JPH07152149A

JPH07152149A - アパーチャ

Info

Publication number: JPH07152149A
Application number: JP32322593A
Authority: JP
Inventors: Kenta Hayashi; 健太林
Original assignee: Toppan Printing Co Ltd
Current assignee: Toppan Inc
Priority date: 1993-11-29
Filing date: 1993-11-29
Publication date: 1995-06-16

Abstract

(57)【要約】【目的】露光中にチャージアップが生じない、しかも
作製が容易で精度の高い荷電ビーム露光装置用のアパー
チャを提供する。【構成】荷電ビームを用いた露光方法に用いられるア
パーチャ９であって、例えばＳｉ単結晶で作製された支
持基板１上に支持基板よりも導電率の高い物質からなる
開口部を有する金属膜パターン８ａを形成してなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路等の微
細なパターンを形成するために用いられるいわゆる一括
露光方式の荷電ビーム露光装置におけるアパーチャに関
わり、特に高密度な繰り返しパターン作製における描画
速度向上を図るためビーム形成手段の改良を図った荷電
ビーム露光装置のアパーチャに関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体集積回路のパターンは、年々微細
化の傾向にあり、複雑化してきている。このようなパタ
ーンを荷電ビーム露光装置で描画、形成するために、繰
り返し使用される図形および図形群などを一回のショッ
トで描画する方法、いわゆる一括露光法、ブロック露光
法、あるいはキャラクタプロジェクション法等と呼ばれ
る方式が提案されている。

【０００３】この方式においては、荷電ビーム露光装置
におけるアパーチャに、従来ポイントビーム方式であれ
ば丸い孔、可変成形ビーム方式であれば矩形の孔を形成
していたものに変え、繰り返し使われる図形や図形群を
作り込むことにより一回のショットで描画してしまうと
いう考え方でスループットの飛躍的向上が見込まれる。

【０００４】ところで、この方式に使用されるアパーチ
ャは従来は例えば図４（ｊ）に示すように支持基板に厚
いＳｉ基板１２を用いて裏から方位面に従った化学エッ
チングを行ない、その上面に薄膜化したＳｉ基板１１を
貼り合わせたものや、図５（ｇ）に示すように厚いＳｉ
基板１を用いて裏から方位面に従った化学エッチングを
行ない、上面を薄膜化したものを使用し、その部分に繰
り返し使用される図形ならびに図形群を作り込むことに
よって構成されていた。

【０００５】しかしながら、図４の方式では、（ａ）に
示すように、まず支持基板であるＳｉ基板１を用意し、
（ｂ）に示すように該支持基板の裏面にマスキングパタ
ーン２を形成し、（ｃ）に示すようにＳｉのエッチング
液４（符号３はエッチング槽）を用いて化学エッチング
を行ない、出来たＳｉ基板１２の上に（ｆ）に示すよう
にＳｉ酸化膜１０を介して上面Ｓｉ基板１１を貼り合わ
せ、上面のＳｉ基板１１を適当な厚さまで研磨あるいは
エッチングを行ない、（ｇ）に示すようにその上にレジ
スト１４を塗布し、（ｈ）に示すように光や電子線など
でパターンの露光を行ない、現像処理をしてレジストパ
ターン１５を形成した後に、（ｉ）に示すように上面の
Ｓｉ基板１１のエッチングを行ない、レジストを剥離す
るという工程がある。また、図５の方式では（ａ）に示
すように支持基板であるＳｉ基板１を用意し、（ｂ）に
示すように裏面にマスキングパターン２を形成した後、
化学エッチングを行ない、その後（ｃ）に示すように上
面が適当な厚さとなるまで上面の化学エッチング又は研
磨を行ない、（ｄ）に示すようにその上にレジスト１４
を塗布し、（ｅ）に示すようにこれをパターニングして
レジストパターン１５を形成した後に、（ｆ）に示すよ
うに該上面の基板のエッチングを行ない、レジストを剥
離するという工程があり、図４、図５のいずれの方式に
おいても複雑な工程を必要としていた。

【０００６】また、図４の方式では上面のＳｉ基板１１
と下部のＳｉ基板１２の貼り合わせ時に加熱を行なうこ
とや、Ｓｉ基板１１とＳｉ基板１２の間にＳｉ酸化膜１
０を介すことなどから応力が発生し、パターンが歪むた
め、その応力制御のため、貼り合わせ工程が複雑である
などの問題があった。

【０００７】また、図４、図５の方式の両方とも上面を
薄膜化してからエッチングを行なうので、その厚さは数
１０〜数１００μｍであるため、取り扱いに注意を要
し、特にレジスト塗布の際のレジストの重み、ウエット
エッチングの際のエッチング液の重み、工程中のハンド
リングの際の振動及び衝撃などで上面の薄膜部が簡単に
やぶれてしまうという問題があった。また、上面を化学
エッチングにより薄膜化する場合には、どの時点でエッ
チングを停止させるかよって上面の膜厚が異なるため、
非常に精密なエッチングの制御が必要になるという問題
があった。

【０００８】また、この構成のアパーチャを荷電ビーム
露光装置に組み込んで露光を行なう際、このアパーチャ
によって遮蔽された、すなわちパターンの無い部分は、
荷電ビームが照射される。そのため、アパーチャの材質
が電気伝導度が良くない物質の場合、チャージアップが
発生する可能性があった。

【０００９】特に、従来のアパーチャはＳｉのみで作製
されていたため、その電気抵抗率は、室温で約２．３×
１０⁴Ω・ｃｍと高い。また、図４のような貼り合わせ
方式の場合、Ｓｉ酸化膜を貼り合わせ部分に介するた
め、その電気抵抗率はＳｉよりも格段に高くなることは
公知の事実であった。

【００１０】そのため、チャージアップが発生すれば、
アパーチャにより形成されたビームは変形し、また意図
する位置からのずれを生じ、ひどい場合には全くパター
ンが描画されない状態に至るという問題があった。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明は、従
来いわゆる一括露光法と呼ばれる荷電ビームの露光方式
に用いられてきた荷電ビーム露光装置用アパーチャの問
題点、すなわち、アパーチャの導電性が悪いためにチャ
ージアップが生じて、アパーチャにより形成されたビー
ムが変形し、ひいては全くパターンが描画されない状態
になってしまうという問題点を解決し、作製が容易で精
度の高い荷電ビーム露光装置用のアパーチャを提供する
を目的としている。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のアパーチャは、荷電ビームを用いた露光方
法に用いられ、開口部を有する第１の膜領域と、該第１
の膜領域を支持し且つ該第１の膜領域より厚い第２の膜
領域とを有するアパーチャにおいて、前記第１の膜領域
に、アパーチャを形成する主たる材料よりも導電率の高
い物質からなる層を少なくとも一層付与してなることを
特徴としている。

【００１３】また、本発明のアパーチャは、前記主たる
材料よりも導電率が高い物質からなる層は、主たる材料
のエッチング時にエッチングがなされない材料であるこ
とを特徴としている。

【００１４】また、本発明のアパーチャは、前記第１の
膜領域は前記主たる材料よりも導電率が高い物質からな
る層のみからなり、且つ、前記第２の膜領域が前記主た
る材料からなることを特徴としている。

【００１５】また、本発明のアパーチャは、前記第２の
膜領域はＳｉ単結晶からなることを特徴としている。

【００１６】また、本発明のアパーチャは、前記主たる
材料はＳｉ単結晶であることを特徴としている。

【００１７】さらに、本発明のアパーチャは、前記主た
る材料よりも導電率の高い物質は、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｇ、
Ｗ、Ｍｏ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｉｎ、Ｓｎ
若しくはそれらを一成分とする化合物の中から選ばれる
少なくとも一種であることを特徴としている。

【００１８】

【作用】本発明のアパーチャによれば、開口部を有する
第１の膜領域と該第１の膜領域の支持基板である第２の
膜領域とからなり、該アパーチャを形成する主たる材料
よりも導電率の高い物質からなる層を少なくとも一層、
上記第１の膜領域に付与してなるため、例えば主たる材
料をＳｉとし、導電率が高い層の材料を例えばＴｉとし
た場合、Ｔｉの導電率はＳｉの約５×１０⁸倍ほどある
ため、ビーム照射時に生じる電子は該導電率が高い層か
らアースに流れるので、チャージアップが発生しなくな
る。

【００１９】また、本発明のアパーチャは、従来行なっ
ていたアパーチャ上面の薄膜化の工程、薄膜化した部分
へのパターニングの工程が簡略化出来、容易な作製が可
能になる。

【００２０】

【実施例】以下、本発明のアパーチャの実施例について
図に基づいて説明するが、本発明が実施例に限定されな
いことはいうまでもない。

【００２１】＜実施例１＞図１は、本発明の一実施例に
係るアパーチャを製造工程順に示す断面図である。

【００２２】まず図１(ａ)に示すように、厚さ５００μ
ｍのＳｉ単結晶基板１を用意する。この基板の面方位は
（１００）である。

【００２３】次に上述した基板１の上面に図１（ｂ）の
ように金属膜８を真空蒸着法により製膜する。この金属
膜８の厚さは一般に２０μｍ以下、好ましくは、５〜１
５μｍである。この金属膜８の膜厚が、完成時の電子線
を遮蔽するパターン形成領域の厚さとなる。金属膜８は
アパーチャの主たる材料すなわち支持基板であるＳｉよ
りも導電率が高く、かつ、Ｓｉのエッチング液４におか
されないものが望ましく、本実施例ではＴｉを使用す
る。Ｔｉの他にはＣｕ、Ｐｔ、Ｗ、Ｍｏ、Ｆｅ、Ｃｒ、
Ｐｄ、Ａｇ、Ｎｂ、Ｉｎ、Ｓｎ若しくはそれらを一成分
とする化合物なども使用できる。この金属膜８の製膜は
スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法
などの従来知られている方法を使用してもよい。

【００２４】次に図１（ｃ）に示すように金属膜パター
ン８ａの形成を行なう。本実施例では、この金属膜パタ
ーン８ａは、従来から使用されている収束イオンビーム
装置（ＦＥＩ製ＦＩＢ６１１）を使用し、ＣＡＤで作製
したパターンデータに基づき金属膜８を部分的に除去す
ることによって形成する。

【００２５】図中、符号１３はイオンビームを示してい
る。

【００２６】本発明においては、特に直径１μｍ以下に
収束されたイオンビームを使用することが、微細かつ自
由な加工を行うことができるので望ましい。

【００２７】なお、上記金属膜パターン８ａの形成は上
述のイオンビームの代りに高出力のエキシマレーザ等を
収束させて行うことも可能である。

【００２８】次に基板１の裏面側から加熱したＫＯＨ溶
液のエッチング液４でバックエッチングを行う。この
際、図１（ｄ）に示す様に、裏面はあらかじめ開口部以
外の部分にマスキングパターン２を形成しておく。この
開口部の大きさは、任意であるが、面積をあまり大きく
すると、完成時に破れやすくなるため、５００μｍ角程
度が好ましい。この際、基板の面方位が、（１００）で
あるため、図１（ｄ）に示すように、基板に対して厚さ
方向にはエッチングがすすんでいくが、横方向にはあま
りすすんでいかないいわゆる異方性エッチングを行うこ
ととなる。エッチングは、開口部分の板厚が１００μｍ
程度、すなわちこの後の工程で容易に破れない程度の厚
さで止める。その後、純水で洗浄を行う。開口部以外を
マスキングした部分すなわちマスキングパターン２は、
この段階では剥離しない。

【００２９】このバックエッチング工程は上述の金属膜
パターン８ａの形成前に行なってもよい。

【００３０】次に、図１（ｅ）に示すように上述の基板
をＳｉのエッチング液４である加熱ＫＯＨ溶液に浸漬す
る。エッチング液４は基板の上面および下面から浸透し
ていく。上面に関しては金属膜８が製膜されているが、
この部分は化学的にエッチング液４に侵されないため下
面の基板Ｓｉはエッチングされない。しかし前述の金属
膜パターン８ａの孔部は基板のＳｉが露出しているた
め、エッチング液４が浸透して溶解する。

【００３１】一方、裏面に関しては、前述の（ｄ）工程
におけるバックエッチングの続きが行われ、最終的には
マスキングパターン２を形成した部分のみ基板のＳｉが
残り、開口部は上面から製膜をした金属膜パターン８ａ
のみが残る。

【００３２】この後、マスキングパターン２の剥離を行
い、純水で洗浄、乾燥して図１（ｆ）に示すように本発
明のアパーチャ９が出来上がる。

【００３３】本実施例で作製したアパーチャを荷電粒子
ビーム露光装置に装着して描画を行なったところ、長時
間描画を行なっても、従来発生していたチャージアップ
は発生せず、描画パターンの変形も確認されなかった。

【００３４】また、本実施例によれば、従来行なわれて
いた貼り合わせ工程がないため、基板に高熱をかける必
要がないことから応力は発生せずパターンの歪みやずれ
は無い。パターン作製時には、従来、レジストを塗布
し、光または電子線などでパターンを焼き付け、現像を
行った後、その下の基板のエッチングを行ない、レジス
トを剥離するという一連の工程が、イオンビーム等で描
画することのみで完了するため工程が非常に簡略化され
る。

【００３５】＜実施例２＞図２は、本発明の別の実施例
に係るアパーチャを製造工程順に示す断面図である。な
お、図１と同等の箇所には同一の符号を付して重複説明
は適宜省略する。

【００３６】まず図２（ａ）に示すように、厚さ５００
μｍのＳｉ単結晶の基板１を用意する。この基板の面方
位は（１，０，０）である。

【００３７】次に基板１の裏面側から加熱したＫＯＨ溶
液のエッチング液４でバックエッチングを行う。この
際、図２（ｂ）に示す様に、開口部以外の部分にマスキ
ングパータン２を形成しておく。このとき、基板の面方
位が、（１，０，０）であるため、図２（Ｃ）に示すよ
うに、基板に対していわゆる異方性エッチングを行うこ
ととなる。エッチングは、開口部分の板厚が１００μｍ
程度、すなわちこの後の工程で容易に破れない程度の厚
さで止める。その後、純水で洗浄を行う。開口部以外を
マスキングした部分すなわちマスキングパターン２は、
この段階では剥離しない。これで、図２（ｄ）に示すよ
うにアパーチャのブランク５が出来上がる。

【００３８】なお、この工程は後述のパターンの形成後
に行なってもよい。

【００３９】次に上述したブランク５の開口部と反対の
面に図２（ｅ）のように電子線レジスト６（東ソー製Ｃ
ＭＳーＥＸ（Ｒ））を塗布する。この時の膜厚は、２０
μｍ以下とする。好ましくは、５〜１５μｍである。こ
の膜厚が、完成時の電子線を遮蔽するパターン形成領域
の厚さとなる。

【００４０】所定のプリベーク処理後、従来から使われ
ている電子線描画装置（日立製作所製ＨＬ−７００）で
パターンの描画を行い、所定の現像、ポストベーク処理
を行う。これで、図２（ｆ）に示す様に、ブランク５の
上面にレジストパターン７が出来上がる。

【００４１】次に上述のレジストパターン７上に、図２
（ｇ）のように金属膜８を真空蒸着法により製膜する。
金属膜８の材質は本実施例では前述の実施例同様Ｔｉを
使用する。この際の金属膜８の厚さはレジストパターン
７の厚さ程度、すなわちレジストパターン７の開孔部が
金属膜８で埋まる程度まで真空蒸着を行う。なお、この
金属膜８の製膜は前述したようなスパッタリング法、イ
オンプレーティング法、メッキ法などを使用してもよ
い。

【００４２】次に、上述の金属膜８を製膜した基板を図
２（ｈ）に示す様に、Ｓｉのエッチング液４である加熱
したＫＯＨ溶液に浸漬する。エッチング液４は基板の上
面および下面から浸透していく。

【００４３】上面に関してはレジストパターン７上にも
金属膜８が製膜されているが、レジストパターン７と金
属膜８で埋まった開口部との境界部は金属膜８が付着し
ていないかごく薄い膜になっており、その部分よりエッ
チング液４が浸透する。エッチング液４は、強アルカリ
性であるためレジストパターン７すなわち電子線レジス
ト６を溶解する。そのため、レジストパターン７および
その上の金属膜８は剥離し、さらにその下のＳｉを溶解
する。しかし、金属膜８すなわちＴｉは、エッチング液
４に対し不溶であるため、レジストパターン７上以外の
金属膜８は残存し、金属膜パターン８ａを形成する。

【００４４】一方、下面に関しては、前述のブランク５
の作製工程におけるバックエッチングの続きすなわち異
方性エッチングが行われ、最終的にはマスキングパター
ン２の部分のみＳｉが残り、ブランク５の開口部は上面
から製膜をした金属膜８のみが残る。

【００４５】この後、マスキングパターン２の剥離を行
い、純水で洗浄、乾燥して図２（ｉ）に示すように本発
明のアパーチャ９が出来上る。

【００４６】本実施例で作製したアパーチャを荷電粒子
ビーム露光装置に装着して描画を行なったところ、長時
間描画を行っても、従来発生していたチャージアップは
発生せず、描画パターンの変形も確認されなかった。

【００４７】なお、これらの実施例では、アパーチャ上
部の薄膜部が導電率の高い物質のみからなるが、本発明
のアパーチャは該薄膜部に導電率の高い物質からなる層
を少なくとも一層有する構成であればかまわない。例え
ば、ポリシリコン膜とＴｉあるいはより導電率の高いＡ
ｇとＴｉ等からなる積層構成でもよい。

【００４８】＜実施例３＞図３は本発明の他の実施例に
係るアパーチャを製造工程順に示す断面図であるる。な
お、図１と同等の箇所には同一の符号を付して重複説明
は適宜省略する。

【００４９】まず図３（ａ）に示すように、厚さ５００
μｍのＳｉ単結晶の基板１を用意する。この基板の面方
位は（１，０，０）である。

【００５０】次に基板１の裏面側からエッチング液４で
バックエッチングを行う。この際、前述と同様、図３
（ｂ）に示す様に、あらかじめ開口部以外の部分にマス
キングパターンを形成しておく。このとき、基板１の面
方位が、（１，０，０）であるため、図３（Ｃ）に示す
ように、基板に対していわゆる異方性エッチングを行う
こととなる。エッチングは、開口部分の板厚が１００μ
ｍ程度、すなわちこの後の工程で容易に破れない程度の
厚さで止める。その後、純水で洗浄を行う。開口部以外
をマスキングした上記マスキングパターン２は、剥離し
ないでおく。これで、図３（ｄ）に示すようにブランク
５が出来上がる。前記実施例同様、この工程は後述のパ
ターンの形成後に行なってもよい。

【００５１】次に上述したブランク５の開口部と反対の
面に図３（ｅ）のように前記電子線レジスト６（東ソー
製ＣＭＳーＥＸ（Ｒ））を塗布する。この時の膜厚は、
５μｍとした。

【００５２】次いで、所定のプリベーク処理後、前記電
子線描画装置（日立製作所製ＨＬ−７００）でパターン
の描画を行い、所定の現像、ポストベーク処理を行な
い、図３（ｆ）に示す様に、ブランク５の上面にレジス
トパターン７を形成する。

【００５３】次に上述したレジストパターン７上に、図
３（ｇ）のように金属膜８を製膜する。この金属膜８の
厚さは５μｍとした。この金属膜８とその下のＳｉとを
あわせた膜厚が、完成時の電子線を遮蔽するパターン形
成領域の厚さとなる。好ましくは、５〜１５μｍであ
る。

【００５４】金属膜８の材質は前記実施例と同様Ｔｉを
使用する。

【００５５】この際の金属膜８の厚さはレジストパター
ン７の厚さ、すなわちレジストパターン７の開孔部が金
属膜８で埋まる程度である。この金属膜８の製膜は前述
のように、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレ
ーティング法、メッキ法などの方法を使用する。

【００５６】次に上記の基板を図３（ｈ）に示すように
電子線レジスト６の剥離液に浸漬する。すると、レジス
トパターン７のみが溶解し、レジストパターン７が形成
されていない部分の金属膜８は溶解されずに残り、金属
膜パターン８ａが形成される。

【００５７】次に図３（ｉ）に示すように支持基板１で
あるＳｉのエッチングを行なう。すなわち、上述の金属
膜パターン８ａを形成した基板を従来から使用されてい
るリアクティブイオンエッチング装置（日本真空技術製
ＣＳＥ−１１１０）を使用して、深さ１０μｍのエッチ
ングを行なう。この際、本実施例では、パワーを２００
Ｗとし、Ｃｌ ₂にＳＦ ₆を１０％添加したガスを使用す
る。

【００５８】このとき、金属膜８が製膜されている部分
は化学的にエッチングガスに侵されないためエッチング
されない。しかし金属膜パターン８ａの孔部は基板のＳ
ｉが露出しているため、この部分のみがエッチングされ
る。

【００５９】次に基板を前述のイオンエッチング装置よ
り取り出し、図３（ｊ）に示すようにＳｉのエッチング
液４に浸漬する。上面においては金属膜パターン８ａの
開孔部よりエッチング液４が浸透し縦方向にエッチング
が進んでいく。この場合も前述のごとく異方性エッチン
グとなるため横方向にはあまりエッチングは進まない。
裏面に関しては、前述のブランク５の作製工程における
バックエッチングの続きが行われる。最終的に上面金属
膜パターン８ａの開孔部と裏面開口部が繋がった時点で
エッチングを中止する。このときエッチングされずに残
った金属膜とＳｉとをあわせた膜厚は１５μｍであっ
た。またその断面形状は図３（ｊ）及び（ｋ）に示すご
とくテーパ状を示していた。

【００６０】この後、マスキングパターン２の剥離を行
い、純水で洗浄、乾燥して図３（ｋ）の如く本発明のア
パーチャ９が出来上がる。

【００６１】本実施例で作製したアパーチャについても
荷電粒子ビーム露光装置に装着して描画を行ったとこ
ろ、長時間描画を行っても、従来発生していたチャージ
アップは発生せず、描画パターンの変形も確認されなか
った。

【００６２】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明のア
パーチャによれば、アパーチャ上部のパターン形成領域
である第１の膜領域に、該アパーチャを形成する主たる
材料よりも導電率の高い物質からなる層を少なくとも一
層付与してなるため、ビーム露光を行った際に従来発生
していたアパーチャのチャージアップは発生せず、その
結果描画パターンの変形も生じないという優れた効果を
奏する。

【００６３】また、本発明のアパーチャによれば、アパ
ーチャの主たる材料を例えばＳｉとした場合、パターン
形成領域である第１の膜領域として導電率が高く、Ｓｉ
のエッチング時に化学的に侵されない物質を使用するこ
とにより、主たる材料のエッチング時に、第１の膜領域
のパターニングを同時に行うことが可能となるなど、製
造工程の簡略化も可能になり、作製が容易で精度の高い
アパーチャを提供できるという効果も奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例に係るアパーチャを製造工
程順に示す断面図である。

【図２】本発明の別の実施例に係るアパーチャを製造
工程順に示す断面図である。

【図３】本発明の他の実施例に係るアパーチャを製造
工程順に示す断面図である。

【図４】従来のアパーチャの製造方法の一例を工程順
に示す断面図である。

【図５】従来のアパーチャの製造方法の別の例を工程
順に示す断面図である。

【符号の説明】

１Ｓｉ基板２マスキングパターン３エッチング槽４Ｓｉエッチング液５アパーチャのブランク６レジスト７レジストパターン８金属膜８ａ金属膜パターン９本発明のアパーチャ１０Ｓｉ酸化膜１１上部Ｓｉ板１２下部Ｓｉ板

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】荷電ビームを用いた露光方法に用いら
れ、開口部を有する第１の膜領域と、該第１の膜領域を
支持し且つ該第１の膜領域より厚い第２の膜領域とを有
するアパーチャにおいて、前記第１の膜領域に、アパー
チャを形成する主たる材料よりも導電率の高い物質から
なる層を少なくとも一層付与してなることを特徴とする
アパーチャ。
【請求項２】前記主たる材料よりも導電率が高い物質
からなる層は、主たる材料のエッチング時にエッチング
がなされない材料であることを特徴とする請求項１記載
のアパーチャ。
【請求項３】前記第１の膜領域は前記主たる材料より
も導電率が高い物質からなる層のみからなり、且つ、前
記第２の膜領域が前記主たる材料のみからなることを特
徴とする請求項１記載のアパーチャ。
【請求項４】前記第２の膜領域はＳｉ単結晶からなる
ことを特徴とする請求項１記載のアパーチャ。
【請求項５】前記主たる材料はＳｉ単結晶であること
を特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のアパー
チャ。
【請求項６】前記主たる材料よりも導電率の高い物質
は、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｗ、Ｍｏ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｐｄ、
Ｔｉ、Ｎｂ、Ｉｎ、Ｓｎ若しくはそれらを一成分とする
化合物の中から選ばれる少なくとも一種であることを特
徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のアパーチ
ャ。