JPH07169722A - 半導体ウエーハの製造方法 - Google Patents
半導体ウエーハの製造方法Info
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- JPH07169722A JPH07169722A JP31712193A JP31712193A JPH07169722A JP H07169722 A JPH07169722 A JP H07169722A JP 31712193 A JP31712193 A JP 31712193A JP 31712193 A JP31712193 A JP 31712193A JP H07169722 A JPH07169722 A JP H07169722A
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- wafers
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D1/00—Working stone or stone-like materials, e.g. brick, concrete or glass, not provided for elsewhere; Machines, devices, tools therefor
- B28D1/005—Cutting sheet laminae in planes between faces
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
- B28D5/0082—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Mining & Mineral Resources (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 原料であるシリコンインゴットの無駄を低減
でき、複数のウエーハを同時に２分割切断する際に、ウ
エーハの厚みにバラツキがあっても、各々のウエーハの
中心で２分割できる半導体ウエーハの製造方法を提供す
ること。 【構成】 複数のウエーハ１を結合剤７を介して積層し
た積層体を形成し、前記積層された各々のウエーハの中
心で切断手段により２分割する半導体ウエーハの製造で
あって、前記複数のウエーハを等間隔に保持する保持部
材２により保持し、この保持部材２により保持された各
ウエーハ１の間に結合剤７を注入して凝固させることに
よりウエーハの積層ブロック体９を形成し、この積層ブ
ロック体の各々のウエーハを切断手段により２分割する
構成である。
でき、複数のウエーハを同時に２分割切断する際に、ウ
エーハの厚みにバラツキがあっても、各々のウエーハの
中心で２分割できる半導体ウエーハの製造方法を提供す
ること。 【構成】 複数のウエーハ１を結合剤７を介して積層し
た積層体を形成し、前記積層された各々のウエーハの中
心で切断手段により２分割する半導体ウエーハの製造で
あって、前記複数のウエーハを等間隔に保持する保持部
材２により保持し、この保持部材２により保持された各
ウエーハ１の間に結合剤７を注入して凝固させることに
よりウエーハの積層ブロック体９を形成し、この積層ブ
ロック体の各々のウエーハを切断手段により２分割する
構成である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一枚の半導体ウエーハ
を２分割にスライスして２枚の半導体ウエーハを製造す
る半導体ウエーハの製造方法に関する。
を２分割にスライスして２枚の半導体ウエーハを製造す
る半導体ウエーハの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来において、半導体ウエーハを製造す
る際には、図６に示すように、単結晶シリコンのインゴ
ットをスライスしてウエーハを得る切断工程Ｓ１１、ウ
エーハの面取りする工程Ｓ１２、ラッピングする工程Ｓ
１３、エッチングする工程Ｓ１４、洗浄工程Ｓ１５、拡
散処理工程Ｓ１６、研削工程Ｓ１７を経てミラーポリッ
シュ工程Ｓ１８において仕上げることにより、半導体ウ
エーハを製造していた。
る際には、図６に示すように、単結晶シリコンのインゴ
ットをスライスしてウエーハを得る切断工程Ｓ１１、ウ
エーハの面取りする工程Ｓ１２、ラッピングする工程Ｓ
１３、エッチングする工程Ｓ１４、洗浄工程Ｓ１５、拡
散処理工程Ｓ１６、研削工程Ｓ１７を経てミラーポリッ
シュ工程Ｓ１８において仕上げることにより、半導体ウ
エーハを製造していた。
【０００３】ところが、従来の製造方法によれば、拡散
処理の後に、研削工程やミラーポリッシュ工程におい
て、ウエーハの片面を所定の厚みになるまで研磨しなけ
ればならず、加工代が多いことから加工時間がかかると
ともに、研磨により失われる原材料が多くなり、原料費
が増大する不具合があった。
処理の後に、研削工程やミラーポリッシュ工程におい
て、ウエーハの片面を所定の厚みになるまで研磨しなけ
ればならず、加工代が多いことから加工時間がかかると
ともに、研磨により失われる原材料が多くなり、原料費
が増大する不具合があった。
【０００４】このため、近年において、１枚のウエーハ
をスライスして２分割することにより、加工時間及び原
料費の無駄をなくすようにした半導体ウエーハの製造方
法が提案されている（例えば、特開平１−２９３６１３
号、特開平１−３００５２２号）。
をスライスして２分割することにより、加工時間及び原
料費の無駄をなくすようにした半導体ウエーハの製造方
法が提案されている（例えば、特開平１−２９３６１３
号、特開平１−３００５２２号）。
【０００５】これらの公報に記載された半導体ウエーハ
の製造方法においては、拡散処理が行われた複数のウエ
ーハを結合剤を介して重ね合わせて接合し、積層一体化
したウエーハ積層体を形成し、一定間隔にセットされた
ワイヤソーにより、積層された各々のウエーハの中心で
スライスして２分割し、その後、各ウエーハを研磨処理
等により所定厚さに仕上げるものである。
の製造方法においては、拡散処理が行われた複数のウエ
ーハを結合剤を介して重ね合わせて接合し、積層一体化
したウエーハ積層体を形成し、一定間隔にセットされた
ワイヤソーにより、積層された各々のウエーハの中心で
スライスして２分割し、その後、各ウエーハを研磨処理
等により所定厚さに仕上げるものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、公報に記載
された一括してウエーハを２分割する方法によれば、積
層される各ウエーハの厚みにバラツキがある場合に、予
め所定間隔にセットされたワイヤソーにより２分割する
と、各ウエーハの中心から外れた箇所でスライスされて
しまうという問題がある。また、積層された各々のウエ
ーハの中心でスライスするには、ワイヤソーのワイヤ間
隔を積層されたウエーハの中心に合うように、その都度
変更しなければならず、手間がかかり生産性が低下する
不都合がある。
された一括してウエーハを２分割する方法によれば、積
層される各ウエーハの厚みにバラツキがある場合に、予
め所定間隔にセットされたワイヤソーにより２分割する
と、各ウエーハの中心から外れた箇所でスライスされて
しまうという問題がある。また、積層された各々のウエ
ーハの中心でスライスするには、ワイヤソーのワイヤ間
隔を積層されたウエーハの中心に合うように、その都度
変更しなければならず、手間がかかり生産性が低下する
不都合がある。
【０００７】そこで、本発明は、原料であるシリコンイ
ンゴットの無駄を低減でき、複数のウエーハを同時に２
分割切断する際に、複数のウエーハの厚みにバラツキが
あっても、各々のウエーハの中心で２分割できる半導体
ウエーハの製造方法を提供することを目的としている。
ンゴットの無駄を低減でき、複数のウエーハを同時に２
分割切断する際に、複数のウエーハの厚みにバラツキが
あっても、各々のウエーハの中心で２分割できる半導体
ウエーハの製造方法を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体ウエ
ーハの製造方法は、複数のウエーハを結合剤を介して積
層した積層体を形成し、前記積層された各々のウエーハ
の中心で切断手段により２分割する半導体ウエーハの製
造であって、前記複数のウエーハを等間隔に保持する保
持部材により保持し、この保持部材により保持された各
ウエーハの間に結合剤を注入して凝固させることにより
ウエーハの積層ブロック体を形成し、この積層ブロック
体の各々のウエーハを切断手段により２分割する構成で
ある。
ーハの製造方法は、複数のウエーハを結合剤を介して積
層した積層体を形成し、前記積層された各々のウエーハ
の中心で切断手段により２分割する半導体ウエーハの製
造であって、前記複数のウエーハを等間隔に保持する保
持部材により保持し、この保持部材により保持された各
ウエーハの間に結合剤を注入して凝固させることにより
ウエーハの積層ブロック体を形成し、この積層ブロック
体の各々のウエーハを切断手段により２分割する構成で
ある。
【０００９】
【作用】ウエーハを２分割切断する際に、各ウエーハを
保持部材にセットすると、各ウエーハの中心同士が等間
隔で保持部材に保持される。この状態で、例えばワック
スとＳｉＯ2粉末等の固形物からなる結合剤を液状にし
て各ウエーハ間の隙間に流し込み、結合剤を冷却により
固化させ、保持部材からウエーハを分離してウエーハの
積層ブロックが得られる。
保持部材にセットすると、各ウエーハの中心同士が等間
隔で保持部材に保持される。この状態で、例えばワック
スとＳｉＯ2粉末等の固形物からなる結合剤を液状にし
て各ウエーハ間の隙間に流し込み、結合剤を冷却により
固化させ、保持部材からウエーハを分離してウエーハの
積層ブロックが得られる。
【００１０】そして、積層ブロックのウエーハ面と切断
手段、例えばワイヤソーの各ワイヤの切断方向とが平行
になるように、積層ブロックをセットし、ワイヤソーに
より積層ブロックの各々のウエーハの２分割を行う。
手段、例えばワイヤソーの各ワイヤの切断方向とが平行
になるように、積層ブロックをセットし、ワイヤソーに
より積層ブロックの各々のウエーハの２分割を行う。
【００１１】従って、拡散処理された各ウエーハを２分
割に切断して半導体ウエーハが製造されるので、原料で
あるシリコンインゴットの無駄を低減できる。また、保
持部材によって複数のウエーハが等間隔に保持され、こ
の等間隔に保持されたシリコン単結晶状態で積層ブロッ
クが形成されるので、積層ブロックの各ウエーハ間の間
隔が一定ピッチとなり、ワイヤソー等の切断手段により
ウエーハを２分割する際に、ウエーハの厚みにバラツキ
があった場合でも、各々のウエーハの中心部で精度よく
２分割することが可能となる。更に、複数のウエーハを
同時に２分割できるので、生産性を向上することが可能
となる。
割に切断して半導体ウエーハが製造されるので、原料で
あるシリコンインゴットの無駄を低減できる。また、保
持部材によって複数のウエーハが等間隔に保持され、こ
の等間隔に保持されたシリコン単結晶状態で積層ブロッ
クが形成されるので、積層ブロックの各ウエーハ間の間
隔が一定ピッチとなり、ワイヤソー等の切断手段により
ウエーハを２分割する際に、ウエーハの厚みにバラツキ
があった場合でも、各々のウエーハの中心部で精度よく
２分割することが可能となる。更に、複数のウエーハを
同時に２分割できるので、生産性を向上することが可能
となる。
【００１２】
【実施例】以下に本発明を図面に基いて説明する。図１
は本実施例における半導体ウエーハの製造フローチャー
トを示している。本実施例では、図１に示す順序に従っ
て半導体ウエーハが製造される。
は本実施例における半導体ウエーハの製造フローチャー
トを示している。本実施例では、図１に示す順序に従っ
て半導体ウエーハが製造される。
【００１３】まず、切断工程Ｓ１で単結晶シリコンのイ
ンゴットを所定の厚めのウエーハにスライスし、ラッピ
ング工程Ｓ２でウエーハ表面を研磨し、エッチング工程
Ｓ３でウエーハ表面の前加工面を除去して平滑な表面に
した後、洗浄工程Ｓ４で洗浄し、拡散工程Ｓ５で拡散処
理が行われる。
ンゴットを所定の厚めのウエーハにスライスし、ラッピ
ング工程Ｓ２でウエーハ表面を研磨し、エッチング工程
Ｓ３でウエーハ表面の前加工面を除去して平滑な表面に
した後、洗浄工程Ｓ４で洗浄し、拡散工程Ｓ５で拡散処
理が行われる。
【００１４】更に、２分割切断工程Ｓ６において、ウエ
ーハを所定の厚さに２分割し、面取り工程Ｓ７でウエー
ハ周縁の面取りを行い、その後、研磨工程Ｓ８で所定厚
さまで表面研磨を行い、拡散ウエーハが仕上げられる。
ーハを所定の厚さに２分割し、面取り工程Ｓ７でウエー
ハ周縁の面取りを行い、その後、研磨工程Ｓ８で所定厚
さまで表面研磨を行い、拡散ウエーハが仕上げられる。
【００１５】前記２分割切断工程Ｓ６では、拡散処理が
行われた複数のウエーハを積層して接合された積層ブロ
ックを形成し、積層された各々のウエーハをワイヤソー
により一括して２分割の切断が行われる。
行われた複数のウエーハを積層して接合された積層ブロ
ックを形成し、積層された各々のウエーハをワイヤソー
により一括して２分割の切断が行われる。
【００１６】前記複数のウエーハを積層するには、図２
及び図３に示す保持部材２が用いられる。
及び図３に示す保持部材２が用いられる。
【００１７】この保持部材２は、各ウエーハ１のオリエ
ンテーションフラット（以下、オリフラ部ＯＦと略称す
る）を線状に支持するオリフラ支持部３と、各ウエーハ
１の周縁部を保持する周縁保持部４とを備え、それぞれ
ステンレスにより形成されている。
ンテーションフラット（以下、オリフラ部ＯＦと略称す
る）を線状に支持するオリフラ支持部３と、各ウエーハ
１の周縁部を保持する周縁保持部４とを備え、それぞれ
ステンレスにより形成されている。
【００１８】前記保持部材２のオリフラ支持部３と周縁
保持部４とは下部で所定長さの支持台５により固定され
ており、互いに正面から見て略Ｖ字状に配設されてい
る。また、前記オリフラ支持部３と周縁保持部４の互い
に向かい合う内面には、図２に示すように、Ｖ字溝６が
設けられている。これらのＶ字溝６は切断手段であるワ
イヤソーのワイヤ間隔に対応して等間隔に設けられ、Ｖ
字溝６の片側はウエーハの径方向にのみスライドできる
ようになっている。そのＶ字溝６と、周縁保持部４の間
には、バネ、ゴム等の弾性体１２が設けられ、ウエーハ
がＶ字溝６から外れない程度の力がウエーハの径方向に
付加されるようになっている。
保持部４とは下部で所定長さの支持台５により固定され
ており、互いに正面から見て略Ｖ字状に配設されてい
る。また、前記オリフラ支持部３と周縁保持部４の互い
に向かい合う内面には、図２に示すように、Ｖ字溝６が
設けられている。これらのＶ字溝６は切断手段であるワ
イヤソーのワイヤ間隔に対応して等間隔に設けられ、Ｖ
字溝６の片側はウエーハの径方向にのみスライドできる
ようになっている。そのＶ字溝６と、周縁保持部４の間
には、バネ、ゴム等の弾性体１２が設けられ、ウエーハ
がＶ字溝６から外れない程度の力がウエーハの径方向に
付加されるようになっている。
【００１９】そして、２分割切断する際には、各ウエー
ハ１を保持部材２のオリフラ支持部３と周縁保持部４の
各Ｖ字溝６にセットすると、各ウエーハ１間には隙間が
形成され、各ウエーハ１の中心同士が等間隔で保持部材
２に垂直に保持される。
ハ１を保持部材２のオリフラ支持部３と周縁保持部４の
各Ｖ字溝６にセットすると、各ウエーハ１間には隙間が
形成され、各ウエーハ１の中心同士が等間隔で保持部材
２に垂直に保持される。
【００２０】更に、ワックスとＳｉＯ2粉末等の固形物
からなる結合剤７をワックスの融点以上に加熱して液状
にし、保持部材２にセットされた各ウエーハ１間の隙間
に液体状の結合剤７を流し込み、結合剤７を冷却により
固化させる。なお、保持部材２と支持台５には、ウエー
ハ１の分離がしやすいように、予めグリースが塗られて
いる。
からなる結合剤７をワックスの融点以上に加熱して液状
にし、保持部材２にセットされた各ウエーハ１間の隙間
に液体状の結合剤７を流し込み、結合剤７を冷却により
固化させる。なお、保持部材２と支持台５には、ウエー
ハ１の分離がしやすいように、予めグリースが塗られて
いる。
【００２１】前記結合剤７が固化した後に、保持部材２
及び支持台５からウエーハ１を分離し、複数のウエーハ
１が結合剤７により結合され、図４に示すように、これ
らのウエーハ１のオリフラ部ＯＦにカーボン材８を接着
し、ウエーハ１の積層ブロック９が得られる。
及び支持台５からウエーハ１を分離し、複数のウエーハ
１が結合剤７により結合され、図４に示すように、これ
らのウエーハ１のオリフラ部ＯＦにカーボン材８を接着
し、ウエーハ１の積層ブロック９が得られる。
【００２２】そして、積層ブロック９のウエーハ面とワ
イヤソーの各ワイヤの切断方向とが平行になるように、
積層ブロック９をセットし、ワイヤソーにより、積層ブ
ロック９の各々のウエーハ１の２分割を行う。
イヤソーの各ワイヤの切断方向とが平行になるように、
積層ブロック９をセットし、ワイヤソーにより、積層ブ
ロック９の各々のウエーハ１の２分割を行う。
【００２３】この場合、積層ブロック９の各ウエーハ１
は保持部材２のＶ字溝６により等間隔に配設されている
ので、ワイヤソーの各ワイヤを保持部材２のＶ字溝６の
間隔に予め合わせておくことにより、積層ブロック９の
一つのウエーハ１の中心部に、これに対応するワイヤソ
ーのワイヤを位置合せして切断するだけで、積層ブロッ
ク９の各ウエーハ１をそれぞれ中心部でスライスするこ
とが可能となり、厚さにバラツキがある複数のウエーハ
１を切断する場合にも、確実にそれぞれのウエーハの中
心部でスライスすることができる。更に、原料の無駄を
低減することができる。
は保持部材２のＶ字溝６により等間隔に配設されている
ので、ワイヤソーの各ワイヤを保持部材２のＶ字溝６の
間隔に予め合わせておくことにより、積層ブロック９の
一つのウエーハ１の中心部に、これに対応するワイヤソ
ーのワイヤを位置合せして切断するだけで、積層ブロッ
ク９の各ウエーハ１をそれぞれ中心部でスライスするこ
とが可能となり、厚さにバラツキがある複数のウエーハ
１を切断する場合にも、確実にそれぞれのウエーハの中
心部でスライスすることができる。更に、原料の無駄を
低減することができる。
【００２４】例えば、拡散深さが１５０μｍで厚みが２
３０μｍの拡散ウエーハ１を得る場合について説明する
と、従来においては、研削・研磨代が１９０μｍで厚さ
が４２０μｍ（２３０＋１９０μｍ）のウエーハ１が必
要となる。この厚さ４２０μｍのラップドウエーハ１を
得るためには、スライス・ラップ代として３７０μｍが
必要であることから、ウエーハ一枚当たり７９０μｍ
（４２０＋３７０μｍ）の厚みのシリコンインゴットが
必要となる。
３０μｍの拡散ウエーハ１を得る場合について説明する
と、従来においては、研削・研磨代が１９０μｍで厚さ
が４２０μｍ（２３０＋１９０μｍ）のウエーハ１が必
要となる。この厚さ４２０μｍのラップドウエーハ１を
得るためには、スライス・ラップ代として３７０μｍが
必要であることから、ウエーハ一枚当たり７９０μｍ
（４２０＋３７０μｍ）の厚みのシリコンインゴットが
必要となる。
【００２５】これに対して、本方法によれば、前記同様
に拡散深さが１５０μｍで厚みが２３０μｍの拡散ウエ
ーハ１を得る場合には、２分割の加工代が４３０μｍ
で、二枚分の厚さとして８９０μｍ（２３０＋２３０＋
４３０μｍ）のウエーハ１が必要となる。この厚さ８９
０μｍのラップドウエーハ１を得るためには、スライス
・ラップ代として３７０μｍが必要であることから、ウ
エーハ二枚当たりの厚みとしては１２６０μｍ（８９０
＋３７０μｍ）のシリコンインゴットが必要となり、ウ
エーハ一枚当たりの厚さとしては６３０μｍとなる。
に拡散深さが１５０μｍで厚みが２３０μｍの拡散ウエ
ーハ１を得る場合には、２分割の加工代が４３０μｍ
で、二枚分の厚さとして８９０μｍ（２３０＋２３０＋
４３０μｍ）のウエーハ１が必要となる。この厚さ８９
０μｍのラップドウエーハ１を得るためには、スライス
・ラップ代として３７０μｍが必要であることから、ウ
エーハ二枚当たりの厚みとしては１２６０μｍ（８９０
＋３７０μｍ）のシリコンインゴットが必要となり、ウ
エーハ一枚当たりの厚さとしては６３０μｍとなる。
【００２６】この結果、一枚のウエーハ１を得るために
必要なシリコンインゴット（原料）の厚さとしては、ウ
エーハ一枚当たり、従来の７９０μｍに対して本方法で
は６３０μｍとなり、１６０μｍ（７９０−６３０μ
ｍ）、すなわち、２０％減少させることができる。
必要なシリコンインゴット（原料）の厚さとしては、ウ
エーハ一枚当たり、従来の７９０μｍに対して本方法で
は６３０μｍとなり、１６０μｍ（７９０−６３０μ
ｍ）、すなわち、２０％減少させることができる。
【００２７】また、内周刃を用いてウエーハ１を２分割
する場合には、２分割の加工代が４９０μｍ必要とな
り、シリコンインゴットの厚さ減少量が１００μｍ（１
３％）となり、２分割に要する時間が一枚当たり１２０
秒であるが、本方法によれば、一枚当たり９０秒とな
り、内周刃により２分割に比較して、原料の低減量をウ
エーハ一枚当たり６０μｍも減少することができ、生産
性を２５％向上することができる。
する場合には、２分割の加工代が４９０μｍ必要とな
り、シリコンインゴットの厚さ減少量が１００μｍ（１
３％）となり、２分割に要する時間が一枚当たり１２０
秒であるが、本方法によれば、一枚当たり９０秒とな
り、内周刃により２分割に比較して、原料の低減量をウ
エーハ一枚当たり６０μｍも減少することができ、生産
性を２５％向上することができる。
【００２８】このように本実施例においては、拡散処理
された各ウエーハを２分割に切断して半導体ウエーハが
製造されるので、原料であるシリコンインゴットの無駄
を低減できる。また、保持部材によって複数のウエーハ
が等間隔に保持した状態で積層ブロックが形成されるの
で、積層ブロックの各ウエーハ間の間隔が一定ピッチと
なり、ワイヤソー等の切断手段によりウエーハを２分割
する際に、ウエーハの厚みにバラツキがあった場合で
も、各々のウエーハの中心部で精度よく２分割すること
が可能となり、更に、複数のウエーハを同時に２分割で
きるので、生産性を向上することが可能となる。
された各ウエーハを２分割に切断して半導体ウエーハが
製造されるので、原料であるシリコンインゴットの無駄
を低減できる。また、保持部材によって複数のウエーハ
が等間隔に保持した状態で積層ブロックが形成されるの
で、積層ブロックの各ウエーハ間の間隔が一定ピッチと
なり、ワイヤソー等の切断手段によりウエーハを２分割
する際に、ウエーハの厚みにバラツキがあった場合で
も、各々のウエーハの中心部で精度よく２分割すること
が可能となり、更に、複数のウエーハを同時に２分割で
きるので、生産性を向上することが可能となる。
【００２９】なお、保持部材２としては、オリフラ支持
部３や周縁保持部４に設けられたＶ字溝６を設けた構成
に限らず、図５に示す構造とすることも可能である。
部３や周縁保持部４に設けられたＶ字溝６を設けた構成
に限らず、図５に示す構造とすることも可能である。
【００３０】図５に示す保持部材２では、オリフラ支持
部３や周縁保持部４（内側がウエーハの径方向にのみス
ライドできる構造で、且つ、ウエーハの径方向に、ウエ
ーハが外れない程度の力を付加できるバネ、ゴム等の弾
性体１２が設けられている）の内面部に所定の等間隔に
桟１０を設け、これらの桟１０の間でウエーハ１を保持
するようにし、更に、桟１０と桟１０との間に、これら
の間にセットされたウエーハ１を一方の桟１０に押付け
る板バネ１１を設けた製造となっており、前例同様に、
保持部材２に保持された複数のウエーハ１間に結合剤７
を注入することにより、ウエーハ１の積層ブロック９を
形成することができる。
部３や周縁保持部４（内側がウエーハの径方向にのみス
ライドできる構造で、且つ、ウエーハの径方向に、ウエ
ーハが外れない程度の力を付加できるバネ、ゴム等の弾
性体１２が設けられている）の内面部に所定の等間隔に
桟１０を設け、これらの桟１０の間でウエーハ１を保持
するようにし、更に、桟１０と桟１０との間に、これら
の間にセットされたウエーハ１を一方の桟１０に押付け
る板バネ１１を設けた製造となっており、前例同様に、
保持部材２に保持された複数のウエーハ１間に結合剤７
を注入することにより、ウエーハ１の積層ブロック９を
形成することができる。
【００３１】また、これらの実施例では、２分割に切断
する切断手段としてワイヤソーを用いた場合を例に採っ
て説明したが、ＩＤソーによっても切断可能であり、前
例同様の効果を得ることができる。
する切断手段としてワイヤソーを用いた場合を例に採っ
て説明したが、ＩＤソーによっても切断可能であり、前
例同様の効果を得ることができる。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明方法によれ
ば、拡散処理された各ウエーハを２分割に切断して半導
体ウエーハが製造されるので、原料であるシリコンイン
ゴットの無駄を低減できる。
ば、拡散処理された各ウエーハを２分割に切断して半導
体ウエーハが製造されるので、原料であるシリコンイン
ゴットの無駄を低減できる。
【００３３】また、保持部材によって複数のウエーハが
等間隔に保持され、この等間隔に保持されたシリコン単
結晶の積層ブロックが形成されるので、積層ブロックの
各ウエーハ間の間隔が一定ピッチとなり、ワイヤソー等
の切断手段によりウエーハを２分割する際に、ウエーハ
の厚みにバラツキがあった場合でも、各々のウエーハの
中心部で精度よく２分割することが可能となる。
等間隔に保持され、この等間隔に保持されたシリコン単
結晶の積層ブロックが形成されるので、積層ブロックの
各ウエーハ間の間隔が一定ピッチとなり、ワイヤソー等
の切断手段によりウエーハを２分割する際に、ウエーハ
の厚みにバラツキがあった場合でも、各々のウエーハの
中心部で精度よく２分割することが可能となる。
【００３４】更に、複数のウエーハを同時に２分割でき
るので、生産性を向上することが可能となる。
るので、生産性を向上することが可能となる。
【図１】本発明方法の一実施例に係り、半導体ウエーハ
の製造工程を示すフロチャートである。
の製造工程を示すフロチャートである。
【図２】保持部材を示す平面図である。
【図３】保持部材の正面図である。
【図４】ウエーハの積層ブロックの側面図である。
【図５】保持部材の他の実施例を示す平面図である。
【図６】従来の半導体ウエーハの製造工程を示すフロチ
ャートである。
ャートである。
１ ウエーハ ２ 保持部材 ７ 結合剤 ９ 積層ブロック １２ 弾性体
Claims (3)
- 【請求項１】 複数のウエーハを結合剤を介して積層し
た積層体を形成し、前記積層された各々のウエーハの中
心で切断手段により２分割する半導体ウエーハの製造方
法において、 前記複数のウエーハを等間隔に保持する保持部材により
保持する工程と、 この保持部材により保持された各ウエーハの間に結合剤
を注入して、該結合剤を凝固させることによりウエーハ
の積層ブロック体を形成する工程と、 この積層ブロック体の各々のウエーハを切断手段により
２分割する工程と、 を備えたことを特徴とする半導体ウエーハの製造方法。 - 【請求項２】 前記切断手段が、ワイヤソー又はＩＤソ
ーであって、複数のウエーハを一括して２分割すること
を特徴とする請求項１記載の半導体ウエーハの製造方
法。 - 【請求項３】 前記結合剤が、ワックスとＳｉＯ2等の
固形物とからなることを特徴とする請求項１記載の半導
体ウエーハの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31712193A JPH07169722A (ja) | 1993-12-16 | 1993-12-16 | 半導体ウエーハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31712193A JPH07169722A (ja) | 1993-12-16 | 1993-12-16 | 半導体ウエーハの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07169722A true JPH07169722A (ja) | 1995-07-04 |
Family
ID=18084675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31712193A Pending JPH07169722A (ja) | 1993-12-16 | 1993-12-16 | 半導体ウエーハの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07169722A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007103857A (ja) * | 2005-10-07 | 2007-04-19 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | 拡散ウェーハの製造方法 |
| CN105235079A (zh) * | 2015-10-19 | 2016-01-13 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 一种多线切割机硅片分切模具 |
| CN105382947A (zh) * | 2015-10-19 | 2016-03-09 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 一种硅片的二次切割方法 |
-
1993
- 1993-12-16 JP JP31712193A patent/JPH07169722A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007103857A (ja) * | 2005-10-07 | 2007-04-19 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | 拡散ウェーハの製造方法 |
| CN105235079A (zh) * | 2015-10-19 | 2016-01-13 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 一种多线切割机硅片分切模具 |
| CN105382947A (zh) * | 2015-10-19 | 2016-03-09 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 一种硅片的二次切割方法 |
| CN105382947B (zh) * | 2015-10-19 | 2017-06-13 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 一种硅片的二次切割方法 |
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