JPS62192501A - Ｃｏ―Ｗ被覆ＷＣ粉末およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は粉末冶金に使用するに適するタングステンカー
バイド（ＷＣと記す）粉末とその製法に関する。

〈従来技術とその問題点〉 超硬合金粉末、特にＷＣのそれは焼結合金用の材料とし
て広く使用されている０通常は、Ｎ１またはＣｏ粉末を
結合剤として混合して焼結を行なうが均一性に欠けるた
めに、ＷＣ粉末自身に無電解めっき法によってＮｉある
いはＣｏを被覆することが試みられている。しかしこの
ような従来法ではＮｉあるいはＣｏはＷＣ粉末の表面に
デンドライトとなって析出し、層状の均一な被覆を形成
しない。

従来は、還元剤として１次亜リン酸塩あるいは水素化ホ
ウ素化合物を用いた無電解めっき浴が使用されていたが
、このような還元剤では、皮膜中にＰあるいはＢがそれ
ぞれ３〜１５％あるいは０．１〜５％合金されるため製
品に好ましくない結果を与える。またＷＣは焼結に際し
Ｃを遊離するため。

これを捕捉するために少量のＶを加えることも行われて
いる。本発明はこれらの欠点を克服した新規なＷＣ粉末
を提供する。

本発明者等は、コバルト無電解めっき液にタングステン
酸塩を加え、ヒドラジンで還元することにより、従来知
られていない、優れた粉末冶金用ＷＣ粉末を得た。

〈発明の構成〉 本発明によればＣｏ　−Ｗ合金で層状に被覆されたＷＣ
粉末が提供される。

本発明によれば、またＣｏ　−ｕ合金で層状に被覆され
たＷＣ粉末の製法であって、ＷＣ粒子を活性化処理し、
タングステン酸塩とヒドラジン化合物を含む無電解コバ
ルトめっき浴に浸漬することからなる方法が提供される
。

本発明の方法に使用されるＷＣ粉末の平均粒径は特定に
限定されないが、通常０．１〜５０μ■の範囲であり、
好ましくは０．５〜３０μ■の範囲である。

本発明によってＷＣ粉末にＣｏ　−ｕ被覆を施すには、
ｗｃ粉末に、まず１例えば５ｎＣ１，−ＰｄＣ１１系の
活性化溶液で処理されて表面が活性化される。この活性
化処理自身は既知であり残留するＳｎ、　Ｐｄ等の量は
ＷＣに対して０．１　ｗｔ％以下であり、積極的意味を
有しない。

次に、Ｃｏ−Ｉｔ皮膜を無電解めっき法により被覆する
。本発明においては、無電解めっき浴の還元剤としてヒ
ドラジン及びその誘導体を用いる。ここで用いられるヒ
ドラジン化合物とは、ヒドラジン及び水加ヒドラジン、
硝酸ヒドラジン、硫酸ヒドラジン、塩酸ヒドラジン、マ
レイン酸ヒドラジン、リン酸ヒドラジン、炭酸ヒドラジ
ンの誘導体等である。これらを還元剤として用いるため
、Ｎが約０．３　ｖｔ％被覆合金中に入り込んで来るが
積極的意味を有しない。

また、本発明においてＣｏにＶを合金させるために、タ
ングステン酸塩をコバルトの無電解液に加える。これに
より、ＶがＣｏｄに誘導されてＣｏ　−Ｍ合金としてＷ
Ｃ粒子表面に析出する。また使用できるコバルト塩は塩
化コバルト、硫酸コバルト、炭酸コバルト、酢酸コバル
ト等である。タングステン酸塩は、タングステン酸アン
モニウム、タングステン酸カリウム、タングステン酸カ
ルシウム、タングステン酸マグネシウム、タングステン
酸ナトリウム等である。めっき浴のコバルト濃度は０．
０２ｍｏ１／１〜０．４ｍｏ１＃ｌ好ましくは０．０４
＊ｏｌ＃１〜０．１５膳ｏ１／Ｑである。タングステン
濃度は合金させたいＷの量によって決定されるが、通常
０．ＯＯ１＋ｓｏｌ／Ω〜０．６−ｏｌ＃ｌ、好ましく
は０．００５ｍｏ１／ｌ〜０．２ｓ＋ｏｌ／Ｗである。

ただし実際に肛粉末上に析出するＣｏ、Ｗの量はめっき
液中のＣｏ、Ｉｔの濃度に比例するものではない。

本発明の方法によれば、Ｃｏ　−Ｗ合金が、ＷＣ粉末の
表面に均一に層状に析出し、プントライ、トとなること
なく、優れた被覆を形成する。

〈発明の具体的記載〉 本発明を実施例と比較例によって具体的に例示する。

実施例１ 平均粒径５μ−のｗｃ　１００１（を５ｎＣ１，１０ｇ
／ｊ！、　　ＩＣ１２０ｍ１ｌ＃！を含む液に２分間浸
漬攪拌し、デカンテーションによって分離し水洗した０
次に、ＰｄＣ１，１ｇ／Ｌ　ＨＣＩ　２ｔａ（１／Ｑを
含む液に２分間浸漬攪拌し、デカンテーションを行い水
洗した。

別に 塩化コバルト　　　　　　　　　０．１　＊ｏｌ＃１タ
ングステン酸ナトリウム　　　０．０５ｍｏｌ／１２ク
エン酸ナトリウム　　　　　　０．４■ｏｌ／１塩酸ヒ
ドラジン　　　　　　　　０．５　ｍｏｌ／１を含む無
電解コバルトめっき浴のｐＨを水酸化ナトリウムでＰＨ
１１，０に調整した。クエン酸ナトリウムは、コバルト
を錯化する目的で添加されるものである。この浴ＩＱを
８０℃に加温して前記！ｌｌＣ粉末を浸漬攪拌し、反応
が完全に終了して浴の色が無色透明になるのを確認して
から、デカンテーションによって分離し、水洗乾燥した
。第１図は、この粒子の２０００倍の電子顕微鏡写真で
ある。そこに見られるように１粒子はデンドライトでは
なく層状に被覆されている。

この粒子を硝酸に浸漬し、めっき皮膜を完全に溶解して
分析を行ったところ、１０粒子は、約０．３％のＮを含
む２％り含有Ｃｏ−り合金で被覆され。

被覆量はＷＣに対して約６％で、浴中のコバルトは完全
に消費されていた。ＰｄおよびＳｎの含有量はそれぞれ
４３ｍｇと６ｍｇであった。

比較例 実施例１と同じ処理をタングステン酸ナトリウムを含ま
ないコバルトめっき浴について繰り返したところ、第２
図に示すような被覆粉末が得られた。そこに見られるよ
うに、コバルト被覆はデンドライトとなってＷＣ粒子は
完全に被覆されていない。

実施例２〜８ 実施例１と同様の条件でタングステン酸塩濃度を変えて
実施した。

タングステン酸塩ナトリウム濃度Ｗｏｉ／ｆｆｉ　　　
被覆実施例２　　　　　　　　０．００１　　　　　　
　　　　　層状３　　　　　　　　０．００２ ４　　　　　　　　０．００５ ５　　　　　　　　０．００１ ６　　　　　　　　０．０５ ７　　　　　　　　０．１ ８　　　　　　　　０．６　　　　　　　　　　　　　
＃本発明はｌ１ＩＣ粉末上にＶを含むＣｏめっき液を用
いてめっきすることにより、均一な層状被覆を与え。

且つ遊離炭素捕捉用のＶを供給することができる。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、Ｃｏ−Ｗ合金で層状に被覆されたＷＣ粉末。 ２、Ｃｏ−Ｗ合金で層状に被覆されたＷＣ粉末の製法で
   あって、ＷＣ粉末を活性化処理しタングステン酸塩とヒ
   ドラジン化合物を含む無電解コバルトめっき浴に浸漬す
   ることからなる方法。