JPH071796Y2 - 浸漬型基板処理装置 - Google Patents

浸漬型基板処理装置

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JPH071796Y2
JPH071796Y2 JP1990406312U JP40631290U JPH071796Y2 JP H071796 Y2 JPH071796 Y2 JP H071796Y2 JP 1990406312 U JP1990406312 U JP 1990406312U JP 40631290 U JP40631290 U JP 40631290U JP H071796 Y2 JPH071796 Y2 JP H071796Y2
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    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
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Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この考案は、半導体基板や液晶用
ガラス基板等の薄板状被処理基板(以下単に基板と称す
る)を表面処理するのに用いられる浸漬型の基板処理装
置に関し、特に処理液ミストの効率的な排出を可能にす
る基板処理装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】この種の基板処理装置としては、従来よ
り例えば図9に示すものがある。それは特開平1−23
8022号公報(発明の名称「半導体処理装置」)中の
第1図に開示されたものと同様の装置であって、図9に
示すように、表面処理室102A内に表面処理槽103
を複数並設し、基板Wを収容したキャリア104を搬送
ロボット110で搬送して順次各処理槽103内に浸漬
させて複数種の表面処理をするように構成し、表面処理
槽103の前後左右を仕切壁114で仕切って表面処理
室102Aとその余の非処理室102Bを区画し、表面
処理室102Aの後側壁に排気口122をあけて強制排
気ダクト123を接続し、表面処理室102Aの上方よ
り浄気流Fを流下させ、表面処理槽103より発生する
処理液ミストをその流下浄気流Fにのせて強制排気する
ように構成されている。
【0003】
【考案が解決しようとする課題】上記従来例では図9で
示すように、表面処理室102Aの後側壁に排気口12
2をあけて強制排気ダクト123を接続しているため次
のような問題を生ずる。表面処理槽103の後側では、
排気口122に近いので排気は強力であるが、排気口1
22に遠い表面処理槽103の前側では排気が弱く、処
理液ミストの円滑な排出が困難になる。また、一般にこ
の種の装置は図9のように、ワッフルスラブ構造の床は
り140の上に設置されるが、設置場所によっては強制
排気ダクト123が床はり140と干渉するため、例え
ば仮想線で示すように強制排気ダクト123を基板処理
装置101の後側に大きく引き出して配管接続しなけれ
ばならず、設置場所に対応させて配管設計をやり直す必
要がある。本考案はこのような事情を考慮してなされた
もので、上記処理液ミストの効率的な排出と強制排気ダ
クトの取り合いの融通性を高めることを技術課題とす
る。
【0004】
【課題を解決するための手段】本考案は上記課題を解決
するものとして、以下のように構成される。即ち請求項
1の考案は、複数の表面処理槽を並設し、基板を搬送ロ
ボットで搬送するとともに各処理槽にその基板を浸漬さ
せて基板の表面処理をするように構成し、表面処理槽の
上方より浄気流を流下させ、表面処理槽より発生する処
理液ミストをその流下浄気流にのせて強制排気するよう
に構成した浸漬型基板処理装置において、各表面処理槽
の下方に底部連通室を区画形成するとともに、各表面処
理槽の開口部近傍の少なくとも二方に流下浄気流の吸入
口を設け、この吸入口と底部連通室を連通ダクトで連通
し、底部連通室の底壁に排気口をあけて強制排気ダクト
を接続したことを特徴とするものである。
【0005】また、請求項2の考案は上記請求項1の浸
漬型基板処理装置において、少なくとも1つ以上の表面
処理槽に開閉蓋を付設して自動開閉可能に構成し、強制
排気ダクトに流量調節弁を付設し、当該開閉蓋に連動さ
せて流量調節弁を駆動制御可能に構成したものである。
【0006】そして請求項3の考案は上記請求項1の浸
漬型基板処理装置において、少なくとも1つ以上の表面
処理槽に開閉蓋を付設して自動開閉可能に構成し、連通
ダクトに流量調節弁を付設し、当該開閉蓋に連動させて
流量調節弁を駆動制御可能に構成したものである。
【0007】
【作用】請求項1の考案では、各表面処理槽の下方に底
部連通室が区画形成され、各表面処理槽の開口部近傍に
流下浄気流の吸入口を設けられ、この吸入口と底部連通
室を連通ダクトで連通される。この底部連通室には排気
口があけられ、これに強制排気ダクトが接続されてお
り、表面処理槽の開口部近傍に設けられた各吸入口と底
部連通室までの距離がほぼ等しくなる。従って処理液ミ
ストは表面処理槽の開口部近傍から下方へ向けて円滑に
流下し、効率的な排出が可能になる。
【0008】また本装置をワッフルスラブ構造の床の上
に設置する場合、強制排気ダクトが床はりと干渉しない
ように、底部連通室の底壁の適当位置に排気口をあけ
て、これに強制排気ダクトを接続する。従って、設置場
所に対応させて配管設計をやり直す必要はなく、強制排
気ダクトをの取り合いの融通性を高めることができる。
【0009】特に請求項2及び請求項3の考案では、前
記強制排気ダクト、または連通ダクトに流量調節弁が付
設され、表面処理槽の開閉蓋に連動して流量調節弁が駆
動制御される。つまり、表面処理槽の開閉蓋をあけて基
板を搬入、搬出するときは強力に排気し、開閉蓋を閉じ
ているときは排気量を減らす。これにより一層効率的な
処理液ミストの排出が可能になる。
【0010】
【実施例】以下本考案の実施例を図面に基づいて説明す
る。図1は本考案に係る浸漬型基板処理装置の概要を示
す縦断側面図、図2はその正面図である。この実施例装
置は例えば図1及び図2で示すように、異なる表面処理
工程をなす複数の表面処理装置1A、1B、1Cを相互
に所定の隙間Sをあけてを左右に連設し、表面処理室2
A、2B、2Cを相互に連通して基板搬送ロボット10
の搬送用空間Eを形成するとともに、各表面処理装置1
A、1B、1Cの下部に底部連通室20を区画形成して
隣接する左右の底部連通室20を相互に連通し、各表面
処理槽3、7の開口部近傍の周囲に底部連通室20に連
通する連通ダクト14a〜14dを設けて成り、表面処
理室2A、2B、2Cの上方に設置した各浄気装置18
で形成されるダウンフローD1の大半を整流板1bを介
して表面処理室2A、2B、2Cに取り込み、この浄気
流Fを流下させ、ダウンフローD1の一部をガイド板1
2を介して下方へ吹き流し、当該搬送用空間Eにエアカ
ーテンD2を形成するように構成されている。
【0011】上記エアーカーテンD2 は、隣接する表面
処理室2Aと2B間、2Bと2C間の雰囲気を混合させ
ないためのもので、例えば表面処理室2A内に酸系ミス
トが立ち上がり、表面処理室2Bアルカリ系のミストが
立ち上がり、それらが混合して塩を生成するとパーティ
クルが発生して基板に付着するという弊害を生じるが、
このエアーカーテンはかかる弊害を解消する。本実施例
ではダウンフローD1の一部をガイド板12で案内して
エアーカーテンD2 を形成する構造であるから、別途エ
アーカーテン装置を設置する必要はない。なお上記エア
ーカーテンD2は浄気装置18で形成されるダウンフロ
ーに代えて、隙間Sにクリーンルーム内のダウンフロー
を取り込んで吹き流すようにしても良い。
【0012】複数の表面処理装置の内の一つの表面処理
装置1Bは表面処理室2B内に例えばエッチング処理槽
3と洗浄処理槽7を並設し、前工程1Aより搬送ロボッ
ト10で搬入した基板Wをエッチング処理槽3内に浸漬
してエッチング処理をし、次いで洗浄処理槽7内でその
薬液を洗い流し、その後基板Wを後工程1Cへ搬出する
ように構成されている。そしてエッチング処理槽3と洗
浄処理槽7を設置した表面処理室2Bは、処理液秤量槽
15、処理液循環ポンプ16、処理液フイルタ17等を
設置したその余の非処理室3Bと区画され、表面処理室
2B内に前記ダウンフローD1の大半を整流板1bを介
して流下させるように構成されている。
【0013】表面処理槽3、7の前後には、図1で示す
ように前記連通ダクト14a、14bが付設配置され、
表面処理槽3、7の左右には図2で示すように前記連通
ダクト14c、14dが付設配置され、、各連通ダクト
14a〜14dには流下浄気流Fの吸入口13a〜13
dがあけられており、これらの吸入口13a〜13dは
各表面処理槽3、7の開口部近傍に位置し、それぞれ表
面処理槽3、7より発生する処理液ミストを吸入口13
a〜13dより底部連通室20の負圧で吸い込むことに
より、流下浄気流Fにのせて排出するように構成されて
いる。
【0014】上記エッチング処理槽3には開閉蓋4が付
設され、ロータリアクチュエータ5によりに自動開閉可
能に構成されている。なお、図2中の符号6及び8はそ
れぞれエッチング処理槽3と洗浄処理槽7のオーバフロ
ー液回収槽,9は非常用の共通ドレンバット、9aはそ
のドレンパイブであり、ドレンバット9の下側には配管
室2B1があり、この配管室2B1にも流下浄気流Fの一
部が流下して底部連通室20へ流下するように構成され
ている。また、基板搬送ロボット10は一対のハンド1
1で多数の基板Wを保持するように構成されており、エ
ッチング処理槽3と洗浄処理槽7には、それらの基板W
を略直立状に整列して支持する基板支持手段13が処理
槽内に付設配置されている。
【0015】底部連通室20は表面処理室2Bと非処理
室3Bの下方に多数の連通孔18aを有する床板18に
よって区画形成され、底部連通室20の底壁21にあけ
た排気口22に強制排気ダクト23が接続されている。
そしてこの強制排気ダクト23には流量調節弁25が付
設され、前記開閉蓋4に連動させて流量調節弁25を制
御回路38で駆動制御するように構成されている。即
ち、基板Wをエッチング処理槽3内に出し入れするとき
は開閉蓋4をあけて強力に排気し、基板Wを出し入れし
ないときは開閉蓋4を閉じて排気量を減らす。なお、一
つの表面処理室2B内に複数の表面処理槽3を併設し
て、順次表面処理をするような場合には、順次開閉蓋4
の開閉操作に連動して流量調節弁25の開度を自動調節
することが望ましい。これにより一層効率的な処理液ミ
ストの排出が可能になる。
【0016】図3は連通ダクト及び排気ダクトの別の実
施例を示す縦断正面図である。この実施例は前記連通ダ
クト14c、14dの他に、エッチング処理槽3の左右
に別の連通ダクト14e、14fを付設配置するととも
に、各表面処理装置1A、1B、1C毎に底部連通室2
0を遮断し、各底部連通室20に流量調節弁25を有す
る強制排気ダクト23を接続し、エッチング処理液のミ
ストを強力に排出するようにしたものである。なお、必
要に応じて洗浄処理槽7の左右にさらに同様の連通ダク
トを付設配置しても良い。
【0017】図4は本考案のさらに別の実施例を示す縦
断正面図である。この実施例は側壁14で囲まれた各表
面処理槽3、7の下側の室内2B1を連通ダクトとみな
し、側壁14と各表面処理槽3、7との隙間を吸入口と
みなしたものである。なお図2中の共通ドレンバット9
は排除し、強制排気ダクト23に廃液ドレンが付設され
ている。
【0018】図5は流量調節弁25の付設位置が異なる
別実施例を示す図2相当図である。この別実施例は表面
処理室2Bのうち、エッチング処理槽3を配置したエッ
チング室2B1 と底部連通室20とを連通ダクト24で
連通し、連通ダクト24に流量調節弁25を付設し、当
該開閉蓋4の開閉に連動させて流量調節弁25を駆動制
御するように構成されている。この場合には特にエッチ
ング処理槽3から発生する処理液ミストを強力に排出す
ることができる。
【0019】図6は流量調節弁25の横断面図、図7は
図6のH−H線矢視側面図である。この流量調節弁25
は、前記ダクト23・24内に略円形の弁体26を遊嵌
して開閉回転可能に軸支し、その支軸27の一端部をカ
ップリング28を介してロータリアクチュエータ30の
駆動軸に連結し、ロータリアクチュエータ30を前記制
御回路38で駆動制御するように構成されている。そし
てロータリアクチュエータ30は開度調節板32を介し
て基枠31に固定され、開度調節板32はそれにあけた
円弧状の長孔33に開度調節用ストッパー34の固定ね
じを挿通し基枠31に対して位置調節可能に固定され、
ロータリアクチュエータ30のストッパーアーム30a
をこのストッパー34に当接させて弁体26の開度を規
制し、弁体26をこの規制された範囲内で開閉するよう
に構成されている。なお、開度調節板32は人手を介し
て調節される。
【0020】また、支軸27の他端部には弁体26の開
度を検出する被検体35が固定され、この被検体35の
回転位置をセンサ37で検出することにより、弁体26
の開度調節を自動調節することもできるように構成され
ている。即ち、表面処理槽3内の処理液の質及び処理温
度等の処理条件により処理液ミストの発生量が異なるた
め、処理条件に応じて適宜弁体26の開度を自動設定す
ることができれば便利だからである。なお、この場合に
はロータリアクチュエータ30のストッパーアーム30
aをフリーにしておく必要がある。上記被検体35は例
えば図8で示すように、円形遮光板35の周辺部に孔径
が異なる透光孔36をあけ、透光孔36は弁体26の開
度が20%ピッチの排気量で0〜100%まで変化する
ように配置されており、光センサ37で透光量を検出す
ることにより弁体26を位置決めするように構成されて
いる。これにより、表面処理槽3内の処理液の条件に応
じて最適の排気量を自動設定できる。
【0021】ちなみに弁体26の開度は、表面処理液を
100℃の硝酸とした場合の排気量を100%として、
以下の割合となるように設定される。 硫酸過水(H2SO4+H2O2) 120〜150℃ 80% リン酸 150〜180℃ 80% アンモニア過水(HNO3+H2O2) 60〜 70℃ 40% 塩酸過水(HCL+H2O2) 60〜 70℃ 40% 硫酸過水で処理した後の純水 25℃ 40% 純水 25℃ 20%
【0022】上記実施例では、異なる表面処理工程をな
す複数の表面処理装置1A、1B、1Cを左右に連設し
たものについて例示したが、これに限るものではなく、
少なくとも表面処理室内に複数の表面処理槽を並設した
ものであれば足りる。また、基板搬送ロボットは基板を
収容したキャリアを搬送するものでもよく、同様に表面
処理槽もキャリアを浸漬するものでも良い。
【0023】
【考案の効果】以上の説明で明らかなように、請求項1
の考案では、表面処理槽の下方に底部連通室を区画形成
し、各表面処理槽の開口部近傍の少なくとも二方に流下
浄気流の吸入口を設け、この吸入口と底部連通室とを連
通ダクトで連通し、この底部連通室を介して強制排気す
るように構成したので、表面処理槽の開口部近傍のに設
けられた各吸入口と底部連通室までの距離がほぼ等しく
なり、処理液ミストは表面処理槽の開口部近傍から下方
へ向けて円滑に流下し、効率的な排出が可能になる。
【0024】また、本装置をワッフルスラブ構造の床の
上に設置する場合、強制排気ダクトが床はりと干渉しな
いように、底部連通室の底壁の適当位置に排気口をあけ
て、これに強制排気ダクトを接続することができるの
で、設置場所に対応させて配管設計をやり直す必要はな
く、強制排気ダクトをの取り合いの融通性を高めること
ができる。
【0025】特に請求項2及び請求項3の考案では、前
記強制排気ダクト、または前記連通ダクトに流量調節弁
を付設し、表面処理槽の開閉蓋に連動して流量調節弁を
駆動制御するように構成したので、一層効率的な処理液
ミストの排出が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案に係る浸漬型基板処理装置の概要を示す
縦断側面図である。
【図2】本考案に係る浸漬型基板処理装置の概要を示す
縦断正面図である。
【図3】連通ダクト及び排気ダクトの別の実施例を示す
縦断正面図である。
【図4】本考案のさらに別の実施例を示す縦断正面図で
ある。
【図5】流量調節弁の付設位置が異なる別実施例を示す
図2相当図である。
【図6】流量調節弁25の断面図である。
【図7】図6のH−H線矢視側面図である。
【図8】被検体の平面図である。
【図9】従来例を示す図1相当図である。
【符号の説明】
2A…表面処理室、 2B…非処理室、 3
・7…表面処理槽、4…開閉蓋、 10…搬
送ロボット、 13a〜13d…吸込口、14a〜1
4d…連通ダクト、 20…底部連
通室、22…排気口、 23…強制排気ダクト、
24…連通ダクト、25…流量調節弁、 F…浄
気流、 W…基板。

Claims (3)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数の表面処理槽を並設し、基板を搬送
    ロボットで搬送するとともに各処理槽にその基板を浸漬
    させて基板の表面処理をするように構成し、表面処理槽
    の上方より浄気流を流下させ、表面処理槽より発生する
    処理液ミストをその流下浄気流にのせて強制排気するよ
    うに構成した浸漬型基板処理装置において、各表面処理
    槽の下方に底部連通室を区画形成するとともに、各表面
    処理槽の開口部近傍の少なくとも二方に流下浄気流の吸
    入口を設け、この吸入口と底部連通室を連通ダクトで連
    通し、底部連通室の底壁に排気口をあけて強制排気ダク
    トを接続したことを特徴とする浸漬型基板処理装置。
  2. 【請求項2】 少なくとも1つ以上の表面処理槽に開閉
    蓋を付設して自動開閉可能に構成し、強制排気ダクトに
    流量調節弁を付設し、当該開閉蓋に連動させて流量調節
    弁を駆動制御可能に構成した請求項1に記載の浸漬型基
    板処理装置
  3. 【請求項3】 少なくとも1つ以上の表面処理槽に開閉
    蓋を付設して自動開閉可能に構成し、連通ダクトに流量
    調節弁を付設し、当該開閉蓋に連動させて流量調節弁を
    駆動制御可能に構成した請求項1に記載の浸漬型基板処
    理装置
JP1990406312U 1990-12-28 1990-12-28 浸漬型基板処理装置 Expired - Lifetime JPH071796Y2 (ja)

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JP1990406312U JPH071796Y2 (ja) 1990-12-28 1990-12-28 浸漬型基板処理装置
KR1019910023959A KR920013638A (ko) 1990-12-28 1991-12-23 침지형 기판처리 장치
US07/815,323 US5191908A (en) 1990-12-28 1991-12-27 Dipping type surface treatment apparatus

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1990406312U JPH071796Y2 (ja) 1990-12-28 1990-12-28 浸漬型基板処理装置

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JPH0492633U JPH0492633U (ja) 1992-08-12
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