JPH0715122B2 - Ｃｏ―Ｗ被覆ＷＣ粉末およびその製造方法 - Google Patents
Ｃｏ―Ｗ被覆ＷＣ粉末およびその製造方法Info
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- JPH0715122B2 JPH0715122B2 JP61031875A JP3187586A JPH0715122B2 JP H0715122 B2 JPH0715122 B2 JP H0715122B2 JP 61031875 A JP61031875 A JP 61031875A JP 3187586 A JP3187586 A JP 3187586A JP H0715122 B2 JPH0715122 B2 JP H0715122B2
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- Japan
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- cobalt
- hydrazine
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Description
【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は粉末冶金に使用するに適するタングステンカー
バイド（WCと記す）粉末とその製法に関する。
バイド（WCと記す）粉末とその製法に関する。
〈従来技術とその問題点〉 超硬合金粉末、特にWCのそれは焼結合金用の材料として
広く使用されている。通常は、NiまたはCo粉末を結合剤
として混合して焼結を行なうが均一性に欠けるために、
WC粉末自身に無電解めっき法によってNiあるいはCoを被
覆することが試みられている。しかしこのような従来法
ではNiあるいはCoはWC粉末の表面にデンドライトとなっ
て析出し、薄層状（以下「層状」という）の均一な被覆
を形成しない。
広く使用されている。通常は、NiまたはCo粉末を結合剤
として混合して焼結を行なうが均一性に欠けるために、
WC粉末自身に無電解めっき法によってNiあるいはCoを被
覆することが試みられている。しかしこのような従来法
ではNiあるいはCoはWC粉末の表面にデンドライトとなっ
て析出し、薄層状（以下「層状」という）の均一な被覆
を形成しない。
従来は、還元剤として、次亜リン酸塩あるいは水素化ホ
ウ素化合物を用いた無電解めっき浴が使用されていた
が、このような還元剤では、皮膜中にＰあるいはＢがそ
れぞれ３〜15％あるいは0.1〜５％合金されるため製品
に好ましくない結果を与える。またWCは焼結に際しＣを
遊離するため、これを捕捉するために少量のＷを加える
ことも行われている。本発明はこれらの欠点を克服した
新規なWC粉末を提供する。
ウ素化合物を用いた無電解めっき浴が使用されていた
が、このような還元剤では、皮膜中にＰあるいはＢがそ
れぞれ３〜15％あるいは0.1〜５％合金されるため製品
に好ましくない結果を与える。またWCは焼結に際しＣを
遊離するため、これを捕捉するために少量のＷを加える
ことも行われている。本発明はこれらの欠点を克服した
新規なWC粉末を提供する。
本発明者等は、コバルト無電解めっき液にタングステン
酸塩を加え、ヒドラジン化合物で還元することにより、
従来知られていない、優れた粉末冶金用WC粉末を得た。
酸塩を加え、ヒドラジン化合物で還元することにより、
従来知られていない、優れた粉末冶金用WC粉末を得た。
〈発明の構成〉 本発明によればCo-W合金で薄層状に（即ち、デンドライ
トではなく、ほぼ均一な厚みの緻密な薄膜の層で）被覆
されたWC粉末が提供される。
トではなく、ほぼ均一な厚みの緻密な薄膜の層で）被覆
されたWC粉末が提供される。
本発明によれば、またCo-W合金で層状に被覆されたWC粉
末の製法であって、WC粒子を活性化処理し、タングステ
ン酸塩とヒドラジン化合物を含む無電解コバルトめっき
浴に浸漬することからなる方法が提供される。
末の製法であって、WC粒子を活性化処理し、タングステ
ン酸塩とヒドラジン化合物を含む無電解コバルトめっき
浴に浸漬することからなる方法が提供される。
本発明の方法に使用されるWC粉末の平均粒径は特定に限
定されないが、通常0.1〜50μｍの範囲であり、好まし
くは0.5〜30μｍの範囲である。
定されないが、通常0.1〜50μｍの範囲であり、好まし
くは0.5〜30μｍの範囲である。
本発明によってWC粉末にCo-W被覆を施すには、WC粉末
に、まず、例えばSnCl2-PdCl2系の活性化溶液で処理さ
れて表面が活性化される。この活性化処理自身は既知で
あり残留するSn、Pd等の量はWCに対して0.1wt％以下で
あり、積極的意味を有しない。
に、まず、例えばSnCl2-PdCl2系の活性化溶液で処理さ
れて表面が活性化される。この活性化処理自身は既知で
あり残留するSn、Pd等の量はWCに対して0.1wt％以下で
あり、積極的意味を有しない。
次に、Co-W皮膜を無電解めっき法により被覆する。本発
明においては、無電解めっき浴の還元剤としてヒドラジ
ン及びその誘導体を用いる。ここで用いられるヒドラジ
ン化合物とは、ヒドラジン及び水加ヒドラジン、硝酸ヒ
ドラジン、硫酸ヒドラジン、塩酸ヒドラジン、マレイン
酸ヒドラジン、リン酸ヒドラジン、炭酸ヒドラジンの誘
導体等である。これらを還元剤として用いるため、Ｎが
約0.3wt％被覆合金中に入り込んで来るが積極的意味を
有しない。
明においては、無電解めっき浴の還元剤としてヒドラジ
ン及びその誘導体を用いる。ここで用いられるヒドラジ
ン化合物とは、ヒドラジン及び水加ヒドラジン、硝酸ヒ
ドラジン、硫酸ヒドラジン、塩酸ヒドラジン、マレイン
酸ヒドラジン、リン酸ヒドラジン、炭酸ヒドラジンの誘
導体等である。これらを還元剤として用いるため、Ｎが
約0.3wt％被覆合金中に入り込んで来るが積極的意味を
有しない。
また、本発明においてCoにＷを合金させるために、タン
グステン酸塩をコバルトの無電解液に加える。これによ
り、ＷがCoに誘導されてCo-W合金としてWC粒子表面に析
出する。また使用できるコバルト塩は塩化コバルト、硫
酸コバルト、炭酸コバルト、酢酸コバルト等である。タ
ングステン酸塩は、タングステン酸アンモニウム、タン
グステン酸カリウム、タングステン酸カルシウム、タン
グステン酸マグネシウム、タングステン酸ナトリウム等
である。めっき浴のコバルト濃度は0.02mol/l〜0.4mol/
l好ましくは0.04mol/l〜0.15mol/lである。タングステ
ン濃度は合金させたいＷの量によって決定されるが、通
常0.001mol/l〜0.6mol/l、好ましくは0.005mol/l〜0.2m
ol/lである。ただし実際にWC粉末上に析出するCo、Ｗの
量はめっき液中のCo、Ｗの濃度に比例するものではな
い。
グステン酸塩をコバルトの無電解液に加える。これによ
り、ＷがCoに誘導されてCo-W合金としてWC粒子表面に析
出する。また使用できるコバルト塩は塩化コバルト、硫
酸コバルト、炭酸コバルト、酢酸コバルト等である。タ
ングステン酸塩は、タングステン酸アンモニウム、タン
グステン酸カリウム、タングステン酸カルシウム、タン
グステン酸マグネシウム、タングステン酸ナトリウム等
である。めっき浴のコバルト濃度は0.02mol/l〜0.4mol/
l好ましくは0.04mol/l〜0.15mol/lである。タングステ
ン濃度は合金させたいＷの量によって決定されるが、通
常0.001mol/l〜0.6mol/l、好ましくは0.005mol/l〜0.2m
ol/lである。ただし実際にWC粉末上に析出するCo、Ｗの
量はめっき液中のCo、Ｗの濃度に比例するものではな
い。
本発明の方法によれば、Co-W合金が、WC粉末の表面に均
一に層状に析出し、デンドライトとなることなく、優れ
た被覆を形成する。
一に層状に析出し、デンドライトとなることなく、優れ
た被覆を形成する。
〈発明の具体的記載〉 本発明を実施例と比較例によって具体的に例示する。
実施例１ 平均粒径５μｍのWC 100gをSnCl2 10g/l、HCl 20ml/lを
含む液に２分間浸漬攪拌し、デカンテーションによって
分離し水洗した。次に、PdCl2 1g/l、HCl 2ml/lを含む
液に２分間浸漬攪拌し、デカンテーションを行い水洗し
た。
含む液に２分間浸漬攪拌し、デカンテーションによって
分離し水洗した。次に、PdCl2 1g/l、HCl 2ml/lを含む
液に２分間浸漬攪拌し、デカンテーションを行い水洗し
た。
別に 塩化コバルト 0.1 mol/l タングステン酸ナトリウム 0.05mol/l クエン酸ナトリウム 0.4 mol/l 塩酸ヒドラジン 0.5 mol/l を含む無電解コバルトめっき浴のpHを水酸化ナトリウム
でpH11.0に調整した。クエン酸ナトリウムは、コバルト
を錯化する目的で添加されるものである。この浴１を
80℃に加温して前記WC粉末を浸漬攪拌し、反応が完全に
終了して浴の色が無色透明になるのを確認してから、デ
カンテーションによって分離し、水洗乾燥した。第１図
は、この粒子の2000倍の電子顕微鏡写真である。そこに
見られるように、粒子はデンドライトではなく層状に被
覆されている。
でpH11.0に調整した。クエン酸ナトリウムは、コバルト
を錯化する目的で添加されるものである。この浴１を
80℃に加温して前記WC粉末を浸漬攪拌し、反応が完全に
終了して浴の色が無色透明になるのを確認してから、デ
カンテーションによって分離し、水洗乾燥した。第１図
は、この粒子の2000倍の電子顕微鏡写真である。そこに
見られるように、粒子はデンドライトではなく層状に被
覆されている。
この粒子を硝酸に浸漬し、めっき皮膜を完全に溶解して
分析を行ったところ、WC粒子は、約0.3％のＮを含む２
％Ｗ含有Co-W合金で被覆され、被覆量はWCに対して約６
％で、浴中のコバルトは完全に消費されていた。Pdおよ
びSnの含有量はそれぞれ43mgと6mgであった。
分析を行ったところ、WC粒子は、約0.3％のＮを含む２
％Ｗ含有Co-W合金で被覆され、被覆量はWCに対して約６
％で、浴中のコバルトは完全に消費されていた。Pdおよ
びSnの含有量はそれぞれ43mgと6mgであった。
比較例 実施例１と同じ処理をタングステン酸ナトリウムを含ま
ないコバルトめっき浴について繰り返したところ、第２
図に示すような被覆粉末が得られた。そこに見られるよ
うに、コバルト被覆はデンドライトとなってWC粒子は完
全に被覆されていない。
ないコバルトめっき浴について繰り返したところ、第２
図に示すような被覆粉末が得られた。そこに見られるよ
うに、コバルト被覆はデンドライトとなってWC粒子は完
全に被覆されていない。
実施例２〜８ 実施例１と同様の条件でタングステン酸塩濃度を変えて
実施した。
実施した。
本発明はWC粉末上にＷを含むCoめっき液を用いてめっき
することにより、均一な層状被覆を与え、且つ遊離炭素
捕捉用のＷを供給することができる。
することにより、均一な層状被覆を与え、且つ遊離炭素
捕捉用のＷを供給することができる。
第１図は本発明（実施例１）のCo-W被覆WC粉末の2000倍
の電子顕微鏡写真である。 第２図は従来技術（比較例）のCo被覆WC粉末の2000倍の
電子顕微鏡写真である。
の電子顕微鏡写真である。 第２図は従来技術（比較例）のCo被覆WC粉末の2000倍の
電子顕微鏡写真である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭56−150101（ＪＰ，Ａ) 榛葉久吉，三谷裕康著「改訂増補 粉末 治金学」昭55−７−10，第12版発行（株) コロナ社，Ｐ．38 （社）粉末治金技術協会編「粉末治金技 術講座６ 粉末や金応用製品（１）−超硬 合金と工具−」昭39−11−25発行，日刊工 業新聞社，Ｐ．58〜59
Claims (2)
- 【請求項１】無電解めっき法によりCo-W合金で薄層状に
被覆されたWC粉末。 - 【請求項２】Co-W合金で薄層状に被覆されたWC粉末の製
法であって、WC粉末を活性化処理し、タングステン酸塩
とヒドラジン化合物とを含む無電解コバルトめっき浴に
浸漬することからなる方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61031875A JPH0715122B2 (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | Ｃｏ―Ｗ被覆ＷＣ粉末およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61031875A JPH0715122B2 (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | Ｃｏ―Ｗ被覆ＷＣ粉末およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62192501A JPS62192501A (ja) | 1987-08-24 |
| JPH0715122B2 true JPH0715122B2 (ja) | 1995-02-22 |
Family
ID=12343209
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61031875A Expired - Lifetime JPH0715122B2 (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | Ｃｏ―Ｗ被覆ＷＣ粉末およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0715122B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SE504244C2 (sv) * | 1994-03-29 | 1996-12-16 | Sandvik Ab | Sätt att tillverka kompositmaterial av hårdämnen i en metallbindefas |
| SE507211C2 (sv) * | 1995-09-29 | 1998-04-27 | Sandvik Ab | Sätt att tillverka ett belagt hårdämnespulver |
| CN104174854B (zh) * | 2014-07-14 | 2016-08-24 | 昆山安泰美科金属材料有限公司 | 一种制备微型钨基合金零件的方法 |
| CN105478753B (zh) * | 2015-12-15 | 2018-02-06 | 北京矿冶研究总院 | 一种碳化钨和钨的复合粉末及其制备方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56150101A (en) * | 1980-04-18 | 1981-11-20 | Shinroku Kawakado | Preparation of powder coated with noble metal |
-
1986
- 1986-02-18 JP JP61031875A patent/JPH0715122B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| （社）粉末治金技術協会編「粉末治金技術講座６粉末や金応用製品（１）−超硬合金と工具−」昭３９−１１−２５発行，日刊工業新聞社，Ｐ．５８〜５９ |
| 榛葉久吉，三谷裕康著「改訂増補粉末治金学」昭５５−７−１０，第１２版発行（株）コロナ社，Ｐ．３８ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62192501A (ja) | 1987-08-24 |
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