JPH0715890B2 - Ｇｅ付着方法 - Google Patents
Ｇｅ付着方法Info
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- JPH0715890B2 JPH0715890B2 JP4269703A JP26970392A JPH0715890B2 JP H0715890 B2 JPH0715890 B2 JP H0715890B2 JP 4269703 A JP4269703 A JP 4269703A JP 26970392 A JP26970392 A JP 26970392A JP H0715890 B2 JPH0715890 B2 JP H0715890B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/08—Germanium
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造プロセスに係
り、更に詳細には、低温ＵＨＶ／ＣＶＤプロセスによっ
てゲルマニウム（Ｇｅ）を成長させる方法に係る。
り、更に詳細には、低温ＵＨＶ／ＣＶＤプロセスによっ
てゲルマニウム（Ｇｅ）を成長させる方法に係る。
【０００２】
【従来の技術】ゲルマニウム（Ｇｅ）は、半導体構造へ
の集積化にとって極めて望ましい材料であるとされる多
くの特徴を有する。Ｇｅの有用な特性は、シリコン（Ｓ
ｉ）よりもバンドギャップが小さいが、真性キャリヤ濃
度の大きさが約３桁も高いために、導電率が高いことで
ある。また、ドーパント活性化温度が低く、活性化のた
めに特定の処理を必要としない。ドーパント源として使
用することができ、光学的に活性である。これらの理由
から、Ｇｅには、既に多結晶シリコンが利用されている
多くの適用例で置換材料として用いる等、多数の潜在的
使用法がある。しかしながら、Ｇｅの潜在的な欠点は、
本質的に、Ｓｉ上に選択的に成長することである。言い
換えると、ＧｅはＳｉの上に成長するが、酸化物等の多
くの他の媒体上には成長しない。
の集積化にとって極めて望ましい材料であるとされる多
くの特徴を有する。Ｇｅの有用な特性は、シリコン（Ｓ
ｉ）よりもバンドギャップが小さいが、真性キャリヤ濃
度の大きさが約３桁も高いために、導電率が高いことで
ある。また、ドーパント活性化温度が低く、活性化のた
めに特定の処理を必要としない。ドーパント源として使
用することができ、光学的に活性である。これらの理由
から、Ｇｅには、既に多結晶シリコンが利用されている
多くの適用例で置換材料として用いる等、多数の潜在的
使用法がある。しかしながら、Ｇｅの潜在的な欠点は、
本質的に、Ｓｉ上に選択的に成長することである。言い
換えると、ＧｅはＳｉの上に成長するが、酸化物等の多
くの他の媒体上には成長しない。
【０００３】基板上にＧｅを付着させるには、化学蒸着
（ＣＶＤ）、レーザ誘導化学蒸着（ＬＩＣＶＤ）、及び
超高真空化学蒸着（ＵＨＶ／ＣＶＤ）を含む多数の技法
がある。
（ＣＶＤ）、レーザ誘導化学蒸着（ＬＩＣＶＤ）、及び
超高真空化学蒸着（ＵＨＶ／ＣＶＤ）を含む多数の技法
がある。
【０００４】ＣＶＤを用いてＧｅを成長させる先行技術
の付着方法の例は、以下の刊行物に開示されている。
の付着方法の例は、以下の刊行物に開示されている。
【０００５】「Ｓｉ上でのＧｅのヘテロエピタキシ：化
学蒸着層と真空蒸着層との比較(Theheteroepitaxy of G
e on Si: A comparison of chemical vapor and vacuum
deposited layers) 」（J. Appl. Phys. 53 (2), 1982
年 2月, 1076-1083 頁, Maenpaa 等著）では、２乃至
１３トールの圧力で、Ｓｉ温度を５００乃至９００℃に
保持し、キャリヤガスとしてＧｅＨ4 を用いて実行され
たＣＶＤ実験について記載されている。
学蒸着層と真空蒸着層との比較(Theheteroepitaxy of G
e on Si: A comparison of chemical vapor and vacuum
deposited layers) 」（J. Appl. Phys. 53 (2), 1982
年 2月, 1076-1083 頁, Maenpaa 等著）では、２乃至
１３トールの圧力で、Ｓｉ温度を５００乃至９００℃に
保持し、キャリヤガスとしてＧｅＨ4 を用いて実行され
たＣＶＤ実験について記載されている。
【０００６】日本特許公開番号第６２−１７９１１３号
（出願番号第６１−２０２８３号）では、４５０℃のＣ
ＶＤチャンバ内でキャリヤガスとしてＧｅＨ4 を用いる
Ｇｅ付着について開示されている。
（出願番号第６１−２０２８３号）では、４５０℃のＣ
ＶＤチャンバ内でキャリヤガスとしてＧｅＨ4 を用いる
Ｇｅ付着について開示されている。
【０００７】米国特許第３、４７３、９７８号は、Ｓｉ
基板上での単結晶ゲルマニウムの核形成及び成長の方法
を教示している。この方法では、少なくとも９００℃の
温度で単結晶Ｓｉ層をエピタキシャル成長させ、Ｓｉを
６７０℃以下に冷却した後、Ｇｅを核形成及び成長させ
る。
基板上での単結晶ゲルマニウムの核形成及び成長の方法
を教示している。この方法では、少なくとも９００℃の
温度で単結晶Ｓｉ層をエピタキシャル成長させ、Ｓｉを
６７０℃以下に冷却した後、Ｇｅを核形成及び成長させ
る。
【０００８】Ｇｅを付着させるためのＬＩＣＶＤ技法の
例は、米国特許第４、６８１、６４０号に開示されてい
る。この方法では、約３．５トールより高い圧力でＣＯ
2 レーザエネルギを用いてゲルマン関連化合物を照射す
ることによって、多結晶ゲルマニウム膜が形成される。
例は、米国特許第４、６８１、６４０号に開示されてい
る。この方法では、約３．５トールより高い圧力でＣＯ
2 レーザエネルギを用いてゲルマン関連化合物を照射す
ることによって、多結晶ゲルマニウム膜が形成される。
【０００９】Ｇｅx Ｓｉ1-X 合金を付着させるためのＵ
ＨＶ／ＣＶＤ技法の例は、以下の参考文献に開示されて
いる。
ＨＶ／ＣＶＤ技法の例は、以下の参考文献に開示されて
いる。
【００１０】「シリコン／ゲルマニウムの低温エピタキ
シにおける共同成長現象(Cooperative growth phenomen
a in silicon/germanium low-temperature epitaxy) 」
（Appl. Phys. Lett. 53 (25), 1988 年12月19日, 1988
American Institute of Physics, Meyerson, Uram, Le
Goues 共著）では、５５０℃の温度でＵＨＶ／ＣＶＤを
用いて、０≦Ｇｅ／Ｓｉ≦０．２０の組成の合金を付着
させることが教示されている。
シにおける共同成長現象(Cooperative growth phenomen
a in silicon/germanium low-temperature epitaxy) 」
（Appl. Phys. Lett. 53 (25), 1988 年12月19日, 1988
American Institute of Physics, Meyerson, Uram, Le
Goues 共著）では、５５０℃の温度でＵＨＶ／ＣＶＤを
用いて、０≦Ｇｅ／Ｓｉ≦０．２０の組成の合金を付着
させることが教示されている。
【００１１】「ＵＨＶ／ＣＶＤによるＧｅx Ｓｉ1-X の
エピタキシャル層の成長( Growth of Epitaxial Layers
of Gex Si1-x by UHV/CVD) 」（Mat. Res. Soc. Symp.
Proc. Vol. 198, 1990 年, Materials Research Socie
ty, Racanelli, Greve共著）では、５７７℃乃至６６５
℃の温度でＳｉ上にＧｅx Ｓｉ1-X 組成物のエピタキシ
ャル層を成長させる方法が教示されている。
エピタキシャル層の成長( Growth of Epitaxial Layers
of Gex Si1-x by UHV/CVD) 」（Mat. Res. Soc. Symp.
Proc. Vol. 198, 1990 年, Materials Research Socie
ty, Racanelli, Greve共著）では、５７７℃乃至６６５
℃の温度でＳｉ上にＧｅx Ｓｉ1-X 組成物のエピタキシ
ャル層を成長させる方法が教示されている。
【００１２】しかしながら、上述のＣＶＤ又はＵＨＶ／
ＣＶＤに関する参考文献では、製造環境において単結晶
Ｓｉ上にＧｅを成長させるための実際的な方法について
は全く記載されていない。更に、先行技術の方法は全
て、Ｓｉのみに関連する半導体媒体上にＧｅを成長させ
ることを教示している。高スループットの製造環境にお
いて酸化物等の他の材料の上にＧｅを非選択的に成長さ
せるための実際的な方法が強く望まれている。
ＣＶＤに関する参考文献では、製造環境において単結晶
Ｓｉ上にＧｅを成長させるための実際的な方法について
は全く記載されていない。更に、先行技術の方法は全
て、Ｓｉのみに関連する半導体媒体上にＧｅを成長させ
ることを教示している。高スループットの製造環境にお
いて酸化物等の他の材料の上にＧｅを非選択的に成長さ
せるための実際的な方法が強く望まれている。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、Ｇｅ
膜を成長させる方法を提供することである。
膜を成長させる方法を提供することである。
【００１４】本発明のもう１つの目的は、付着されたＧ
ｅが連続的な表面形態を有するＧｅ膜成長方法を提供す
ることである。
ｅが連続的な表面形態を有するＧｅ膜成長方法を提供す
ることである。
【００１５】また、本発明の目的は、酸化物等の絶縁体
を含む多数の媒体上にＧｅ膜を非選択的に成長させる方
法を提供することである。
を含む多数の媒体上にＧｅ膜を非選択的に成長させる方
法を提供することである。
【００１６】更に、本発明のもう１つの目的は、低圧及
び低温を利用してＧｅ膜を成長させる方法を提供するこ
とである。
び低温を利用してＧｅ膜を成長させる方法を提供するこ
とである。
【００１７】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明による
と、６００℃より低温で約１２０ミリトールの圧力を用
い、最小分圧比を１：２５としてＢ2 Ｈ6 ／ＧｅＨ4 混
合気体を利用して、Ｇｅ膜の非選択的成長を引き起こす
ためにＵＨＶ／ＣＶＤプロセスが利用される。
と、６００℃より低温で約１２０ミリトールの圧力を用
い、最小分圧比を１：２５としてＢ2 Ｈ6 ／ＧｅＨ4 混
合気体を利用して、Ｇｅ膜の非選択的成長を引き起こす
ためにＵＨＶ／ＣＶＤプロセスが利用される。
【００１８】本発明は、十分滑らかな表面形態を有する
Ｇｅ膜の成長を容易にし、デバイス応用に必要とされる
Ｇｅ又は他の薄膜がその後に成長することを可能にす
る。
Ｇｅ膜の成長を容易にし、デバイス応用に必要とされる
Ｇｅ又は他の薄膜がその後に成長することを可能にす
る。
【００１９】
【実施例】図１を参照すると、本発明のプロセスを実行
するために利用されるＵＨＶ／ＣＶＤシステム１００
は、石英反応チャンバ１０２と、石英反応チャンバ１０
２を包囲する炉１０４と、ロードロックチャンバ１０６
と、を備えている。チャンバ１０２、炉１０４、及びロ
ードロックチャンバ１０６は、当該技術で公知の多くの
適切なＵＨＶ／ＣＶＤシステムの何れかであってもよ
い。ＶＡＴ社（Woburn,MA）製の部品番号１０７４６−
ＣＥ４４等のバルブ１１４は、ロードロックチャンバ１
０６を反応チャンバ１０２から隔離する。バルブ１１４
と同様のバルブ１１２は、ロードロックチャンバ１０６
を、一対の真空排気ポンプ１０８、１１０から隔離す
る。排気排気ポンプ１０８及び１１０は、それぞれ、Le
ybold VacuumProducts 社（Export, PA）製の部品番号
ＴＭＰ１５００及びＤ６５−ＢＣＳのようなものであ
る。これらのポンプは、ロードロックチャンバと直列に
配置され、チャンバ１０６を真空排気するために利用さ
れる。バルブ１１４と同様のバイパスバルブ１１６、及
びNupro 社（Willoughby, OH）製のモデル番号ＳＳ−４
ＢＭＲＷ等の絞りバルブ１１７は、一対の真空排気ポン
プ１１８、１２０（それぞれ、Leybold Vacuum Product
s 社（Export, PA）製の部品番号ＴＭＰ４５０及びＤ６
５−ＢＣＳである）からロードロックチャンバ１０６を
隔離するために利用される。これらのポンプもロードロ
ックチャンバ１０６に対して直列に配置されており、チ
ャンバ１０６を予備排気するために利用される。ガス
は、バルブ１３２からガスライン１３０を通ってバルブ
１１４へ供給される。バルブ１３２は、４つの異なるガ
ス源（図示せず）からのガスの混合を制御する。シラン
（ＳｉＨ4 ）は、流量コントローラ１３４及びガスライ
ン１４４を介して供給される。９９％Ｈｅと１％Ｂ2 Ｈ
6 の混合ガスは、流量コントローラ１３６及びガスライ
ン１４６を介して供給される。１０％ＧｅＨ4 と９０％
Ｈｅの混合ガスは、流量コントローラ１３８及びガスラ
イン１４８を介して供給される。Ｈ2 は、流量コントロ
ーラ１４０及びガスライン１５０を介して供給される。
これらの流量コントローラは、MKS Instruments 社（An
dover, MD ）製の部品番号１４４９Ａのように当該技術
で公知の多数のもののうちの何れかであってもよい。直
列の３つのポンプ１６０、１６２、１６４は、反応チャ
ンバ１０２から真空排気チャンバ１６６を介してガスを
排気する。この用途のために利用されるポンプ１６０、
１６２、及び１６４は、それぞれ、Leybold Vacuum Pro
ducts 社（Export, PA）製の部品番号ＴＭＰ１５００、
ＷＳ２５０、及びＤ６５−ＢＣＳであってもよい。High
Vacuum Apparatus MFG 社（Hayward, CA ）製の部品番
号２２８−０４００等のスロットルバルブ１７０、及び
バルブ１１４と同様のバルブ１７２は、ポンプ１６０と
真空排気チャンバ１６６との間に直列に接続される。HP
S 社（MKS Instruments 社（Andover, MD ）の一部門）
製のモデル番号１５１−００５０Ｋ等のバルブ１７４
は、ポンプ１６２とポンプ１６０との間に接続される。
するために利用されるＵＨＶ／ＣＶＤシステム１００
は、石英反応チャンバ１０２と、石英反応チャンバ１０
２を包囲する炉１０４と、ロードロックチャンバ１０６
と、を備えている。チャンバ１０２、炉１０４、及びロ
ードロックチャンバ１０６は、当該技術で公知の多くの
適切なＵＨＶ／ＣＶＤシステムの何れかであってもよ
い。ＶＡＴ社（Woburn,MA）製の部品番号１０７４６−
ＣＥ４４等のバルブ１１４は、ロードロックチャンバ１
０６を反応チャンバ１０２から隔離する。バルブ１１４
と同様のバルブ１１２は、ロードロックチャンバ１０６
を、一対の真空排気ポンプ１０８、１１０から隔離す
る。排気排気ポンプ１０８及び１１０は、それぞれ、Le
ybold VacuumProducts 社（Export, PA）製の部品番号
ＴＭＰ１５００及びＤ６５−ＢＣＳのようなものであ
る。これらのポンプは、ロードロックチャンバと直列に
配置され、チャンバ１０６を真空排気するために利用さ
れる。バルブ１１４と同様のバイパスバルブ１１６、及
びNupro 社（Willoughby, OH）製のモデル番号ＳＳ−４
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プ１１８、１２０（それぞれ、Leybold Vacuum Product
s 社（Export, PA）製の部品番号ＴＭＰ４５０及びＤ６
５−ＢＣＳである）からロードロックチャンバ１０６を
隔離するために利用される。これらのポンプもロードロ
ックチャンバ１０６に対して直列に配置されており、チ
ャンバ１０６を予備排気するために利用される。ガス
は、バルブ１３２からガスライン１３０を通ってバルブ
１１４へ供給される。バルブ１３２は、４つの異なるガ
ス源（図示せず）からのガスの混合を制御する。シラン
（ＳｉＨ4 ）は、流量コントローラ１３４及びガスライ
ン１４４を介して供給される。９９％Ｈｅと１％Ｂ2 Ｈ
6 の混合ガスは、流量コントローラ１３６及びガスライ
ン１４６を介して供給される。１０％ＧｅＨ4 と９０％
Ｈｅの混合ガスは、流量コントローラ１３８及びガスラ
イン１４８を介して供給される。Ｈ2 は、流量コントロ
ーラ１４０及びガスライン１５０を介して供給される。
これらの流量コントローラは、MKS Instruments 社（An
dover, MD ）製の部品番号１４４９Ａのように当該技術
で公知の多数のもののうちの何れかであってもよい。直
列の３つのポンプ１６０、１６２、１６４は、反応チャ
ンバ１０２から真空排気チャンバ１６６を介してガスを
排気する。この用途のために利用されるポンプ１６０、
１６２、及び１６４は、それぞれ、Leybold Vacuum Pro
ducts 社（Export, PA）製の部品番号ＴＭＰ１５００、
ＷＳ２５０、及びＤ６５−ＢＣＳであってもよい。High
Vacuum Apparatus MFG 社（Hayward, CA ）製の部品番
号２２８−０４００等のスロットルバルブ１７０、及び
バルブ１１４と同様のバルブ１７２は、ポンプ１６０と
真空排気チャンバ１６６との間に直列に接続される。HP
S 社（MKS Instruments 社（Andover, MD ）の一部門）
製のモデル番号１５１−００５０Ｋ等のバルブ１７４
は、ポンプ１６２とポンプ１６０との間に接続される。
【００２０】本発明のプロセスによるＵＨＶ／ＣＶＤシ
ステム１００の作用は以下の通りである。
ステム１００の作用は以下の通りである。
【００２１】まず、Ｓｉ表面が露出されたウェハ（又は
基板）は、特別のクリーニングプロセス（以下、ファン
グ洗浄（Huang clean ）と称する）を用いて予め洗浄さ
れる。ファング洗浄は、（ａ）Ｈ2 Ｏ：Ｈ2 Ｏ2 ：ＮＨ
4 ＯＨの５：１：１溶液に６５℃で１分間ウェハを浸漬
し、その後脱イオン水洗浄を行い、（ｂ）Ｈ2 Ｏ：Ｈ2
Ｏ2 ：ＨＣｌの５：１：１溶液に６５℃で１分間ウェハ
を浸漬し、その後また脱イオン水洗浄を行うことを含
む。
基板）は、特別のクリーニングプロセス（以下、ファン
グ洗浄（Huang clean ）と称する）を用いて予め洗浄さ
れる。ファング洗浄は、（ａ）Ｈ2 Ｏ：Ｈ2 Ｏ2 ：ＮＨ
4 ＯＨの５：１：１溶液に６５℃で１分間ウェハを浸漬
し、その後脱イオン水洗浄を行い、（ｂ）Ｈ2 Ｏ：Ｈ2
Ｏ2 ：ＨＣｌの５：１：１溶液に６５℃で１分間ウェハ
を浸漬し、その後また脱イオン水洗浄を行うことを含
む。
【００２２】次に、Ｓｉ表面が露出されたウェハ（又は
基板）は、希ＨＦ溶液（１０：１）中で室温で１０乃至
１５秒間エッチングされた後、ウェハボート１８０上に
載置されロードロックチャンバ１０６内に配置される。
ロードロックンバ１０６は、バルブ１１６を開放し絞り
バルブ１１７を調整することによって、ポンプ１１８、
１２０によってゆっくりと予備排気される。これによっ
て、ロードロックチャンバ１０６内の圧力は約１０乃至
５０ミリトールとされる。
基板）は、希ＨＦ溶液（１０：１）中で室温で１０乃至
１５秒間エッチングされた後、ウェハボート１８０上に
載置されロードロックチャンバ１０６内に配置される。
ロードロックンバ１０６は、バルブ１１６を開放し絞り
バルブ１１７を調整することによって、ポンプ１１８、
１２０によってゆっくりと予備排気される。これによっ
て、ロードロックチャンバ１０６内の圧力は約１０乃至
５０ミリトールとされる。
【００２３】上記の２つのクリーニング工程の目的は、
露出されたＳｉ基板表面上に自然に生じる酸化物を除去
することであるのに注意すべきである。基板表面から自
然の酸化物を除去する必要が無い場合には、これらの工
程は不要である。
露出されたＳｉ基板表面上に自然に生じる酸化物を除去
することであるのに注意すべきである。基板表面から自
然の酸化物を除去する必要が無い場合には、これらの工
程は不要である。
【００２４】次に、バルブ１１６が閉じられ、ロードロ
ックチャンバ１０６は、バルブ１１２及びポンプ１０
８、１１０によって、圧力が約１０-7トールになるまで
急速に真空排気される。
ックチャンバ１０６は、バルブ１１２及びポンプ１０
８、１１０によって、圧力が約１０-7トールになるまで
急速に真空排気される。
【００２５】次に、流量コントローラ１４０は、Ｈ2 を
バルブ１１４を通って反応チャンバ１０２内へ約６５０
sccm の速度で流出させる。
バルブ１１４を通って反応チャンバ１０２内へ約６５０
sccm の速度で流出させる。
【００２６】次にバルブ１１４が開放され、これによっ
て、ロードロックチャンバ１０６は反応チャンバ１０２
へさらされ、ウェハがロードロックチャンバ１０６から
反応チャンバ１０２へ移動される。上述の水素の流れに
よって、このウェハ移動プロセス中の２つのチャンバの
相互汚染が減少されることに注意すべきである。
て、ロードロックチャンバ１０６は反応チャンバ１０２
へさらされ、ウェハがロードロックチャンバ１０６から
反応チャンバ１０２へ移動される。上述の水素の流れに
よって、このウェハ移動プロセス中の２つのチャンバの
相互汚染が減少されることに注意すべきである。
【００２７】上述のウェハ移動ステップの間、反応チャ
ンバ１０２は、ポンプ１６０、１６２、１６４と、バル
ブ１７０、１７２、１７４とによって約２００乃至３０
０ミリトールの圧力に保持されることに注意すべきであ
る。
ンバ１０２は、ポンプ１６０、１６２、１６４と、バル
ブ１７０、１７２、１７４とによって約２００乃至３０
０ミリトールの圧力に保持されることに注意すべきであ
る。
【００２８】次に、バルブ１１４が閉じられる。これに
よって、ロードロックチャンバ１０６は反応チャンバ１
０２から封鎖される。
よって、ロードロックチャンバ１０６は反応チャンバ１
０２から封鎖される。
【００２９】次に、流量コントローラ１４０はＨ2 の流
れを停止し、流量コントローラ１３８は、ＨｅとＧｅＨ
4 の混合ガスを約１０乃至２５ sccm の速度で反応チャ
ンバ１０２を通して流し始める。反応チャンバ１０２
は、これによって、ＧｅＨ4 分圧が約２乃至５０ミリト
ールになる。反応チャンバ１０２の温度が約３００乃至
６００℃に維持されると、Ｇｅの成長が起こる。
れを停止し、流量コントローラ１３８は、ＨｅとＧｅＨ
4 の混合ガスを約１０乃至２５ sccm の速度で反応チャ
ンバ１０２を通して流し始める。反応チャンバ１０２
は、これによって、ＧｅＨ4 分圧が約２乃至５０ミリト
ールになる。反応チャンバ１０２の温度が約３００乃至
６００℃に維持されると、Ｇｅの成長が起こる。
【００３０】上記のプロセス条件下では、ＧｅはＳｉ上
に選択的に成長し、酸化物上には成長しない。また、成
長したＧｅは比較的粗い表面形態を有する。表面形態を
滑らかにし、ＧｅがＳｉ及び他の表面（絶縁体等）の双
方の上に非選択的に成長するようにするために、流量コ
ントローラ１３６が開放されて、反応チャンバ１０２内
へＢ2 Ｈ6 の流れが供給される。この目的を達成するた
めに必要なＢ2 Ｈ6 の量は、利用するＵＨＶ／ＣＶＤシ
ステムを含む全てのプロセスパラメータに依存する。し
かしながら、Ｂ2 Ｈ6 とＧｅＨ4 の最小分圧比は１：２
５でなければならないことがわかった。従って、この比
率は、上述のＧｅＨ4 の分圧と、約０．０８乃至２ミリ
トールであるＢ2 Ｈ6 の分圧との比に相関している。
に選択的に成長し、酸化物上には成長しない。また、成
長したＧｅは比較的粗い表面形態を有する。表面形態を
滑らかにし、ＧｅがＳｉ及び他の表面（絶縁体等）の双
方の上に非選択的に成長するようにするために、流量コ
ントローラ１３６が開放されて、反応チャンバ１０２内
へＢ2 Ｈ6 の流れが供給される。この目的を達成するた
めに必要なＢ2 Ｈ6 の量は、利用するＵＨＶ／ＣＶＤシ
ステムを含む全てのプロセスパラメータに依存する。し
かしながら、Ｂ2 Ｈ6 とＧｅＨ4 の最小分圧比は１：２
５でなければならないことがわかった。従って、この比
率は、上述のＧｅＨ4 の分圧と、約０．０８乃至２ミリ
トールであるＢ2 Ｈ6 の分圧との比に相関している。
【００３１】上述の模範的な実施例と矛盾しない条件に
よる１つのランのために好ましいプロセス条件は、反応
チャンパ温度が約５００℃、ＧｅＨ4 ／Ｈｅの流量が約
２０乃至２５ sccm 、プロセスの全圧が約１００乃至１
５０ミリトール、ＧｅＨ4 の分圧が約１０乃至２０ミリ
トール、Ｂ2 Ｈ6 の分圧が約０．４乃至０．８ミリトー
ルである。
よる１つのランのために好ましいプロセス条件は、反応
チャンパ温度が約５００℃、ＧｅＨ4 ／Ｈｅの流量が約
２０乃至２５ sccm 、プロセスの全圧が約１００乃至１
５０ミリトール、ＧｅＨ4 の分圧が約１０乃至２０ミリ
トール、Ｂ2 Ｈ6 の分圧が約０．４乃至０．８ミリトー
ルである。
【００３２】Ｂ2 Ｈ6 を利用する上述のプロセスによっ
て、ＳｉＯ2 、Ｓｉ3 Ｎ4 及びポリＳｉ等の絶縁体を含
む種々の基板上で、Ｇｅの成長が提供される。
て、ＳｉＯ2 、Ｓｉ3 Ｎ4 及びポリＳｉ等の絶縁体を含
む種々の基板上で、Ｇｅの成長が提供される。
【００３３】図２を参照すると、本発明の付着方法によ
って成長されたＧｅ膜の断面のＴＥＭが示されている。
図２の左側には単結晶Ｓｉ基板上での付着が示され、右
側にはＳｉＯ2 上での付着が示されている。付着は、Ｇ
ｅＨ4 分圧を８ミリトール、Ｂ2 Ｈ6 分圧を０．３５ミ
リトールとして、５００℃で行った。図２からわかるよ
うに、付着されたＧｅは連続的である。酸化物上では、
Ｇｅの成長前の潜伏期間によって、結果的に、Ｓｉ基板
上に成長するＧｅ層よりも薄いＧｅ層が得られることに
注意する。実際、酸化物表面では約９乃至１０オングス
トローム／分の付着速度が観測されたが、単結晶Ｓｉ上
では約２０オングストローム／分の付着速度が観測され
た。
って成長されたＧｅ膜の断面のＴＥＭが示されている。
図２の左側には単結晶Ｓｉ基板上での付着が示され、右
側にはＳｉＯ2 上での付着が示されている。付着は、Ｇ
ｅＨ4 分圧を８ミリトール、Ｂ2 Ｈ6 分圧を０．３５ミ
リトールとして、５００℃で行った。図２からわかるよ
うに、付着されたＧｅは連続的である。酸化物上では、
Ｇｅの成長前の潜伏期間によって、結果的に、Ｓｉ基板
上に成長するＧｅ層よりも薄いＧｅ層が得られることに
注意する。実際、酸化物表面では約９乃至１０オングス
トローム／分の付着速度が観測されたが、単結晶Ｓｉ上
では約２０オングストローム／分の付着速度が観測され
た。
【００３４】図３を参照すると、本発明の付着方法によ
って成長されたＧｅ膜の断面ＴＥＭが示されている。図
３の左側には単結晶Ｓｉ基板上での付着が示され、右側
には多結晶Ｓｉ（ポリシリコン）基板上での付着が示さ
れている。付着は、ＧｅＨ4分圧を８ミリトール、Ｂ2
Ｈ6 分圧を０．３５ミリトールとして、５００℃で行っ
た。多結晶Ｓｉ上でのＧｅの成長前潜伏期間は、単結晶
Ｓｉのそれとあまり違わないことに注意すべきである。
従って、Ｇｅの厚さは２つの基板上でほぼ一定のままで
ある。
って成長されたＧｅ膜の断面ＴＥＭが示されている。図
３の左側には単結晶Ｓｉ基板上での付着が示され、右側
には多結晶Ｓｉ（ポリシリコン）基板上での付着が示さ
れている。付着は、ＧｅＨ4分圧を８ミリトール、Ｂ2
Ｈ6 分圧を０．３５ミリトールとして、５００℃で行っ
た。多結晶Ｓｉ上でのＧｅの成長前潜伏期間は、単結晶
Ｓｉのそれとあまり違わないことに注意すべきである。
従って、Ｇｅの厚さは２つの基板上でほぼ一定のままで
ある。
【００３５】図４のグラフを参照すると、酸化物上に成
長したインサイチューホウ素ドープＧｅの面積抵抗は約
７オーム／□（単位面積当り）であり、Ｓｉ上に成長し
たインサイチューホウ素ドープＧｅの面積抵抗は約１６
オーム／□（単位面積当り）である。これは、ポリシリ
コン材料よりも高い電気伝導率を示す。また図４は、付
着されたＧｅの面積抵抗が、４００℃と８００℃との間
であるプロセス温度に関して比較的一定であることを示
している。これは、インサイチュードープホウ素が付着
温度において既に活性化されていることを示す。従っ
て、所望の面積抵抗はＧｅ膜のインサイチューホウ素ド
ーピング濃度を変更することによって容易に達成するこ
とができ、この達成された抵抗は、８００℃に達する次
のアニーリング工程で変化する心配はない。
長したインサイチューホウ素ドープＧｅの面積抵抗は約
７オーム／□（単位面積当り）であり、Ｓｉ上に成長し
たインサイチューホウ素ドープＧｅの面積抵抗は約１６
オーム／□（単位面積当り）である。これは、ポリシリ
コン材料よりも高い電気伝導率を示す。また図４は、付
着されたＧｅの面積抵抗が、４００℃と８００℃との間
であるプロセス温度に関して比較的一定であることを示
している。これは、インサイチュードープホウ素が付着
温度において既に活性化されていることを示す。従っ
て、所望の面積抵抗はＧｅ膜のインサイチューホウ素ド
ーピング濃度を変更することによって容易に達成するこ
とができ、この達成された抵抗は、８００℃に達する次
のアニーリング工程で変化する心配はない。
【００３６】図５を参照すると、本発明に従う付着方法
によって単結晶Ｓｉ基板上に成長されたＧｅ膜の断面Ｔ
ＥＭが示されている。付着は、ＧｅＨ4 分圧を９ミリト
ール、Ｂ2 Ｈ6 分圧を０．４ミリトールとして、５００
℃で行った。
によって単結晶Ｓｉ基板上に成長されたＧｅ膜の断面Ｔ
ＥＭが示されている。付着は、ＧｅＨ4 分圧を９ミリト
ール、Ｂ2 Ｈ6 分圧を０．４ミリトールとして、５００
℃で行った。
【００３７】図６を参照すると、本発明に従う付着方法
によって単結晶Ｓｉ基板上に成長されたＧｅ膜の断面Ｔ
ＥＭが示されている。図５に示されたプロセスよりもか
なり多量のＢ2 Ｈ6 を使用した。付着は、ＧｅＨ4 分圧
を２ミリトール、Ｂ2 Ｈ6 分圧を０．１８ミリトールと
して、３５０℃で行った。
によって単結晶Ｓｉ基板上に成長されたＧｅ膜の断面Ｔ
ＥＭが示されている。図５に示されたプロセスよりもか
なり多量のＢ2 Ｈ6 を使用した。付着は、ＧｅＨ4 分圧
を２ミリトール、Ｂ2 Ｈ6 分圧を０．１８ミリトールと
して、３５０℃で行った。
【００３８】図７を参照すると、本発明に従う付着方法
によって単結晶Ｓｉ基板上に成長されたＧｅ膜の断面Ｔ
ＥＭが示されている。この構造体を得るためには、まず
Ｂ2Ｈ6 を使用せずに付着を行い、次にＢ2 Ｈ6 を入れ
て付着を完了させた。Ｂ2 Ｈ6 添加時には、ＧｅＨ4 分
圧を８ミリトール、Ｂ2 Ｈ6 分圧を０．３５ミリトール
として、５００℃でプロセスを実行した。この図面か
ら、付着されている初期のＧｅは粗い表面形態を有する
ことがわかるに違いない。Ｂ2 Ｈ6 が添加された後は、
Ｇｅの表面形態は滑らかになり、島と島との間の領域が
充満された。次に、図６で説明され図示されたのと同様
に、連続して付着が行われた。
によって単結晶Ｓｉ基板上に成長されたＧｅ膜の断面Ｔ
ＥＭが示されている。この構造体を得るためには、まず
Ｂ2Ｈ6 を使用せずに付着を行い、次にＢ2 Ｈ6 を入れ
て付着を完了させた。Ｂ2 Ｈ6 添加時には、ＧｅＨ4 分
圧を８ミリトール、Ｂ2 Ｈ6 分圧を０．３５ミリトール
として、５００℃でプロセスを実行した。この図面か
ら、付着されている初期のＧｅは粗い表面形態を有する
ことがわかるに違いない。Ｂ2 Ｈ6 が添加された後は、
Ｇｅの表面形態は滑らかになり、島と島との間の領域が
充満された。次に、図６で説明され図示されたのと同様
に、連続して付着が行われた。
【００３９】図８を参照すると、本発明に従う付着方法
によって単結晶Ｓｉ基板上に成長されたＧｅ膜の断面Ｔ
ＥＭが示されている。図８に示される構造体は、付着開
始時から付着終了時まで、Ｂ2 Ｈ6 の使用量を傾斜させ
ることによって付着された。プロセスは、ＧｅＨ4 分圧
を２ミリトールとして、３５０℃で行った。Ｂ2 Ｈ
6は、約１０-3ミリトールから約０．２ミリトールまで
傾斜された。図８からわかるように、初期付着（比較的
少量のＢ2 Ｈ6 が使用される）は、図５に示されたプロ
セスでの初期付着と全く同様に始まる。最終構造体又は
付着したＧｅの頂部層は、Ｂ2 Ｈ6 の濃度が高い。従っ
て、頂部表面形態は、図６に示された構造体と同様であ
る。
によって単結晶Ｓｉ基板上に成長されたＧｅ膜の断面Ｔ
ＥＭが示されている。図８に示される構造体は、付着開
始時から付着終了時まで、Ｂ2 Ｈ6 の使用量を傾斜させ
ることによって付着された。プロセスは、ＧｅＨ4 分圧
を２ミリトールとして、３５０℃で行った。Ｂ2 Ｈ
6は、約１０-3ミリトールから約０．２ミリトールまで
傾斜された。図８からわかるように、初期付着（比較的
少量のＢ2 Ｈ6 が使用される）は、図５に示されたプロ
セスでの初期付着と全く同様に始まる。最終構造体又は
付着したＧｅの頂部層は、Ｂ2 Ｈ6 の濃度が高い。従っ
て、頂部表面形態は、図６に示された構造体と同様であ
る。
【００４０】図９を参照すると、本発明に従う付着方法
によってＳｉＯ2 基板上に成長されたＧｅ膜の断面ＴＥ
Ｍが示されている。この構造体を得るためには、まず非
常に少量のＢ2 Ｈ6 ガスを用いて付着を行い、次にＢ2
Ｈ6 ガス量を段階式に急速に増やして付着を完了させ
た。プロセスは、ＧｅＨ4 分圧を２ミリトールとし、付
着開始時のＢ2 Ｈ6 分圧を約１０-3ミリトール、Ｂ2 Ｈ
6 を増加したときには約０．１８ミリトールとして、３
５０℃で行った。この図面から、低温及び少量のＢ2 Ｈ
6 の結果、粗い不連続の形態を有するＧｅ膜が得られる
ことがわかるに違いない。また。このプロセスの付着速
度は、図２〜図３、及び図５〜図８に示された付着と比
較して、非常に遅い。
によってＳｉＯ2 基板上に成長されたＧｅ膜の断面ＴＥ
Ｍが示されている。この構造体を得るためには、まず非
常に少量のＢ2 Ｈ6 ガスを用いて付着を行い、次にＢ2
Ｈ6 ガス量を段階式に急速に増やして付着を完了させ
た。プロセスは、ＧｅＨ4 分圧を２ミリトールとし、付
着開始時のＢ2 Ｈ6 分圧を約１０-3ミリトール、Ｂ2 Ｈ
6 を増加したときには約０．１８ミリトールとして、３
５０℃で行った。この図面から、低温及び少量のＢ2 Ｈ
6 の結果、粗い不連続の形態を有するＧｅ膜が得られる
ことがわかるに違いない。また。このプロセスの付着速
度は、図２〜図３、及び図５〜図８に示された付着と比
較して、非常に遅い。
【００４１】上述の図２〜図３、及び図５〜図９で説明
され図示された付着Ｇｅには、測定可能な炭素又は酸素
の不純物は全く取り込まれなかったことに注意すべきで
ある。同様に、Ｇｅ／Ｓｉ界面で測定可能な炭素又は酸
素は全く検出されなかった。従って、本発明の方法は、
Ｇｅ／Ｓｉ界面での界面酸素を排除又は制御するために
利用することができる。また、本発明に従って付着され
た構造体の表面形態は滑らかであり、付着に続くアニー
リングによって更に改良されることにも注意すべきであ
る。アニーリング温度は８００℃が好ましいことがわか
った。
され図示された付着Ｇｅには、測定可能な炭素又は酸素
の不純物は全く取り込まれなかったことに注意すべきで
ある。同様に、Ｇｅ／Ｓｉ界面で測定可能な炭素又は酸
素は全く検出されなかった。従って、本発明の方法は、
Ｇｅ／Ｓｉ界面での界面酸素を排除又は制御するために
利用することができる。また、本発明に従って付着され
た構造体の表面形態は滑らかであり、付着に続くアニー
リングによって更に改良されることにも注意すべきであ
る。アニーリング温度は８００℃が好ましいことがわか
った。
【００４２】更に、注意すべきことは、本発明によるＧ
ｅ付着が（１００）Ｓｉ表面上で実行された点である。
しかしながら、付着基板として、他の結晶配向のＳｉ表
面も利用することができる。
ｅ付着が（１００）Ｓｉ表面上で実行された点である。
しかしながら、付着基板として、他の結晶配向のＳｉ表
面も利用することができる。
【００４３】更に、本発明の方法に従う非選択的Ｇｅ付
着のために上記ではホウ素が唯一のドーパントとして特
に使用されたが、上記で開示されていない他のドーパン
トも同一の目的で使用することができる。
着のために上記ではホウ素が唯一のドーパントとして特
に使用されたが、上記で開示されていない他のドーパン
トも同一の目的で使用することができる。
【００４４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のＧｅ付着
方法は、酸化物等の絶縁体を含む種々の媒体上にＧｅ膜
を非選択的に成長させることができるという優れた効果
を有する。
方法は、酸化物等の絶縁体を含む種々の媒体上にＧｅ膜
を非選択的に成長させることができるという優れた効果
を有する。
【図１】本発明の方法のために利用されるＵＨＶ／ＣＶ
Ｄシステムの略ブロック図である。
Ｄシステムの略ブロック図である。
【図２】本発明の方法に従って単結晶Ｓｉ及びＳｉＯ2
の双方の上に成長されたＧｅ薄膜構造体の断面の透過型
電子顕微鏡写真（ＴＥＭ）である。
の双方の上に成長されたＧｅ薄膜構造体の断面の透過型
電子顕微鏡写真（ＴＥＭ）である。
【図３】本発明の方法に従って単結晶Ｓｉ及び多結晶Ｓ
ｉの双方の上に成長されたＧｅ薄膜構造体の断面ＴＥＭ
である。
ｉの双方の上に成長されたＧｅ薄膜構造体の断面ＴＥＭ
である。
【図４】本発明の方法に従って酸化物上及びＳｉ上に成
長されたＧｅ薄膜について、面積抵抗とアニーリング温
度との関係を示すグラフである。
長されたＧｅ薄膜について、面積抵抗とアニーリング温
度との関係を示すグラフである。
【図５】本発明の方法に従って比較的少量のＢ2 Ｈ6 ガ
スを用いて単結晶Ｓｉ上に成長されたＧｅ薄膜構造体の
断面ＴＥＭである。
スを用いて単結晶Ｓｉ上に成長されたＧｅ薄膜構造体の
断面ＴＥＭである。
【図６】本発明の方法による図５の構造体より多量のＢ
2 Ｈ6 ガスを用いて単結晶Ｓｉ上に成長されたＧｅ薄膜
構造体の断面ＴＥＭである。
2 Ｈ6 ガスを用いて単結晶Ｓｉ上に成長されたＧｅ薄膜
構造体の断面ＴＥＭである。
【図７】本発明の方法に従って、まずＢ2 Ｈ6 ガスを使
用せず、次にＢ2 Ｈ6 ガスを添加して単結晶Ｓｉ上に成
長されたＧｅ薄膜構造体の断面ＴＥＭである。
用せず、次にＢ2 Ｈ6 ガスを添加して単結晶Ｓｉ上に成
長されたＧｅ薄膜構造体の断面ＴＥＭである。
【図８】本発明の方法に従って、Ｂ2 Ｈ6 ガスの量を傾
斜させながら、単結晶Ｓｉ上に成長されたＧｅ薄膜構造
体の断面ＴＥＭである。
斜させながら、単結晶Ｓｉ上に成長されたＧｅ薄膜構造
体の断面ＴＥＭである。
【図９】本発明の方法に従って、まずＢ2 Ｈ6 ガスを使
用せず、次にＢ2 Ｈ6 ガスを添加してＳｉＯ2 上に成長
されたＧｅ薄膜構造体の断面ＴＥＭである。
用せず、次にＢ2 Ｈ6 ガスを添加してＳｉＯ2 上に成長
されたＧｅ薄膜構造体の断面ＴＥＭである。
１００ ＵＨＶ／ＣＶＤシステム １０２ 石英反応チャンバ １０４ 炉 １０６ ロードロックチャンバ １１４ バルブ １３４、１３６、１３８、１４０ 流量コントローラ １４４、１４６、１４８、１５０ ガスライン １６６ 真空排気チャンバ １８０ ウェハボート
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジャック ウーン チュー アメリカ合衆国11103、ニューヨーク州ア ストリア、フォーティーセカンド ストリ ート 32−46 (72)発明者 ブライアン カニンガム アメリカ合衆国12528、ニューヨーク州ハ イランド、スターリング プレイス 206 (72)発明者 グレゴリー フィッツギッボン アメリカ合衆国12533、ニューヨーク州ホ ープウェル ジャンクション、タワー ロ ード ４ (72)発明者 サムナク ラタナファニャラト アメリカ合衆国12603、ニューヨーク州パ キプシ、ケヴィン ハイツ 16エイ (56)参考文献 特開 昭59−43575（ＪＰ，Ａ)
Claims (7)
- 【請求項１】 反応チャンバ及びロードロックチャンバ
を備える超高真空化学蒸着（ＵＨＶ／ＣＶＤ）装置中で
基板上にＧｅを非選択的に付着させるための方法であっ
て、（ａ）前記基板を前記ロードロックチャンバに載置
し、前記ロードロックチャンバを約１０乃至５０ミリト
ールの圧力まで予備排気し、次いで前記ロードロックチ
ャンバを約１０ -7 トールの圧力まで急速に真空排気する
工程と、（ｂ）前記反応チャンバを１０-7トールより低
い圧力へ真空排気する工程と、（ｃ）水素（Ｈ 2 ）を前
記反応チャンバ内へ約６５０sccmの速度で流出させる工
程と、（ｄ）前記ロードロックチャンバを前記反応チャ
ンバに対して開放し、基板を前記ロードロックチャンバ
から前記反応チャンバへ移動し、それによって前記ロー
ドロックチャンバから前記反応チャンバへの前記基板の
移動の間、前記工程のＨ 2 の流出が前記ロードロックチ
ャンバ及び前記反応チャンバの相互汚染を低減する工程
と、（ｅ）前記基板を３００°Ｃ乃至６００°Ｃまで加
熱する工程と、（ｆ）Ｈ 2 の流出を停止し、ＧｅＨ 4 、
Ｈｅ及びＢ 2 Ｈ 6 ガスの混合物を前記反応チャンバに提
供する工程であって、ＧｅＨ 4 の分圧を約２乃至５０ミ
リトールにするように約１０乃至２５sccmの速度でＧｅ
Ｈ 4 及びＨｅを流し、且つＢ 2 Ｈ 6 の分圧を約０．０８
乃至２ミリトールにするのに十分な速度でＢ 2 Ｈ 6 を流
し、それによって混合物がＧｅＨ 4 対Ｂ 2 Ｈ 6 分圧比２
５：１を有する前記混合物の提供工程と、を含むＧｅ付
着方法。 - 【請求項２】 前記基板はＳｉから構成される請求項１
記載のＧｅ付着方法。 - 【請求項３】 前記工程（ａ）の前に、前記基板をＨ 2
Ｏ：ＨＦの約１０：１溶液に室温で約１０乃至１５秒間
浸漬する工程を更に含む請求項１又は２記載のＧｅ付着
方法。 - 【請求項４】 前記基板は絶縁体から構成される請求項
１記載のＧｅ付 着方法。 - 【請求項５】 前記工程（ａ）の前に、前記基板を、Ｈ
2 Ｏ：Ｈ2 Ｏ2 ：ＮＨ4 ＯＨの約５：１：１溶液に約６
５°Ｃで約１分間浸漬する工程と、前記基板を脱イオン
Ｈ2 Ｏで洗浄する工程と、前記基板を、Ｈ2 Ｏ：Ｈ2 Ｏ
2 ：ＨＣＬの約５：１：１溶液に約６５°Ｃで約１分間
浸漬する工程と、前記基板を脱イオンＨ2 Ｏで洗浄する
工程と、を更に含む請求項１、２及び３のいずれか記載
のＧｅ付着方法。 - 【請求項６】 反応チャンバ及びロードロックチャンバ
を備える超高真空化学蒸着（ＵＨＶ／ＣＶＤ）装置中で
基板上にＧｅを非選択的に付着させるための方法であっ
て、（ａ）前記基板を、Ｈ 2 Ｏ：Ｈ 2 Ｏ 2 ：ＮＨ 4 ＯＨ
の約５：１：１溶液に約６５°Ｃで約１分間浸漬する工
程と、（ｂ）前記基板を脱イオンＨ 2 Ｏで洗浄する工程
と、（ｃ）前記基板を、Ｈ 2 Ｏ：Ｈ 2 Ｏ 2 ：ＨＣＬの約
５：１：１溶液に約６５°Ｃで約１分間浸漬する工程
と、（ｄ）前記基板を脱イオンＨ 2 Ｏで洗浄する工程
と、（ｅ）前記基板をＨ 2 Ｏ：ＨＦの約１０：１溶液に
室温で約１０乃至１５秒間浸漬する工程と、（ｆ）前記
基板を前記ロードロックチャンバに載置し、前記ロード
ロックチャンバを約１０乃至５０ミリトールの圧力まで
予備排気し、次いで前記ロードロックチャンバを約１０
-7 トールの圧力まで急速に真空排気する工程と、（ｇ）
前記反応チャンバを１０ -7 トールより低い圧力へ真空排
気する工程と、（ｈ）水素（Ｈ 2 ）を前記反応チャンバ
内へ約６５０sccmの速度で流出させる工程と、（ｉ）前
記ロードロックチャンバを前記反応チャンバに対して開
放し、基板を前記ロードロックチャンバから前記反応チ
ャンバへ移動し、それによって前記ロードロックチャン
バから前記反応チャンバへの前記基板の移動の間、前記
工程のＨ 2 の流出が前記ロードロックチャンバ及び前記
反応チャンバの相互汚染を低減する工程と、（ｊ）前記
反応チャンバ及び前記基板を３００°Ｃ乃至６００°Ｃ
まで加熱する工程と、（ｋ）Ｈ 2 の流出を停止し、Ｇｅ
Ｈ 4 、Ｈｅ及びＢ 2 Ｈ 6 ガスの混合物を前記反応チャン
バに提供する工程であって、ＧｅＨ 4 の分圧を２乃至５
０ミリトールにするように約１０乃至２５sccmの速度で
ＧｅＨ 4 及びＨｅを流し、且つＢ 2 Ｈ 6 の分圧を０．０
８乃至２ミリトールにするのに十分な速度でＢ 2 Ｈ 6 を
流し、それによって混合物がＧｅＨ 4 対Ｂ 2 Ｈ 6 分圧比
２５：１を有する前記混合物の提供工程と、 を含むＧｅ
付着方法。 - 【請求項７】 前記基板はＳｉ及び絶縁体から成る群か
ら選択される少なくとも１種から構成される請求項６記
載のＧｅ付着方法。
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