JPH07169391A - 平板電極の積層接合方法 - Google Patents
平板電極の積層接合方法Info
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- JPH07169391A JPH07169391A JP5318223A JP31822393A JPH07169391A JP H07169391 A JPH07169391 A JP H07169391A JP 5318223 A JP5318223 A JP 5318223A JP 31822393 A JP31822393 A JP 31822393A JP H07169391 A JPH07169391 A JP H07169391A
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- crystallized glass
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ストライプ状電極の積層接合時において、ス
トライプ状電極と熱膨張率補償板との接合を防止し、熱
膨張率補償板の使用寿命を延ばして積層接合する方法を
提供する。 【構成】 ストライプ状電極と、上記ストライプ状電極
と直交する低融点ガラスロッドを所定の配列で並べた面
状電極とを重ね合わせ、高温焼成して積層接合する方法
において、高融点ガラス棒と結晶化ガラス棒と併置した
ガラスロッドを面状電極に接着した接着剤を焼きとばす
脱バインダ−温度Ｔ１と、結晶化ガラスの溶融温度Ｔ
２、上記結晶化ガラスと電極とを接合する接合温度Ｔ
３、再結晶化促進温度Ｔ４とし、上記再結晶化促進温度
Ｔ４を、Ｔ１≦Ｔ２≦Ｔ４＜Ｔ３、の関係を具備し、脱
バインダ−温度Ｔ１、再結晶化促進温度Ｔ４、接合温度
Ｔ３の順で昇温し、所定の時間保持したのち冷却して積
層接合する。
トライプ状電極と熱膨張率補償板との接合を防止し、熱
膨張率補償板の使用寿命を延ばして積層接合する方法を
提供する。 【構成】 ストライプ状電極と、上記ストライプ状電極
と直交する低融点ガラスロッドを所定の配列で並べた面
状電極とを重ね合わせ、高温焼成して積層接合する方法
において、高融点ガラス棒と結晶化ガラス棒と併置した
ガラスロッドを面状電極に接着した接着剤を焼きとばす
脱バインダ−温度Ｔ１と、結晶化ガラスの溶融温度Ｔ
２、上記結晶化ガラスと電極とを接合する接合温度Ｔ
３、再結晶化促進温度Ｔ４とし、上記再結晶化促進温度
Ｔ４を、Ｔ１≦Ｔ２≦Ｔ４＜Ｔ３、の関係を具備し、脱
バインダ−温度Ｔ１、再結晶化促進温度Ｔ４、接合温度
Ｔ３の順で昇温し、所定の時間保持したのち冷却して積
層接合する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は平面型表示装置などに用
いられる平板電極の積層接合方法に関するものである。
いられる平板電極の積層接合方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電子ビームを用いてカラ−テレビジョン
画像を表示する平面型表示装置などにおいて、複数枚の
平板電極を互いに所定の間隔で電気的に絶縁された状態
で積層接合する際、従来は図３に示した温度プロファイ
ルで焼成されていた。焼成時の構成は図４の通りでなさ
れていた（特願平２−１２９４５号）。
画像を表示する平面型表示装置などにおいて、複数枚の
平板電極を互いに所定の間隔で電気的に絶縁された状態
で積層接合する際、従来は図３に示した温度プロファイ
ルで焼成されていた。焼成時の構成は図４の通りでなさ
れていた（特願平２−１２９４５号）。
【０００３】図４において、（ａ）は焼成前の要部断面
構成、（ｂ）は焼成前の要部側面断面構成、（ｃ）は焼
成後の要部断面構成、（ｄ）は焼成後の要部側面断面構
成を示す。即ち、焼成基台４１の上に熱膨張率補償板４
２１、面状電極４３を登載し、さらに結晶化ガラス棒４
４１と高融点ガラス棒４４２とからなるガラスロッド４
４を電子ビーム通過部を遮らないように互いに平行な状
態で配列している。結晶化ガラス棒４４１の厚さ寸法は
所定間隔寸法よりも若干大きくし、高融点ガラス棒４４
２の厚さ寸法は前記間隔寸法と概略同寸である。次に面
状電極４５を積載し、続いて熱膨張率補償板４２２さら
にスタンパー４６を載せたのちに焼成接合する。この状
態を図４（ｃ）、（ｄ）に示している。
構成、（ｂ）は焼成前の要部側面断面構成、（ｃ）は焼
成後の要部断面構成、（ｄ）は焼成後の要部側面断面構
成を示す。即ち、焼成基台４１の上に熱膨張率補償板４
２１、面状電極４３を登載し、さらに結晶化ガラス棒４
４１と高融点ガラス棒４４２とからなるガラスロッド４
４を電子ビーム通過部を遮らないように互いに平行な状
態で配列している。結晶化ガラス棒４４１の厚さ寸法は
所定間隔寸法よりも若干大きくし、高融点ガラス棒４４
２の厚さ寸法は前記間隔寸法と概略同寸である。次に面
状電極４５を積載し、続いて熱膨張率補償板４２２さら
にスタンパー４６を載せたのちに焼成接合する。この状
態を図４（ｃ）、（ｄ）に示している。
【０００４】この焼成の方法は、 図３に示した温度プ
ロファイルで行われる。結晶化ガラス棒４４として溶融
温度Ｔ２、例えば４５０℃のガラス材料（７０mol％Ｐ
ｂＯ、２４mol％Ｂ2Ｏ2、４mol％ＺｎＯ、４mol％Ｓｉ
Ｏ2−Ａｌ2Ｏ3）、 高融点ガラス棒として転移点３８３
℃（粘度：１０13.3ポイズ）、軟化点５０６℃（粘度：
１０7.65ポイズ）のガラス材料（４０mol％ＰｂＯ、５
０mol％Ｂ2Ｏ2、１０mol％Ｎａ2Ｏ−Ｋ2Ｏ）を用いるも
のである。即ち、ガラスロッドを面状電極４３に固定し
た接着剤、例えばニトロセルロース系接着剤を焼き飛ば
すために脱バインダ温度Ｔ１、例えば３８０℃で３０分
保持し、焼成炉内で結晶化ガラス棒４４１の融点以上の
接合温度Ｔ３、例えば４８０℃に加熱して、結晶化ガラ
ス棒４４１を溶融し、全体が再結晶化するまで例えば、
１時間保温した後、冷却する。この間、溶融した結晶化
ガラス棒４４１はスタンパ−４６の荷重によって押しつ
ぶされて面状電極４３、４５の表面に押し付けられ、図
３（ａ）、（ｂ）に示したように面状電極４３、４５に
融着する。
ロファイルで行われる。結晶化ガラス棒４４として溶融
温度Ｔ２、例えば４５０℃のガラス材料（７０mol％Ｐ
ｂＯ、２４mol％Ｂ2Ｏ2、４mol％ＺｎＯ、４mol％Ｓｉ
Ｏ2−Ａｌ2Ｏ3）、 高融点ガラス棒として転移点３８３
℃（粘度：１０13.3ポイズ）、軟化点５０６℃（粘度：
１０7.65ポイズ）のガラス材料（４０mol％ＰｂＯ、５
０mol％Ｂ2Ｏ2、１０mol％Ｎａ2Ｏ−Ｋ2Ｏ）を用いるも
のである。即ち、ガラスロッドを面状電極４３に固定し
た接着剤、例えばニトロセルロース系接着剤を焼き飛ば
すために脱バインダ温度Ｔ１、例えば３８０℃で３０分
保持し、焼成炉内で結晶化ガラス棒４４１の融点以上の
接合温度Ｔ３、例えば４８０℃に加熱して、結晶化ガラ
ス棒４４１を溶融し、全体が再結晶化するまで例えば、
１時間保温した後、冷却する。この間、溶融した結晶化
ガラス棒４４１はスタンパ−４６の荷重によって押しつ
ぶされて面状電極４３、４５の表面に押し付けられ、図
３（ａ）、（ｂ）に示したように面状電極４３、４５に
融着する。
【０００５】これに対して高融点ガラス棒４４２は結晶
化ガラス棒４２の溶融温度で軟化した状態でも１０9ポ
イズ程度の高い粘度を有するので、押しつぶされつつも
両電極４３、４５間の間隔寸法を保持することが出来
る。これにより、両電極４３、４５とを所定寸法間隔で
精度良くしかも強固に積層接合するものである。
化ガラス棒４２の溶融温度で軟化した状態でも１０9ポ
イズ程度の高い粘度を有するので、押しつぶされつつも
両電極４３、４５間の間隔寸法を保持することが出来
る。これにより、両電極４３、４５とを所定寸法間隔で
精度良くしかも強固に積層接合するものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記従来例で
示した構成要件で焼成接合した場合、（図５）に示した
課題が発生した。同図において、（ａ）は焼成前の要部
断面構成、（ｂ）は焼成前の要部側面断面構成、（ｃ）
は焼成後の要部断面構成、（ｄ）は焼成後の要部側面断
面構成を示す。同図に示した、４１、４２、４３、４
４、４６は、（図４）と同一である。即ち、焼成する電
極として（図４）に示した面状電極４５に替えてストラ
イプ状電極５１をガラスロッド４４に直交するように積
層接合した場合、ストライプ状電極５１の間隙を抜けて
結晶化ガラス４４１が流動し、ストライプ状電極５１の
みならず熱膨張率補償板４２２まで接合されるという課
題を有したいた。この場合、熱膨張率補償板４２２とス
トライプ状電極５１との接合力は電極間の接合力に比較
し実際のところ小さいので、容易に熱膨張率補償板４２
２とストライプ状電極５１を剥離し積層電極として用い
ることが出来る。しかし、本来何回でも使用できる熱膨
張率補償板が１回の使用しかできないという課題を有し
ていた。
示した構成要件で焼成接合した場合、（図５）に示した
課題が発生した。同図において、（ａ）は焼成前の要部
断面構成、（ｂ）は焼成前の要部側面断面構成、（ｃ）
は焼成後の要部断面構成、（ｄ）は焼成後の要部側面断
面構成を示す。同図に示した、４１、４２、４３、４
４、４６は、（図４）と同一である。即ち、焼成する電
極として（図４）に示した面状電極４５に替えてストラ
イプ状電極５１をガラスロッド４４に直交するように積
層接合した場合、ストライプ状電極５１の間隙を抜けて
結晶化ガラス４４１が流動し、ストライプ状電極５１の
みならず熱膨張率補償板４２２まで接合されるという課
題を有したいた。この場合、熱膨張率補償板４２２とス
トライプ状電極５１との接合力は電極間の接合力に比較
し実際のところ小さいので、容易に熱膨張率補償板４２
２とストライプ状電極５１を剥離し積層電極として用い
ることが出来る。しかし、本来何回でも使用できる熱膨
張率補償板が１回の使用しかできないという課題を有し
ていた。
【０００７】従って、本発明の目的はストライプ状電極
の積層接合時において、ストライプ状電極と熱膨張率補
償板との接合を防止し、熱膨張率補償板の使用寿命を延
ばして積層接合する方法を提供する。
の積層接合時において、ストライプ状電極と熱膨張率補
償板との接合を防止し、熱膨張率補償板の使用寿命を延
ばして積層接合する方法を提供する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は前記目的に鑑
み、以下に述べる製造方法を発明した。
み、以下に述べる製造方法を発明した。
【０００９】即ち、ストライプ状電極と、上記ストライ
プ状電極と直交する低融点ガラスロッドを所定の配列で
並べた面状電極とを重ね合わせ、上記電極を熱膨張率補
償板、基台及びスタンパ−で挟持し、高温焼成して積層
接合する方法において、高融点ガラス棒と結晶化ガラス
棒と併置したガラスロッドを面状電極に接着した接着剤
を焼きとばす脱バインダ−温度Ｔ１と、結晶化ガラスの
溶融温度Ｔ２、上記結晶化ガラスと電極とを接合する接
合温度Ｔ３、再結晶化促進温度Ｔ４とし、上記再結晶化
促進温度Ｔ４を
プ状電極と直交する低融点ガラスロッドを所定の配列で
並べた面状電極とを重ね合わせ、上記電極を熱膨張率補
償板、基台及びスタンパ−で挟持し、高温焼成して積層
接合する方法において、高融点ガラス棒と結晶化ガラス
棒と併置したガラスロッドを面状電極に接着した接着剤
を焼きとばす脱バインダ−温度Ｔ１と、結晶化ガラスの
溶融温度Ｔ２、上記結晶化ガラスと電極とを接合する接
合温度Ｔ３、再結晶化促進温度Ｔ４とし、上記再結晶化
促進温度Ｔ４を
【００１０】
【数２】
【００１１】の関係を具備し、脱バインダ−温度Ｔ１、
再結晶化促進温度Ｔ４、接合温度Ｔ３の順で昇温し、所
定の時間保持したのち冷却して積層接合するものであ
る。
再結晶化促進温度Ｔ４、接合温度Ｔ３の順で昇温し、所
定の時間保持したのち冷却して積層接合するものであ
る。
【００１２】
【作用】前記手段によれば、溶融温度近傍で一定時間保
持し再結晶化を進行させ、粘度を上げているので、引き
続いて接合温度まで温度を上昇させても、ストライプ状
電極の間隙を通って結晶化ガラスがしみ上がることがな
い。更に、接合温度で所定の時間保持しているので、接
合強度は従来例と同等である。従って、ストライプ状電
極と熱膨張率補償板との接合を防止し、熱膨張率補償板
の使用寿命を延ばすことができる。
持し再結晶化を進行させ、粘度を上げているので、引き
続いて接合温度まで温度を上昇させても、ストライプ状
電極の間隙を通って結晶化ガラスがしみ上がることがな
い。更に、接合温度で所定の時間保持しているので、接
合強度は従来例と同等である。従って、ストライプ状電
極と熱膨張率補償板との接合を防止し、熱膨張率補償板
の使用寿命を延ばすことができる。
【００１３】
【実施例】図１は、本発明にかかる平板電極の積層接合
方法の実施例に係る温度プロファイルを示した図であ
る。図２は本発明にかかる平板電極の積層接合方法の実
施例に係る温度プロファイルで積層接合する場合の要部
構成の断面を示した図で、同図（ａ）は焼成前の要部断
面構成、同図（ｂ）は焼成前の要部側面断面構成、同図
（ｃ）は焼成後の要部断面構成、同図（ｄ）は焼成後の
要部側面断面構成を示す。
方法の実施例に係る温度プロファイルを示した図であ
る。図２は本発明にかかる平板電極の積層接合方法の実
施例に係る温度プロファイルで積層接合する場合の要部
構成の断面を示した図で、同図（ａ）は焼成前の要部断
面構成、同図（ｂ）は焼成前の要部側面断面構成、同図
（ｃ）は焼成後の要部断面構成、同図（ｄ）は焼成後の
要部側面断面構成を示す。
【００１４】即ち、例えば焼成基台２１の上に電極と同
一材料からなる例えば、インバ−材からなる熱膨張率補
償板２２１、面状電極２３を順次搭載し、さらに例えば
溶融温度４５０℃のガラス材料（７０mol％ＰｂＯ、２
４mol％Ｂ2０2、４mol％ＺｎＯ、４mol％ＳｉＯ2−Ａｌ
2Ｏ3）からなる結晶化ガラス棒２４１と転移点３８３℃
（粘度：１０13.3ポイズ）、軟化点５０６℃（粘度：１
０７．６５ポイズ）のガラス材料（４０mol％ＰｂＯ、
５０mol％Ｂ2Ｏ2、１０mol％Ｎａ2Ｏ−Ｋ2Ｏ）高融点ガ
ラス棒２４２とからなるガラスロッド２４を電子ビーム
通過部を遮らないように互いに平行な状態で配列し、例
えばニトロセルロース系接着剤で接着した。結晶化ガラ
ス棒２４１の厚さ寸法は所定間隔寸法よりも若干大きく
し、高融点ガラス棒２４２の厚さ寸法は前記間隔寸法と
概略同寸である。
一材料からなる例えば、インバ−材からなる熱膨張率補
償板２２１、面状電極２３を順次搭載し、さらに例えば
溶融温度４５０℃のガラス材料（７０mol％ＰｂＯ、２
４mol％Ｂ2０2、４mol％ＺｎＯ、４mol％ＳｉＯ2−Ａｌ
2Ｏ3）からなる結晶化ガラス棒２４１と転移点３８３℃
（粘度：１０13.3ポイズ）、軟化点５０６℃（粘度：１
０７．６５ポイズ）のガラス材料（４０mol％ＰｂＯ、
５０mol％Ｂ2Ｏ2、１０mol％Ｎａ2Ｏ−Ｋ2Ｏ）高融点ガ
ラス棒２４２とからなるガラスロッド２４を電子ビーム
通過部を遮らないように互いに平行な状態で配列し、例
えばニトロセルロース系接着剤で接着した。結晶化ガラ
ス棒２４１の厚さ寸法は所定間隔寸法よりも若干大きく
し、高融点ガラス棒２４２の厚さ寸法は前記間隔寸法と
概略同寸である。
【００１５】次にストライプ状電極２５を積載し、続い
て熱膨張率補償板２２２さらにスタンパー２６を載せた
のちに図１に示した温度プロファイルで焼成接合した。
この接合状態を図２（ｃ）、（ｄ）に示している。
て熱膨張率補償板２２２さらにスタンパー２６を載せた
のちに図１に示した温度プロファイルで焼成接合した。
この接合状態を図２（ｃ）、（ｄ）に示している。
【００１６】この温度プロファイルは、昇温速度１０℃
／分にて室温より加熱し、ガラスロッド２４を面状電極
２３に固定した接着剤、例えばニトロセルロース系接着
剤を焼き飛ばすために脱バインダ温度Ｔ１、例えば３８
０℃で３０分保持した。続いて昇温速度１０℃／分で、
再結晶化促進温度Ｔ４まで昇温させた。再結晶化促進温
度Ｔ４は、結晶化ガラス棒２４１の溶融温度Ｔ２、例え
ば４５０℃と結晶化ガラス棒２４１の溶融温度以上の接
合温度Ｔ３、例えば４８０℃の間の温度、即ち４５０〜
４８０℃、例えば４５５℃に加熱して、２０分保持す
る。この間に結晶化ガラス棒２４１は溶融すると共に再
結晶化進行するので、熱膨張率補償板２２２まで結晶化
ガラスが濡れるような粘度の低下をもたらすことがな
い。さらに、昇温速度１０℃／分で接合温度Ｔ３、例え
ば４８０℃まで加熱し、全体が再結晶化するまで例え
ば、４０分保持した後、冷却する。この間、結晶化ガラ
ス２４１は４５５℃の再結晶化促進温度Ｔ４で２０分保
持し再結晶化を進行させているので、粘度の低下は大き
くない。従って、昇温速度１０℃／分で４８０℃まで温
度上昇させても、表面張力により熱膨張率補償板２２２
まで結晶化ガラス２４１が濡れることはない。溶融した
結晶化ガラス棒２４１はスタンパ−２６の荷重によって
押しつぶされて面状電極２３、ストライプ状電極２５の
表面に押し付けられ、図２（ｃ）、（ｄ）に示したよう
に面状電極２３、ストライプ状電極２５に融着する。
／分にて室温より加熱し、ガラスロッド２４を面状電極
２３に固定した接着剤、例えばニトロセルロース系接着
剤を焼き飛ばすために脱バインダ温度Ｔ１、例えば３８
０℃で３０分保持した。続いて昇温速度１０℃／分で、
再結晶化促進温度Ｔ４まで昇温させた。再結晶化促進温
度Ｔ４は、結晶化ガラス棒２４１の溶融温度Ｔ２、例え
ば４５０℃と結晶化ガラス棒２４１の溶融温度以上の接
合温度Ｔ３、例えば４８０℃の間の温度、即ち４５０〜
４８０℃、例えば４５５℃に加熱して、２０分保持す
る。この間に結晶化ガラス棒２４１は溶融すると共に再
結晶化進行するので、熱膨張率補償板２２２まで結晶化
ガラスが濡れるような粘度の低下をもたらすことがな
い。さらに、昇温速度１０℃／分で接合温度Ｔ３、例え
ば４８０℃まで加熱し、全体が再結晶化するまで例え
ば、４０分保持した後、冷却する。この間、結晶化ガラ
ス２４１は４５５℃の再結晶化促進温度Ｔ４で２０分保
持し再結晶化を進行させているので、粘度の低下は大き
くない。従って、昇温速度１０℃／分で４８０℃まで温
度上昇させても、表面張力により熱膨張率補償板２２２
まで結晶化ガラス２４１が濡れることはない。溶融した
結晶化ガラス棒２４１はスタンパ−２６の荷重によって
押しつぶされて面状電極２３、ストライプ状電極２５の
表面に押し付けられ、図２（ｃ）、（ｄ）に示したよう
に面状電極２３、ストライプ状電極２５に融着する。
【００１７】これに対して高融点ガラス棒２４２は結晶
化ガラス棒２４１の溶融温度以上の４８０℃で軟化した
状態でも１０９ポイズ程度の高い粘度を有するので、押
しつぶされつつも面状電極２３、ストライプ状電極２５
間の間隔寸法を保持することが出来る。これにより、面
状電極２３、ストライプ状電極２５とを所定寸法間隔で
精度良くしかも強固に積層接合するものである。
化ガラス棒２４１の溶融温度以上の４８０℃で軟化した
状態でも１０９ポイズ程度の高い粘度を有するので、押
しつぶされつつも面状電極２３、ストライプ状電極２５
間の間隔寸法を保持することが出来る。これにより、面
状電極２３、ストライプ状電極２５とを所定寸法間隔で
精度良くしかも強固に積層接合するものである。
【００１８】
【発明の効果】本発明は、焼成接合における温度プロフ
ァイルに、再結晶化促進温度で保持するようにしたの
で、接合温度における結晶化ガラス棒の粘度を従来例に
比べ大きく取ることができる。従って、従来例のように
ストライプ状電極の場合に発生した結晶化ガラスの熱膨
張率補償板へのしみ出しを防止することができるので、
熱膨張率補償板の寿命を延ばすことが可能となり、工程
のコストダウンに大きな効果を有している。
ァイルに、再結晶化促進温度で保持するようにしたの
で、接合温度における結晶化ガラス棒の粘度を従来例に
比べ大きく取ることができる。従って、従来例のように
ストライプ状電極の場合に発生した結晶化ガラスの熱膨
張率補償板へのしみ出しを防止することができるので、
熱膨張率補償板の寿命を延ばすことが可能となり、工程
のコストダウンに大きな効果を有している。
【図１】本発明にかかる一実施例の焼成温度プロファイ
ルを示す図
ルを示す図
【図２】本発明にかかる実施例の要部断面を示す図、
（ａ）焼成前要部断面図、（ｂ）焼成前要部側面断面
図、（ｃ）焼成後要部断面図、（ｄ）焼成後要部側面断
面図
（ａ）焼成前要部断面図、（ｂ）焼成前要部側面断面
図、（ｃ）焼成後要部断面図、（ｄ）焼成後要部側面断
面図
【図３】従来例の焼成温度プロファイルを示す図
【図４】従来技術の一例である電極の要部断面を示す
図、（ａ）焼成前要部断面図、（ｂ）焼成前要部断面
図、（ｃ）焼成後要部断面図、（ｄ）焼成後要部側面断
面図
図、（ａ）焼成前要部断面図、（ｂ）焼成前要部断面
図、（ｃ）焼成後要部断面図、（ｄ）焼成後要部側面断
面図
【図５】従来技術の他の例である電極の要部断面を示す
図、（ａ）焼成前要部断面図、（ｂ）焼成前要部側面断
面図、（ｃ）焼成後要部断面図、（ｄ）焼成後要部側面
断面図
図、（ａ）焼成前要部断面図、（ｂ）焼成前要部側面断
面図、（ｃ）焼成後要部断面図、（ｄ）焼成後要部側面
断面図
Ｔ１ 脱バインダ−温度 Ｔ２ 結晶化ガラス溶融温度 Ｔ３ 接合温度 Ｔ４ 結晶化促進温度 ２１ 基台 ２２ 熱膨張率補償板 ２３ 面状電極 ２４ ガラスロッド ２４１ 結晶化ガラス棒 ２４２ 項融点ガラス棒 ２５ ストライプ状電極 ２６ スタンパ−
Claims (1)
- 【請求項１】 ストライプ状電極と、前記ストライプ状
電極と直交する低融点ガラスロッドを所定の配列で並べ
た面状電極とを重ね合わせ、高温焼成して積層接合する
平板電極の積層接合方法において、高融点ガラス棒と結
晶化ガラス棒と併置した前記ガラスロッドを前記面状電
極に接着する接着剤を焼きとばす脱バインダ−温度Ｔ
１、前記結晶化ガラスの溶融温度Ｔ２、前記結晶化ガラ
スと前記面状電極とを接合する接合温度Ｔ３、再結晶化
促進温度Ｔ４とし、前記再結晶化促進温度Ｔ４が 【数１】 の関係を満たすとき、焼成温度を前記脱バインダ−温度
Ｔ１、前記再結晶化促進温度Ｔ４、前記接合温度Ｔ３の
順で昇温し、所定の時間保持したのち冷却して積層接合
することを特徴とする平板電極の積層接合方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5318223A JPH07169391A (ja) | 1993-12-17 | 1993-12-17 | 平板電極の積層接合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5318223A JPH07169391A (ja) | 1993-12-17 | 1993-12-17 | 平板電極の積層接合方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07169391A true JPH07169391A (ja) | 1995-07-04 |
Family
ID=18096810
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5318223A Pending JPH07169391A (ja) | 1993-12-17 | 1993-12-17 | 平板電極の積層接合方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07169391A (ja) |
-
1993
- 1993-12-17 JP JP5318223A patent/JPH07169391A/ja active Pending
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