JPH0715142Y2 - 集積回路装置 - Google Patents
集積回路装置Info
- Publication number
- JPH0715142Y2 JPH0715142Y2 JP1986021742U JP2174286U JPH0715142Y2 JP H0715142 Y2 JPH0715142 Y2 JP H0715142Y2 JP 1986021742 U JP1986021742 U JP 1986021742U JP 2174286 U JP2174286 U JP 2174286U JP H0715142 Y2 JPH0715142 Y2 JP H0715142Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- common function
- pads
- chips
- pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/931—Shapes of bond pads
- H10W72/932—Plan-view shape, i.e. in top view
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は集積回路装置に関する。
集積回路の開発において、従来同一回路1個入りと複数
個入りの品種を作る場合があり、1個入りと複数個入り
ではおのおの別々のチップ設計を行ない、別々の拡散を
行なってそれぞれ1個入りと複数個入りのパッケージに
組立てていた。
個入りの品種を作る場合があり、1個入りと複数個入り
ではおのおの別々のチップ設計を行ない、別々の拡散を
行なってそれぞれ1個入りと複数個入りのパッケージに
組立てていた。
このような集積回路装置の説明のための例として第4図
及び第5図を参照しながら説明する。第4図及び第5図
において69,70,86〜89は内部素子の2NAND71,90はチップ
61〜68,72〜85はパッドである。第4図は内部素子に2NA
ND2個を有する集積回路装置であり第5図は内部素子に2
NAND4個を有する集積回路装置である。この2つの図を
見るとわかるように2NAND2個入りのものと4個入りのも
とでは、おのおの別々のチップ設計を行ないおのおの別
々の拡散を行なっていた。
及び第5図を参照しながら説明する。第4図及び第5図
において69,70,86〜89は内部素子の2NAND71,90はチップ
61〜68,72〜85はパッドである。第4図は内部素子に2NA
ND2個を有する集積回路装置であり第5図は内部素子に2
NAND4個を有する集積回路装置である。この2つの図を
見るとわかるように2NAND2個入りのものと4個入りのも
とでは、おのおの別々のチップ設計を行ないおのおの別
々の拡散を行なっていた。
第4,5図では内部素子として2NANDを用いたが任意回路で
よい。
よい。
前述した従来の集積回路装置の場合第4,5図の例でもわ
かるように2NAND2個入りのものと2NAND4個入りのものを
作るのに別々の設計と別々の拡散を行なうので2NAND2個
入りと4個入りのもの両方を作る場合2NAND2個入りのも
のだけを作る場合に比べて2倍の時間と2倍の費用がか
かるという欠点がある。
かるように2NAND2個入りのものと2NAND4個入りのものを
作るのに別々の設計と別々の拡散を行なうので2NAND2個
入りと4個入りのもの両方を作る場合2NAND2個入りのも
のだけを作る場合に比べて2倍の時間と2倍の費用がか
かるという欠点がある。
本考案の目的は、互いに別々のチップとして切断分離し
て使用でき、またその連続した状態で素子数が増加した
一つのチップとしても使用できる集積回路装置を提供す
ることにある。
て使用でき、またその連続した状態で素子数が増加した
一つのチップとしても使用できる集積回路装置を提供す
ることにある。
本考案による集積回路装置は、同一の半導体基板上に第
1のチップとして第1の領域と第2のチップとしての第
2の領域とが区画され、前記第1の領域には前記第1の
チップを構成するために必要な複数の第1の回路素子お
よび複数の第1のパッドが形成され、上記第2の領域に
は前記第2のチップを構成するために必要な複数の第2
の回路素子および複数の第2のパッドが形成されてい
る。そして、前記複数の第1および第2のパッドには前
記第1および第2のチップにとって共通な機能に使用さ
れる第1の共通機能パッドと第2の共通機能パッドがそ
れぞれ含まれており、前記第1のチップにおける前記第
1の共通機能パッドと前記第2のチップにおける前記第
2の共通機能パッドとは前記第1および第2の領域の境
界線の近傍に配置され、前記第1のチップにおける前記
第2の共通機能パッドと前記第2のチップにおける前記
第1の共通機能パッドとは前記境界線から離れて配置さ
れている。さらに前記第1および第2のチップにおける
前記第1の共通機能パッド同士は前記境界線を横切る第
1の配線で相互接続されているとともに前記第2の共通
機能パッド同士も前記境界線を横切る第2の配線で相互
接続されている。
1のチップとして第1の領域と第2のチップとしての第
2の領域とが区画され、前記第1の領域には前記第1の
チップを構成するために必要な複数の第1の回路素子お
よび複数の第1のパッドが形成され、上記第2の領域に
は前記第2のチップを構成するために必要な複数の第2
の回路素子および複数の第2のパッドが形成されてい
る。そして、前記複数の第1および第2のパッドには前
記第1および第2のチップにとって共通な機能に使用さ
れる第1の共通機能パッドと第2の共通機能パッドがそ
れぞれ含まれており、前記第1のチップにおける前記第
1の共通機能パッドと前記第2のチップにおける前記第
2の共通機能パッドとは前記第1および第2の領域の境
界線の近傍に配置され、前記第1のチップにおける前記
第2の共通機能パッドと前記第2のチップにおける前記
第1の共通機能パッドとは前記境界線から離れて配置さ
れている。さらに前記第1および第2のチップにおける
前記第1の共通機能パッド同士は前記境界線を横切る第
1の配線で相互接続されているとともに前記第2の共通
機能パッド同士も前記境界線を横切る第2の配線で相互
接続されている。
第1図は本考案の実施例であり第4,5図と同一のものに
は同一番号をふり説明を省略する。第1図において1,2
はチップ、3〜10,3′〜10′はパッド、11,12,11′,1
2′は内部素子の2NAND13〜26はリードフレームである。
本考案の特徴はチップ1と側辺の長さが等しいチップ2
を、チップ1の側辺に置き、チップ1,2の内辺とそれに
対向する辺にあるパッド4,4′、8,8′にそれぞれ両チッ
プに共通な信号を配線し同信号の配線されたパッド4と
4′,8と8′を導電層でショートしチップ1,2に共通で
ない信号をチップ1,2の内辺以外の辺にあるパッド3,5〜
7,9〜10,3′,5′〜7′、9′〜10′に配線したことに
ある。
は同一番号をふり説明を省略する。第1図において1,2
はチップ、3〜10,3′〜10′はパッド、11,12,11′,1
2′は内部素子の2NAND13〜26はリードフレームである。
本考案の特徴はチップ1と側辺の長さが等しいチップ2
を、チップ1の側辺に置き、チップ1,2の内辺とそれに
対向する辺にあるパッド4,4′、8,8′にそれぞれ両チッ
プに共通な信号を配線し同信号の配線されたパッド4と
4′,8と8′を導電層でショートしチップ1,2に共通で
ない信号をチップ1,2の内辺以外の辺にあるパッド3,5〜
7,9〜10,3′,5′〜7′、9′〜10′に配線したことに
ある。
第1図では内部素子として2NANDを用いたが任意回路で
よい。
よい。
本考案の集積回路装置の場合を第1図、第2図、第3図
を参照しつつ説明する。第2図、第3図で35はチップ、
36〜43はパッド、44〜46は内部素子のインバータ、47〜
60,27〜34はリードフレームである。尚第2図、第3図
で第1図と同一のものには同一の番号をふり説明を省略
する。
を参照しつつ説明する。第2図、第3図で35はチップ、
36〜43はパッド、44〜46は内部素子のインバータ、47〜
60,27〜34はリードフレームである。尚第2図、第3図
で第1図と同一のものには同一の番号をふり説明を省略
する。
前述のように、本考案は、基本の1チップに対しそれと
側辺の長さが等しいチップを基本チップの側辺位置に構
成し、基本チップとその側辺に位置したチップの内辺に
置かれたパッドとそれと他の辺におかれたパッドには両
チップに共通な信号を配線し、基本チップとその側辺に
置かれたチップにおいて同信号を導電層でショートし両
チップに共通でない信号を基本チップとその側辺に位置
したチップの内辺以外の辺にあるパッドに配線したこと
により、第1図のように2NAND4個が入ったパッケージを
作りたい場合は、チップ1,2を1チップとし組立て2NAND
2個が入ったパッケージを作りたい場合はチップ1,2の内
辺をダイシングして第2図のように組立てることで1回
の設計、1回の拡散で2通りのパッケージを組むことが
できる効果がある。また、第1図においては同じ2NAND2
個入りのチップを2つ並べて2NAND2個入りと4個入りの
製品を作っているが、第3図のように片方に2NAND2個入
りのチップをもう片方にインバータ3個入りのチップを
置くことによって、チップ1と35の内辺をダイシングす
ることにより2NAND2個入りのパッケージとインバータ3
個入りのパッケージを作ることができチップ1と35を合
わせて1チップとし組立てることにより2NAND2個とイン
バータ3個がいっしょに入っているパッケージを組立て
ることができる効果がある。
側辺の長さが等しいチップを基本チップの側辺位置に構
成し、基本チップとその側辺に位置したチップの内辺に
置かれたパッドとそれと他の辺におかれたパッドには両
チップに共通な信号を配線し、基本チップとその側辺に
置かれたチップにおいて同信号を導電層でショートし両
チップに共通でない信号を基本チップとその側辺に位置
したチップの内辺以外の辺にあるパッドに配線したこと
により、第1図のように2NAND4個が入ったパッケージを
作りたい場合は、チップ1,2を1チップとし組立て2NAND
2個が入ったパッケージを作りたい場合はチップ1,2の内
辺をダイシングして第2図のように組立てることで1回
の設計、1回の拡散で2通りのパッケージを組むことが
できる効果がある。また、第1図においては同じ2NAND2
個入りのチップを2つ並べて2NAND2個入りと4個入りの
製品を作っているが、第3図のように片方に2NAND2個入
りのチップをもう片方にインバータ3個入りのチップを
置くことによって、チップ1と35の内辺をダイシングす
ることにより2NAND2個入りのパッケージとインバータ3
個入りのパッケージを作ることができチップ1と35を合
わせて1チップとし組立てることにより2NAND2個とイン
バータ3個がいっしょに入っているパッケージを組立て
ることができる効果がある。
以上説明したように本考案は1回の設計、1回の拡散
で、チップの組合せにより3通りの品種を作ることがで
きる効果がある。
で、チップの組合せにより3通りの品種を作ることがで
きる効果がある。
なお両チップ間を接続する導電層としては金属配線、ポ
リシリコンや拡散層等を利用できる。またかかる導電層
のマスクのみをマスタスライスで2種類作成し、一方は
両チップ間を接続するようにし、他方は両チップ間を接
続しないようにすることもできる。この場合両チップ間
をダイシングしたときに、両チップ間を接続する導電層
の断面が他と短絡したり、リークを生じたりする危険性
をへらすことができる。
リシリコンや拡散層等を利用できる。またかかる導電層
のマスクのみをマスタスライスで2種類作成し、一方は
両チップ間を接続するようにし、他方は両チップ間を接
続しないようにすることもできる。この場合両チップ間
をダイシングしたときに、両チップ間を接続する導電層
の断面が他と短絡したり、リークを生じたりする危険性
をへらすことができる。
第1図、第2図、第3図は本考案の実施例を示す図であ
る。第4図、第5図は従来例を示す図である。 図中で番号1,2,35,71,90はチップ3〜10,3′〜10′,36
〜43,61〜68,72〜85はパッド11,12,11′,12′,44〜46,6
9,70,86〜89は内部素子、13〜34,47〜60,はリードフレ
ームである。
る。第4図、第5図は従来例を示す図である。 図中で番号1,2,35,71,90はチップ3〜10,3′〜10′,36
〜43,61〜68,72〜85はパッド11,12,11′,12′,44〜46,6
9,70,86〜89は内部素子、13〜34,47〜60,はリードフレ
ームである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 27/04
Claims (1)
- 【請求項1】同一の半導体基板上に第1のチップとして
の第1の領域と第2のチップとしての第2の領域とが区
画され、前記第1の領域には前記第1のチップを構成す
るために必要な複数の第1の回路素子および複数の第1
のパッドが形成され、前記第2の領域には前記第2のチ
ップを構成するために必要な複数の第2の回路素子およ
び複数の第2のパッドが形成され、前記複数の第1およ
び第2のパッドには前記第1および第2のチップにとっ
て共通な機能に使用される第1の共通機能パッドと第2
の共通機能パッドがそれぞれ含まれ、前記第1のチップ
における前記第1の共通機能パッドと前記第2のチップ
における前記第2の共通機能パッドとは前記第1および
第2の領域の境界線の近傍に配置され、前記第1のチッ
プにおける前記第2の共通機能パッドと前記第2のチッ
プにおける前記第1の共通機能パッドとは前記境界線か
ら離れて配置され、さらに前記第1および第2のチップ
における前記第1の共通機能パッド同士は前記境界線を
横切る第1の配線で相互接続されているとともに前記第
2の共通機能パッド同士も前記境界線を横切る第2の配
線で相互接続されていることを特徴とする集積回路装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986021742U JPH0715142Y2 (ja) | 1986-02-17 | 1986-02-17 | 集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986021742U JPH0715142Y2 (ja) | 1986-02-17 | 1986-02-17 | 集積回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62134238U JPS62134238U (ja) | 1987-08-24 |
| JPH0715142Y2 true JPH0715142Y2 (ja) | 1995-04-10 |
Family
ID=30818462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986021742U Expired - Lifetime JPH0715142Y2 (ja) | 1986-02-17 | 1986-02-17 | 集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0715142Y2 (ja) |
-
1986
- 1986-02-17 JP JP1986021742U patent/JPH0715142Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62134238U (ja) | 1987-08-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0114707B2 (ja) | ||
| JPH0519989B2 (ja) | ||
| JPH0715142Y2 (ja) | 集積回路装置 | |
| US4789889A (en) | Integrated circuit device having slanted peripheral circuits | |
| JP3679923B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0274046A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| US5206529A (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
| JPS62229857A (ja) | マスタスライス半導体装置 | |
| JPH0760855B2 (ja) | 集積回路装置 | |
| JPS5928359A (ja) | 集積回路装置の製造方法 | |
| EP0360596A1 (en) | Semiconductor integrated circuit and manufacturing method thereof | |
| JPS60113943A (ja) | 半導体集積回路装置のレイアウト方式 | |
| JP2766857B2 (ja) | 半導体集積回路装置形成ウエファ | |
| JPS58182841A (ja) | モノリシツク集積回路 | |
| JPH01196138A (ja) | マスタスライス集積回路 | |
| JPH023259A (ja) | マスタスライス型半導体装置の製造方法 | |
| JPH0138913Y2 (ja) | ||
| KR0129132Y1 (ko) | I.c 패캐이지 | |
| JPH0329182B2 (ja) | ||
| JPH022164A (ja) | 集積回路 | |
| JPH03180052A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPH065663A (ja) | 評価用半導体装置 | |
| KR200159486Y1 (ko) | 반도체 패키지 | |
| JPH0332044A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPS6362368A (ja) | 集積回路装置 |