JPH07174941A - 光通信用光学素子結合モジュールおよびその製造方法 - Google Patents
光通信用光学素子結合モジュールおよびその製造方法Info
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- JPH07174941A JPH07174941A JP5317595A JP31759593A JPH07174941A JP H07174941 A JPH07174941 A JP H07174941A JP 5317595 A JP5317595 A JP 5317595A JP 31759593 A JP31759593 A JP 31759593A JP H07174941 A JPH07174941 A JP H07174941A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】加工が半導体製造プロセスと同様にウエハ上に
多数同時に製作でき、かつその組立てにも光軸調整作業
を削除でき大幅に労力と時間の軽減ができる光通信用光
学素子結合モジュールおよびその製造方法の提供。 【構成】シリコン基板１に異方性エッチングによりＶ溝
２とこれと一定の段差をもつ素子搭載面３とを形成し、
この搭載面３をさらにエッチングして素子固着部４とＶ
溝２に対して一定の位置に基準をもつ位置決め溝５とを
形成し、次いで素子固着部４に金属を蒸着し、発光素子
６の一方の電極部をエッチングして電極と発光部から一
定位置にあるマーカとを形成し、シリコン基板１と発光
素子６とを固着するとともに光フアイバ１０をＶ溝２に
位置決め固定する。
多数同時に製作でき、かつその組立てにも光軸調整作業
を削除でき大幅に労力と時間の軽減ができる光通信用光
学素子結合モジュールおよびその製造方法の提供。 【構成】シリコン基板１に異方性エッチングによりＶ溝
２とこれと一定の段差をもつ素子搭載面３とを形成し、
この搭載面３をさらにエッチングして素子固着部４とＶ
溝２に対して一定の位置に基準をもつ位置決め溝５とを
形成し、次いで素子固着部４に金属を蒸着し、発光素子
６の一方の電極部をエッチングして電極と発光部から一
定位置にあるマーカとを形成し、シリコン基板１と発光
素子６とを固着するとともに光フアイバ１０をＶ溝２に
位置決め固定する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光通信用光学素子結合モ
ジュールおよびその製造方法に関し、特に発光素子と光
フアイバとを光学的に結合する光通信用光学素子結合モ
ジュールおよびその製造方法に関する。
ジュールおよびその製造方法に関し、特に発光素子と光
フアイバとを光学的に結合する光通信用光学素子結合モ
ジュールおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の光通信用光学素子結合モジュール
には、例えば特開昭６０−５９３０９号公報に記載され
ているものがある。
には、例えば特開昭６０−５９３０９号公報に記載され
ているものがある。
【０００３】図３は上記公報記載の従来の光通信用光学
素子結合モジュールの例を示す断面図である。
素子結合モジュールの例を示す断面図である。
【０００４】半導体レーザ素子３１はヒートシンク３２
を介して容器３３に半田付けによって固定されるととも
に電気的に接続されており、リード線３４および３５を
介して供給される電流によって動作する。
を介して容器３３に半田付けによって固定されるととも
に電気的に接続されており、リード線３４および３５を
介して供給される電流によって動作する。
【０００５】光フアイバ３６は容器３３上に固定された
銅製の光フアイバ固定台３７および光フアイバ取出口３
８に半田剤３９および４０によって半田付固定される。
銅製の光フアイバ固定台３７および光フアイバ取出口３
８に半田剤３９および４０によって半田付固定される。
【０００６】光フアイバ固定台３７は、光フアイバ保持
部４１、容器３３へ固定される固定部４２、塑性変形部
４３からなっている。
部４１、容器３３へ固定される固定部４２、塑性変形部
４３からなっている。
【０００７】半導体レーザ素子３１の出力光が効率良く
光フアイバ３６に結合できるように、光フアイバ３６の
入射端４４は半球状に加工されている。
光フアイバ３６に結合できるように、光フアイバ３６の
入射端４４は半球状に加工されている。
【０００８】ここで、光フアイバ保持部４１に外力を加
えると、形状が細い塑性変形部４３を支点に光フアイバ
保持部４１が動くため、光フアイバ保持部４１の取付姿
勢を変化させて、半導体レーザ素子３１の出力光が効率
良く光フアイバ３６に結合するように入射端４４の位置
を調整する。
えると、形状が細い塑性変形部４３を支点に光フアイバ
保持部４１が動くため、光フアイバ保持部４１の取付姿
勢を変化させて、半導体レーザ素子３１の出力光が効率
良く光フアイバ３６に結合するように入射端４４の位置
を調整する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の光通信
用光学素子結合モジュールでは、別々に製作しなければ
ならない多くの個別部品によって構成されており、さら
に光学的結合をとるために発光素子に電気を供給して発
光させ、光フアイバからの光出力をモニタしながら光軸
調整作業を行なわなければならないため、その部材製作
および組立に要する労力および時間が多大であるという
問題点がある。
用光学素子結合モジュールでは、別々に製作しなければ
ならない多くの個別部品によって構成されており、さら
に光学的結合をとるために発光素子に電気を供給して発
光させ、光フアイバからの光出力をモニタしながら光軸
調整作業を行なわなければならないため、その部材製作
および組立に要する労力および時間が多大であるという
問題点がある。
【００１０】本発明の目的は、多数同時に製作でき、か
つ、光軸調整作業を不要とすることにより製作に要する
労力および時間を大幅に軽減できる光通信用光学素子結
合モジュールおよびその製造方法を提供することにあ
る。
つ、光軸調整作業を不要とすることにより製作に要する
労力および時間を大幅に軽減できる光通信用光学素子結
合モジュールおよびその製造方法を提供することにあ
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】第１の発明の光通信用光
学素子結合モジュールは、異方性エッチングにより形成
されるＶ溝と前記Ｖ溝と一定の段差をもつ素子搭載面と
前記素子搭載面をさらにエッチングして形成される素子
固着部と前記Ｖ溝に対して予め決定された位置に基準を
もつ位置決め溝と前記素子固着部に金属を蒸着して形成
される第１の電極とを有するシリコン基板と、発光素子
の半導体基板側電極部と対向してある他方の電極部をエ
ッチングして形成され前記シリコン基板に固着されたと
きに前記第１の電極に接続するように位置される第２の
電極と発光部から一定位置にあり前記位置決め溝と接触
して位置決めに使用されるマーカとを有する発光素子
と、前記シリコン基板上のＶ溝に位置決め固定される光
フアイバとを含んで構成されている。
学素子結合モジュールは、異方性エッチングにより形成
されるＶ溝と前記Ｖ溝と一定の段差をもつ素子搭載面と
前記素子搭載面をさらにエッチングして形成される素子
固着部と前記Ｖ溝に対して予め決定された位置に基準を
もつ位置決め溝と前記素子固着部に金属を蒸着して形成
される第１の電極とを有するシリコン基板と、発光素子
の半導体基板側電極部と対向してある他方の電極部をエ
ッチングして形成され前記シリコン基板に固着されたと
きに前記第１の電極に接続するように位置される第２の
電極と発光部から一定位置にあり前記位置決め溝と接触
して位置決めに使用されるマーカとを有する発光素子
と、前記シリコン基板上のＶ溝に位置決め固定される光
フアイバとを含んで構成されている。
【００１２】第２の発明の光通信用光学素子結合モジュ
ールの製造方法は、シリコン基板上に異方性エッチング
によりＶ溝と前記Ｖ溝と一定の段差をもつ素子搭載面と
を形成する第１の工程と、前記素子搭載面をエッチング
して素子固着部と前記Ｖ溝に対して予め決定された位置
に基準をもつ位置決め溝とを形成する第２の工程と、前
記素子固着部に金属を蒸着して第１の電極を形成する第
３の工程と、発光素子が前記シリコン基板に固着された
ときに前記第１の電極に接続する第２の電極と発光部か
ら一定位置にあり前記位置決め溝と接触して位置決めに
使用されるマーカとを前記発光素子の半導体基板側電極
部と対向してある他方の電極部をエッチングして形成す
る第４の工程と、前記素子固着部にソルダを載せ次いで
前記シリコン基板上に前記発光素子を搭載してシリコン
基板全体を加熱しながら前記発光素子の位置決めを行な
った後に冷却して固着する第５の工程と、前記Ｖ溝に光
フアイバを保持固定する第６の工程とを含んで構成され
ている。
ールの製造方法は、シリコン基板上に異方性エッチング
によりＶ溝と前記Ｖ溝と一定の段差をもつ素子搭載面と
を形成する第１の工程と、前記素子搭載面をエッチング
して素子固着部と前記Ｖ溝に対して予め決定された位置
に基準をもつ位置決め溝とを形成する第２の工程と、前
記素子固着部に金属を蒸着して第１の電極を形成する第
３の工程と、発光素子が前記シリコン基板に固着された
ときに前記第１の電極に接続する第２の電極と発光部か
ら一定位置にあり前記位置決め溝と接触して位置決めに
使用されるマーカとを前記発光素子の半導体基板側電極
部と対向してある他方の電極部をエッチングして形成す
る第４の工程と、前記素子固着部にソルダを載せ次いで
前記シリコン基板上に前記発光素子を搭載してシリコン
基板全体を加熱しながら前記発光素子の位置決めを行な
った後に冷却して固着する第５の工程と、前記Ｖ溝に光
フアイバを保持固定する第６の工程とを含んで構成され
ている。
【００１３】第３の発明の光通信用光学素子結合モジュ
ールは、異方性エッチングにより形成されるＶ溝と前記
Ｖ溝と一定の段差をもつ素子搭載面と前記素子搭載面に
金属を蒸着後エッチングして形成される素子固着部と前
記Ｖ溝に対して予め決定された位置に基準をもち前記素
子固着部外に位置する基板マーカとを有するシリコン基
板と、発光素子の半導体基板側にある電極部をエッチン
グして形成される電極と発光部から一定位置にあり前記
基板マーカとの間で位置決めに使用される素子マーカと
を有する発光素子と、前記シリコン基板上のＶ溝に位置
決め固定される光フアイバとを含んで構成されている。
ールは、異方性エッチングにより形成されるＶ溝と前記
Ｖ溝と一定の段差をもつ素子搭載面と前記素子搭載面に
金属を蒸着後エッチングして形成される素子固着部と前
記Ｖ溝に対して予め決定された位置に基準をもち前記素
子固着部外に位置する基板マーカとを有するシリコン基
板と、発光素子の半導体基板側にある電極部をエッチン
グして形成される電極と発光部から一定位置にあり前記
基板マーカとの間で位置決めに使用される素子マーカと
を有する発光素子と、前記シリコン基板上のＶ溝に位置
決め固定される光フアイバとを含んで構成されている。
【００１４】第４の発明の光通信用光学素子結合モジュ
ールの製造方法は、シリコン基板上に異方性エッチング
によりＶ溝と前記Ｖ溝と一定の段差をもつ素子搭載面と
を形成する第１の工程と、前記素子搭載面に金属を蒸着
後エッチングして素子固着部と前記Ｖ溝に対して予め決
定された位置に基準をもち前記素子固着部外に位置する
基板マーカとを形成する第２の工程と、発光素子の半導
体基板側にある電極部をエッチングして電極と発光部か
ら一定位置にあり前記基板マーカとの間で位置決めに使
用される素子マーカとを形成する第３の工程と、前記素
子固着部にソルダを載せ次いで前記シリコン基板上に前
記発光素子を搭載してシリコン基板全体を加熱しながら
前記発光素子の位置決めを行なった後に冷却して固着す
る第４の工程と、前記Ｖ溝に光フアイバを保持固定する
第５の工程とを含んで構成されている。
ールの製造方法は、シリコン基板上に異方性エッチング
によりＶ溝と前記Ｖ溝と一定の段差をもつ素子搭載面と
を形成する第１の工程と、前記素子搭載面に金属を蒸着
後エッチングして素子固着部と前記Ｖ溝に対して予め決
定された位置に基準をもち前記素子固着部外に位置する
基板マーカとを形成する第２の工程と、発光素子の半導
体基板側にある電極部をエッチングして電極と発光部か
ら一定位置にあり前記基板マーカとの間で位置決めに使
用される素子マーカとを形成する第３の工程と、前記素
子固着部にソルダを載せ次いで前記シリコン基板上に前
記発光素子を搭載してシリコン基板全体を加熱しながら
前記発光素子の位置決めを行なった後に冷却して固着す
る第４の工程と、前記Ｖ溝に光フアイバを保持固定する
第５の工程とを含んで構成されている。
【００１５】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１６】図１は本発明の光通信用光学素子結合モジ
ュールおよびその製造方法の第１の実施例を示す斜視工
程図である。
ュールおよびその製造方法の第１の実施例を示す斜視工
程図である。
【００１７】第１の実施例の光通信用光学素子結合モジ
ュールは、図１に示すように、異方性エッチングにより
形成されるＶ溝２とＶ溝２と一定の段差をもつ素子搭載
面３とこの素子搭載面３をさらにエッチングして形成さ
れる素子固着部４とＶ溝２に対して予め決定された位置
に基準をもつ位置決め溝５と素子固着部４に金属を蒸着
して形成される第１の電極９とを有するシリコン基板１
と、発光素子６の半導体基板側電極部と対応してある他
方の電極部をエッチングして形成されシリコン基板１に
固着されたときに第１の電極９に接続するように位置さ
れる第２の電極８と発光部から一定位置にあり位置決め
溝５と接触して位置決めに使用されるマーカ７とを有す
る発光素子６と、シリコン基板１上のＶ溝２に位置決め
固定される光フアイバ１０とを有して構成されている。
ュールは、図１に示すように、異方性エッチングにより
形成されるＶ溝２とＶ溝２と一定の段差をもつ素子搭載
面３とこの素子搭載面３をさらにエッチングして形成さ
れる素子固着部４とＶ溝２に対して予め決定された位置
に基準をもつ位置決め溝５と素子固着部４に金属を蒸着
して形成される第１の電極９とを有するシリコン基板１
と、発光素子６の半導体基板側電極部と対応してある他
方の電極部をエッチングして形成されシリコン基板１に
固着されたときに第１の電極９に接続するように位置さ
れる第２の電極８と発光部から一定位置にあり位置決め
溝５と接触して位置決めに使用されるマーカ７とを有す
る発光素子６と、シリコン基板１上のＶ溝２に位置決め
固定される光フアイバ１０とを有して構成されている。
【００１８】次に第１の実施例の光通信用光学素子結合
モジュールの製造方法について説明する。
モジュールの製造方法について説明する。
【００１９】まず、シリコン基板１上に異方性エッチン
グによりＶ溝２およびそれと一定の段差をもつ素子搭載
面３を形成する（図１（ａ））。
グによりＶ溝２およびそれと一定の段差をもつ素子搭載
面３を形成する（図１（ａ））。
【００２０】次に、この素子搭載面３上にエッチングに
よってＶ溝２に対して予め決定された位置に基準をもつ
位置決め溝５と素子固着部４とを形成する。この時位置
決め溝５は発光素子６が位置決めしやすいように、Ｖ型
と一型との２種類の位置決め溝５を作成しておく。さら
に、素子固定部４には、電極９を蒸着する（図１
（ｂ））。
よってＶ溝２に対して予め決定された位置に基準をもつ
位置決め溝５と素子固着部４とを形成する。この時位置
決め溝５は発光素子６が位置決めしやすいように、Ｖ型
と一型との２種類の位置決め溝５を作成しておく。さら
に、素子固定部４には、電極９を蒸着する（図１
（ｂ））。
【００２１】一方、発光素子６の半導体基板側電極部と
対向してある他方の電極部上に、シリコン基板１に固着
されたときに第１の電極９に接続するように位置される
電極８と発光部から一定位置にあり位置決め溝５と接触
して位置決めに使用される２つのマーカ７とをエッチン
グによって形成する。（図１（ｃ）） 以上の工程は、ウエハ上に多数同時に加工し、その後、
ダイシングまたはブレーキングによって個別部品とす
る。
対向してある他方の電極部上に、シリコン基板１に固着
されたときに第１の電極９に接続するように位置される
電極８と発光部から一定位置にあり位置決め溝５と接触
して位置決めに使用される２つのマーカ７とをエッチン
グによって形成する。（図１（ｃ）） 以上の工程は、ウエハ上に多数同時に加工し、その後、
ダイシングまたはブレーキングによって個別部品とす
る。
【００２２】次に、シリコン基板１上の素子固着部４に
ソルダを載せ、さらに発光素子６を搭載し、シリコン基
板全体を加熱したまま位置決め溝５とマーカ７が接触し
て位置決めされるまで、発光素子６を加圧しながら移動
させた後、冷却する（図１（ｄ））。
ソルダを載せ、さらに発光素子６を搭載し、シリコン基
板全体を加熱したまま位置決め溝５とマーカ７が接触し
て位置決めされるまで、発光素子６を加圧しながら移動
させた後、冷却する（図１（ｄ））。
【００２３】次に、光フアイバ１０をＶ溝２に保持固定
する（図１（ｅ））。
する（図１（ｅ））。
【００２４】以上のように、第１の実施例ではシリコン
基板と発光素子の加工が、半導体製造プロセスと同様に
ウエハ上に多数同時に製作でき、かつその組立てにも位
置決め溝を利用することにより光軸調整作業を削除でき
製造に際して大幅に労力と時間の軽減ができる。
基板と発光素子の加工が、半導体製造プロセスと同様に
ウエハ上に多数同時に製作でき、かつその組立てにも位
置決め溝を利用することにより光軸調整作業を削除でき
製造に際して大幅に労力と時間の軽減ができる。
【００２５】図２は本発明の光通信用光学素子結合モジ
ュールおよびその製造方法の第２の実施例を示す斜視工
程図である。
ュールおよびその製造方法の第２の実施例を示す斜視工
程図である。
【００２６】第２の実施例の光通信用光学素子結合モジ
ュールは、図２に示すように、異方性エッチングにより
形成されるＶ溝２２とＶ溝２２と一定の段差をもつ素子
搭載面２３とこの素子搭載面２３に金属を蒸着後エッチ
ングして形成される素子固着部２４とＶ溝２２に対して
予め決定された位置に基準をもち素子固着部２４外に位
置する基板マーカ２５とを有するシリコン基板２１と、
発光素子２６の半導体基板側電極部をエッチングして形
成された電極２８と発光部から一定位置にあり基板マー
カ２５との間で位置決めに使用される素子マーカ２７と
を有する発光素子２６と、シリコン基板２１上のＶ溝２
２に位置決め固定される光フアイバ１０とを有して構成
されている。
ュールは、図２に示すように、異方性エッチングにより
形成されるＶ溝２２とＶ溝２２と一定の段差をもつ素子
搭載面２３とこの素子搭載面２３に金属を蒸着後エッチ
ングして形成される素子固着部２４とＶ溝２２に対して
予め決定された位置に基準をもち素子固着部２４外に位
置する基板マーカ２５とを有するシリコン基板２１と、
発光素子２６の半導体基板側電極部をエッチングして形
成された電極２８と発光部から一定位置にあり基板マー
カ２５との間で位置決めに使用される素子マーカ２７と
を有する発光素子２６と、シリコン基板２１上のＶ溝２
２に位置決め固定される光フアイバ１０とを有して構成
されている。
【００２７】次に第２の実施例の光通信用光学素子結合
モジュールの製造方法について説明する。
モジュールの製造方法について説明する。
【００２８】まず、シリコン基板２１上に異方性エッチ
ングによりＶ溝２２およびこれと一定の段差をもつ素子
搭載面２３を形成する（図２（ａ））。
ングによりＶ溝２２およびこれと一定の段差をもつ素子
搭載面２３を形成する（図２（ａ））。
【００２９】次に、この素子搭載面２３上に金属を蒸着
した後エッチングによって素子固定部２４およびＶ溝２
２に対して予め決定された位置に基準をもち素子固着部
２４外に位置する基板マーカ２５を形成する（図２
（ｂ））。
した後エッチングによって素子固定部２４およびＶ溝２
２に対して予め決定された位置に基準をもち素子固着部
２４外に位置する基板マーカ２５を形成する（図２
（ｂ））。
【００３０】次に、発光素子２６の半導体基板側電極部
上に電極２８と発光部から一定位置にあり基板マーカ２
５との間で位置決めに使用される素子マーカ２７とをエ
ッチングによって形成する（図２（ｃ））。
上に電極２８と発光部から一定位置にあり基板マーカ２
５との間で位置決めに使用される素子マーカ２７とをエ
ッチングによって形成する（図２（ｃ））。
【００３１】以上の工程は、ウエハ上に多数同時に加工
し、その後、ダイシングまたはブレーキングによって個
別部品とする。
し、その後、ダイシングまたはブレーキングによって個
別部品とする。
【００３２】次に、シリコン基板２１上の素子固着部２
４にソルダを載せ、さらに発光素子２６を搭載し、シリ
コン基板２１全体を加熱したまま基板マーカ２５の中心
と、素子マーカ２７の中心が予め決定された位置になる
ように発光素子２６を加圧しながら移動させた後冷却
し、固着する（図２（ｄ））。
４にソルダを載せ、さらに発光素子２６を搭載し、シリ
コン基板２１全体を加熱したまま基板マーカ２５の中心
と、素子マーカ２７の中心が予め決定された位置になる
ように発光素子２６を加圧しながら移動させた後冷却
し、固着する（図２（ｄ））。
【００３３】次に、光フアイバ１０をＶ溝２２に保持固
定する（図２（ｅ））。
定する（図２（ｅ））。
【００３４】以上のように、第２の実施例ではシリコン
基板と発光素子の加工が、半導体製造プロセスと同様に
ウエハ上に多数同時に製作でき、かつその組立てにも位
置決め溝を利用することにより光軸調整作業を削除でき
製造に際して大幅に労力と時間の軽減ができる。
基板と発光素子の加工が、半導体製造プロセスと同様に
ウエハ上に多数同時に製作でき、かつその組立てにも位
置決め溝を利用することにより光軸調整作業を削除でき
製造に際して大幅に労力と時間の軽減ができる。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光通信用
光学素子結合モジュールおよびその製造方法は、シリコ
ン基板と発光素子の加工が、半導体製造プロセスと同様
にウエハ上に多数同時に製作でき、かつその組立てにも
位置決め溝を利用することにより光軸調整作業を削除で
き製造に際して大幅に労力と時間の軽減ができるという
効果を有している。
光学素子結合モジュールおよびその製造方法は、シリコ
ン基板と発光素子の加工が、半導体製造プロセスと同様
にウエハ上に多数同時に製作でき、かつその組立てにも
位置決め溝を利用することにより光軸調整作業を削除で
き製造に際して大幅に労力と時間の軽減ができるという
効果を有している。
【図１】（ａ）〜（ｅ）は本発明の光通信用光学素子結
合モジュールおよびその製造方法の第１の実施例を示す
斜視工程図である。
合モジュールおよびその製造方法の第１の実施例を示す
斜視工程図である。
【図２】（ａ）〜（ｅ）は本発明の光通信用光学素子結
合モジュールおよびその製造方法の第２の実施例を示す
斜視工程図である。
合モジュールおよびその製造方法の第２の実施例を示す
斜視工程図である。
【図３】従来の光通信用光学素子結合モジュールの例を
示す断面図である。
示す断面図である。
１、２１ シリコン基板 ２、２２ Ｖ溝 ３、２３ 素子搭載面 ４、２４ 素子固着部 ５ 位置決め溝 ６、２６ 発光素子 ７ マーカ ８、９、２８ 電極 １０、３６ 光フアイバ ２５ 基板マーカ ２７ 素子マーカ ３１ 半導体レーザ素子 ３２ ヒートシンク ３３ 容器 ３４、３５ リード線 ３７ 光フアイバ固定台 ３８ 光フアイバ取出口 ３９、４０ 半田剤 ４１ 光フアイバ保持部 ４２ 固定部 ４３ 塑性変形部 ４４ 入射端
Claims (4)
- 【請求項１】 異方性エッチングにより形成されるＶ溝
と前記Ｖ溝と一定の段差をもつ素子搭載面と前記素子搭
載面をさらにエッチングして形成される素子固着部と前
記Ｖ溝に対して予め決定された位置に基準をもつ位置決
め溝と前記素子固着部に金属を蒸着して形成される第１
の電極とを有するシリコン基板と、発光素子の半導体基
板側電極部と対向してある他方の電極部をエッチングし
て形成され前記シリコン基板に固着されたときに前記第
１の電極に接続するように位置される第２の電極と発光
部から一定位置にあり前記位置決め溝と接触して位置決
めに使用されるマーカとを有する発光素子と、前記シリ
コン基板上のＶ溝に位置決め固定される光フアイバとを
含むことを特徴とする光通信用光学素子結合モジュー
ル。 - 【請求項２】 シリコン基板上に異方性エッチングによ
りＶ溝と前記Ｖ溝と一定の段差をもつ素子搭載面とを形
成する第１の工程と、前記素子搭載面をエッチングして
素子固着部と前記Ｖ溝に対して予め決定された位置に基
準をもつ位置決め溝とを形成する第２の工程と、前記素
子固着部に金属を蒸着して第１の電極を形成する第３の
工程と、発光素子が前記シリコン基板に固着されたとき
に前記第１の電極に接続する第２の電極と発光部から一
定位置にあり前記位置決め溝と接触して位置決めに使用
されるマーカとを前記発光素子の半導体基板側電極部と
対向してある他方の電極部をエッチングして形成する第
４の工程と、前記素子固着部にソルダを載せ次いで前記
シリコン基板上に前記発光素子を搭載してシリコン基板
全体を加熱しながら前記発光素子の位置決めを行なった
後に冷却して固着する第５の工程と、前記Ｖ溝に光フア
イバを保持固定する第６の工程とを含むことを特徴とす
る光通信用光学素子結合モジュールの製造方法。 - 【請求項３】 異方性エッチングにより形成されるＶ溝
と前記Ｖ溝と一定の段差をもつ素子搭載面と前記素子搭
載面に金属を蒸着後エッチングして形成される素子固着
部と前記Ｖ溝に対して予め決定された位置に基準をもち
前記素子固着部外に位置する基板マーカとを有するシリ
コン基板と、発光素子の半導体基板側にある電極部をエ
ッチングして形成される電極と発光部から一定位置にあ
り前記基板マーカとの間で位置決めに使用される素子マ
ーカとを有する発光素子と、前記シリコン基板上のＶ溝
に位置決め固定される光フアイバとを含むことを特徴と
する光通信用光学素子結合モジュール。 - 【請求項４】 シリコン基板上に異方性エッチングによ
りＶ溝と前記Ｖ溝と一定の段差をもつ素子搭載面とを形
成する第１の工程と、前記素子搭載面に金属を蒸着後エ
ッチングして素子固着部と前記Ｖ溝に対して予め決定さ
れた位置に基準をもち前記素子固着部外に位置する基板
マーカとを形成する第２の工程と、発光素子の半導体基
板側にある電極部をエッチングして電極と発光部から一
定位置にあり前記基板マーカとの間で位置決めに使用さ
れる素子マーカとを形成する第３の工程と、前記素子固
着部にソルダを載せ次いで前記シリコン基板上に前記発
光素子を搭載してシリコン基板全体を加熱しながら前記
発光素子の位置決めを行なった後に冷却して固着する第
４の工程と、前記Ｖ溝に光フアイバを保持固定する第５
の工程とを含むことを特徴とする光通信用光学素子結合
モジュールの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5317595A JPH07174941A (ja) | 1993-12-17 | 1993-12-17 | 光通信用光学素子結合モジュールおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5317595A JPH07174941A (ja) | 1993-12-17 | 1993-12-17 | 光通信用光学素子結合モジュールおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07174941A true JPH07174941A (ja) | 1995-07-14 |
Family
ID=18089975
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5317595A Pending JPH07174941A (ja) | 1993-12-17 | 1993-12-17 | 光通信用光学素子結合モジュールおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07174941A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997011398A1 (en) * | 1995-09-20 | 1997-03-27 | Hitachi, Ltd. | Optical module |
| WO1997012270A1 (en) * | 1995-09-27 | 1997-04-03 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Surface mount module and production method thereof |
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| US6477302B2 (en) | 2000-01-12 | 2002-11-05 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Microbench and producing method therefor, and optical semiconductor module using same |
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-
1993
- 1993-12-17 JP JP5317595A patent/JPH07174941A/ja active Pending
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970708 |