JPH07176710A - 電子ウェーハ・アセンブリを修理する方法及び作像装置配列を修理する方法 - Google Patents

電子ウェーハ・アセンブリを修理する方法及び作像装置配列を修理する方法

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JPH07176710A
JPH07176710A JP6208292A JP20829294A JPH07176710A JP H07176710 A JPH07176710 A JP H07176710A JP 6208292 A JP6208292 A JP 6208292A JP 20829294 A JP20829294 A JP 20829294A JP H07176710 A JPH07176710 A JP H07176710A
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layer
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JP6208292A
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Yung Sheng Liu
ユン・シェン・リウ
Renato Guida
レナト・ガイダ
Ching-Yeu Wei
チン−イェイ・ウェイ
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General Electric Co
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 電子部品の２層の間に望ましくない導電路を
有している電子ウェーハ・アセンブリにおいて、他の電
子部品の層に損傷を招かずに電子部品の一方の層におい
て導電路の位置を隔離することのできる電子ウェーハ・
アセンブリを修理する方法を提供する。 【構成】 誘電体層１１４によって隔てられた２つの非
絶縁層１１２、１１６の間に短絡部１１９ａ、１１９ｂ
を有している電子配列ウェーハ・アセンブリ１００を修
理する方法が、その下方にある非絶縁層の電気的な健全
性を損なわないまま、短絡部の位置を電気的に隔離する
ように、一方の非絶縁層を選択的に削摩する工程を含ん
でいる。レーザ・ビームを非絶縁層に差し向け、選択さ
れたパターンで走査して、短絡部の位置を隔離する。レ
ーザは、その下方にある非絶縁層が損傷を受けないよう
に、削摩しようとする面に選択されたエネルギ密度が送
り出されるよう制御される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の背景】複雑な電子装置は、多数の個別の電子部
品を形成するように、導電材料、半導体材料及び誘電体
材料から成る多数の層を沈積、並びにパターン決めする
ことによって基板上に形成されていることが普通であ
る。例えば、（例えば、２００平方センチ又はそれ以上
の面積を有している）大面積作像装置配列は、ウェーハ
上に作成されており、光ダイオードと、アドレス線及び
スイッチング部品（例えば、薄膜トランジスタ）のよう
に、光ダイオードの出力を読み取る回路とを含んでいる
ことが普通である。このような作像装置配列の欠陥は、
他にも原因があるが、種々の部品を形成するために沈積
された材料における不純物によって起こることがある。
このような不純物による欠陥の一例が、誘電体層によっ
て隔てられている２つの導電層の間の望ましくない導電
通路又は短絡部である。このような欠陥は、配列内にあ
る装置の間の所望の電気接続を乱し、そのため、ウェー
ハ上の個別の電子部品の１つ又は更に多くの性能に重大
な劣化をもたらすことがあり、ウェーハ全体を使いもの
にならなくすることもしばしばである。従って、製造過
程の間でも、又はウェーハが完成した後でも、ウェーハ
の欠陥を修理できることが有利である。
【０００２】ウェーハの修理方式は、いずれも本出願の
被譲渡人に譲渡された米国特許番号第４６８８８９６
号、同第４８４０４５９号、及び同第５０６２６９０号
に記載されているように、ウェーハ内に組み込まれた支
援（バックアップ）用アドレス線に対する相異なる接続
をする場合が多い。このようなやり方は、配列内で互い
に実質的に水平に配設されているアドレス線のような部
品の間の短絡部を修理するのに有用である。このやり方
は、光センサ配列上に配設されている透明な共通電極の
ような大きな導電層と、それから実質的に透明な誘電体
材料によって隔てられている、アドレス線又は光ダイオ
ード画素のようなその下方にある部品との間の短絡が欠
陥であるときには、用いることはそれほど容易ではな
い。特に、このような「垂直（方向）」の欠陥（即ち、
互いに上下に配設されていると共に誘電体層によって隔
てられている２層の間の短絡部又は導電路）は、共通電
極によって覆われている大面積内の殆どどこででも起こ
り得る。更に、アドレス線の修理に用いられるような種
類のレーザは、必然的に配列内に深く入り込むほど強力
であり、そのため、典型的には強力過ぎて、その下方に
ある電子部品を損傷せずに、透明な導電性酸化物（ＴＣ
Ｏ）層で普通は構成されている共通電極の一部のみを削
摩するのに用いることができない。更に、個別のアドレ
ス線を修理するためのレーザ方式は、他の部品及びアド
レス線に密接して配設されている１つのアドレス線の正
しい部分のみを切断するように、精密な整合を必要とす
る。
【０００３】従って、本発明の目的は、配列内の電子部
品の２層の間に望ましくない導電路を有している電子配
列構造を修理する方法であって、他の電子部品の層に損
傷を招かずに、電子部品の一方の層において導電路の位
置を隔離することができるようにする方法を提供するこ
とである。本発明の他の目的は、その下方に配設されて
いる誘電体層を完全に除去せずに、導電層の一部を選択
的に削摩する方法を提供することである。
【０００４】本発明の更に他の目的は、作像装置配列内
のその下方にある部品の電気的な健全性を損なわずに、
ＴＣＯ層のうち、垂直短絡部が存在している部分を電気
的に隔離することにより、その上方にＴＣＯ層が配設さ
れている光センサ配列を修理する易しい方法を提供する
ことである。
【０００５】
【発明の要約】配列内に設けられた電子部品の第１及び
第２の非絶縁層の間に配設されている誘電体層に欠陥が
あって、その間に望ましくない導電路が存在するような
電子ウェーハ・アセンブリを修理する方法が、電子部品
の一方の非絶縁層の一部を選択的に削摩して、電子部品
の他方の非絶縁層の電気的な健全性を損なわずに、望ま
しくない導電路の位置を電気的に隔離する工程を含んで
いる。選択的に削摩する工程は、削摩用光周波数、レー
ザ削摩パルス速度及びレーザ削摩パルス幅を選択するこ
とによって、電子部品の非絶縁層のうち、削摩しようと
する部分に対して、選択されたエネルギ密度を加えるよ
うにレーザを制御し、このレーザ・ビームを集束光学系
を介して差し向ける工程を含んでいる。
【０００６】本発明の方法は、光センサ配列の上側にあ
る透明な導電性の共通電極層とその下にある導電層との
間に配設されている誘電体材料における垂直方向の欠陥
から生ずる短絡部を有している作像装置配列を修理する
ために特に適している。垂直方向の欠陥がある位置で、
共通電極にレーザ・ビームを差し向けて、共通電極のそ
の部分を削摩し、短絡部の位置の周りにある共通電極層
の部分を電気的に隔離する。レーザ・ビームは、短絡部
の位置の下方にある埋設された導電部品の電気的な健全
性が損なわれないように制御される。共通電極の一部に
レーザ・ビームを差し向ける工程は、スポット走査、線
走査又は円形走査のような選択されたパターンで、ビー
ムを走査することを含んでいる。
【０００７】本発明の新規と考えられる特徴は、特許請
求の範囲に具体的に記載してあるが、本発明自体の構
成、作用、並びにその他の目的及び利点は、以下図面に
ついて説明するところから最もよく理解されよう。図面
全体にわたり、同様な部分には同じ参照番号を用いてい
る。
【０００８】
【実施例】作像装置配列のような電子配列ウェーハ・ア
センブリ１００は典型的には、基板１０５を備えてお
り、電子配列を構成している部品が図１（Ａ）に示すよ
うに、基板１０５の上に配設されている。基板１０５上
に配設されている光センサ配列１１０は典型的には、ア
ドレス線、光ダイオード及びスイッチング装置、例えば
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のような複数の電子部品を
備えている。
【０００９】これに制限するつもりはないが、例として
言うと、図１（Ａ）では、光センサ配列１１０に設けら
れている電子部品の第１の非絶縁層１１２が、基板１０
５上に配設されている。本明細書で用いる「非絶縁」と
いう用語は、導電材料又は半導体材料で構成されている
部品の層を指す。しかしながら、典型的には、ここで説
明する修理しようとする短絡部は、２つの導電層の間に
ある。即ち、例えば、第１の非絶縁層１１２はアドレス
線１１３ａ及び１１３ｂ（代表として、２つのみを示
す）等を含んでおり、モリブデン、アルミニウム等の導
電材料で構成されている。誘電体層１１４が第１の非絶
縁層１１２の上に配設されている。誘電体層１１４は、
ポリイミド等のような有機誘電体材料、又は窒化シリコ
ン若しくは酸化シリコンのような無機誘電体材料、又は
有機誘電体材料及び無機誘電体材料の組み合わせで構成
されている。ここで説明する光センサ配列では、層１１
４を構成している誘電体材料は、光子に対して実質的に
透明である。第２の非絶縁層１１６が誘電体層１１４の
上に配設されている。第２の非絶縁層１１６は典型的に
は、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）等のような実質的に透
明な導電性酸化物で構成されており、光センサ配列１１
０内に配設されている光ダイオードを結合している共通
電極である。
【００１０】代表的な短絡状態が図１（Ａ）に示されて
いる。図１（Ｂ）は同じ代表的な短絡状態を示す平面図
である。この短絡状態は、例えば、誘電体材料を沈積す
るときにそれに巻き込まれた導電材料のような誘電体材
料の不純物で構成されている誘電体材料１１４の欠陥１
１８によってか、又は第１の非絶縁層１１２からという
ように、配列内の他の部品の沈積によるアーティファク
トとしての誘電体材料１１４の欠陥１１８によって起こ
る。図１（Ａ）に示す場合、欠陥１１８は、部位１１９
ａ及び１１９ｂで共通電極１１６及びアドレス線１１３
ａにそれぞれ電気的に結合されるような位置にあり、こ
のため、第１の非絶縁層１１２と第２の非絶縁層１１６
との間に導電路が存在している。このような導電路は、
２つの導電層を短絡し、これらの２つの導電層に電気結
合された光ダイオードの作用を失わせるものであるの
で、望ましくない。実際に、配列内のすべての光ダイオ
ードは典型的には、共通電極１１６に結合されており、
影響を受けたアドレス線１１３ａの短絡部が隔離される
ときまでは、光センサ配列全体の動作は、アドレス線１
１３ａを電気的に隔離しない限り劣化する。しかしなが
ら、アドレス線を切断するか、又はその他の方法で電気
的に隔離すると、このアドレス線から駆動されるすべて
の光ダイオード画素が失われる。
【００１１】本発明によれば、ウェーハ・アセンブリ１
００は、アドレス線１１３ａの電気的な健全性を損なわ
ずに、共通電極層１１６の短絡部の位置１１９ａを電気
的に隔離するように、共通電極層１１６の一部を削摩す
る工程を含んでいる方法によって修理される。本明細書
で用いる「削摩（アブレート、アブレーション）」等と
いう用語は、レーザ・ビームのようなエネルギ・ビーム
をウェーハ・アセンブリ１００に差し向けて、典型的に
はレーザ・ビームからのエネルギを吸収することによっ
て起こる蒸発により、その上に配設されている材料のあ
る部分を除去する方法を指す。エネルギは比較的限られ
た区域で吸収され、蒸発した材料は典型的には、その材
料があった区域から煙状に急速に駆逐される。この材料
の駆逐は、駆逐される蒸気の通路内の層内にある材料を
除去することにも役立つ。「電気的な健全性」とは、第
１の非絶縁層１１２、例えばアドレス線１１３ａの導電
度を指し、特に、アドレス線が、光センサ配列１１０内
で設計通りの作用を続けることができるように、線抵抗
等の導電特性を保持することを指す。
【００１２】レーザ・ビームが共通電極層１１６を削摩
するために用いられる。本発明によれば、レーザは、そ
の下方にあるアドレス線１１３ａの健全性が維持される
ように、例えば、アドレス線１１３ａが損傷を受けない
ように、共通電極層１１６の一部に対して、選択された
エネルギ密度を加えるように制御される。このため、共
通電極１１６及び誘電体層１１４に対するレーザ・ビー
ムの浸透の程度、並びにその結果、ビームのエネルギが
吸収される材料の削摩は、誘電体層の選択された一部の
みが削摩されるように制御される。選択されるエネルギ
密度は、削摩用光周波数、レーザ削摩パルス速度及びレ
ーザ削摩パルス幅を選択することによって決定される。
【００１３】削摩用光周波数は、レーザ・ビームのエネ
ルギの大部分が、所望の材料を削摩するようなウェーハ
内の深さの所で吸収されるように、そして同じくレーザ
の光エネルギが、削摩しようとするウェーハ・アセンブ
リの部分以外の材料の層（例えば、第１の非絶縁層１１
２）に望ましくない損傷を招くほどウェーハ・アセンブ
リ内に深く入り込まないように選択される。例えば、共
通電極１１６が約５００オングストロームから約５００
０オングストロームまでの範囲内の厚さ（この厚さは普
通は、約７００オングストロームである。）を有してい
る酸化インジウム錫（ＩＴＯ）の層で構成されており、
誘電体層１１４が約０．５μｍから５μｍまでの範囲内
の厚さ（この厚さは普通は、約１．５μｍである。）を
有しているポリイミドで構成されているような、上に述
べた光センサ配列１１０では、レーザ・ビームが紫外光
（例えば、約１０ｎｍから３９０ｎｍまでの波長を有し
ている光）で構成されていることが有利である。紫外光
から成るレーザ・ビームのエネルギの一部が共通電極層
１１６のＩＴＯで吸収され、ビームのエネルギの残りの
部分の実質的に全部が誘電体層１１４のポリイミド内で
容易に吸収される。ＩＴＯ及びその下方にあるポリイミ
ドによる光の吸収の結果、照射された面が削摩され、ポ
リイミドが爆発的に分散することが、削摩されたポリイ
ミドの部分の上に配設されているＩＴＯを運び去るのを
助ける。
【００１４】レーザによって発生される光の波長は、ウ
ェーハ・アセンブリ１００内で削摩したい材料によって
吸収されるように選択される。紫外光は周波数四重形Ｑ
切り換え形ＹＡＧレーザによって発生される。この代わ
りに、エキシマ・レーザ又はアルゴン・レーザのよう
に、紫外光を発生するこの他のレーザを用いてもよい。
選択される特定のレーザ・ビームの波長は、削摩しよう
とする材料の性質に関係する。ポリイミドは約３５０ｎ
ｍ及びそれ以下の波長を有しているビームによって容易
に削摩されるが、酸化シリコン又は窒化シリコンのよう
な無機誘電体材料は、それよりも一層短い波長によって
更に容易に削摩される。削摩特性の波長依存性について
の詳しいことは、マイクロエレクトロニック・エンジニ
アリング誌２０：１５−２９（１９９３年）所載のＹ．
Ｓ．リュー、Ｈ．Ｓ．コール及びＲ．ギダの論文「高密
度相互接続部のための重合体のレーザ削摩」に述べられ
ている。
【００１５】所与のレーザ・ビームから削摩される面に
対して送り出されるエネルギは、レーザ・パルス速度及
びパルス幅によって決定される。一般的に、パルス幅が
短いことは、エネルギが吸収される材料に一層大きなエ
ネルギが送り出されることを意味する。レーザ・パルス
速度の制御により、１秒当たりに送り出されるレーザ・
パルスの数が決定され、こうして、レーザ・ビームが吸
収される材料の削摩の割合が決定される。本発明による
典型的なレーザ・パルス速度は、１秒当たり約１パルス
から１０パルスである。（集束レンズのような）レーザ
に結合された光学系を用いて、ウェーハ・アセンブリ１
００の面上でビームによって照射される区域の寸法及び
形状を制御することが有利である。光が吸収される材料
におけるビームの面積のこのような制御が、（パルスの
エネルギが材料に加えられる面積を決定することによ
り、）パルス・エネルギ密度を決定する。従って、ウェ
ーハ・アセンブリ１００内の特定の面に送り出されるエ
ネルギ密度は、これらのパラメータの各々の選択によっ
て決定され、前に述べたＩＴＯ／ポリイミド構造では、
パルス１つ当たりのエネルギ密度は約１ジュール／ｃｍ
2 から１０ジュール／ｃｍ2 までの範囲内であり、パル
ス１つ当たりのレーザ・エネルギは典型的には、約１マ
イクロジュール又はそれ未満である。エネルギ密度は、
所望の材料（例えば、共通電極を構成しているＩＴＯ）
を削摩すると共に、その周囲の材料（例えば、ＩＴＯの
下方にあるポリイミド誘電体材料）内に選択された距離
だけ入り込むように選択される。
【００１６】レーザ・ビームは、短絡部の位置１１９ａ
を電気的に隔離するように、共通電極１１６を削摩する
選択されたパターンに従って、共通電極１１６の一部に
差し向けられる。例えば、図２（Ａ）に示すスポット走
査を用いて、ウェーハ・アセンブリ１００の（例えば、
レーザ光学系によって決定された）面に入射するレーザ
・ビームの寸法及び形状に対応する区域の共通電極を削
摩することができる。この代わりに、図２（Ｂ）に示す
ような線走査を用いてもよい。線走査では、パルス状レ
ーザ・ビームを実質的に直線又は軸線に沿ってＩＴＯ層
を横切らせ、共通電極に、線形の切り込みに対応する一
連の切り込みを形成する。この代わりに、図２（Ｃ）に
示すような円形走査を用いてもよい。円形走査では、パ
ルス状レーザ・ビームはＩＴＯに実質的に円形パターン
を描くように差し向けられる。円形走査は、レーザ・ビ
ームを短絡部の位置の周りに移動させることにより、共
通電極に対する短絡部の位置を隔離するために有利に用
いることができ、こうして、短絡部の位置を共通電極の
他の部分から電気的に隔離する。円形走査は、レーザ及
びウェーハ・アセンブリの精密な整合を必要とせずに、
垂直の欠陥による短絡部が存在している共通電極の一部
を電気的に隔離するのに特に有用である。
【００１７】１．５μｍの厚さを有している回転付着の
ポリイミド層（誘電体層１１４に対応する）上に沈積し
たＩＴＯ層（共通電極１１６に対応する）と、ガラス基
板上に沈積したポリイミドの下方にあるモリブデン金属
被膜（アドレス線１１３に対応する）とを有している試
験配列の削摩で本発明の方法を実証した。周波数４重形
Ｑ切り換え形ＹＡＧレーザを用いて、（２６６ｎｍの波
長を有している）紫外光ビームを発生させた。紫外光
は、縦続的に用いた１つはＫＴＰ（燐酸カリウム・チタ
ニル）、及びもう１つはＢＢＯ（硼酸酸化バリウム）と
いう二重の２つの結晶から発生させた。集束レンズを含
んでいるビーム整形光学系を用いて、試験配列に入射す
る所で約１０μｍの直径を有する実質的に円形を有する
ようにビームを集束させた。ビーム光学系は、露出エネ
ルギ密度をパルス１つ当たり約数ジュール（例えば、１
ジュール／ｃｍ2 から１０ジュール／ｃｍ2 までの範囲
内）に制御するためにも用いられた。ビームは種々の走
査パターンで試験配列に印加され、その後、走査型電子
顕微鏡の顕微鏡写真を作成したところ、露出区域のＩＴ
Ｏが削摩され、この削摩過程でその下方にあるポリイミ
ドは殆ど除去されないこと（パルス１つ当たり約０．２
μｍのポリイミドが除去されるので、特定の区域に送り
出されるパルスの数を利用して、ポリイミドが削摩され
る深さを決定することができる）ことがわかった。下方
にあるアドレス線には何の損傷も検出されず、これらの
線の電気的な健全性は、ＩＴＯ層の削摩過程によって影
響を受けなかった。
【００１８】このため、本発明の方法は、誘電体層にあ
る垂直の欠陥から生ずる短絡部を有している電子配列の
修理を有効に、比較的素早く且つ簡単に行うことができ
るようにする。本発明のある特徴のみを図面に示して説
明したが、当業者には種々の改変及び変更が考えられよ
う。従って、特許請求の範囲は、本発明の要旨の範囲内
に属するこのようなすべての改変及び変更を包括するも
のであることを承知されたい。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（Ａ）は、誘電体層に垂直の欠陥を有して
おり、その結果配列内の２つの非絶縁層の間に望ましく
ない導電路を生じている電子配列ウェーハの一部の断面
図であり、図１（Ｂ）は、誘電体層に垂直の欠陥を有し
ており、その結果配列内の２つの非絶縁層の間に望まし
くない導電路を生じている電子配列ウェーハの一部の平
面図である。
【図２】図２（Ａ）〜図２（Ｃ）は、電子配列ウェーハ
の上側導電層内の短絡部の位置を隔離するために本発明
に従って用いられているレーザ・ビームの３つの走査パ
ターンをそれぞれ示す図である。
【符号の説明】
１００ 電子配列ウェーハ・アセンブリ １０５ 基板 １１０ 光センサ配列 １１２ 第１の非絶縁層 １１３ａ、１１３ｂ アドレス線 １１４ 誘電体層 １１６ 第２の非絶縁層 １１８ 欠陥 １１９ａ、１１９ｂ 短絡部の部位
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 レナト・ガイダ アメリカ合衆国、ニューヨーク州、ワイナ ントスキル、チャーチ・ストリート、620 番 (72)発明者 チン−イェイ・ウェイ アメリカ合衆国、ニューヨーク州、スケネ クタデイ、ローズヒル・ブールバード、 1416番

Claims (23)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 非絶縁電子部品材料の第１の層と第２の
    層との間に設けられている誘電体層に欠陥を有してお
    り、前記第１の層と前記第２の層との間に望ましくない
    導電路が存在しているような電子ウェーハ・アセンブリ
    を修理する方法であって、 前記非絶縁電子部品材料の層のうちの他方の層の電気的
    な健全性を損なわずに、前記非絶縁電子部品材料の層の
    うちの選択された一方の層内の前記望ましくない導電路
    の位置を電気的に隔離するように、前記電子部品の層の
    うちの選択された一方の層の一部を削摩する工程を備え
    た電子ウェーハ・アセンブリを修理する方法。
  2. 【請求項２】 前記選択された電子部品材料の選択され
    た層を削摩する工程は更に、削摩すべき前記選択された
    電子部品材料の一方の層の前記一部に対して、選択され
    たエネルギ密度を印加するようにレーザを制御する工程
    を含んでいる請求項１に記載の方法。
  3. 【請求項３】 前記レーザを制御する工程は更に、削摩
    用光周波数、レーザ削摩パルス速度及びレーザ削摩パル
    ス幅を選択する工程を含んでいる請求項２に記載の方
    法。
  4. 【請求項４】 前記レーザを制御する工程は更に、前記
    レーザにより発生された光をビーム光学系に通す工程を
    含んでいる請求項３に記載の方法。
  5. 【請求項５】 前記レーザを制御する工程は更に、導電
    部品の前記選択された一方の層の前記選択された一部を
    削摩するように前記レーザのビームを差し向ける工程を
    含んでいる請求項４に記載の方法。
  6. 【請求項６】 前記削摩用光周波数は、前記レーザによ
    り紫外光が発生されるように選択される請求項５に記載
    の方法。
  7. 【請求項７】 前記選択されたエネルギ密度は、約１ジ
    ュール／ｃｍ2 から１０ジュール／ｃｍ2 までの範囲内
    である請求項６に記載の方法。
  8. 【請求項８】 前記レーザ削摩パルス幅は、約１００ナ
    ノ秒未満である請求項７に記載の方法。
  9. 【請求項９】 前記レーザ削摩パルス速度は、毎秒約１
    パルスから１０パルスまでの範囲内である請求項８に記
    載の方法。
  10. 【請求項１０】 前記非絶縁電子部品材料の層のうちの
    一方の層を削摩する工程は更に、前記非絶縁電子部品材
    料の層のうちの選択された一方の層に接している前記誘
    電体層の一部を所定の浸透深さまで削摩すると同時に、
    前記非絶縁電子部品材料の層のうちの選択された一方の
    層の前記選択された一部を削摩する工程を含んでいる請
    求項２に記載の方法。
  11. 【請求項１１】 前記エネルギ密度は、前記導電部品の
    選択された一方の層の前記選択された一部の下方にある
    実質的に全部の前記誘電体層が削摩されるように選択さ
    れる請求項１０に記載の方法。
  12. 【請求項１２】 作像装置配列を修理する方法であっ
    て、 前記作像装置配列は、埋設された導電部品と該作像装置
    配列に重なっている共通電極層との間にある誘電体層を
    横切った垂直短絡部を有しており、 前記共通電極層にレーザ・ビームを差し向ける工程であ
    って、前記共通電極層のうち前記レーザ・ビームに露出
    した部分を削摩すると共に、前記短絡部の位置の周りに
    ある前記電極層の一部を削摩により電気的に隔離するよ
    うに、前記共通電極層にレーザ・ビームを差し向ける工
    程と、 前記短絡部の位置の下方にある前記埋設された導電部品
    の電気的な健全性が損なわれないように、選択されたエ
    ネルギ密度を前記電極層に送り出すよう前記レーザ・ビ
    ームを制御する工程とを備えた作像装置配列を修理する
    方法。
  13. 【請求項１３】 前記選択されたエネルギ密度を送り出
    すようレーザ・ビームを制御する工程は更に、削摩用光
    周波数、レーザ削摩パルス速度及びレーザ削摩パルス幅
    を選択する工程を含んでいる請求項１２に記載の方法。
  14. 【請求項１４】 前記レーザ・ビームを制御する工程は
    更に、前記ビームの寸法及び形状を制御するために、該
    ビームを選択された光学系を介して差し向ける工程を含
    んでいる請求項１３に記載の方法。
  15. 【請求項１５】 前記共通電極層は、実質的に透明な導
    電性酸化物を含んでいる請求項１４に記載の方法。
  16. 【請求項１６】 前記共通電極層は、酸化インジウム錫
    を含んでおり、前記誘電体層は、ポリイミドを含んでい
    る請求項１５に記載の方法。
  17. 【請求項１７】 前記削摩用光周波数は、前記レーザに
    より紫外光が発生されるように選択される請求項１６に
    記載の方法。
  18. 【請求項１８】 前記選択されたエネルギ密度は、約１
    ジュール／ｃｍ2 から１０ジュール／ｃｍ2 までの範囲
    内である請求項１７に記載の方法。
  19. 【請求項１９】 前記レーザ削摩パルス幅は、約１００
    ナノ秒未満である請求項１８に記載の方法。
  20. 【請求項２０】 前記レーザ削摩パルス速度は、毎秒約
    １パルスから１０パルスまでの範囲内である請求項１９
    に記載の方法。
  21. 【請求項２１】 前記層の一部を削摩し、前記短絡部の
    位置の周りにある前記電極層の一部を電気的に隔離する
    ようにレーザ・ビームを前記共通電極層の一部に差し向
    ける工程は、選択されたパターンで前記透明な導電性酸
    化物を前記レーザ・ビームで走査する工程を含んでいる
    請求項１５に記載の方法。
  22. 【請求項２２】 前記レーザ・ビームで走査する選択さ
    れたパターンは、スポット走査、線走査及び円形走査で
    構成されている群から選択される請求項２１に記載の方
    法。
  23. 【請求項２３】 前記共通電極層の一部を削摩するよう
    に前記レーザを差し向ける工程は、前記共通電極層を介
    して前記作像装置配列に入射するように前記レーザ・ビ
    ームを差し向ける工程を含んでいる請求項１６に記載の
    方法。
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