JPH07183221A - 多角形サセプタ型気相成長装置 - Google Patents
多角形サセプタ型気相成長装置Info
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- JPH07183221A JPH07183221A JP32807793A JP32807793A JPH07183221A JP H07183221 A JPH07183221 A JP H07183221A JP 32807793 A JP32807793 A JP 32807793A JP 32807793 A JP32807793 A JP 32807793A JP H07183221 A JPH07183221 A JP H07183221A
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- polygonal
- susceptor
- flat surface
- polygonal susceptor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウエハ上の膜厚のばらつきを低下させること
ができる多角形サセプタ型気相成長装置を提供する。 【構成】 リアクタ1内に多角形サセプタ2を公転しな
いように設ける。リアクタ1の一端側には多角形サセプ
タ2の各平面部2aに原料ガスを供給する原料ガス供給
口を設ける。多角形サセプタ2の各平面部2aには、ウ
エハ3を支持する自転トレー4を多角形サセプタ2に対
して自転自在に支持させる。自転トレー4にはこれを自
転させるトレー自転駆動機構30を連結する。リアクタ
1内には多角形サセプタ2の各平面部2aに対向する平
面部37aをもつ多角形インナーチューブ37を配置す
る。
ができる多角形サセプタ型気相成長装置を提供する。 【構成】 リアクタ1内に多角形サセプタ2を公転しな
いように設ける。リアクタ1の一端側には多角形サセプ
タ2の各平面部2aに原料ガスを供給する原料ガス供給
口を設ける。多角形サセプタ2の各平面部2aには、ウ
エハ3を支持する自転トレー4を多角形サセプタ2に対
して自転自在に支持させる。自転トレー4にはこれを自
転させるトレー自転駆動機構30を連結する。リアクタ
1内には多角形サセプタ2の各平面部2aに対向する平
面部37aをもつ多角形インナーチューブ37を配置す
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、リアクタ内の多角形サ
セプタに支持されているトレーを自転させて、該トレー
上のウエハに気相成長を行わせる多角形サセプタ型気相
成長装置に関するものである。
セプタに支持されているトレーを自転させて、該トレー
上のウエハに気相成長を行わせる多角形サセプタ型気相
成長装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】リアクタ内のサセプタの表面にGaAs
ウエハを支持させ、該サセプタを例えば600 ℃〜800 ℃
の高温に加熱した状態で、該リアクタ内にAsH3 (ア
ルシン),TMG(トリメチルガリウム),TMAl
(トリメチルアルミニウム)等の原料ガスを水素よりな
るキャリアガスと共に流し、GaAsウエハにエピタキ
シャル成長させて形成されたエピタキシャルウエハは、
衛星放送用,携帯電話用等のFET,HEMTデバイス
の材料として使われている。
ウエハを支持させ、該サセプタを例えば600 ℃〜800 ℃
の高温に加熱した状態で、該リアクタ内にAsH3 (ア
ルシン),TMG(トリメチルガリウム),TMAl
(トリメチルアルミニウム)等の原料ガスを水素よりな
るキャリアガスと共に流し、GaAsウエハにエピタキ
シャル成長させて形成されたエピタキシャルウエハは、
衛星放送用,携帯電話用等のFET,HEMTデバイス
の材料として使われている。
【0003】原価低減のためには、サセプタ上に多数枚
のウエハを乗せて気相成長処理を行うことが有利である
ため、該サセプタとしてはバレル型の多角形サセプタが
使用されている。
のウエハを乗せて気相成長処理を行うことが有利である
ため、該サセプタとしてはバレル型の多角形サセプタが
使用されている。
【0004】近年、このエピタキシャルウエハの使用量
の増加と品質向上が求められている。品質の中では、膜
厚の均一性とキャリア濃度の均一性等が重要である。
の増加と品質向上が求められている。品質の中では、膜
厚の均一性とキャリア濃度の均一性等が重要である。
【0005】このような品質向上のために、図9に示す
ような多角形サセプタ型気相成長装置が提案されてい
る。この多角形サセプタ型気相成長装置は、横断面が円
形のリアクタ1内にバレル型の多角形サセプタ2が設け
られ、該多角形サセプタ2は図示しないサセプタ支持軸
によりその軸心の回りに公転自在に支持され、該リアク
タ1の上端には該多角形サセプタ2の各平面部2aに原
料ガスを供給する図示しない原料ガス供給口が設けら
れ、該多角形サセプタ2の各平面部2aにはウエハ3を
支持する自転トレー4が該多角形サセプタ2に対して自
転自在に支持され、自転トレー4にはこれを自転させる
ために図示しないトレー自転駆動機構が連結された構造
になっている。
ような多角形サセプタ型気相成長装置が提案されてい
る。この多角形サセプタ型気相成長装置は、横断面が円
形のリアクタ1内にバレル型の多角形サセプタ2が設け
られ、該多角形サセプタ2は図示しないサセプタ支持軸
によりその軸心の回りに公転自在に支持され、該リアク
タ1の上端には該多角形サセプタ2の各平面部2aに原
料ガスを供給する図示しない原料ガス供給口が設けら
れ、該多角形サセプタ2の各平面部2aにはウエハ3を
支持する自転トレー4が該多角形サセプタ2に対して自
転自在に支持され、自転トレー4にはこれを自転させる
ために図示しないトレー自転駆動機構が連結された構造
になっている。
【0006】このような多角形サセプタ型気相成長装置
は、多角形サセプタ2を公転させつつ、該多角形サセプ
タ2上で自転トレー4を自転させるため、該多角形サセ
プタ2の各平面部2aにおける各自転トレー4上の各ウ
エハ3の表面に対する原料ガスの流れの方向性がなくな
り、しかも原料ガスに触れる条件がほぼ一様になり、薄
膜成長を均一化でき、得られるエピタキシャルウエハの
品質向上を図ることができる。
は、多角形サセプタ2を公転させつつ、該多角形サセプ
タ2上で自転トレー4を自転させるため、該多角形サセ
プタ2の各平面部2aにおける各自転トレー4上の各ウ
エハ3の表面に対する原料ガスの流れの方向性がなくな
り、しかも原料ガスに触れる条件がほぼ一様になり、薄
膜成長を均一化でき、得られるエピタキシャルウエハの
品質向上を図ることができる。
【0007】この装置により得られるエピタキシャルウ
エハの膜厚のばらつきは±3〜4%のとなり、公転タイ
プの装置の場合のエピタキシャルウエハの膜厚のばらつ
きが±5〜7%であったものに比べて改善されている。
エハの膜厚のばらつきは±3〜4%のとなり、公転タイ
プの装置の場合のエピタキシャルウエハの膜厚のばらつ
きが±5〜7%であったものに比べて改善されている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の多角形サセプタ型気相成長装置においては、
横断面が円形のリアクタ1内に多角形サセプタ2が設け
られた構造になっているので、図10に示すように、多
角形サセプタ2の平面部2aとリアクタ1との間隔が、
平面部2aの中央部での間隔aと端部での間隔bとでは
距離が異なり、このため図11に示すようにウエハ3上
の膜厚のばらつきを±3%以下に低下させることができ
ず、±2%程度を要求しているユーザの要求に答えられ
ない問題点があった。
うな従来の多角形サセプタ型気相成長装置においては、
横断面が円形のリアクタ1内に多角形サセプタ2が設け
られた構造になっているので、図10に示すように、多
角形サセプタ2の平面部2aとリアクタ1との間隔が、
平面部2aの中央部での間隔aと端部での間隔bとでは
距離が異なり、このため図11に示すようにウエハ3上
の膜厚のばらつきを±3%以下に低下させることができ
ず、±2%程度を要求しているユーザの要求に答えられ
ない問題点があった。
【0009】本発明の目的は、ウエハ上の膜厚のばらつ
きを低下させることができる多角形サセプタ型気相成長
装置を提供することにある。
きを低下させることができる多角形サセプタ型気相成長
装置を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成する本
発明の構成を説明すると、次の通りである。
発明の構成を説明すると、次の通りである。
【0011】請求項1に記載の多角形サセプタ型気相成
長装置は、リアクタ内に多角形サセプタが公転しないよ
うに設けられ、前記リアクタの一端側には前記多角形サ
セプタの各平面部に原料ガスを供給する原料ガス供給口
が設けられ、前記多角形サセプタの各平面部にはウエハ
を支持する自転トレーが該多角形サセプタに対して自転
自在に支持され、前記自転トレーにはこれを自転させる
トレー自転駆動機構が連結され、前記リアクタ内には前
記多角形サセプタの各平面部に対向する平面部をもつ多
角形インナーチューブが配置されていることを特徴とす
る。
長装置は、リアクタ内に多角形サセプタが公転しないよ
うに設けられ、前記リアクタの一端側には前記多角形サ
セプタの各平面部に原料ガスを供給する原料ガス供給口
が設けられ、前記多角形サセプタの各平面部にはウエハ
を支持する自転トレーが該多角形サセプタに対して自転
自在に支持され、前記自転トレーにはこれを自転させる
トレー自転駆動機構が連結され、前記リアクタ内には前
記多角形サセプタの各平面部に対向する平面部をもつ多
角形インナーチューブが配置されていることを特徴とす
る。
【0012】請求項2に記載の多角形サセプタ型気相成
長装置は、請求項1において、前記多角形サセプタと前
記多角形インナーチューブとの各角部の対向箇所には仕
切り体が配置されていることを特徴とする。
長装置は、請求項1において、前記多角形サセプタと前
記多角形インナーチューブとの各角部の対向箇所には仕
切り体が配置されていることを特徴とする。
【0013】
【作用】請求項1に記載の発明のように、リアクタ内に
公転しないように多角形サセプタを配置し、該リアクタ
内に該多角形サセプタの各平面部に対向する平面部をも
つ多角形インナーチューブを配置すると、多角形サセプ
タの各平面部と多角形インナーチューブの各平面部との
間隔が、原料ガスの流れ方向の各位置で、該流れ方向に
直交する方向ではほぼ一定になり、しかもウエハを支持
する自転トレーを多角形サセプタの各平面部で自転させ
るので、薄膜成長を均一化でき、得られるエピタキシャ
ルウエハの膜厚のばらつきをユーザが要求している程度
まで低下させることができる。
公転しないように多角形サセプタを配置し、該リアクタ
内に該多角形サセプタの各平面部に対向する平面部をも
つ多角形インナーチューブを配置すると、多角形サセプ
タの各平面部と多角形インナーチューブの各平面部との
間隔が、原料ガスの流れ方向の各位置で、該流れ方向に
直交する方向ではほぼ一定になり、しかもウエハを支持
する自転トレーを多角形サセプタの各平面部で自転させ
るので、薄膜成長を均一化でき、得られるエピタキシャ
ルウエハの膜厚のばらつきをユーザが要求している程度
まで低下させることができる。
【0014】また、多角形サセプタの各平面部と多角形
インナーチューブの各平面部との間隔が、原料ガスの流
れ方向の各位置で、該流れ方向に直交する方向ではほぼ
一定になると、原料ガスの切替え時にガスの切替わりが
早くなり、このためエピタキシャルウエハの膜の界面の
急峻性が向上する。
インナーチューブの各平面部との間隔が、原料ガスの流
れ方向の各位置で、該流れ方向に直交する方向ではほぼ
一定になると、原料ガスの切替え時にガスの切替わりが
早くなり、このためエピタキシャルウエハの膜の界面の
急峻性が向上する。
【0015】請求項2に記載の発明のように、多角形サ
セプタと多角形インナーチューブとの各角部の対向箇所
に仕切り体を配置すると、多角形サセプタの隣り合う平
面部側の相互影響を回避して気相成長を行わせることが
でき、エピタキシャルウエハの膜厚のばらつきをより低
下させることができる。
セプタと多角形インナーチューブとの各角部の対向箇所
に仕切り体を配置すると、多角形サセプタの隣り合う平
面部側の相互影響を回避して気相成長を行わせることが
でき、エピタキシャルウエハの膜厚のばらつきをより低
下させることができる。
【0016】
【実施例】図1〜図3は、本発明に係る多角形サセプタ
型気相成長装置の第1実施例を示したものである。本実
施例の多角形サセプタ型気相成長装置では、横断面が円
形のリアクタ1を備え、該リアクタ1は石英ガラス等の
誘導加熱され難く且つ不純ガスを発生し難い非金属で形
成されたリアクタ本体部5とその下部に設けられている
ステンレス等の金属製のチャンバ部6とで構成されてい
る。リアクタ本体部5の上下方向の途中には拡径段部5
aが設けられ、該拡径段部5aより下のリアクタ本体部
5は上部より拡径されている。リアクタ本体部5の上部
には、原料ガス供給口7が設けられている。該原料ガス
供給口7に対応してリアクタ本体部5の上部には、原料
ガス吹出し突部8が該リアクタ本体部5内に突出させて
設けられている。該原料ガス吹出し突部8には、複数の
原料ガス吹出し孔8aが設けられている。
型気相成長装置の第1実施例を示したものである。本実
施例の多角形サセプタ型気相成長装置では、横断面が円
形のリアクタ1を備え、該リアクタ1は石英ガラス等の
誘導加熱され難く且つ不純ガスを発生し難い非金属で形
成されたリアクタ本体部5とその下部に設けられている
ステンレス等の金属製のチャンバ部6とで構成されてい
る。リアクタ本体部5の上下方向の途中には拡径段部5
aが設けられ、該拡径段部5aより下のリアクタ本体部
5は上部より拡径されている。リアクタ本体部5の上部
には、原料ガス供給口7が設けられている。該原料ガス
供給口7に対応してリアクタ本体部5の上部には、原料
ガス吹出し突部8が該リアクタ本体部5内に突出させて
設けられている。該原料ガス吹出し突部8には、複数の
原料ガス吹出し孔8aが設けられている。
【0017】該リアクタ本体部5内にはカーボン等の誘
導加熱され易い素材で形成された六角形の多角形サセプ
タ2が配置されている。該多角形サセプタ2はサセプタ
支持軸9により支持されている。該サセプタ支持軸9は
少なくとも上部が石英ガラス等の非金属で形成する必要
があるが、下部はステンレス等の金属で形成することが
できる。サセプタ支持軸9の先端には受け部10が設け
られ、該受け部10が多角形サセプタ2の下面の突部1
1に嵌合されて、多角形サセプタ2がサセプタ支持軸9
で支持されている。該サセプタ支持軸9の下部は、リア
クタ1のチャンバ部6における底面を貫通するようにな
っている。
導加熱され易い素材で形成された六角形の多角形サセプ
タ2が配置されている。該多角形サセプタ2はサセプタ
支持軸9により支持されている。該サセプタ支持軸9は
少なくとも上部が石英ガラス等の非金属で形成する必要
があるが、下部はステンレス等の金属で形成することが
できる。サセプタ支持軸9の先端には受け部10が設け
られ、該受け部10が多角形サセプタ2の下面の突部1
1に嵌合されて、多角形サセプタ2がサセプタ支持軸9
で支持されている。該サセプタ支持軸9の下部は、リア
クタ1のチャンバ部6における底面を貫通するようにな
っている。
【0018】サセプタ支持軸9の軸心には孔13があけ
られ、この孔13を利用して多角形サセプタ2の下面に
設けられた図示しない熱電対等の温度センサのリード線
が通されるようになっている。
られ、この孔13を利用して多角形サセプタ2の下面に
設けられた図示しない熱電対等の温度センサのリード線
が通されるようになっている。
【0019】チャンバ部6の下には、図2に示すように
多角形サセプタ2をサセプタ支持軸9を介して昇降させ
るサセプタ昇降機構14が設けられている。該サセプタ
昇降機構14は、サセプタ支持軸9を支持した昇降ブラ
ケット15と、該昇降ブラケット15を回り止めしつつ
ガイドする昇降ガイド16と、該昇降ブラケット15に
ネジ結合部で貫通されていて回転運動を該ネジ結合部で
直線運動に変換して該昇降ブラケット15に与えるスク
リュー17と、該スクリュー17を回転する図示しない
モータとで構成されている。
多角形サセプタ2をサセプタ支持軸9を介して昇降させ
るサセプタ昇降機構14が設けられている。該サセプタ
昇降機構14は、サセプタ支持軸9を支持した昇降ブラ
ケット15と、該昇降ブラケット15を回り止めしつつ
ガイドする昇降ガイド16と、該昇降ブラケット15に
ネジ結合部で貫通されていて回転運動を該ネジ結合部で
直線運動に変換して該昇降ブラケット15に与えるスク
リュー17と、該スクリュー17を回転する図示しない
モータとで構成されている。
【0020】多角形サセプタ2の各平面部2aには凹部
18が設けられ、該凹部18にはウエハ3を支持するカ
ーボン等からなる自転トレー4が回転自在に支持されて
いる。自転トレー4に回転力を伝えるカーボン等からな
るトレー自転軸19は、多角形サセプタ2を回転自在に
貫通して裏面側の歯車室20に導出されている。多角形
サセプタ2の裏面側に導出されたトレー自転軸19の端
部には、石英ガラス等からなるトレー自転遊星歯車21
が取付けられている。
18が設けられ、該凹部18にはウエハ3を支持するカ
ーボン等からなる自転トレー4が回転自在に支持されて
いる。自転トレー4に回転力を伝えるカーボン等からな
るトレー自転軸19は、多角形サセプタ2を回転自在に
貫通して裏面側の歯車室20に導出されている。多角形
サセプタ2の裏面側に導出されたトレー自転軸19の端
部には、石英ガラス等からなるトレー自転遊星歯車21
が取付けられている。
【0021】サセプタ支持軸9の上軸部外周には、トレ
ー自転遊星歯車21を噛み合わせるカーボン等からなる
太陽歯車22が同軸配置されている。サセプタ支持軸9
の外周には、筒状の太陽歯車支持体23が同軸配置され
ている。該太陽歯車支持体23は、石英ガラス等の非金
属からなる上部支持体部23aと、ステンレス等の金属
からなる下部支持体部23bとで構成されている。該太
陽歯車支持体23の上部支持体部23aにおける上端に
太陽歯車22が支持されている。該太陽歯車支持体23
の下部支持体部23bとサセプタ支持軸9との間には軸
受24が介在されている。
ー自転遊星歯車21を噛み合わせるカーボン等からなる
太陽歯車22が同軸配置されている。サセプタ支持軸9
の外周には、筒状の太陽歯車支持体23が同軸配置され
ている。該太陽歯車支持体23は、石英ガラス等の非金
属からなる上部支持体部23aと、ステンレス等の金属
からなる下部支持体部23bとで構成されている。該太
陽歯車支持体23の上部支持体部23aにおける上端に
太陽歯車22が支持されている。該太陽歯車支持体23
の下部支持体部23bとサセプタ支持軸9との間には軸
受24が介在されている。
【0022】該太陽歯車支持体23の下部支持体部23
bは、リアクタ1のチャンバ部6における底面をシール
部25を介して貫通するようになっている。太陽歯車支
持体23の下部支持体部23bとサセプタ支持軸9との
間にもシール部26が設けられている。
bは、リアクタ1のチャンバ部6における底面をシール
部25を介して貫通するようになっている。太陽歯車支
持体23の下部支持体部23bとサセプタ支持軸9との
間にもシール部26が設けられている。
【0023】チャンバ部6の底面から外に出ている下部
支持体部23bの外周には歯車27が取付けられ、該歯
車27には歯車28が噛み合わされている。該歯車28
は、モータ29で回転駆動されるようになっている。
支持体部23bの外周には歯車27が取付けられ、該歯
車27には歯車28が噛み合わされている。該歯車28
は、モータ29で回転駆動されるようになっている。
【0024】これらトレー自転軸19,トレー自転遊星
歯車21,太陽歯車22,太陽歯車支持体23,歯車2
7,歯車28,モータ29にて、自転トレー4を自転駆
動させるトレー自転駆動機構30が構成されている。
歯車21,太陽歯車22,太陽歯車支持体23,歯車2
7,歯車28,モータ29にて、自転トレー4を自転駆
動させるトレー自転駆動機構30が構成されている。
【0025】多角形サセプタ2の上部には、断面円形の
キャップ31が設置されている。該キャップ31の頂部
には原料ガス吹出し突部8を嵌め込むキャップ凹部32
が設けられ、該キャップ凹部32内には原料ガス吹出し
突部8の表面に沿ってガス流路33が形成されている。
キャップ31が設置されている。該キャップ31の頂部
には原料ガス吹出し突部8を嵌め込むキャップ凹部32
が設けられ、該キャップ凹部32内には原料ガス吹出し
突部8の表面に沿ってガス流路33が形成されている。
【0026】リアクタ本体部5の下部に隣接したチャン
バ部6には、排気口34が設けられている。この排気口
34に対応して太陽歯車支持体23における上部支持体
部23aの外周には、リアクタ本体部5内から下降する
排気ガスを排気口34側にガイドするフローガイド35
が設けられている。
バ部6には、排気口34が設けられている。この排気口
34に対応して太陽歯車支持体23における上部支持体
部23aの外周には、リアクタ本体部5内から下降する
排気ガスを排気口34側にガイドするフローガイド35
が設けられている。
【0027】リアクタ本体部5の外周には、多角形サセ
プタ2を加熱する加熱器としての高周波加熱コイル36
が配置されている。
プタ2を加熱する加熱器としての高周波加熱コイル36
が配置されている。
【0028】特に、リアクタ本体部5の拡径段部5aよ
り下の該リアクタ本体部5の拡径部内には、多角形サセ
プタ2の各平面部2aに対向する平面部37aをもつ多
角形インナーチューブ37が、その上端を拡径段部5a
に当接させ、その下端をチャンバ6の上端のフランジ3
8に設けたインナーチューブホルダ39に支持させて配
置されている。該多角形インナーチューブ37は石英ガ
ラス等で形成されている。
り下の該リアクタ本体部5の拡径部内には、多角形サセ
プタ2の各平面部2aに対向する平面部37aをもつ多
角形インナーチューブ37が、その上端を拡径段部5a
に当接させ、その下端をチャンバ6の上端のフランジ3
8に設けたインナーチューブホルダ39に支持させて配
置されている。該多角形インナーチューブ37は石英ガ
ラス等で形成されている。
【0029】なお、50は多角形サセプタ2の下で上部
支持体部23aの外周に設けられたガス整流用のスカー
ト部である。
支持体部23aの外周に設けられたガス整流用のスカー
ト部である。
【0030】このような多角形サセプタ型気相成長装置
においては、多角形サセプタ2を回転させず、トレー自
転駆動機構30のモータ29を駆動して自転トレー4を
ウエハ3と共に自転駆動させる。
においては、多角形サセプタ2を回転させず、トレー自
転駆動機構30のモータ29を駆動して自転トレー4を
ウエハ3と共に自転駆動させる。
【0031】リアクタ本体部5内には、その上部の原料
ガス供給口7から原料ガスを供給する。原料ガス供給口
7に供給された原料ガスは、原料ガス吹出し突部8の原
料ガス吹出し孔8aからキャップ凹部32内に吹出され
てキャップ31の表面の全周に一様に流れ下ることにな
る。このため、多角形サセプタ2を公転しなくともその
各平面部2aに一様に原料ガスを流すことができる。
ガス供給口7から原料ガスを供給する。原料ガス供給口
7に供給された原料ガスは、原料ガス吹出し突部8の原
料ガス吹出し孔8aからキャップ凹部32内に吹出され
てキャップ31の表面の全周に一様に流れ下ることにな
る。このため、多角形サセプタ2を公転しなくともその
各平面部2aに一様に原料ガスを流すことができる。
【0032】一方、該多角形サセプタ2は高周波加熱コ
イル36によって例えば600 〜800℃に加熱し、これに
よりウエハ3を加熱する。このとき多角形サセプタ2の
温度を図示しない温度センサで測定し、高周波加熱コイ
ル36への通電を制御して該多角形サセプタ2の温度を
一定に制御する。
イル36によって例えば600 〜800℃に加熱し、これに
よりウエハ3を加熱する。このとき多角形サセプタ2の
温度を図示しない温度センサで測定し、高周波加熱コイ
ル36への通電を制御して該多角形サセプタ2の温度を
一定に制御する。
【0033】加熱されているウエハ3の表面に原料ガス
が流れると、ウエハ3の表面で気相成長が行われ、エピ
タキシャルウエハが得られる。
が流れると、ウエハ3の表面で気相成長が行われ、エピ
タキシャルウエハが得られる。
【0034】このとき、リアクタ本体部5内には、多角
形サセプタ2の各平面部2aに対向する平面部37aを
もつ多角形インナーチューブ37が配置されているの
で、該多角形サセプタ2の各平面部2aと多角形インナ
ーチューブ37の各平面部37aとの間隔が、原料ガス
の流れ方向の各位置で、該流れ方向に直交する方向では
ほぼ一定になり、しかもウエハ3を支持する自転トレー
4を多角形サセプタ2の各平面部2aで自転させるの
で、薄膜成長を均一化でき、得られるエピタキシャルウ
エハの膜厚のばらつきを、図4に示すようにユーザが要
求している±2%程度まで低下させることができた。
形サセプタ2の各平面部2aに対向する平面部37aを
もつ多角形インナーチューブ37が配置されているの
で、該多角形サセプタ2の各平面部2aと多角形インナ
ーチューブ37の各平面部37aとの間隔が、原料ガス
の流れ方向の各位置で、該流れ方向に直交する方向では
ほぼ一定になり、しかもウエハ3を支持する自転トレー
4を多角形サセプタ2の各平面部2aで自転させるの
で、薄膜成長を均一化でき、得られるエピタキシャルウ
エハの膜厚のばらつきを、図4に示すようにユーザが要
求している±2%程度まで低下させることができた。
【0035】また、多角形サセプタ2の各平面部2aと
多角形インナーチューブ37の各平面部37aとの間隔
が、原料ガスの流れ方向の各位置で、該流れ方向に直交
する方向ではほぼ一定になると、原料ガスの切替え時に
ガスの切替わりが早くなり、このためエピタキシャルウ
エハの膜の界面の急峻性が向上する。
多角形インナーチューブ37の各平面部37aとの間隔
が、原料ガスの流れ方向の各位置で、該流れ方向に直交
する方向ではほぼ一定になると、原料ガスの切替え時に
ガスの切替わりが早くなり、このためエピタキシャルウ
エハの膜の界面の急峻性が向上する。
【0036】多角形サセプタ2上のウエハ3の着脱は、
該多角形サセプタ2をサセプタ昇降機構14の駆動によ
ってチャンバ6内に下降させることにより行う。
該多角形サセプタ2をサセプタ昇降機構14の駆動によ
ってチャンバ6内に下降させることにより行う。
【0037】このようなウエハ3の着脱時に、多角形イ
ンナーチューブ37も着脱してクリーニングの済んだも
のに交換することが好ましい。多角形インナーチューブ
37が長くて、着脱に不便な場合には、該多角形インナ
ーチューブ37を上下に分割した構造にすればよい。
ンナーチューブ37も着脱してクリーニングの済んだも
のに交換することが好ましい。多角形インナーチューブ
37が長くて、着脱に不便な場合には、該多角形インナ
ーチューブ37を上下に分割した構造にすればよい。
【0038】図5及び図6は、本発明に係る多角形サセ
プタ型気相成長装置の第2実施例を示したものである。
本実施例の多角形サセプタ型気相成長装置では、多角形
インナーチューブ37の下端を支えるインナーチューブ
ホルダ39が太陽歯車支持体23側のスカート部50
(スカート部50がないときには上部支持体部23a)
に設けられている点に特徴がある。この場合、インナー
チューブホルダ39は放射状に形成されていて、その間
に放射状に排気間隙40を持ち、インナーチューブ37
内を下降する排気ガスを該排気間隙40を経て排気口3
4側に排気するようになっている。この場合、インナー
チューブホルダ39の上端は、リアクタ本体部5の上部
肩部に当接されている。
プタ型気相成長装置の第2実施例を示したものである。
本実施例の多角形サセプタ型気相成長装置では、多角形
インナーチューブ37の下端を支えるインナーチューブ
ホルダ39が太陽歯車支持体23側のスカート部50
(スカート部50がないときには上部支持体部23a)
に設けられている点に特徴がある。この場合、インナー
チューブホルダ39は放射状に形成されていて、その間
に放射状に排気間隙40を持ち、インナーチューブ37
内を下降する排気ガスを該排気間隙40を経て排気口3
4側に排気するようになっている。この場合、インナー
チューブホルダ39の上端は、リアクタ本体部5の上部
肩部に当接されている。
【0039】このような構造にすると、多角形サセプタ
2の昇降時に、多角形インナーチューブ37を一緒に昇
降させることができる。このようにすると、汚れた多角
形インナーチューブ37の交換を容易に行うことができ
る。
2の昇降時に、多角形インナーチューブ37を一緒に昇
降させることができる。このようにすると、汚れた多角
形インナーチューブ37の交換を容易に行うことができ
る。
【0040】図7は、本発明に係る多角形サセプタ型気
相成長装置の第3実施例を示したものである。本実施例
の多角形サセプタ型気相成長装置では、排気ガスを排気
口34へガイドするフローガイド35が、多角形インナ
ーチューブ37の下端を支えるインナーチューブホルダ
を兼ねている点に特徴がある。これに伴い多角形インナ
ーチューブ37の下部に排気口41が設けられている。
相成長装置の第3実施例を示したものである。本実施例
の多角形サセプタ型気相成長装置では、排気ガスを排気
口34へガイドするフローガイド35が、多角形インナ
ーチューブ37の下端を支えるインナーチューブホルダ
を兼ねている点に特徴がある。これに伴い多角形インナ
ーチューブ37の下部に排気口41が設けられている。
【0041】このような構造にすると、特殊な構造をし
たインナーチューブホルダ39を設ける必要がなくな
る。
たインナーチューブホルダ39を設ける必要がなくな
る。
【0042】また、この構造の場合も、多角形サセプタ
2の昇降時に、多角形インナーチューブ37を一緒に昇
降させることができ、汚れた多角形インナーチューブ3
7の交換を容易に行うことができる。
2の昇降時に、多角形インナーチューブ37を一緒に昇
降させることができ、汚れた多角形インナーチューブ3
7の交換を容易に行うことができる。
【0043】図8は、本発明に係る多角形サセプタ型気
相成長装置の第4実施例を示したものである。本実施例
の多角形サセプタ型気相成長装置では、多角形インナー
チューブ37の各角部の内面に突起よりなる仕切り体4
1が突設されている例を示したものである。
相成長装置の第4実施例を示したものである。本実施例
の多角形サセプタ型気相成長装置では、多角形インナー
チューブ37の各角部の内面に突起よりなる仕切り体4
1が突設されている例を示したものである。
【0044】なお、この仕切り体41は多角形サセプタ
2の各角部に突設することもできる。或いは、この仕切
り体41は多角形インナーチューブ37の各角部と多角
形サセプタ2の各角部に共に突設することもできる。
2の各角部に突設することもできる。或いは、この仕切
り体41は多角形インナーチューブ37の各角部と多角
形サセプタ2の各角部に共に突設することもできる。
【0045】このように、多角形サセプタ2と多角形イ
ンナーチューブ37との各角部の対向箇所に仕切り体4
1を配置すると、該多角形サセプタ2の隣り合う平面部
2a側の相互影響を回避して気相成長を行わせることが
でき、エピタキシャルウエハの膜厚のばらつきをより低
下させることができる。
ンナーチューブ37との各角部の対向箇所に仕切り体4
1を配置すると、該多角形サセプタ2の隣り合う平面部
2a側の相互影響を回避して気相成長を行わせることが
でき、エピタキシャルウエハの膜厚のばらつきをより低
下させることができる。
【0046】上記各実施例では、多角形サセプタ2と多
角形インナーチューブ37とを六角形としたが、これに
限定されるものではなく、八角形等でもよいことは勿論
である。
角形インナーチューブ37とを六角形としたが、これに
限定されるものではなく、八角形等でもよいことは勿論
である。
【0047】また、リアクタ本体5内の上部に原料ガス
供給口7に連通する原料ガス吹出し突部8を設け、キャ
ップ31にキャップ凹部32を設ける構造は、第1実施
例だけでなく、第2〜第4実施例にも同様に適用するこ
とができる。
供給口7に連通する原料ガス吹出し突部8を設け、キャ
ップ31にキャップ凹部32を設ける構造は、第1実施
例だけでなく、第2〜第4実施例にも同様に適用するこ
とができる。
【0048】このようにすると、多角形サセプタ2やキ
ャップ31がリアクタ本体部5内で多少偏心していて
も、該多角形サセプタ2の各平面部2aに一様に原料ガ
スを流すことができ、多角形サセプタ2を公転させない
デメリットを解消することができる。
ャップ31がリアクタ本体部5内で多少偏心していて
も、該多角形サセプタ2の各平面部2aに一様に原料ガ
スを流すことができ、多角形サセプタ2を公転させない
デメリットを解消することができる。
【0049】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る多角形
サセプタ型気相成長装置によれば、下記のような優れた
効果を達成することができる。
サセプタ型気相成長装置によれば、下記のような優れた
効果を達成することができる。
【0050】請求項1に記載の発明では、リアクタ内に
公転しないように多角形サセプタを配置し、該リアクタ
内に該多角形サセプタの各平面部に対向する平面部をも
つ多角形インナーチューブを配置しているので、多角形
サセプタの各平面部と多角形インナーチューブの各平面
部との間隔を、原料ガスの流れ方向の各位置で、該流れ
方向に直交する方向ではほぼ一定にすることができ、し
かもウエハを支持する自転トレーを多角形サセプタの各
平面部で自転させるため、薄膜成長を均一化でき、得ら
れるエピタキシャルウエハの膜厚のばらつきをユーザが
要求している程度まで低下させることができる。
公転しないように多角形サセプタを配置し、該リアクタ
内に該多角形サセプタの各平面部に対向する平面部をも
つ多角形インナーチューブを配置しているので、多角形
サセプタの各平面部と多角形インナーチューブの各平面
部との間隔を、原料ガスの流れ方向の各位置で、該流れ
方向に直交する方向ではほぼ一定にすることができ、し
かもウエハを支持する自転トレーを多角形サセプタの各
平面部で自転させるため、薄膜成長を均一化でき、得ら
れるエピタキシャルウエハの膜厚のばらつきをユーザが
要求している程度まで低下させることができる。
【0051】また、本発明によれば、このような特性向
上と同時にエピタキシャルウエハの膜の界面の急峻性も
向上させることができる。その結果、後工程の成膜,エ
ッチング工程によってエピタキシャルウエハの歩留りを
向上させることができる。
上と同時にエピタキシャルウエハの膜の界面の急峻性も
向上させることができる。その結果、後工程の成膜,エ
ッチング工程によってエピタキシャルウエハの歩留りを
向上させることができる。
【0052】請求項2に記載の発明のように、多角形サ
セプタと多角形インナーチューブとの各角部の対向箇所
に仕切り体を配置したので、多角形サセプタの隣り合う
平面部側の相互影響を回避して気相成長を行わせること
ができ、エピタキシャルウエハの膜厚のばらつきをより
低下させることができる。
セプタと多角形インナーチューブとの各角部の対向箇所
に仕切り体を配置したので、多角形サセプタの隣り合う
平面部側の相互影響を回避して気相成長を行わせること
ができ、エピタキシャルウエハの膜厚のばらつきをより
低下させることができる。
【図1】本発明に係る多角形サセプタ型気相成長装置の
第1実施例の上部構造の一例を示す縦断面図である。
第1実施例の上部構造の一例を示す縦断面図である。
【図2】本発明に係る多角形サセプタ型気相成長装置の
第1実施例の下部構造の一例を示す縦断面図である。
第1実施例の下部構造の一例を示す縦断面図である。
【図3】本実施例で用いている多角形サセプタと多角形
インナーチューブとの配置状態を示す横断面図である。
インナーチューブとの配置状態を示す横断面図である。
【図4】本実施例の多角形サセプタ型気相成長装置で製
造されたエピタキシャルウエハの膜厚の分布を示す線図
である。
造されたエピタキシャルウエハの膜厚の分布を示す線図
である。
【図5】本発明に係る多角形サセプタ型気相成長装置の
第2実施例の上部構造の一例を示す縦断面図である。
第2実施例の上部構造の一例を示す縦断面図である。
【図6】図5のインナーチューブホルダの構造を示す横
断面図である。
断面図である。
【図7】本発明に係る多角形サセプタ型気相成長装置の
第3実施例の上部構造の一例を示す縦断面図である。
第3実施例の上部構造の一例を示す縦断面図である。
【図8】本発明に係る多角形サセプタ型気相成長装置の
第4実施例を示す要部横断面図である。
第4実施例を示す要部横断面図である。
【図9】従来の多角形サセプタ型気相成長装置の要部構
成を示す横断面図である。
成を示す横断面図である。
【図10】図9に示す従来の装置における多角形サセプ
タとリアクタとの関係を示す要部横断面図である。
タとリアクタとの関係を示す要部横断面図である。
【図11】従来の多角形サセプタ型気相成長装置で製造
されたエピタキシャルウエハの膜厚の分布を示す線図で
ある。
されたエピタキシャルウエハの膜厚の分布を示す線図で
ある。
1 リアクタ 2 多角形サセプタ 2a 平面部 3 ウエハ 4 自転トレー 5 リアクタ本体部 5a 拡径段部 6 チャンバ部 7 原料ガス供給口 8 原料ガス吹出し突部 8a 原料ガス吹出し孔 9 サセプタ支持軸 10 受け部 11 突部 13 孔 14 サセプタ昇降機構 15 昇降ブラケット 16 昇降ガイド 17 スクリュー 18 凹部 19 トレー自転軸 20 歯車室 21 トレー自転遊星歯車 22 太陽歯車 23 太陽歯車支持体 23a 上部支持体部 23b 下部支持体部 24 軸受 25,26 シール部 27,28 歯車 29 モータ 30 トレー自転駆動機構 31 キャップ 32 キャップ凹部 33 ガス流路 34 排気口 35 フローガイド 36 高周波加熱コイル 37 多角形インナーチューブ 37a 平面部 38 フランジ 39 インナーチューブホルダ 40 排気間隙 41 排気口 50 スカート部
Claims (2)
- 【請求項1】 リアクタ内に多角形サセプタが公転しな
いように設けられ、前記リアクタの一端側には前記多角
形サセプタの各平面部に原料ガスを供給する原料ガス供
給口が設けられ、前記多角形サセプタの各平面部にはウ
エハを支持する自転トレーが該多角形サセプタに対して
自転自在に支持され、前記自転トレーにはこれを自転さ
せるトレー自転駆動機構が連結され、前記リアクタ内に
は前記多角形サセプタの各平面部に対向する平面部をも
つ多角形インナーチューブが配置されていることを特徴
とする多角形サセプタ型気相成長装置。 - 【請求項2】 前記多角形サセプタと前記多角形インナ
ーチューブとの各角部の対向箇所には仕切り体が配置さ
れていることを特徴とする請求項1に記載の多角形サセ
プタ型気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32807793A JPH07183221A (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | 多角形サセプタ型気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32807793A JPH07183221A (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | 多角形サセプタ型気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07183221A true JPH07183221A (ja) | 1995-07-21 |
Family
ID=18206259
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32807793A Pending JPH07183221A (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | 多角形サセプタ型気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07183221A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002324801A (ja) * | 2001-04-26 | 2002-11-08 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 炉内のガスフローパターン認識方法 |
| JP2013219217A (ja) * | 2012-04-10 | 2013-10-24 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 気相成長装置 |
-
1993
- 1993-12-24 JP JP32807793A patent/JPH07183221A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002324801A (ja) * | 2001-04-26 | 2002-11-08 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 炉内のガスフローパターン認識方法 |
| JP2013219217A (ja) * | 2012-04-10 | 2013-10-24 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 気相成長装置 |
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