JPH07193053A - 超格子構造半導体のエッチング方法 - Google Patents
超格子構造半導体のエッチング方法Info
- Publication number
- JPH07193053A JPH07193053A JP33356793A JP33356793A JPH07193053A JP H07193053 A JPH07193053 A JP H07193053A JP 33356793 A JP33356793 A JP 33356793A JP 33356793 A JP33356793 A JP 33356793A JP H07193053 A JPH07193053 A JP H07193053A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- semiconductor
- gas
- superlattice structure
- crystal layer
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 超格子構造半導体に対し、フロンガスを用い
ることなく異方性にすぐれ選択性にすぐれたエッチング
を行うことができるようにする。 【構成】 互いに異なる材料による第１および第２の半
導体結晶層が交互に堆積された超格子構造半導体３に対
するエッチング方法において、第１の半導体結晶層１の
エッチングを、硫黄を含むガスを用いた方向性エッチン
グによって行う。
ることなく異方性にすぐれ選択性にすぐれたエッチング
を行うことができるようにする。 【構成】 互いに異なる材料による第１および第２の半
導体結晶層が交互に堆積された超格子構造半導体３に対
するエッチング方法において、第１の半導体結晶層１の
エッチングを、硫黄を含むガスを用いた方向性エッチン
グによって行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、超格子構造半導体のエ
ッチング方法に係わる。
ッチング方法に係わる。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスにおいて、電子，正孔を
ド・ブロイ波長以下の空間に閉じ込めることによる量子
力学的振る舞いを用いたデバイスの研究・開発が盛んで
ある。
ド・ブロイ波長以下の空間に閉じ込めることによる量子
力学的振る舞いを用いたデバイスの研究・開発が盛んで
ある。
【０００３】一方、化合物半導体を中心とするエピタキ
シャル成長技術が発達し、膜厚方向で組成を変えて、電
位障壁を作ることが容易である。そのため、膜厚方向で
電子，正孔の閉じ込めを行うことによる量子井戸レーザ
等の半導体デバイスが実現されている。
シャル成長技術が発達し、膜厚方向で組成を変えて、電
位障壁を作ることが容易である。そのため、膜厚方向で
電子，正孔の閉じ込めを行うことによる量子井戸レーザ
等の半導体デバイスが実現されている。
【０００４】また、これに加えて昨今この量子効果を具
現化できる方法として、複数層の半導体薄層の積層によ
る超格子構造半導体を用いて、これに微細階段構造を形
成し、これに量子細線を形成するフォトダイオード、半
導体レーザ、ＨＥＭＴ（高電子移動度トランジスタ）等
の提案がなされている。
現化できる方法として、複数層の半導体薄層の積層によ
る超格子構造半導体を用いて、これに微細階段構造を形
成し、これに量子細線を形成するフォトダイオード、半
導体レーザ、ＨＥＭＴ（高電子移動度トランジスタ）等
の提案がなされている。
【０００５】この超格子構造半導体に対する微細階段構
造の形成方法としては、例えば特開平４−２８０６２９
号公報に開示のものがある。これに開示された微細階段
構造の形成方法は、ＧａＡｓおよびＡｌＧａＡｓの各材
料からなる第１および第２の結晶層を交互に積層した超
格子構造体を用いて結晶方位に対して異方性を有するエ
ッチングを行って各結晶層を斜めに横切る傾斜平面を形
成し、この傾斜平面においてＣＣｌ2 Ｆ2 とＨｅの混合
ガスによるＲＩＥ（反応性イオンエッチング）を行って
第１の結晶層のＧａＡｓを選択的にエッチングするもの
である。
造の形成方法としては、例えば特開平４−２８０６２９
号公報に開示のものがある。これに開示された微細階段
構造の形成方法は、ＧａＡｓおよびＡｌＧａＡｓの各材
料からなる第１および第２の結晶層を交互に積層した超
格子構造体を用いて結晶方位に対して異方性を有するエ
ッチングを行って各結晶層を斜めに横切る傾斜平面を形
成し、この傾斜平面においてＣＣｌ2 Ｆ2 とＨｅの混合
ガスによるＲＩＥ（反応性イオンエッチング）を行って
第１の結晶層のＧａＡｓを選択的にエッチングするもの
である。
【０００６】このようにＧａＡｓの選択的エッチング
は、フロンガスと希ガスの混合ガスを用いる場合、Ｇａ
が主として塩化物、Ａｓがフッ化物および塩化物を形成
することによりＧａＡｓ層が除去される一方で、下地の
ＡｌＧａＡｓ層が露出した時点では蒸気圧の低いＡｌＦ
3 が表面に形成されてエッチング速度が低下し、高選択
比が得られることによってなされるものである。Japane
se Journal of AppliedPysics,Vol.20 No.11 (1981)p L
847〜850 には、ＣＣｌ2 Ｆ2 ／Ｈｅ混合ガスを用いて
選択比２００を達成した例が報告されている。しかしな
がら、上述の選択的エッチングによる場合、フロンガス
を用いることによる地球環境問題がある。
は、フロンガスと希ガスの混合ガスを用いる場合、Ｇａ
が主として塩化物、Ａｓがフッ化物および塩化物を形成
することによりＧａＡｓ層が除去される一方で、下地の
ＡｌＧａＡｓ層が露出した時点では蒸気圧の低いＡｌＦ
3 が表面に形成されてエッチング速度が低下し、高選択
比が得られることによってなされるものである。Japane
se Journal of AppliedPysics,Vol.20 No.11 (1981)p L
847〜850 には、ＣＣｌ2 Ｆ2 ／Ｈｅ混合ガスを用いて
選択比２００を達成した例が報告されている。しかしな
がら、上述の選択的エッチングによる場合、フロンガス
を用いることによる地球環境問題がある。
【０００７】また、このフロンガスは、エッチング反応
系内にフルオロカーボン系ポリマーを大量に生成する。
このポリマーは、エッチング部の側壁に堆積することか
らこの側壁保護の効果を奏し、異方性エッチングに寄与
するという利点を有する反面、塵埃いわゆるパーティク
ルの発生を来たし、またこの堆積膜の排除は炭素Ｃを有
することからアッシングによらざるを得ないという問題
がある。
系内にフルオロカーボン系ポリマーを大量に生成する。
このポリマーは、エッチング部の側壁に堆積することか
らこの側壁保護の効果を奏し、異方性エッチングに寄与
するという利点を有する反面、塵埃いわゆるパーティク
ルの発生を来たし、またこの堆積膜の排除は炭素Ｃを有
することからアッシングによらざるを得ないという問題
がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、超格子構造
半導体を、フロンガスの使用を回避してしかもすぐれた
異方性をもって目的とするパターンにエッチングし、ま
たこのエッチング作業で生じた保護膜を容易に除去でき
作業性の簡略化をはかるものである。
半導体を、フロンガスの使用を回避してしかもすぐれた
異方性をもって目的とするパターンにエッチングし、ま
たこのエッチング作業で生じた保護膜を容易に除去でき
作業性の簡略化をはかるものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】第１の本発明は、図１に
その概略断面図を示すように、互いに異なる材料による
第１および第２の半導体結晶層１および２が交互に堆積
された超格子構造半導体３に対するエッチング方法にお
いて、第１の半導体結晶層１のエッチングを、硫黄を含
むガスを用いた方向性エッチングによって行う。
その概略断面図を示すように、互いに異なる材料による
第１および第２の半導体結晶層１および２が交互に堆積
された超格子構造半導体３に対するエッチング方法にお
いて、第１の半導体結晶層１のエッチングを、硫黄を含
むガスを用いた方向性エッチングによって行う。
【００１０】第２の本発明は、上述の第１の半導体結晶
層１のエッチングを、イオン照射の下で硫黄を含むガス
を用いた方向性エッチング工程と、その後に殆どイオン
照射がなされない状態での硫黄を含むガスを用いた方向
性エッチング工程とによって行う。
層１のエッチングを、イオン照射の下で硫黄を含むガス
を用いた方向性エッチング工程と、その後に殆どイオン
照射がなされない状態での硫黄を含むガスを用いた方向
性エッチング工程とによって行う。
【００１１】第３の本発明は、上述の各エッチング方法
において、その超格子構造半導体３の第１の半導体結晶
層１がＡｌを含まない化合物半導体であり、第２の半導
体結晶層がＡｌを含む化合物半導体である。
において、その超格子構造半導体３の第１の半導体結晶
層１がＡｌを含まない化合物半導体であり、第２の半導
体結晶層がＡｌを含む化合物半導体である。
【００１２】第４の本発明は、上述した各エッチング方
法において、硫黄を含むガスとして、Ｓ2 Ｆ2 ，ＳＦ
2 ，ＳＦ4 ，Ｓ2 Ｆ10，Ｓ3 Ｃｌ2 ，ＳＣｌ2 ，Ｓ2 Ｂ
ｒ2 ，ＳＢｒ2 ，Ｓ3 Ｂｒ2 から選ばれた少なくとも１
種のガスを用いる。
法において、硫黄を含むガスとして、Ｓ2 Ｆ2 ，ＳＦ
2 ，ＳＦ4 ，Ｓ2 Ｆ10，Ｓ3 Ｃｌ2 ，ＳＣｌ2 ，Ｓ2 Ｂ
ｒ2 ，ＳＢｒ2 ，Ｓ3 Ｂｒ2 から選ばれた少なくとも１
種のガスを用いる。
【００１３】第５の本発明は、上述の各エッチング方法
において、硫黄を含むガスとして、Ｓ2 Ｆ2 ，ＳＦ2 ，
ＳＦ4 ，Ｓ2 Ｆ10，Ｓ3 Ｃｌ2 ，ＳＣｌ2 ，Ｓ2 Ｂｒ
2 ，ＳＢｒ2 ，Ｓ3 Ｂｒ2 から選ばれた少なくとも１種
の第１のガスと、水素を含む第２のガスとを混合したガ
スを用いる。
において、硫黄を含むガスとして、Ｓ2 Ｆ2 ，ＳＦ2 ，
ＳＦ4 ，Ｓ2 Ｆ10，Ｓ3 Ｃｌ2 ，ＳＣｌ2 ，Ｓ2 Ｂｒ
2 ，ＳＢｒ2 ，Ｓ3 Ｂｒ2 から選ばれた少なくとも１種
の第１のガスと、水素を含む第２のガスとを混合したガ
スを用いる。
【００１４】第６の本発明は、上述の各エッチング方法
において、硫黄を含むガスとして、Ｓ2 Ｆ2 ，ＳＦ2 ，
ＳＦ4 ，Ｓ2 Ｆ10，Ｓ3 Ｃｌ2 ，ＳＣｌ2 ，Ｓ2 Ｂｒ
2 ，ＳＢｒ2 ，Ｓ3 Ｂｒ2 から選ばれた少なくとも１種
の第１のガスと、窒素を含む第２のガスとを混合したガ
スを用いる。
において、硫黄を含むガスとして、Ｓ2 Ｆ2 ，ＳＦ2 ，
ＳＦ4 ，Ｓ2 Ｆ10，Ｓ3 Ｃｌ2 ，ＳＣｌ2 ，Ｓ2 Ｂｒ
2 ，ＳＢｒ2 ，Ｓ3 Ｂｒ2 から選ばれた少なくとも１種
の第１のガスと、窒素を含む第２のガスとを混合したガ
スを用いる。
【００１５】
【作用】上述の第１〜第６の本発明では、超格子構造半
導体の第１の半導体結晶層１に対するエッチングをフロ
ンガスの使用を回避して硫黄を含むガスでエッチングす
るものであることから、フロンガスを用いる場合の冒頭
に述べた問題点を解決できる。
導体の第１の半導体結晶層１に対するエッチングをフロ
ンガスの使用を回避して硫黄を含むガスでエッチングす
るものであることから、フロンガスを用いる場合の冒頭
に述べた問題点を解決できる。
【００１６】そして、この硫黄を含むガスでのエッチン
グは、すぐれた異方性エッチングとなる。このエッチン
グのプロセスは次のように説明される。すなわち、この
場合分子内に硫黄を数多く含むガスはプラズマ中で容易
に解離して、エッチャントであるハロゲンラジカルと堆
積性の硫黄を生成する。このエッチングと堆積が同時に
起こることによりイオン照射面では、イオンエネルギー
により堆積膜である硫黄が除去され、エッチングが進
む。しかしながら、イオンが照射されない被エッチング
物の側壁では硫黄の堆積により側壁保護効果が発生し、
ハロゲンラジカルによるサイドエッチングを防止するこ
とができる。このようにしてすぐれた異方性エッチング
がなされる。
グは、すぐれた異方性エッチングとなる。このエッチン
グのプロセスは次のように説明される。すなわち、この
場合分子内に硫黄を数多く含むガスはプラズマ中で容易
に解離して、エッチャントであるハロゲンラジカルと堆
積性の硫黄を生成する。このエッチングと堆積が同時に
起こることによりイオン照射面では、イオンエネルギー
により堆積膜である硫黄が除去され、エッチングが進
む。しかしながら、イオンが照射されない被エッチング
物の側壁では硫黄の堆積により側壁保護効果が発生し、
ハロゲンラジカルによるサイドエッチングを防止するこ
とができる。このようにしてすぐれた異方性エッチング
がなされる。
【００１７】そして、第５の本発明におけるように、硫
黄を含むガスと水素を含むガスを混合して用いるとき
は、側壁保護膜の堆積を強固に行うことができる。すな
わち、この場合、エッチングにおいてＨラジカルが発生
し、これがエッチャントのハロゲンを捕捉することによ
ってより硫黄の堆積を助成すると考えられる。例えばＳ
2 Ｆ2 とＨ2 との混合ガスを用いる場合についてみる
と、Ｓ2 Ｆ2 ＋Ｈ2 →Ｓ↓＋ＨＦ↑となり、水素がＦラ
ジカルを捕捉し、硫黄Ｓの堆積を速やかにすると思われ
る。
黄を含むガスと水素を含むガスを混合して用いるとき
は、側壁保護膜の堆積を強固に行うことができる。すな
わち、この場合、エッチングにおいてＨラジカルが発生
し、これがエッチャントのハロゲンを捕捉することによ
ってより硫黄の堆積を助成すると考えられる。例えばＳ
2 Ｆ2 とＨ2 との混合ガスを用いる場合についてみる
と、Ｓ2 Ｆ2 ＋Ｈ2 →Ｓ↓＋ＨＦ↑となり、水素がＦラ
ジカルを捕捉し、硫黄Ｓの堆積を速やかにすると思われ
る。
【００１８】また、第６の本発明では、例えばＳ2 Ｆ2
＋Ｎ2 →（ＳＮ）X ↓＋Ｆラジカルにより、より安定な
ポリチアジルポリマー（ＳＮ）X を側壁保護膜として析
出できる。
＋Ｎ2 →（ＳＮ）X ↓＋Ｆラジカルにより、より安定な
ポリチアジルポリマー（ＳＮ）X を側壁保護膜として析
出できる。
【００１９】そして、側壁に堆積された硫黄の保護膜
は、単なる加熱によって昇華除去されるものであり、な
んらアッシングのような煩雑な作業を必要としない。
は、単なる加熱によって昇華除去されるものであり、な
んらアッシングのような煩雑な作業を必要としない。
【００２０】
【実施例】本発明方法の実施例を説明する。図１は本発
明方法によってエッチングを行う超格子構造半導体の一
例で、この場合、化合物半導体単結晶基体１１上に、バ
ッファ層１２、続いてこれの上に互いに材料を異にする
第１および第２の各半導体結晶層１および２を繰り返し
ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Depositio
n)、ＭＢＥ（分子線エピタキシー）等によってエピタキ
シーしてこれら第１および第２の半導体結晶層１および
２の積層による例えばＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体による
超格子構造半導体３を構成した場合である。
明方法によってエッチングを行う超格子構造半導体の一
例で、この場合、化合物半導体単結晶基体１１上に、バ
ッファ層１２、続いてこれの上に互いに材料を異にする
第１および第２の各半導体結晶層１および２を繰り返し
ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Depositio
n)、ＭＢＥ（分子線エピタキシー）等によってエピタキ
シーしてこれら第１および第２の半導体結晶層１および
２の積層による例えばＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体による
超格子構造半導体３を構成した場合である。
【００２１】基体１１は、例えば半絶縁性の｛１００｝
を主面とするＧａＡｓ単結晶基板が用いられ、バッファ
層１２は、例えばＡｌＧａＡｓによる。超格子構造半導
体３の第１の半導体結晶層１は例えば厚さ１９ｎｍのＡ
ｌを含まない例えばＧａＡｓにより、第２の半導体結晶
層２は例えば１ｎｍのＡｌを含む例えばＡｌＧａＡｓに
より、例えば６００℃〜７００℃のＭＢＥ法によってそ
れぞれ交互に例えば４７層形成する。
を主面とするＧａＡｓ単結晶基板が用いられ、バッファ
層１２は、例えばＡｌＧａＡｓによる。超格子構造半導
体３の第１の半導体結晶層１は例えば厚さ１９ｎｍのＡ
ｌを含まない例えばＧａＡｓにより、第２の半導体結晶
層２は例えば１ｎｍのＡｌを含む例えばＡｌＧａＡｓに
より、例えば６００℃〜７００℃のＭＢＥ法によってそ
れぞれ交互に例えば４７層形成する。
【００２２】この超格子構造半導体４上に例えばＳｉＯ
2 よりなるマスク層４を被着形成する。このマスク層４
には、最終的に例えば量子細線を形成する領域上に、そ
の縁部が〔１１０〕軸方向に選定された例えば幅１μｍ
の開口４Ｗをフォトリソグラフィ等によって形成する。
2 よりなるマスク層４を被着形成する。このマスク層４
には、最終的に例えば量子細線を形成する領域上に、そ
の縁部が〔１１０〕軸方向に選定された例えば幅１μｍ
の開口４Ｗをフォトリソグラフィ等によって形成する。
【００２３】そして、図２に示すように、マスク層４を
エッチングマスクとしてその開口４Ｗを通じて結晶方位
性を示す例えば燐酸系エッチングによる化学的エッチン
グを行って各半導体結晶層１および２を横切り、特定の
結晶面例えば｛１１１｝結晶面による斜面５を形成す
る。このエッチング方法は、特開平４−２８０６２９号
公報に開示された方法を適用できる。
エッチングマスクとしてその開口４Ｗを通じて結晶方位
性を示す例えば燐酸系エッチングによる化学的エッチン
グを行って各半導体結晶層１および２を横切り、特定の
結晶面例えば｛１１１｝結晶面による斜面５を形成す
る。このエッチング方法は、特開平４−２８０６２９号
公報に開示された方法を適用できる。
【００２４】次に、特に本発明においては、硫黄を含む
ガスによるドライエッチングによって、図３に示すよう
に、斜面５に露呈したＡｌを含まない第１の半導体結晶
層１を選択的にエッチングする。
ガスによるドライエッチングによって、図３に示すよう
に、斜面５に露呈したＡｌを含まない第１の半導体結晶
層１を選択的にエッチングする。
【００２５】この硫黄を含むガスは、Ｓ2 Ｆ2 ，ＳＦ
2 ，ＳＦ4 ，Ｓ2 Ｆ10，Ｓ3 Ｃｌ2 ，ＳＣｌ2 ，Ｓ2 Ｂ
ｒ2 ，ＳＢｒ2 ，Ｓ3 Ｂｒ2 から選ばれた少なくとも１
種のガスを用いる。
2 ，ＳＦ4 ，Ｓ2 Ｆ10，Ｓ3 Ｃｌ2 ，ＳＣｌ2 ，Ｓ2 Ｂ
ｒ2 ，ＳＢｒ2 ，Ｓ3 Ｂｒ2 から選ばれた少なくとも１
種のガスを用いる。
【００２６】あるいは、上記Ｓ2 Ｆ2 ，ＳＦ2 ，Ｓ
Ｆ4 ，Ｓ2 Ｆ10，Ｓ3 Ｃｌ2 ，ＳＣｌ2，Ｓ2 Ｂｒ2 ，
ＳＢｒ2 ，Ｓ3 Ｂｒ2 から選ばれた少なくとも１種の第
１のガスと、水素を含む第２のガス例えばＨ2 ，Ｈ2
Ｓ，シラン系化合物から選ばれた少なくとも１種のガス
とを混合したガスを用いる。
Ｆ4 ，Ｓ2 Ｆ10，Ｓ3 Ｃｌ2 ，ＳＣｌ2，Ｓ2 Ｂｒ2 ，
ＳＢｒ2 ，Ｓ3 Ｂｒ2 から選ばれた少なくとも１種の第
１のガスと、水素を含む第２のガス例えばＨ2 ，Ｈ2
Ｓ，シラン系化合物から選ばれた少なくとも１種のガス
とを混合したガスを用いる。
【００２７】または、上記Ｓ2 Ｆ2 ，ＳＦ2 ，ＳＦ4 ，
Ｓ2 Ｆ10，Ｓ3 Ｃｌ2 ，ＳＣｌ2 ，Ｓ2 Ｂｒ2 ，ＳＢｒ
2 ，Ｓ3 Ｂｒ2 から選ばれた少なくとも１種の第１のガ
スと、窒素を含む例えばＮ2 ，ＮＦ3 ，ＮＨ3 の少なく
とも１種による第２のガスとを混合したガスを用いる。
Ｓ2 Ｆ10，Ｓ3 Ｃｌ2 ，ＳＣｌ2 ，Ｓ2 Ｂｒ2 ，ＳＢｒ
2 ，Ｓ3 Ｂｒ2 から選ばれた少なくとも１種の第１のガ
スと、窒素を含む例えばＮ2 ，ＮＦ3 ，ＮＨ3 の少なく
とも１種による第２のガスとを混合したガスを用いる。
【００２８】尚、上述の硫黄を含むガスとしては、中で
もふっ素Ｆを含むガスＳ2 Ｆ2 ，ＳＦ2 ，ＳＦ4 ，Ｓ2
Ｆ10を用いることが異方性エッチングをより良好に行う
ことができる。
もふっ素Ｆを含むガスＳ2 Ｆ2 ，ＳＦ2 ，ＳＦ4 ，Ｓ2
Ｆ10を用いることが異方性エッチングをより良好に行う
ことができる。
【００２９】その後図４に示すように、この選択的エッ
チングによって外部に露呈した第２の半導体結晶層２を
エッチングする。このようにすると所定の幅を有する階
段部６が形成される。
チングによって外部に露呈した第２の半導体結晶層２を
エッチングする。このようにすると所定の幅を有する階
段部６が形成される。
【００３０】この方法において、マスク層４の除去は、
斜面５を形成して後のいずれの工程で行っても良い。
斜面５を形成して後のいずれの工程で行っても良い。
【００３１】このようにして形成した階段部６には、例
えば図５に示すように、例えばＡｌＧａＡｓによる半導
体層７をエピタキシーし、段部を利用してＧａＡｓを堆
積させて量子細線８を形成し、これの上に例えばＡｌＧ
ａＡｓによる半導体層７をエピタキシーする。
えば図５に示すように、例えばＡｌＧａＡｓによる半導
体層７をエピタキシーし、段部を利用してＧａＡｓを堆
積させて量子細線８を形成し、これの上に例えばＡｌＧ
ａＡｓによる半導体層７をエピタキシーする。
【００３２】図３の工程における第１の半導体結晶層１
に対する硫黄を含むガスでのエッチングは、図６に模式
的に示す構成による有磁場マイクロ波プラズマエッチン
グ装置１００によって行うことができる。
に対する硫黄を含むガスでのエッチングは、図６に模式
的に示す構成による有磁場マイクロ波プラズマエッチン
グ装置１００によって行うことができる。
【００３３】この有磁場マイクロ波プラズマエッチング
装置１００は、例えばマグネトロン２０から発生した周
波数２．４５ＧＨｚのマイクロ波が、矩形導波管２１お
よび円筒形導波管２２による石英製のベルジャー２３に
導かれる。このベルジャー２３は、前述した基体１１上
に超格子構造半導体３を有するウエハＷの搬出入を行う
ためのチャンバ２９に接続されており、その内部は図示
されないが高真空排気系統により各々排気孔３０を通じ
て矢印Ａ方向に排気されている。また、ベルジャー２３
内へは、ガス導入管２５を通じて矢印Ｂ方向から上述の
硫黄を含むガスが導入される。円筒形導波管２３は、ソ
レノイド・コイル２４に周回されている。このソレノイ
ド・コイル２４により形成される８．７５×１０-2Ｔ
（８７５Ｇ）の磁場とマイクロ波とが上記ガスに作用す
ることにより、ベルジャー２３の内部でＥＣＲ（電子サ
イクロトロン共鳴）放電が起こり、ＥＣＲプラズマＰが
生成される。
装置１００は、例えばマグネトロン２０から発生した周
波数２．４５ＧＨｚのマイクロ波が、矩形導波管２１お
よび円筒形導波管２２による石英製のベルジャー２３に
導かれる。このベルジャー２３は、前述した基体１１上
に超格子構造半導体３を有するウエハＷの搬出入を行う
ためのチャンバ２９に接続されており、その内部は図示
されないが高真空排気系統により各々排気孔３０を通じ
て矢印Ａ方向に排気されている。また、ベルジャー２３
内へは、ガス導入管２５を通じて矢印Ｂ方向から上述の
硫黄を含むガスが導入される。円筒形導波管２３は、ソ
レノイド・コイル２４に周回されている。このソレノイ
ド・コイル２４により形成される８．７５×１０-2Ｔ
（８７５Ｇ）の磁場とマイクロ波とが上記ガスに作用す
ることにより、ベルジャー２３の内部でＥＣＲ（電子サ
イクロトロン共鳴）放電が起こり、ＥＣＲプラズマＰが
生成される。
【００３４】チャンバ２９には、ＥＣＲプラズマＰに面
してウェハＷを保持するためのウェハ載置電極２６が配
設されている。このウェハ載置電極２６には、ブロッキ
ング・コンデンサ３１を介してＲＦ（高周波）電源３２
が接続されており、必要に応じてＲＦバイアス・パワー
を印加するようになされている。また、ウェハ載置電極
２６にはヒータ２７と冷却配管２８が埋設されており、
必要に応じてウェハＷを加熱もしくは冷却するようにな
されている。
してウェハＷを保持するためのウェハ載置電極２６が配
設されている。このウェハ載置電極２６には、ブロッキ
ング・コンデンサ３１を介してＲＦ（高周波）電源３２
が接続されており、必要に応じてＲＦバイアス・パワー
を印加するようになされている。また、ウェハ載置電極
２６にはヒータ２７と冷却配管２８が埋設されており、
必要に応じてウェハＷを加熱もしくは冷却するようにな
されている。
【００３５】なお、上述の説明および図６では便宜上、
ウェハ載置電極２６にヒータ２７と冷却配管２８とが一
緒に埋設されているような表現を用いたが、このウェハ
載置電極２６上で中低温域から高温域にわたる広い温度
範囲で温度制御を行おうとすると、ウェハ載置電極２６
自身の熱容量により昇降温速度が制限され、スループッ
トを大幅に損なうおそれが大きい。
ウェハ載置電極２６にヒータ２７と冷却配管２８とが一
緒に埋設されているような表現を用いたが、このウェハ
載置電極２６上で中低温域から高温域にわたる広い温度
範囲で温度制御を行おうとすると、ウェハ載置電極２６
自身の熱容量により昇降温速度が制限され、スループッ
トを大幅に損なうおそれが大きい。
【００３６】そこで実際には、本出願人が先に特願平３
−３０１２７９号明細書において提案したような、ウェ
ハ載置電極２重構造とした有磁場マイクロ波プラズマ装
置を用いることが特に推奨される。このウェハ載置電極
は、冷却配管を内蔵する外周側電極と、ヒータを内蔵す
る内周側電極との組合せにより構成される。低温プロセ
ス時には、ヒータをオフとした状態で両電極を接合一体
化させてウェハを冷却し、高温プロセス時にはヒータを
オンとした状態で両電極を離間させ、内周側電極上に載
置されたウェハを加熱する。これにより、昇降温速度を
大幅に短縮することができる。
−３０１２７９号明細書において提案したような、ウェ
ハ載置電極２重構造とした有磁場マイクロ波プラズマ装
置を用いることが特に推奨される。このウェハ載置電極
は、冷却配管を内蔵する外周側電極と、ヒータを内蔵す
る内周側電極との組合せにより構成される。低温プロセ
ス時には、ヒータをオフとした状態で両電極を接合一体
化させてウェハを冷却し、高温プロセス時にはヒータを
オンとした状態で両電極を離間させ、内周側電極上に載
置されたウェハを加熱する。これにより、昇降温速度を
大幅に短縮することができる。
【００３７】以下に本発明方法の図１〜図４で説明した
工程における図３以降の工程についての具体的実施例を
説明する。 実施例１ 図６の装置を用いて、以下の条件でＧａＡｓによる第１
の半導体結晶層１をエッチングした。 ガス流量 ：Ｓ2 Ｆ2 ＝３０sccm 圧力 ：１．３３Ｐａ 温度 ：１０℃ マイクロ波 ：８５０Ｗ（２．４５ＧＨｚ） ＲＦバイアス：３０Ｗ
工程における図３以降の工程についての具体的実施例を
説明する。 実施例１ 図６の装置を用いて、以下の条件でＧａＡｓによる第１
の半導体結晶層１をエッチングした。 ガス流量 ：Ｓ2 Ｆ2 ＝３０sccm 圧力 ：１．３３Ｐａ 温度 ：１０℃ マイクロ波 ：８５０Ｗ（２．４５ＧＨｚ） ＲＦバイアス：３０Ｗ
【００３８】この時、前述したようにフッ素ラジカルで
エッチングが進み、ＧａＡｓ結晶層１の側壁にのみ図示
しない硫黄膜が形成され、側壁保護効果が発揮されてす
ぐれた異方性エッチングができた（図３）。この場合、
下層のＡｌＧａＡｓによる第２の半導体結晶層４はＡｌ
を含んでいる前述したように蒸気圧の低いＡｌＦが形成
されることでエッチングが停止し、高選択エッチングが
可能となった。
エッチングが進み、ＧａＡｓ結晶層１の側壁にのみ図示
しない硫黄膜が形成され、側壁保護効果が発揮されてす
ぐれた異方性エッチングができた（図３）。この場合、
下層のＡｌＧａＡｓによる第２の半導体結晶層４はＡｌ
を含んでいる前述したように蒸気圧の低いＡｌＦが形成
されることでエッチングが停止し、高選択エッチングが
可能となった。
【００３９】その後、１００℃に加熱した。この時この
加熱によって硫黄膜も除去された。尚、この時マスク５
を予め、フッ酸等で除去しておいた。これは本エッチン
グが終了してからでも構わない。
加熱によって硫黄膜も除去された。尚、この時マスク５
を予め、フッ酸等で除去しておいた。これは本エッチン
グが終了してからでも構わない。
【００４０】次に、段差の上に残ったＡｌＧａＡｓによ
る第２の半導体結晶層２をアンモニア水による洗浄、ま
たは、良く知られているヨウ素系のウェットエッチング
で除去した（図４）。
る第２の半導体結晶層２をアンモニア水による洗浄、ま
たは、良く知られているヨウ素系のウェットエッチング
で除去した（図４）。
【００４１】実施例２ この実施例では、選択エッチングの条件を変更した。前
述の装置を用いて、以下の条件でＧａＡｓによる半導体
結晶層１を９０％の厚さに亘って第１の方向性エッチン
グを行った。 ガス流量 ：Ｓ2 Ｆ2 ＝３０sccm 圧力 ：１．３３Ｐａ 温度 ：１０℃ マイクロ波 ：８５０Ｗ（２．４５ＧＨｚ） ＲＦバイアス：３０Ｗ
述の装置を用いて、以下の条件でＧａＡｓによる半導体
結晶層１を９０％の厚さに亘って第１の方向性エッチン
グを行った。 ガス流量 ：Ｓ2 Ｆ2 ＝３０sccm 圧力 ：１．３３Ｐａ 温度 ：１０℃ マイクロ波 ：８５０Ｗ（２．４５ＧＨｚ） ＲＦバイアス：３０Ｗ
【００４２】その後、残りの厚さ１０％をＲＦバイアス
を掛けずに、つまりイオン照射をすることなく以下の条
件で第２の方向性エッチングを行った。 ガス流量 ：Ｓ2 Ｆ2 ＝３０sccm 圧力 ：１．３３Ｐａ 温度 ：１０℃ マイクロ波 ：８５０Ｗ（２．４５ＧＨｚ） ＲＦバイアス：０Ｗ
を掛けずに、つまりイオン照射をすることなく以下の条
件で第２の方向性エッチングを行った。 ガス流量 ：Ｓ2 Ｆ2 ＝３０sccm 圧力 ：１．３３Ｐａ 温度 ：１０℃ マイクロ波 ：８５０Ｗ（２．４５ＧＨｚ） ＲＦバイアス：０Ｗ
【００４３】この時、前述のようにフッ素ラジカルでエ
ッチングが進み、ＧａＡｓ結晶層３側壁がのみ図示しな
いが硫黄膜が形成され、側壁保護効果が発揮されてすぐ
れた異方性エッチングができた。
ッチングが進み、ＧａＡｓ結晶層３側壁がのみ図示しな
いが硫黄膜が形成され、側壁保護効果が発揮されてすぐ
れた異方性エッチングができた。
【００４４】この場合においても下層のＡｌＧａＡｓに
よる第２の半導体結晶層２はＡｌを含んでいるため蒸気
圧の低いＡｌＦが形成されることでエッチングが停止
し、高選択エッチングが可能となることに加えて、ＲＦ
バイアスを０Ｗにして物理的スパッタが生じないように
したことで、より選択性が向上した。
よる第２の半導体結晶層２はＡｌを含んでいるため蒸気
圧の低いＡｌＦが形成されることでエッチングが停止
し、高選択エッチングが可能となることに加えて、ＲＦ
バイアスを０Ｗにして物理的スパッタが生じないように
したことで、より選択性が向上した。
【００４５】その後、１００℃に加熱した。この時硫黄
膜も除去された。尚、この時マスク４を予め、フッ酸等
で除去しておいた。しかしながらこのマスクの除去は、
本エッチングが終了してから行うこともできる。
膜も除去された。尚、この時マスク４を予め、フッ酸等
で除去しておいた。しかしながらこのマスクの除去は、
本エッチングが終了してから行うこともできる。
【００４６】次に、段差の上に残ったＡｌＧａＡｓ第２
の半導体結晶層４をアンモニア水による洗浄、または、
良く知られているヨウ素系のウェットエッチングで除去
した。
の半導体結晶層４をアンモニア水による洗浄、または、
良く知られているヨウ素系のウェットエッチングで除去
した。
【００４７】実施例３ この実施例では、異方性エッチングの条件を変更した。
以下の条件でＧａＡｓによる第１の半導体結晶層１をエ
ッチングした。 ガス流量 ：Ｓ2 Ｆ2 ／Ｈ2 ＝３０sccm 圧力 ：１．３３Ｐａ 温度 ：１０℃ マイクロ波 ：８５０Ｗ（２．４５ＧＨｚ） ＲＦバイアス：３０Ｗ
以下の条件でＧａＡｓによる第１の半導体結晶層１をエ
ッチングした。 ガス流量 ：Ｓ2 Ｆ2 ／Ｈ2 ＝３０sccm 圧力 ：１．３３Ｐａ 温度 ：１０℃ マイクロ波 ：８５０Ｗ（２．４５ＧＨｚ） ＲＦバイアス：３０Ｗ
【００４８】この時、前述のようにフッ素ラジカルでエ
ッチングが進み、ＧａＡｓによる第１の半導体結晶層１
の側壁にのみ硫黄膜が形成され、側壁保護効果が発揮さ
れてすぐれた異方性エッチングができた。しかも、水素
ラジカルによる過剰なフッ素ラジカルの取り込みでその
分、側壁保護膜が薄くて済み、エッチングの温度を上げ
ることができ、省エネルギーに貢献できた。この場合、
実施例２のように２工程エッチングを行うようにするこ
ともできる。その後、１００℃に加熱した。この時前述
のように硫黄膜も除去された。
ッチングが進み、ＧａＡｓによる第１の半導体結晶層１
の側壁にのみ硫黄膜が形成され、側壁保護効果が発揮さ
れてすぐれた異方性エッチングができた。しかも、水素
ラジカルによる過剰なフッ素ラジカルの取り込みでその
分、側壁保護膜が薄くて済み、エッチングの温度を上げ
ることができ、省エネルギーに貢献できた。この場合、
実施例２のように２工程エッチングを行うようにするこ
ともできる。その後、１００℃に加熱した。この時前述
のように硫黄膜も除去された。
【００４９】次に、段差の上に残ったＡｌＧａＡｓ結晶
層４をアンモニア水による洗浄、または、良く知られて
いるヨウ素系のウェットエッチングで除去した。
層４をアンモニア水による洗浄、または、良く知られて
いるヨウ素系のウェットエッチングで除去した。
【００５０】実施例４ この実施例においても、異方性エッチングの条件を変更
した。以下の条件でＧａＡｓによる第１の半導体結晶層
１をエッチングした。 ガス流量 ：Ｓ2 Ｆ2 ／Ｎ2 ＝３０／５sccm 圧力 ：１．３３Ｐａ 温度 ：５０℃ マイクロ波 ：８５０Ｗ（２．４５ＧＨｚ） ＲＦバイアス：３０Ｗ このとき、前述のようにフッ素ラジカルでエッチングが
進み、ＧａＡｓによる第１の半導体結晶層１の側壁にの
み図示しない硫黄膜が形成され、側壁保護効果が発揮さ
れてすぐれた異方性エッチングができた。
した。以下の条件でＧａＡｓによる第１の半導体結晶層
１をエッチングした。 ガス流量 ：Ｓ2 Ｆ2 ／Ｎ2 ＝３０／５sccm 圧力 ：１．３３Ｐａ 温度 ：５０℃ マイクロ波 ：８５０Ｗ（２．４５ＧＨｚ） ＲＦバイアス：３０Ｗ このとき、前述のようにフッ素ラジカルでエッチングが
進み、ＧａＡｓによる第１の半導体結晶層１の側壁にの
み図示しない硫黄膜が形成され、側壁保護効果が発揮さ
れてすぐれた異方性エッチングができた。
【００５１】このように、窒素を添加することで前述の
ように窒素ラジカルがハロゲン化硫黄から解離する硫黄
ラジカルと重合することでより安定なポリチアジル膜の
堆積が起こるようにした。したがって、過剰なフッ素ラ
ジカルのサイドアタックが少ないため、エッチングの温
度を上げることができ、省エネルギーに貢献できた。勿
論この場合においても、実施例２におけるように２工程
エッチングを行うこともできる。
ように窒素ラジカルがハロゲン化硫黄から解離する硫黄
ラジカルと重合することでより安定なポリチアジル膜の
堆積が起こるようにした。したがって、過剰なフッ素ラ
ジカルのサイドアタックが少ないため、エッチングの温
度を上げることができ、省エネルギーに貢献できた。勿
論この場合においても、実施例２におけるように２工程
エッチングを行うこともできる。
【００５２】その後、２００℃に加熱した。この時前述
のように硫黄膜も除去された。次に、段差の上に残った
ＡｌＧａＡｓによる第２半導体結晶層２をアンモニア水
による洗浄、または、ヨウ素系のウェットエッチングで
除去した。
のように硫黄膜も除去された。次に、段差の上に残った
ＡｌＧａＡｓによる第２半導体結晶層２をアンモニア水
による洗浄、または、ヨウ素系のウェットエッチングで
除去した。
【００５３】尚、本発明は上述した実施例に限定される
ものではなく本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で構造、
条件等は適宜変更できるものである。
ものではなく本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で構造、
条件等は適宜変更できるものである。
【００５４】
【発明の効果】上述したように、本発明方法では、規制
ガスのフロンガスの使用を回避でき、環境問題の改善を
はかることができる。
ガスのフロンガスの使用を回避でき、環境問題の改善を
はかることができる。
【００５５】また、本発明方法においては、そのエッチ
ングにおいて、側壁に硫黄の保護膜を堆積させすぐれた
異方性エッチングを可能にするもであるが、この硫黄の
保護膜の除去は昇華によってすなわちアッシングのよう
な煩雑な作業を必要とせず単に加熱するのみで除去でき
ることから著しく作業性の向上と、信頼性の向上をはか
ることができる。
ングにおいて、側壁に硫黄の保護膜を堆積させすぐれた
異方性エッチングを可能にするもであるが、この硫黄の
保護膜の除去は昇華によってすなわちアッシングのよう
な煩雑な作業を必要とせず単に加熱するのみで除去でき
ることから著しく作業性の向上と、信頼性の向上をはか
ることができる。
【００５６】そして、この硫黄を含むガスでのエッチン
グは、すぐれた異方性エッチングと選択性エッチングが
できることから確実に例えば量子細線を形成する場合に
用いる超格子構造半導体に対する階段状エッチングを行
うことができ、これによって特性の安定した量子細線の
形成することができ、この種の量子細線による各種半導
体素子の形成に適用して、大きな効果を奏する。
グは、すぐれた異方性エッチングと選択性エッチングが
できることから確実に例えば量子細線を形成する場合に
用いる超格子構造半導体に対する階段状エッチングを行
うことができ、これによって特性の安定した量子細線の
形成することができ、この種の量子細線による各種半導
体素子の形成に適用して、大きな効果を奏する。
【図１】本発明方法の一例の一工程の概略断面図であ
る。
る。
【図２】本発明方法の一例の一工程の概略断面図であ
る。
る。
【図３】本発明方法の一例の一工程の概略断面図であ
る。
る。
【図４】本発明方法の一例の一工程の概略断面図であ
る。
る。
【図５】本発明方法を適用する量子細線半導体素子の一
例の概略断面図である。
例の概略断面図である。
【図６】本発明方法を実施する装置の一例の構成図であ
る。
る。
１ 第１の半導体結晶層 ２ 第２の半導体結晶層 ３ 超格子構造半導体 １１ 基体 １２ バッファ層
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年３月２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２１】基体１１は、例えば半絶縁性の｛１００｝
を主面とするＧａＡｓ単結晶基板が用いられ、バッファ
層１２は、例えばＡｌＧａＡｓによる。超格子構造半導
体３の第１の半導体結晶層１は例えば厚さ１９ｎｍのＡ
ｌを含まない例えばＧａＡｓにより、第２の半導体結晶
層２は例えば厚さ１ｎｍのＡｌを含む例えばＡｌＧａＡ
ｓにより、例えば６００℃〜７００℃のＭＢＥ法によっ
てそれぞれ交互に例えば４７層形成する。
を主面とするＧａＡｓ単結晶基板が用いられ、バッファ
層１２は、例えばＡｌＧａＡｓによる。超格子構造半導
体３の第１の半導体結晶層１は例えば厚さ１９ｎｍのＡ
ｌを含まない例えばＧａＡｓにより、第２の半導体結晶
層２は例えば厚さ１ｎｍのＡｌを含む例えばＡｌＧａＡ
ｓにより、例えば６００℃〜７００℃のＭＢＥ法によっ
てそれぞれ交互に例えば４７層形成する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２２】この超格子構造半導体３上に例えばＳｉＯ
2 よりなるマスク層４を被着形成する。このマスク層４
には、最終的に例えば量子細線を形成する領域上に、そ
の縁部が〔１１０〕軸方向に選定された例えば幅１μｍ
の開口４Ｗをフォトリソグラフィ等によって形成する。
2 よりなるマスク層４を被着形成する。このマスク層４
には、最終的に例えば量子細線を形成する領域上に、そ
の縁部が〔１１０〕軸方向に選定された例えば幅１μｍ
の開口４Ｗをフォトリソグラフィ等によって形成する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３６】そこで実際には、本出願人が先に特願平３
−３０１２７９号出願において提案したような、ウェハ
載置電極２重構造とした有磁場マイクロ波プラズマ装置
を用いることが特に推奨される。このウェハ載置電極
は、冷却配管を内蔵する外周側電極と、ヒータを内蔵す
る内周側電極との組合せにより構成される。低温ブロセ
ス時には、ヒータをオフとした状態で両電極を接合一体
化させてウェハを冷却し、高温プロセス時にはヒータを
オンとした状態で両電極を離間させ、内周側電極上に載
置されたウェハを加熱する。これにより、昇降温速度を
大幅に短縮することができる。
−３０１２７９号出願において提案したような、ウェハ
載置電極２重構造とした有磁場マイクロ波プラズマ装置
を用いることが特に推奨される。このウェハ載置電極
は、冷却配管を内蔵する外周側電極と、ヒータを内蔵す
る内周側電極との組合せにより構成される。低温ブロセ
ス時には、ヒータをオフとした状態で両電極を接合一体
化させてウェハを冷却し、高温プロセス時にはヒータを
オンとした状態で両電極を離間させ、内周側電極上に載
置されたウェハを加熱する。これにより、昇降温速度を
大幅に短縮することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４７】実施例３ この実施例では、異方性エッチングの条件を変更した。
以下の条件でＧａＡｓによる第１の半導体結晶層１をエ
ッチングした。 ガス流量 ：Ｓ2 Ｆ2 ／Ｈ2 ＝３０sccm 圧力 ：１．３３Ｐａ 温度 ：３０℃ マイクロ波 ：８５０Ｗ（２．４５ＧＨｚ） ＲＦバイアス：３０Ｗ
以下の条件でＧａＡｓによる第１の半導体結晶層１をエ
ッチングした。 ガス流量 ：Ｓ2 Ｆ2 ／Ｈ2 ＝３０sccm 圧力 ：１．３３Ｐａ 温度 ：３０℃ マイクロ波 ：８５０Ｗ（２．４５ＧＨｚ） ＲＦバイアス：３０Ｗ
Claims (6)
- 【請求項１】 互いに異なる材料による第１および第２
の半導体結晶層が交互に堆積された超格子構造半導体に
対するエッチング方法において、 上記第１の半導体結晶層のエッチングを、硫黄を含むガ
スを用いた方向性エッチングによって行うことを特徴と
する超格子構造半導体のエッチング方法。 - 【請求項２】 上記第１の半導体結晶層のエッチング
を、イオン照射の下で硫黄を含むガスを用いた方向性エ
ッチング工程と、その後に殆どイオン照射がなされない
状態での硫黄を含むガスを用いた方向性エッチング工程
とによって行うことを特徴とする請求項１に記載の超格
子構造半導体のエッチング方法。 - 【請求項３】 上記第１の半導体結晶層がＡｌを含まな
い化合物半導体であり、上記第２の半導体結晶層がＡｌ
を含む化合物半導体であることを特徴とする請求項１ま
たは２に記載の超格子構造半導体エッチング方法。 - 【請求項４】 上記硫黄を含むガスとして、Ｓ2 Ｆ2 ，
ＳＦ2 ，ＳＦ4 ，Ｓ2 Ｆ 10，Ｓ3 Ｃｌ2 ，ＳＣｌ2 ，Ｓ
2 Ｂｒ2 ，ＳＢｒ2 ，Ｓ3 Ｂｒ2 から選ばれた少なくと
も１種のガスを用いることを特徴とする請求項１、２ま
たは３に記載の超格子構造半導体のエッチング方法。 - 【請求項５】 上記硫黄を含むガスとして、Ｓ2 Ｆ2 ，
ＳＦ2 ，ＳＦ4 ，Ｓ2 Ｆ 10，Ｓ3 Ｃｌ2 ，ＳＣｌ2 ，Ｓ
2 Ｂｒ2 ，ＳＢｒ2 ，Ｓ3 Ｂｒ2 から選ばれた少なくと
も１種の第１のガスと、水素を含む第２のガスとを混合
したガスを用いることを特徴とする請求項１２、３、ま
たは４に記載の超格子構造半導体のエッチング方法。 - 【請求項６】 上記硫黄を含むガスとして、Ｓ2 Ｆ2 ，
ＳＦ2 ，ＳＦ4 ，Ｓ2 Ｆ 10，Ｓ3 Ｃｌ2 ，ＳＣｌ2 ，Ｓ
2 Ｂｒ2 ，ＳＢｒ2 ，Ｓ3 Ｂｒ2 から選ばれた少なくと
も１種の第１のガスと、窒素を含む第２のガスとを混合
したガスを用いることを特徴とする請求項１、２、３、
４または５に記載の超格子構造半導体のエッチング方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33356793A JPH07193053A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 超格子構造半導体のエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33356793A JPH07193053A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 超格子構造半導体のエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07193053A true JPH07193053A (ja) | 1995-07-28 |
Family
ID=18267493
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33356793A Pending JPH07193053A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 超格子構造半導体のエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07193053A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013183063A (ja) * | 2012-03-02 | 2013-09-12 | Tokyo Electron Ltd | 半導体装置の製造方法及びコンピュータ記録媒体 |
| US9716195B2 (en) | 2015-06-01 | 2017-07-25 | International Business Machines Corporation | Dry etch method for texturing silicon and device |
-
1993
- 1993-12-27 JP JP33356793A patent/JPH07193053A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013183063A (ja) * | 2012-03-02 | 2013-09-12 | Tokyo Electron Ltd | 半導体装置の製造方法及びコンピュータ記録媒体 |
| US9716195B2 (en) | 2015-06-01 | 2017-07-25 | International Business Machines Corporation | Dry etch method for texturing silicon and device |
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