JPH07193158A - 高周波トランジスタのパッケージ - Google Patents
高周波トランジスタのパッケージInfo
- Publication number
- JPH07193158A JPH07193158A JP5332872A JP33287293A JPH07193158A JP H07193158 A JPH07193158 A JP H07193158A JP 5332872 A JP5332872 A JP 5332872A JP 33287293 A JP33287293 A JP 33287293A JP H07193158 A JPH07193158 A JP H07193158A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- package
- frequency transistor
- high frequency
- gaas fet
- fet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/80—FETs having rectifying junction gate electrodes
- H10D30/87—FETs having Schottky gate electrodes, e.g. metal-semiconductor FETs [MESFET]
Landscapes
- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 マイクロ波帯増幅器の整合回路の設計自由度
が増すようなＧａＡｓＦＥＴ等の高周波トランジスタの
パッケージを実現すること。 【構成】 ＧａＡｓ ＦＥＴのゲート，ソース，ドレイ
ンの各リード端子をそれぞれコの字形のリード電極
（２，３，４）にする。これにより、はんだ付けの際に
必要となるパターンが微小となるためリードの根元から
最適な整合回路パターンを接続することができるため回
路設計の自由度が増すことになる。
が増すようなＧａＡｓＦＥＴ等の高周波トランジスタの
パッケージを実現すること。 【構成】 ＧａＡｓ ＦＥＴのゲート，ソース，ドレイ
ンの各リード端子をそれぞれコの字形のリード電極
（２，３，４）にする。これにより、はんだ付けの際に
必要となるパターンが微小となるためリードの根元から
最適な整合回路パターンを接続することができるため回
路設計の自由度が増すことになる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はマイクロ波帯増幅器に用
いられる高周波トランジスタのパッケージに関し、例え
ばＧａＡｓ ＦＥＴのような高周波トランジスタのパッ
ケージに関する。
いられる高周波トランジスタのパッケージに関し、例え
ばＧａＡｓ ＦＥＴのような高周波トランジスタのパッ
ケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のマイクロ波帯低雑音ＧａＡｓ Ｆ
ＥＴは、ゲート端子１本、ソース端子２本、ドレイン端
子１本を有し、幅Ｗ、長さｌのリボン状リードを放射状
に十字形になるようにＦＥＴ本体の電極に接続した方形
もしくは円形形状のパッケージ構成となっている。
ＥＴは、ゲート端子１本、ソース端子２本、ドレイン端
子１本を有し、幅Ｗ、長さｌのリボン状リードを放射状
に十字形になるようにＦＥＴ本体の電極に接続した方形
もしくは円形形状のパッケージ構成となっている。
【０００３】図３は、従来の低雑音ＧａＡｓ ＦＥＴの
パッケージを示す外形図である。図において１はＦＥＴ
本体、２はゲート端子、３はドレイン端子、４はソース
端子である。上述のＧａＡｓ ＦＥＴを用いたマイクロ
波帯低雑音増幅器の例を図４に示す。図４において、５
はマイクロストリップ線路、６はソース接地用マイクロ
ストリップパターン、７は基板である。入力側整合回路
５ａはゲートリードをはんだ付けするために幅Ｗ′（＞
Ｗ）長さｌ′（＞ｌ）のマイクロストリップパターンが
必ず接続され、その後に整合回路パターンを接続してい
くという構成になっている。尚、従来技術の文献として
は１９９１年版ＮＥＣデータブック「マイクロ波デバイ
ス」Ｐ６０７〜Ｐ６１５に同様なパッケージの説明がな
されている。
パッケージを示す外形図である。図において１はＦＥＴ
本体、２はゲート端子、３はドレイン端子、４はソース
端子である。上述のＧａＡｓ ＦＥＴを用いたマイクロ
波帯低雑音増幅器の例を図４に示す。図４において、５
はマイクロストリップ線路、６はソース接地用マイクロ
ストリップパターン、７は基板である。入力側整合回路
５ａはゲートリードをはんだ付けするために幅Ｗ′（＞
Ｗ）長さｌ′（＞ｌ）のマイクロストリップパターンが
必ず接続され、その後に整合回路パターンを接続してい
くという構成になっている。尚、従来技術の文献として
は１９９１年版ＮＥＣデータブック「マイクロ波デバイ
ス」Ｐ６０７〜Ｐ６１５に同様なパッケージの説明がな
されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のＧａＡｓ ＦＥ
Ｔのパッケージでは、低雑音、高利得な増幅器を得るた
めに最適な整合回路を構成しようとしても、はんだ付け
のためのマイクロストリップパターンが必ず入るため、
ゲート端子の根元から特性インピーダンスの高い、すな
わちリード幅に比べて幅の狭い線路を接続することがで
きないという制約があった。
Ｔのパッケージでは、低雑音、高利得な増幅器を得るた
めに最適な整合回路を構成しようとしても、はんだ付け
のためのマイクロストリップパターンが必ず入るため、
ゲート端子の根元から特性インピーダンスの高い、すな
わちリード幅に比べて幅の狭い線路を接続することがで
きないという制約があった。
【０００５】この発明の目的は、上記の制約を解消する
ためのもので、整合回路の設計の自由度が増すような高
周波トランジスタのパッケージを提供することである。
ためのもので、整合回路の設計の自由度が増すような高
周波トランジスタのパッケージを提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上述した問題点を解決す
るため、本発明によるマイクロ波帯低雑音ＧａＡｓＦＥ
Ｔ等の高周波トランジスタのパッケージは、ゲート端
子、ソース端子、ドレイン端子それぞれがコの字形の電
極で構成されるという特徴を持つ。
るため、本発明によるマイクロ波帯低雑音ＧａＡｓＦＥ
Ｔ等の高周波トランジスタのパッケージは、ゲート端
子、ソース端子、ドレイン端子それぞれがコの字形の電
極で構成されるという特徴を持つ。
【０００７】
【実施例】本発明について図を参照して説明する。図１
は、本発明の実施例のＧａＡｓＦＥＴのパッケージの外
形図である。図１において、１はＦＥＴ本体、２はゲー
ト端子、３はドレイン端子、４はソース端子である。
は、本発明の実施例のＧａＡｓＦＥＴのパッケージの外
形図である。図１において、１はＦＥＴ本体、２はゲー
ト端子、３はドレイン端子、４はソース端子である。
【０００８】本発明によるＧａＡｓ ＦＥＴのパッケー
ジにおいて、リード端子の配置は、従来のままである
が、ゲート，ソース，ドレインの各リード端子をコの字
形のリード端子とすることにより、はんだ付けのために
微小なランドが必要になるだけで、従来のようなはんだ
付けのためのマイクロストリップパターンは、不要とな
る。このため、マイクロ波帯低雑音増幅器において、低
雑音ＧａＡｓ ＦＥＴのゲート端子の根元から特性イン
ピーダンスの高い線路を接続することも可能となり整合
回路の設計の自由度が増すことになる。
ジにおいて、リード端子の配置は、従来のままである
が、ゲート，ソース，ドレインの各リード端子をコの字
形のリード端子とすることにより、はんだ付けのために
微小なランドが必要になるだけで、従来のようなはんだ
付けのためのマイクロストリップパターンは、不要とな
る。このため、マイクロ波帯低雑音増幅器において、低
雑音ＧａＡｓ ＦＥＴのゲート端子の根元から特性イン
ピーダンスの高い線路を接続することも可能となり整合
回路の設計の自由度が増すことになる。
【０００９】本発明によるパッケージをもつ低雑音Ｇａ
Ａｓ ＦＥＴを用いたマイクロ波帯低雑音増幅器の一実
施例を図２に示す。
Ａｓ ＦＥＴを用いたマイクロ波帯低雑音増幅器の一実
施例を図２に示す。
【００１０】図２において、５は、マイクロストリップ
線路、６はソース接地用マイクロストリップパターンで
ある。入力側整合回路５ａはゲート端子をはんだ付けす
るためのパターンが微小であるためゲート端子の根元か
ら特性インピーダンスの高いマイクロストリップライン
を接続できる。
線路、６はソース接地用マイクロストリップパターンで
ある。入力側整合回路５ａはゲート端子をはんだ付けす
るためのパターンが微小であるためゲート端子の根元か
ら特性インピーダンスの高いマイクロストリップライン
を接続できる。
【００１１】従って従来のＧａＡｓ ＦＥＴに比べて、
ＦＥＴ特性の雑音パラメータｒｏｐｔの最良点が得られ
やすくなり、雑音指数（ＮＦ）の良い低雑音増幅器の設
計が可能となる。
ＦＥＴ特性の雑音パラメータｒｏｐｔの最良点が得られ
やすくなり、雑音指数（ＮＦ）の良い低雑音増幅器の設
計が可能となる。
【００１２】
【発明の効果】以上のように本発明によるマイクロ波帯
低雑音ＧａＡｓ ＦＥＴ等の高周波トランジスタのパッ
ケージは、従来のＧａＡｓ ＦＥＴのゲート，ソース，
ドレインの各リード端子をコの字形のリード端子とした
ため、リード端子の根元から任意の回路パターンを接続
することができ整合回路設計の自由度が増すという効果
がある。また、ＧａＡｓ ＦＥＴの実装において、リー
ドの加工が不要になるという結果も有する。
低雑音ＧａＡｓ ＦＥＴ等の高周波トランジスタのパッ
ケージは、従来のＧａＡｓ ＦＥＴのゲート，ソース，
ドレインの各リード端子をコの字形のリード端子とした
ため、リード端子の根元から任意の回路パターンを接続
することができ整合回路設計の自由度が増すという効果
がある。また、ＧａＡｓ ＦＥＴの実装において、リー
ドの加工が不要になるという結果も有する。
【図１】本発明の一実施例によるＧａＡｓ ＦＥＴ等の
高周波トランジスタのパッケージの外形図。
高周波トランジスタのパッケージの外形図。
【図２】本発明の一実施例によるＧａＡｓ ＦＥＴのパ
ッケージを用いたマイクロ波帯増幅器の構成図。
ッケージを用いたマイクロ波帯増幅器の構成図。
【図３】従来のＧａＡｓ ＦＥＴの外形図。
【図４】従来のＧａＡｓ ＦＥＴを用いたマイクロ波帯
増幅器の構成図
増幅器の構成図
１ ＦＥＴ本体 ２ ゲート端子 ３ ドレイン端子 ４ ソース端子 ５ マイクロストリップ線路 ６ ソース接地用マイクロストリップパターン ７ 基板 ８ キャリア
Claims (1)
- 【請求項１】 ３本以上の端子を有する円形あるいは方
形形状の気密封止パッケージをもち各端子のリボン状の
リード端子をコの字形に成形することを特徴とする高周
波トランジスタのパッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5332872A JPH07193158A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 高周波トランジスタのパッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5332872A JPH07193158A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 高周波トランジスタのパッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07193158A true JPH07193158A (ja) | 1995-07-28 |
Family
ID=18259751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5332872A Pending JPH07193158A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 高周波トランジスタのパッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07193158A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6266650A (ja) * | 1985-09-19 | 1987-03-26 | Fujitsu Ltd | 半導体装置用パツケ−ジ |
| JPS633153B2 (ja) * | 1978-12-27 | 1988-01-22 | Komatsu Mfg Co Ltd |
-
1993
- 1993-12-27 JP JP5332872A patent/JPH07193158A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS633153B2 (ja) * | 1978-12-27 | 1988-01-22 | Komatsu Mfg Co Ltd | |
| JPS6266650A (ja) * | 1985-09-19 | 1987-03-26 | Fujitsu Ltd | 半導体装置用パツケ−ジ |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970819 |