JPH07159975A - フォトマスクおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 製造および修正が容易にできるフォトマスク
およびその製造技術を提供する。 【構成】 ガラス基板１の表面に設けられているマスク
パターン２と、前記ガラス基板１の基板表面に設けられ
ている前記ガラス基板１よりも光透過率が小さい材料か
らなるＳＯＧ膜３とを備え、前記ＳＯＧ膜３の膜厚を調
整することにより、前記ＳＯＧ膜３の光透過量を調整
し、それによって前記ＳＯＧ膜３が所望のパターン寸法
に形成されていない領域に接触して形成されている前記
ＳＯＧ膜３における膜厚を調整することにより、前記フ
ォトマスクの修正を容易にすると共に、所望の高精度の
フォトマスクを得る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、フォトマスクおよびそ
の製造方法に関し、特に、製造および修正が容易なフォ
トマスクに適用して有効な技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体集積回路装置の製造工程において
は、フォトエッチング技術が多用されており、そのフォ
トエッチング技術を用いて微細加工が行われている。

【０００３】前記フォトエッチング技術においては、露
光用のマスクとなるフォトマスクが必要である。

【０００４】前記フォトマスクの製造方法としては、回
路設計段階で規定されたフォトマスクのマスクパターン
をコンピュータによって図形化し、その情報に基づいて
マスク基板にマスクパターンを形成することが行われて
いる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところが、前記フォト
マスクを使用してフォトエッチング技術を行うと、フォ
トエッチング用マスクとなるフォトレジスト膜に形成さ
れるフォトレジストパターン寸法と、前記フォトマスク
におけるマスクパターン寸法との間にリニアリティのず
れが生じる場合があることを、本発明者は見い出した。

【０００６】このフォトレジストパターンとフォトマス
クパターンとのリニアリティのずれを修正するために、
マスクパターンを製作するためのコンピュータのデータ
に補正用のデータを取り組んでパターンの修正を行うこ
とが考えられる。

【０００７】しかしながら、マスクパターン寸法の補正
データをマスクパターンの製作用のコンピュータのデー
タに取り組んで修正処理を行う場合、フォトマスク一枚
あたりのコンピュータ処理の時間が、修正を不要として
いるものに比較して極めて増大する。

【０００８】さらに、前述した技術では、マスクパター
ン寸法を補正した後のフォトマスクでは、フォトエッチ
ング工程においてフォトレジスト膜の露光を行った場合
に、ハレーション（halation）などが現れたりして、前
記フォトレジスト膜に所望のフォトエッチング用マスク
パターンを形成することができないという問題点が発生
する。

【０００９】そのため、前記フォトマスクのマスクパタ
ーンを繰り返し修正する作業が必要になるという問題点
が発生する。

【００１０】本発明の一つの目的は、製造および修正が
簡単にできるフォトマスクを提供することにある。

【００１１】本発明の他の目的は、製造および修正が簡
単にできるフォトマスクの製造技術を提供することにあ
る。

【００１２】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明において開示され
る発明のうち、代表的なものの概要を説明すれば、以下
のとおりである。

【００１４】請求項１記載の発明は、フォトマスク基板
の表面に設けられているマスクパターンと、前記フォト
マスク基板の表面に設けられている前記フォトマスク基
板よりも光透過率が小さい材料からなる薄膜パターンと
を備えたものである。

【００１５】

【作用】前記した手段によれば、前記フォトマスク基板
よりも光透過率が小さい材料からなる前記薄膜パターン
を備えているために、前記薄膜パターンの膜厚を調整す
ることにより、前記薄膜パターンの光透過量を調整で
き、それによってフォトエッチング工程において露光量
を他の領域とは異なるように調整できるために、前記マ
スクパターンが所望のパターン寸法に形成されていない
領域に接触して形成されている前記薄膜パターンの膜厚
を調整することにより、所望の高精度のフォトマスクを
得ることができる。

【００１６】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。なお、実施例を説明するための全図におい
て同一機能を有するものは同一の符号を付し、重複説明
は省略する。

【００１７】（実施例１）図１〜図４は、本発明の一実
施例であるフォトマスクおよびその製造工程を示す断面
図であり、以下、これらの図を用いて、本発明のフォト
マスクの具体的な製造方法について説明する。

【００１８】まず、図１に示すように、フォトマスク基
板となる光透過率の高いガラス基板１の表面に、光遮光
性の材料である遮光膜をもってマスクパターン２を形成
する。前記遮光膜としては、クロム（Ｃｒ）膜、クロム
膜と酸化クロム膜との２層膜、モリブデン（Ｍｏ）膜な
どを使用する。

【００１９】次に、図２に示すように、前記ガラス基板
１上に、前記ガラス基板１の光透過率よりも小さい光透
過率を有するリン（Ｐ）が含まれているＳＯＧ (Spin O
n Glass)膜３を形成する。前記ＳＯＧ膜３は、前記ガラ
ス基板１よりも光透過率が小さいため、その膜厚を調整
することにより、前記ガラス基板１に比較して前記ＳＯ
Ｇ膜３を通過する露光量を小さくすることができるもの
である。

【００２０】前記ＳＯＧ膜３の形成にあたっては、前記
ガラス基板１をスピンナの回転板にセットし、前記ガラ
ス基板１の表面に、リン（Ｐ）が含まれているＳＯＧ液
を滴下したのち、前記回転板を高速回転させることによ
り前記ガラス基板１上に平坦で均一な膜厚を有する前記
ＳＯＧ膜３を形成する手法を採用している。

【００２１】次に、図３に示すように、フォトエッチン
グ技術を用いて、前記マスクパターン２上の前記ＳＯＧ
膜３を選択的に取り除き、前記マスクパターン２が形成
されていない前記ガラス基板１の表面に形成されている
前記ＳＯＧ膜３のみを残存させる作業を行う。

【００２２】次に、前記マスクパターン２を形成してい
る前記ガラス基板１の前記マスクパターン２の形成状態
を検査する。

【００２３】次に、図４に示すように、前記マスクパタ
ーン２の形成状態を検査した情報データに基づき、前記
マスクパターン２における設計値寸法との寸法誤差の違
いに対応させて、前記ＳＯＧ膜３の膜厚を調整するため
に、前記ＳＯＧ膜３の表面から前記情報データに対応さ
せて、エッチングを行い前記ＳＯＧ膜３の膜厚を調整す
る。

【００２４】具体的には、図４に示すように、前記マス
クパターン２におけるスルーホール２ａが設計通りの寸
法に形成されている場合は、前記スルーホール２ａ領域
の前記ＳＯＧ膜３を取り除く作業を行う。

【００２５】また、前記マスクパターン２におけるスル
ーホール２ｂが設計通りの寸法に形成されておらず、修
正する必要がある場合は、前記スルーホール２ｂ領域の
前記ＳＯＧ膜３ｂの膜厚を小さくして、この領域の光透
過量を前記ＳＯＧ膜３ｂによって調整し、前記スルーホ
ール２ｂの設計寸法値との誤差を前記ＳＯＧ膜３ｂによ
って調整し、設計寸法値との誤差がないスルーホール２
ｂに照合するものとする。

【００２６】さらに、前記マスクパターン２におけるス
ルーホール２ｃが設計通りの寸法に形成されておらず、
修正する必要がある場合は、前記スルーホール２ｃ領域
の前記ＳＯＧ膜３ｃの膜厚を小さくして、この領域の光
透過量を前記ＳＯＧ膜３ｃによって調整し、前記スルー
ホール２ｃの設計寸法値との誤差を前記ＳＯＧ膜３ｃに
よって調整し、設計寸法値との誤差がないマスクパター
ン２におけるスルーホール２ｃに照合するものとする。
この場合、前記スルーホール２ｃの設計寸法からの誤差
が、前記スルーホール２ｂの設計寸法からの誤差よりも
大きいときは、前記スルーホール２ｂ領域の前記ＳＯＧ
膜３ｂの膜厚よりも前記スルーホール２ｃ領域の前記Ｓ
ＯＧ膜３ｃの膜厚を大きくする。

【００２７】次に、本実施例におけるフォトマスクの製
造技術における前記フォトマスクの修正を、図５を用い
て、より具体的に説明する。

【００２８】図５に示すものは、前記フォトマスクを用
いて半導体集積回路装置を製造する場合おいて、前記半
導体集積回路装置の半導体基板４の表面に形成されてい
る酸化シリコン膜５に、不純物拡散用孔をフォトエッチ
ング技術を用いて形成する工程があるが、その場合に、
前記酸化シリコン膜５の表面に形成されているフォトレ
ジスト膜６に、露光装置を用いて所定の露光処理を行う
ことにより、設計寸法通りのフォトエッチング用マスク
パターンを形成している状態を示している。

【００２９】前記フォトマスクにおける前記マスクパタ
ーン２の前記スルーホール２ａについては、設計値寸法
との誤差がない正常なスルーホール２ａの寸法である場
合を示している。すなわち、前記スルーホール２ａを通
して露光される前記フォトレジスト膜６における露光に
よって感光される領域の寸法ｅとの誤差がなく、前記ス
ルーホール２ａに形成されている前記ＳＯＧ膜３を完全
に取り除いて良い場合を示している。

【００３０】また、寸法ｄは、前記ＳＯＧ膜３が設けら
れていない場合における前記スルーホール２ａを通して
露光され、感光される前記フォトレジスト膜６の領域の
寸法値を示すものである。なお、図面上には、図示上の
区別を付けるために異なる寸法として示しているが、こ
の場合には、前記寸法ｄと前記寸法ｅとは同一である。

【００３１】また、現実の露光装置においては、前記フ
ォトマスクを通過した露光用の光線束は、前記フォトレ
ジスト膜６では、露光用光線によるハレーション（hala
tion）によって前記フォトレジスト膜６の不要な感光領
域を出現させ、ぼやけた形状にすることが多い。

【００３２】しかしながら、前記スルーホール２ａは、
小さな寸法値で形成されていることが主原因となって、
スルーホール２ａの形成時の製造上の誤差の発生および
ハレーション現象による設計値寸法と比較しての寸法値
の誤差が少ない場合である。

【００３３】前記フォトマスクにおける前記マスクパタ
ーン２のスルーホール２ｂについては、設計値寸法との
誤差があり、修正を行う必要があるスルーホール２ｂの
寸法である場合を示している。

【００３４】すなわち、前記スルーホール２ｂを通して
露光される前記フォトレジスト膜６における露光によっ
て感光される領域の寸法ｇは、設計値の寸法と誤差が生
じており、前記スルーホール２ｂの寸法を設計値寸法に
合わせるためには小さくする修正を必要とするものであ
る。そこで、前記スルーホール２ｂの寸法を修正する代
わりに、この領域のＳＯＧ膜３ｂの膜厚を調整して、こ
の領域を通して露光される前記フォトレジスト膜６にお
ける露光量を調節する操作を行っている。

【００３５】また、寸法ｇは、前記ＳＯＧ膜３が設けら
れていない場合における前記スルーホール２ｂを通して
露光され、感光される前記フォトレジスト膜６の領域の
寸法値を示すものである。また、寸法ｆは、前記ＳＯＧ
膜３ｂが設けられている場合における前記スルーホール
２ｂを通して露光され、感光される前記フォトレジスト
膜６の領域の寸法値を示すものである。

【００３６】この場合は、前記スルーホール２ｂは、前
記スルーホール２ａよりも大きな寸法値で形成されてい
ることが主原因となって、スルーホール２ｂの形成時の
製造上の誤差の発生およびハレーション現象による寸法
値の誤差が生じる場合である。

【００３７】しかしながら、前記ＳＯＧ膜３ｂによる修
正によって、感光される前記フォトレジスト膜６の領域
の寸法ｆが、前記寸法ｇよりも小さくなり、設計値寸法
と合致するようになっている。

【００３８】前記フォトマスクにおける前記マスクパタ
ーン２のスルーホール２ｃについては、設計値寸法との
誤差があり、修正を行う必要があるスルーホール２ｃの
寸法である場合を示している。

【００３９】また、前記スルーホール２ｃについては、
前記スルーホール２ｂよりも大きな寸法の孔であるた
め、設計値寸法との誤差が前記スルーホール２ｂについ
ての設計値寸法との誤差よりも大きく、修正を行う際に
は前記スルーホール２ｂよりも大幅に修正を行う必要が
あるものとする。

【００４０】すなわち、前記スルーホール２ｃを通して
露光される前記フォトレジスト膜６における露光によっ
て感光される領域の寸法ｊは、設計値の寸法と誤差が生
じており、前記スルーホール２ｃの寸法を設計値寸法に
合わせるためには小さくする修正を必要とするものであ
る。そこで、前記スルーホール２ｃの寸法を修正する代
わりに、この領域のＳＯＧ膜３ｃの膜厚を調整して、こ
の領域を通して露光される前記フォトレジスト膜６にお
ける露光量を調節する操作を行っている。

【００４１】また、寸法ｊは、前記ＳＯＧ膜３が設けら
れていない場合における前記スルーホール２ｃを通して
露光され、感光される前記フォトレジスト膜６の領域の
寸法値を示すものである。また、寸法ｈは、前記ＳＯＧ
膜３ｃが設けられている場合における前記スルーホール
２ｃを通して露光され、感光される前記フォトレジスト
膜６の領域の寸法値を示すものである。

【００４２】この場合は、前記スルーホール２ｃは、前
記スルーホール２ｂよりも大きな寸法値で形成されてい
ることが主原因となって、スルーホール２ｃの形成時の
製造上の誤差の発生およびハレーション現象による寸法
値の誤差が前記スルーホール２ｂよりも大きく生じる場
合である。

【００４３】しかしながら、前記ＳＯＧ膜３ｃによる修
正によって、感光される前記フォトレジスト膜６の領域
の寸法ｈが、前記寸法ｊよりも小さくなり、設計値寸法
と合致するようになっている。

【００４４】前述したように、本実施例においては、フ
ォトマスクを製造した後に、前記マスクパターン２の寸
法が設計値寸法と誤差があり、前記マスクパターン２の
修正が必要な場合において、設計値寸法と同じ寸法のマ
スクパターンの機能とするために、前記ＳＯＧ膜３の膜
厚を調整することにより、設計値寸法に対応したマスク
パターン３を有するフォトマスクを製造することができ
る。

【００４５】前述したように、本実施例においては、フ
ォトマスクを製造した後に、前記マスクパターン２の寸
法が、設計値寸法と誤差があり、前記マスクパターン２
の修正が必要な場合において、設計値寸法と同じ寸法の
マスクパターンの機能とするために、新たにマスクパタ
ーンの材料である遮光膜をフォトエッチング技術により
新規に作成して、前記マスクパターンと合成することに
より、設計値寸法のマスクパターンとするような修正作
業は不要となる。

【００４６】また、本実施例においては、前述したよう
な前記マスクパターン２の修正作業を行った際の修正用
情報データに基づき、コンピュータに設計値寸法を前記
修正用情報データによって設計変更を行うという煩雑な
作業は不要となる。また、実際に製造した後のマスクパ
ターンの寸法値を考慮した新たな設計値寸法を獲得する
ためのコンピュータの設計寸法値の修正・補正作業、お
よびその修正用情報データに基づいてコンピュータのプ
ログラムの修正・補正を行う作業も不要となる。

【００４７】（実施例２）図６は、本発明の一実施例で
あるフォトマスクおよびその製造工程を示す断面図であ
る。以下、同図を用いて、本発明のフォトマスクの具体
的な製造方法について説明する。

【００４８】本実施例は、フォトマスクを使用してフォ
トエッチング技術を適用する場合において、フォトエッ
チングすべき被フォトエッチング体の表面に段差部が存
在する際に、その段差部が存在しても、高精度のフォト
エッチングが行えるように、フォトマスクを修正するこ
とにより目的を達成する。

【００４９】すなわち、図６に示すように、被フォトエ
ッチング体は、半導体集積回路装置を製造する場合にお
ける半導体基板４と、前記半導体基板４の表面の一部に
形成されている素子分離用絶縁膜であって膜厚の大きい
酸化シリコン膜７と、段差部を有する前記酸化シリコン
膜７を含む前記半導体基板４上に形成されており、段差
部を有する酸化シリコン膜７であって不純物拡散用孔を
フォトエッチング技術を用いて形成する酸化シリコン膜
５と、前記酸化シリコン膜５の表面に形成されているフ
ォトレジスト膜６とからなる。そして、図６に示すもの
は、前記フォトレジスト膜６に露光装置を用いて所定の
露光処理を行うことにより、設計寸法通りのフォトエッ
チング用マスクパターンを形成する状態を示している。

【００５０】また、本実施例におけるフォトマスクのス
ターティング用フォトマスクとしては、前記実施例にお
いて図４を用いて記載されているものを使用している。

【００５１】前記フォトマスクにおける前記マスクパタ
ーン２のスルーホール２ｄについては、設計値寸法との
誤差がない正常なスルーホール２ｄの寸法である場合を
示している。すなわち、前記スルーホール２ｄを通して
露光される前記フォトレジスト膜６における露光によっ
て感光される領域の寸法との誤差がなく、前記スルーホ
ール２ｄに形成している前記ＳＯＧ膜３を完全に取り除
いて良い場合を示している。

【００５２】また、現実の露光装置においては、前記フ
ォトマスクを通過した露光用の光線束は、前記フォトレ
ジスト膜６では、露光用光線によるハレーションによっ
て前記フォトレジスト膜６の不要な感光領域を出現さ
せ、ぼやけた形状にすることが多い。

【００５３】しかしながら、前記スルーホール２ｄは、
小さな寸法値で形成されていることが主原因となって、
スルーホール２ｄの形成時の製造上の誤差の発生および
ハレーション現象による設計値寸法と比較しての寸法値
の誤差が少ない場合である。

【００５４】前記フォトマスクにおける前記マスクパタ
ーン２のスルーホール２ｅについては、設計値寸法との
誤差があり、修正を行う必要があるスルーホール２ｅの
寸法である場合を示している。

【００５５】この場合は、前記スルーホール２ｅは、前
記スルーホール２ｄよりも大きな寸法値で形成されてい
ることおよび前記フォトレジスト膜６の段差部が設けれ
られていることが主原因となって、スルーホール２ｅの
形成時の製造上の誤差の発生およびハレーション現象に
よる寸法値の誤差が前記スルーホール２ｄよりも大きく
生じる場合である。

【００５６】すなわち、前記スルーホール２ｄを通して
露光される前記フォトレジスト膜６における露光によっ
て感光される領域の寸法は、設計値の寸法と誤差が生じ
ており、前記スルーホール２ｅの寸法を設計値寸法に合
わせるためには小さくする修正を必要とするものであ
る。そこで、前記スルーホール２ｅの寸法を修正する代
わりに、この領域のＳＯＧ膜３の膜厚を調整して、この
領域を通して露光される前記フォトレジスト膜６におけ
る露光量を調節する操作を行っている。

【００５７】前述した本実施例においては、コンピュー
タの設計値寸法に対して、修正して適正な所望のフォト
マスクを使用する場合であるが、実際に前記フォトマス
クを半導体集積回路装置の製造に適用し、被フォトエッ
チング体が、設計段階においては不明であった段差部が
生じている場合において、露光作業時の前記段差部にお
ける顕著なハレーションなどにより、再度、前記フォト
マスクの修正を必要とするケースである。この場合に
は、本実施例によるフォトマスクの修正作業を行うこと
により、フォトマスクの修正を簡単な製造技術で容易に
行うことができる。

【００５８】したがって、本実施例を半導体集積回路装
置の製造プロセスに適用した場合において、フォトマス
クの修正作業が容易で、かつフォトエッチング技術の高
精度なものを使用して簡単な製造プロセスによって半導
体集積回路装置を得ることができる。

【００５９】また、本実施例においては、半導体集積回
路装置の製造に適用できる以外に、種々のパターンをフ
ォトエッチング技術を用いて形成するものに適用でき、
設計値寸法と誤差が少ない高精密なパターンを得ること
ができる。

【００６０】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。

【００６１】以上述べたフォトマスクとその製造方法に
おいては、フォトエッチング用フォトマスクについて記
載したものであるが、本発明は、マスクブランクス上に
遮光膜によるパターン像を形成したマスクブランクス、
フォトマスクを作成する前段階のマスクであるレチク
ル、パターン原画が描かれている広義のマスクに適用で
きるものである。また、前述したマスク基板よりも光透
過率の小さい薄膜として前記ＳＯＧ膜を使用したものに
ついて記載しているが、前記ＳＯＧ膜に限定されること
はなく、種々の光透過率を有する材料からなる薄膜を用
いることができる。

【００６２】

【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下の通りである。

【００６３】本発明によれば、フォトマスク基板の表面
に設けられているマスクパターンと、前記フォトマスク
基板の表面に設けられている前記フォトマスク基板より
も光透過率が小さい材料からなる薄膜パターンとを備え
たものであることにより、前記フォトマスク基板よりも
光透過率が小さい材料からなる前記薄膜パターンの膜厚
を調整することにより、前記薄膜パターンの光透過量を
調整でき、それによってフォトエッチング工程において
露光量を他の領域とは異なるように調整できることによ
り、前記マスクパターンが所望のパターン寸法に形成さ
れていない領域に接触して形成されている前記薄膜パタ
ーンにおける膜厚を調整することにより、前記フォトマ
スクの修正を容易にできると共に、所望の高精度のフォ
トマスクを得ることができる。

【００６４】また、半導体集積回路装置の製造プロセス
に適用した場合において、フォトマスクの修正作業が容
易で、かつフォトエッチング技術の高精度なものを使用
して簡単な製造プロセスによって半導体集積回路装置を
得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例であるフォトマスクの製造工
程を示す断面図である。

【図２】本発明の一実施例であるフォトマスクの製造工
程を示す断面図である。

【図３】本発明の一実施例であるフォトマスクの製造工
程を示す断面図である。

【図４】本発明の一実施例であるフォトマスクの製造工
程を示す断面図である。

【図５】本発明の一実施例であるフォトマスクの修正作
業を説明するための断面図である。

【図６】本発明の他の実施例であるフォトマスクの製造
工程を示す断面図である。

【符号の説明】

１ ガラス基板 ２ マスクパターン ２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅ スルーホール ３，３ｂ，３ｃ ＳＯＧ膜 ４ 半導体基板 ５ 酸化シリコン膜 ６ フォトレジスト膜 ７ 酸化シリコン膜 ａ〜ｊ 寸法

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 フォトマスク基板と、 前記フォトマスク基板の表面に設けられているマスクパ
   ターンと、 前記フォトマスク基板の表面に設けられている前記フォ
   トマスク基板よりも光透過率が小さい材料からなる薄膜
   パターンとを有することを特徴とするフォトマスク。
2. 【請求項２】 前記薄膜パターンは、前記マスクパター
   ンが設けられていない前記フォトマスク基板の表面が露
   出している領域に設けられていることを特徴とする請求
   項１記載のフォトマスク。
3. 【請求項３】 前記薄膜パターンは、前記フォトマスク
   基板の表面の一部に設けられている第１の薄膜パターン
   と、前記フォトマスク基板の表面の他の一部に設けられ
   ている第２の薄膜パターンとからなり、前記第１の薄膜
   パターンと前記第２の薄膜パターンとの膜厚が互いに異
   なることを特徴とする請求項１または２記載のフォトマ
   スク。
4. 【請求項４】 フォトマスク基板の表面にマスクパター
   ンを形成する工程と、 前記マスクパターンが形成されていない前記フォトマス
   ク基板の表面が露出している領域に、前記フォトマスク
   基板よりも光透過率が小さい材料からなる薄膜パターン
   を形成する工程と、 前記マスクパターンの形成後において、前記マスクパタ
   ーンが所望のパターン寸法に形成されていない領域に接
   触して形成されている前記薄膜パターンの膜厚を調整す
   る工程とを有することを特徴とするフォトマスクの製造
   方法。
5. 【請求項５】 前記薄膜パターンを形成する工程におい
   て、前記フォトマスク基板の表面に前記薄膜パターンの
   材料を滴下し、前記フォトマスク基板を回転させること
   により回転塗布膜としての薄膜を形成することを特徴と
   する請求項４記載のフォトマスクの製造方法。