３表面を酸化しようとするものである。
り、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂から
なる中空チューブ状の被処理物Ｓ３に酸素（Ｏ2 ）プラ
ズマ処理を施した具体例について説明する。この線状の
被処理物Ｓ３は、表面強化の目的でその表面をビニル樹
脂で被覆するに当たり、該両者の密着性を向上させるた
めに、ビニル樹脂被覆に先立ってＯ2 プラズマ処理によ
り該被処理物Ｓ３表面を酸化しようとするものである。
【００２４】シール部材２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０
ｄ、２０ｅ、２０ｆ、２０ｇ、２０ｈはチューブＳ３表
面の全周に密接する無端リング状のもので、そのうち２
０ａ及び２０ｈには図１の図（Ｂ）に示すポリウレタン
からなるシール部材（商品名ダストシール、ＤＫＩ社
製、ＦＤ００６４Ａ０）を採用し、２０ｂ、２０ｃ、２
０ｄ、２０ｅ、２０ｆ及び２０ｇには図１の図（Ｃ）に
示すポリウレタンからなるシール部材を採用した。
ｄ、２０ｅ、２０ｆ、２０ｇ、２０ｈはチューブＳ３表
面の全周に密接する無端リング状のもので、そのうち２
０ａ及び２０ｈには図１の図（Ｂ）に示すポリウレタン
からなるシール部材（商品名ダストシール、ＤＫＩ社
製、ＦＤ００６４Ａ０）を採用し、２０ｂ、２０ｃ、２
０ｄ、２０ｅ、２０ｆ及び２０ｇには図１の図（Ｃ）に
示すポリウレタンからなるシール部材を採用した。
【００２５】まず、プラズマ処理室１９内を１×１０-3
Ｔｏｒｒの真空度、補助真空室１１１、１１２、１１
３、１２１、１２２、１２３内を各１×１０-1Ｔｏｒ
ｒ、１Ｔｏｒｒ、１×１０Ｔｏｒｒ、１×１０-1Ｔｏｒ
ｒ、１Ｔｏｒｒ、１×１０Ｔｏｒｒの真空度とした。次
いでガス供給部２３からＯ2 ガスをプラズマ処理室１９
内が５×１０-2Ｔｏｒｒの真空度になるまで導入し、そ
れと同時に電極２２１に周波数１３．５６ＭＨｚ、電力
３０Ｗの高周波電力を印加した。それにより前記Ｏ 2 ガ
スをプラズマ化し、直径２０ｍｍの中空の、ＰＴＦＥ樹
脂からなるチューブＳ３のプラズマ処理室１９に配置さ
れた部分の表面をＯ2 プラズマ処理した。
Ｔｏｒｒの真空度、補助真空室１１１、１１２、１１
３、１２１、１２２、１２３内を各１×１０-1Ｔｏｒ
ｒ、１Ｔｏｒｒ、１×１０Ｔｏｒｒ、１×１０-1Ｔｏｒ
ｒ、１Ｔｏｒｒ、１×１０Ｔｏｒｒの真空度とした。次
いでガス供給部２３からＯ2 ガスをプラズマ処理室１９
内が５×１０-2Ｔｏｒｒの真空度になるまで導入し、そ
れと同時に電極２２１に周波数１３．５６ＭＨｚ、電力
３０Ｗの高周波電力を印加した。それにより前記Ｏ 2 ガ
スをプラズマ化し、直径２０ｍｍの中空の、ＰＴＦＥ樹
脂からなるチューブＳ３のプラズマ処理室１９に配置さ
れた部分の表面をＯ2 プラズマ処理した。
【００２６】また比較例１として、図３に示す従来の真
空処理装置を用いて前記の例と同様のＰＴＦＥ樹脂から
なるチューブＳ２にＯ2 プラズマ処理を施した。その他
の条件は前記の例と同様であった。また、参考までに比
較例２として、図２に示す従来の他の真空処理装置を用
いて前記の例と同様のＰＴＦ樹脂からなるチューブＳ１
にＯ2 プラズマ処理を施した。この比較例２では真空処
理室３内を１×１０-3Ｔｏｒｒの真空度とし、真空処理
室３及びロードロック室４、５内に設置することのでき
る長さに切断された被処理物Ｓ１を、ロードロック室４
内へ搬入した。次いでロードロック室４内を１×１０-3
Ｔｏｒｒの真空度になるまで排気した後、真空処理室３
内に搬入し前記の例と同様の条件でＯ2 処理を施した。
さらにロードロック室５内を１×１０ -3Ｔｏｒｒの真空
度になるまで排気した後、被処理物Ｓ１を該室５内へ搬
出し、さらに該室５内を大気圧に戻した後、被処理物Ｓ
１を装置外へ搬出した。以上の操作を繰り返すことで、
前記の例と同じ長さの被処理物Ｓ１にＯ2 プラズマ処理
を施した。
空処理装置を用いて前記の例と同様のＰＴＦＥ樹脂から
なるチューブＳ２にＯ2 プラズマ処理を施した。その他
の条件は前記の例と同様であった。また、参考までに比
較例２として、図２に示す従来の他の真空処理装置を用
いて前記の例と同様のＰＴＦ樹脂からなるチューブＳ１
にＯ2 プラズマ処理を施した。この比較例２では真空処
理室３内を１×１０-3Ｔｏｒｒの真空度とし、真空処理
室３及びロードロック室４、５内に設置することのでき
る長さに切断された被処理物Ｓ１を、ロードロック室４
内へ搬入した。次いでロードロック室４内を１×１０-3
Ｔｏｒｒの真空度になるまで排気した後、真空処理室３
内に搬入し前記の例と同様の条件でＯ2 処理を施した。
さらにロードロック室５内を１×１０ -3Ｔｏｒｒの真空
度になるまで排気した後、被処理物Ｓ１を該室５内へ搬
出し、さらに該室５内を大気圧に戻した後、被処理物Ｓ
１を装置外へ搬出した。以上の操作を繰り返すことで、
前記の例と同じ長さの被処理物Ｓ１にＯ2 プラズマ処理
を施した。
【００２７】本発明、比較例１及び比較例２につき、不
純物の付着個数を測定し比較した。また、Ｏ2 プラズマ
処理後の各被処理物に厚さ０．５ｍｍの塩化ビニル樹脂
からなる膜を被覆したときの該膜との密着力を引き剥が
し試験により測定し比較した。その他、所定の真空度を
維持するのに要した排気装置能力、処理速度及び装置価
格についても比較した。結果を次表に示す。
純物の付着個数を測定し比較した。また、Ｏ2 プラズマ
処理後の各被処理物に厚さ０．５ｍｍの塩化ビニル樹脂
からなる膜を被覆したときの該膜との密着力を引き剥が
し試験により測定し比較した。その他、所定の真空度を
維持するのに要した排気装置能力、処理速度及び装置価
格についても比較した。結果を次表に示す。
【００２８】 本発明の例 比較例１ 比較例２ 排気装置能力（リットル／min) 1500（0.75）* 2000（１） 装置価格 （0.75） （１） 処理速度（ｍ／ｈ） 4.5（1.5 ） ３（１） 被処理物表面への 付着不純物個数（個／ｃｍ2 ） 15（0.75） 20（１） ビニル樹脂膜との密着力 （５） （１） * （ ）内は比較例の値を１とした場合の相対値を示している。 本発明の例によるプラズマ処理では比較例１によるプラ
ズマ処理に比べ、プラズマ処理室１９及び各小真空室１
１１、１１２、１１３、１２１、１２２、１２３を同じ
真空度に維持するのに要する排気装置能力が３／４に低
減し、それに伴い装置価格も３／４に低減した。また、
被処理物表面への付着不純物個数も比較例に比べ減少
し、それに伴い塩化ビニル樹脂膜との密着性も向上し
た。また、比較例２によるプラズマ処理に比べ処理速度
が１．５倍に増加した。
ズマ処理に比べ、プラズマ処理室１９及び各小真空室１
１１、１１２、１１３、１２１、１２２、１２３を同じ
真空度に維持するのに要する排気装置能力が３／４に低
減し、それに伴い装置価格も３／４に低減した。また、
被処理物表面への付着不純物個数も比較例に比べ減少
し、それに伴い塩化ビニル樹脂膜との密着性も向上し
た。また、比較例２によるプラズマ処理に比べ処理速度
が１．５倍に増加した。
【００２９】以上、本実施例では、Ｏ2 プラズマによる
表面改質について説明したが、本発明装置はこれに限定
されず、真空処理室１９に例えばプラズマＣＶＤ装置、
プラズマエッチング装置、真空蒸着装置、スパッタリン
グ装置、イオン注入装置等を備え、これらによる真空処
理を行ってもよい。また、本実施例ではチューブ状の長
尺の被処理物Ｓ３に対して真空処理を行ったが、本発明
の真空処理装置は、これに限らず、各通過口を通過させ
ることができる被処理物に対して真空処理を行うことが
できる。
表面改質について説明したが、本発明装置はこれに限定
されず、真空処理室１９に例えばプラズマＣＶＤ装置、
プラズマエッチング装置、真空蒸着装置、スパッタリン
グ装置、イオン注入装置等を備え、これらによる真空処
理を行ってもよい。また、本実施例ではチューブ状の長
尺の被処理物Ｓ３に対して真空処理を行ったが、本発明
の真空処理装置は、これに限らず、各通過口を通過させ
ることができる被処理物に対して真空処理を行うことが
できる。
【００３０】
【発明の効果】本発明によると、真空処理室内を所定の
処理真空度に維持して、この真空処理室に被処理物を連
続的に通過させ、該被処理物に生産性良く目的とする真
空処理を実施でき、しかも安価に、不純物の混入が少な
い状態でその処理を実施できる真空処理装置を提供する
ことができる。
処理真空度に維持して、この真空処理室に被処理物を連
続的に通過させ、該被処理物に生産性良く目的とする真
空処理を実施でき、しかも安価に、不純物の混入が少な
い状態でその処理を実施できる真空処理装置を提供する
ことができる。
【図１】図（Ａ）は本発明の１実施例であるプラズマＣ
ＶＤ装置の概略構成を示す図であり、図（Ｂ）は通過口
２０Ａ付近の拡大図であり、図（Ｃ）は通過口２０Ｂ付
近の拡大図である。
ＶＤ装置の概略構成を示す図であり、図（Ｂ）は通過口
２０Ａ付近の拡大図であり、図（Ｃ）は通過口２０Ｂ付
近の拡大図である。
【図２】従来の真空処理装置の１例の概略構成を示す図
である。
である。
【図３】従来の真空処理装置の他の例の概略構成を示す
図である。
図である。
１、２、６、７ ゲート弁 ３、１０ 真空処理室 ４、５ ロードロック室 ８、２０Ｄ 搬入口 ９、２０Ｅ 搬出口 １１、１２ 真空維持手段 １１０、１２０ 補助真空室 １１１、１１２、１１３、１２１、１２２、１２３ 小
真空室 １３、１４、２０Ａ、２０Ｈ 通過口 １５、１６、１７、１８、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｅ、２
０Ｆ 通路 １９ プラズマ処理室 20ａ、20ｂ、20ｃ、20ｄ、20ｅ、20ｆ、20ｇ、20ｈ シ
ール部材 ２１ 排気装置 ２１０ 排気ポンプ ２１１、２１２、２１３、２１４、２１５、２１６、２
１７ 流量制御弁 ２２ 高周波電力印加手段 ２２１ 高周波電極 ２２２ マッチングボックス ２２３ 高周波電源 ２３ ガス供給部 ２３１ａ、２３１ｂ マスフローコントローラ ２３２ａ、２３２ｂ 開閉弁 ２３３ａ、２３３ｂ ガス源 Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３ 被処理物
真空室 １３、１４、２０Ａ、２０Ｈ 通過口 １５、１６、１７、１８、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｅ、２
０Ｆ 通路 １９ プラズマ処理室 20ａ、20ｂ、20ｃ、20ｄ、20ｅ、20ｆ、20ｇ、20ｈ シ
ール部材 ２１ 排気装置 ２１０ 排気ポンプ ２１１、２１２、２１３、２１４、２１５、２１６、２
１７ 流量制御弁 ２２ 高周波電力印加手段 ２２１ 高周波電極 ２２２ マッチングボックス ２２３ 高周波電源 ２３ ガス供給部 ２３１ａ、２３１ｂ マスフローコントローラ ２３２ａ、２３２ｂ 開閉弁 ２３３ａ、２３３ｂ ガス源 Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３ 被処理物
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｆ２６Ｂ 5/04
Claims (3)
- 【請求項１】 被処理物の入口及び出口を有する真空処
理室と、前記真空処理室内を所定真空度に排気するため
の排気手段と、前記真空処理室の入口及び出口間に通さ
れる被処理物の部分に所定真空下で目的とする処理を施
す処理手段と、前記被処理物の部分に対する目的とする
処理中、前記真空処理室を所定真空度に維持するために
前記真空処理室の入口及び出口にそれぞれ連通接続され
た補助真空維持手段とを備え、前記補助真空維持手段の
うち少なくとも前記真空処理室入口に連通接続された補
助真空維持手段が、外部と通じる被処理物の通過口を有
する補助真空室と、該補助真空室内を所定補助真空度に
排気するための排気手段と、前記補助真空室の外部と通
じる前記通過口及び該補助真空室と前記真空処理室とを
連通させる被処理物の通路のそれぞれに設けられたシー
ル部材とを含んでおり、前記各シール部材は、被処理物
の実質上全周に該被処理物の通過を許しつつ密接するシ
ール部材であることを特徴とする被処理物の真空処理装
置。 - 【請求項２】 前記補助真空維持手段の少なくとも一つ
における補助真空室は、直列につながる複数の小室に分
割され、各隣り合う小室間には被処理物の通路が形成さ
れているとともに該通路に被処理物の実質上全周に該被
処理物の通過を許しつつ密接するシール部材を設けてあ
る請求項１記載の真空処理装置。 - 【請求項３】 内部が複数の小室に分割された前記補助
真空室に接続された前記排気手段が、前記真空処理室に
近い小室から遠い小室へ順次真空度を低くするように排
気するものである請求項２記載の真空処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28829693A JPH07138759A (ja) | 1993-11-17 | 1993-11-17 | 真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28829693A JPH07138759A (ja) | 1993-11-17 | 1993-11-17 | 真空処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07138759A true JPH07138759A (ja) | 1995-05-30 |
Family
ID=17728329
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28829693A Pending JPH07138759A (ja) | 1993-11-17 | 1993-11-17 | 真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07138759A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011066769A1 (zh) * | 2009-12-03 | 2011-06-09 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种pecvd系统 |
| JP2014227580A (ja) * | 2013-05-23 | 2014-12-08 | 株式会社アルバック | 成膜装置 |
| JP2016519272A (ja) * | 2013-03-15 | 2016-06-30 | サステイナブル オルターネイティヴ フィード エンタープライズィズ | 一次食品廃棄物を二次食品に処理するシステム |
-
1993
- 1993-11-17 JP JP28829693A patent/JPH07138759A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011066769A1 (zh) * | 2009-12-03 | 2011-06-09 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种pecvd系统 |
| JP2016519272A (ja) * | 2013-03-15 | 2016-06-30 | サステイナブル オルターネイティヴ フィード エンタープライズィズ | 一次食品廃棄物を二次食品に処理するシステム |
| JP2014227580A (ja) * | 2013-05-23 | 2014-12-08 | 株式会社アルバック | 成膜装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990323 |