JPH07196338A - フィラー粉末の製造方法 - Google Patents
フィラー粉末の製造方法Info
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- JPH07196338A JPH07196338A JP35364593A JP35364593A JPH07196338A JP H07196338 A JPH07196338 A JP H07196338A JP 35364593 A JP35364593 A JP 35364593A JP 35364593 A JP35364593 A JP 35364593A JP H07196338 A JPH07196338 A JP H07196338A
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Abstract
の流動性を損なわないフィラー粉末の製造方法を提供す
る。 【構成】 まず結晶性ガラス粉末に耐火性物質粉末を添
加し、混合する。その後、結晶性ガラス粉末と耐火性物
質粉末とが熔着せず且つ結晶性ガラス粉末が結晶化する
のに十分な温度で焼成することにより、フィラー粉末を
得る。
Description
法に関し、具体的にはICパッケージや表示デバイス等
の電子部品を封着する封着材料に用いられるフィラー粉
末の製造方法に関するものである。
ス等の電子部品を封着する封着材料には、低融点ガラス
粉末とともに、熱膨張係数の調整等のためにフィラー粉
末が使用される。
て、結晶化ガラス法と呼ばれる方法が一般に知られてい
る。この結晶化ガラス法は、まず所望の化学組成を有す
るように調合されたガラス原料を溶融し、成形、粉砕し
て結晶性ガラス粉末を作製した後、これらを焼成して結
晶化させる方法であり、ウイレマイト、β−クォーツ固
溶体、コーディエライト、β−ユークリプタイト、亜鉛
ペタライト、ガーナイト等のフィラー粉末を作製する際
に利用される。
ような方法では、結晶性ガラス粉末の焼成工程でこれら
が互いに熔着して強く焼き締まり、堅い結晶物の塊とな
ってしまうため、再粉砕する必要があり、製造コストが
高いという欠点がある。
の結晶物の微粉が発生するが、この微粉を取り除くため
に分級すると、フィラー粉末の収率が低下してコストが
非常に高くなり好ましくない。それゆえ通常は微粉を含
んだ状態で低融点ガラス粉末と混合される。ところがこ
のような微粉が封着材料中に存在すると、フィラーの比
表面積が増える(即ち、ガラスとの反応面積が大きくな
り、低融点ガラスに溶け込み易くなる)ため、封着材料
の流動性を低下させてしまうという問題を有している。
き、しかも封着材料の流動性を損なわないフィラー粉末
の製造方法を提供することである。
を行った結果、焼成時に結晶性ガラス粉末同士を接触し
ないようにすることができれば、粉末の状態のままで結
晶化させることができ、再粉砕が不要になることを見い
だし、本発明を提案するに至った。
は、結晶性ガラス粉末に耐火性物質粉末を添加し、混合
した後、結晶性ガラス粉末と耐火性物質粉末とが熔着せ
ず且つ結晶性ガラス粉末が結晶化するのに十分な温度で
焼成することを特徴とする。
まず結晶性ガラス粉末に耐火性物質粉末を添加する。耐
火性物質粉末の添加量は、結晶性ガラス粉末100重量
部に対して0.1重量部以上、より好ましくは1〜70
重量部であることが望ましい。なお耐火性物質粉末の添
加量が0.1重量部より少ないと結晶性ガラス粉末同士
の接触を妨げる効果が殆どなくなってしまう。
組成を有するように調合されたガラス原料を溶融した
後、成形、粉砕して作製されるものであり、フィラー粉
末の作製に用いられるガラスであれば種々の組成を有す
るものを使用することが可能である。このようなものと
して例えばウイレマイト、β−クォーツ固溶体、コーデ
ィエライト、β−ユークリプタイト、亜鉛ペタライト、
ガーナイト等の結晶物となるものを使用することができ
る。なお結晶性ガラスの組成がこれらの結晶の理論組成
値から多少ずれていても差し支えない。また結晶性ガラ
ス粉末は、45μm以下の粒径を有するものを使用する
ことが望ましい。
同士の接触を妨げるために混合されるものであり、結晶
性ガラス粉末を焼成して得られる結晶物と同等以上の高
い融点を有するとともに結晶性ガラスと反応し難い性質
のものを使用する。このようなものとしては、特にウイ
レマイト系セラミックス、ジルコン系セラミックス、酸
化錫系セラミックス、ジルコニア、アルミナ、コーディ
エライト、酸化チタン、シリカ、β−クォーツ固溶体、
β−ユークリプタイト、亜鉛ペタライト、ガーナイトが
好ましく、またこれ以外にもチタン酸鉛系セラミック
ス、ムライト系セラミックス、酸化ニオブ、クリストバ
ライト等の結晶物粉末を使用することができる。なお耐
火性物質粉末は、45μm以下の粒径を有するものを使
用することが望ましい。
を均一に混合する。なお結晶性ガラス粉末の粉砕時に、
耐火性物質粉末を添加し、ボールミル等で混合粉砕して
もよい。
粉末と耐火性物質粉末とが熔着せず、且つ結晶性ガラス
粉末が結晶化するのに十分な温度で焼成する。このよう
な条件で焼成すると、耐火性物質粉末の存在によって結
晶性ガラス粉末同士の接触が妨げられ、各結晶性ガラス
粉末が粉末の状態のまま結晶化する。このようにして得
られた結晶物粉末と耐火性粉末との混合物は、粉末同士
が熔着していないために、そのまま封着材料用のフィラ
ー粉末として使用できる。なお結晶性ガラス粉末を用意
する際の粉砕工程で発生するガラス微粉が混合粉末中に
混入してしまう場合もあるが、このような微粉は混合粉
末を焼成する過程で粒径の大きな結晶性ガラス粉末表面
に熔着するため、得られるフィラー粉末中には微粉は殆
ど存在しない。
ラー粉末を結晶性ガラス粉末の結晶物と耐火性物質粉末
とに分離するのは事実上困難である。それゆえ単一の材
質からなるフィラー粉末を得たい場合には、結晶性ガラ
ス粉末と同一結晶相を有する耐火性物質粉末を用いる必
要がある。
を用いた封着材料について説明する。
と上記のようにして作製したフィラー粉末とからなる。
両者の割合は、低融点ガラス粉末:フィラー粉末が体積
%で45:55〜95:5の範囲であることが好まし
い。
が350℃以下のものを使用することが好ましく、この
ようなものとして、PbO−B2 O3 系、PbO−Bi
2 O3 −Fe2 O3 系、PbO−Bi2 O3 −CuO
系、PbO−B2 O3 −ZnO系、PbO−B2 O3 −
Bi2 O3 系、PbO−V2 O5 系等の非晶質又は結晶
性のガラスを使用することが可能である。
作製したフィラー粉末以外にも、必要に応じて通常の方
法で作製した同種又は異種のフィラー粉末を添加しても
よい。このようなフィラー粉末としては、例えばウイレ
マイト系セラミックス、ジルコン系セラミックス、酸化
錫系セラミックス、チタン酸鉛系セラミックス、ジルコ
ニア、アルミナ、コーディエライト、ムライト系セラミ
ックス、酸化ニオブ、β−ユークリプタイト、酸化チタ
ン、シリカ、ガーナイト、石英ガラス、クリストバライ
ト等を使用することができる。
H)及び比較例(試料I)を示している。
化アルミニウム、亜鉛華、ジルコニア、酸化チタン、酸
化リチウム、酸化マグネシウム、燐酸アルミニウムを調
合、混合し、この混合物を白金坩堝に入れて1500〜
1650℃で3時間溶融した。次いで溶融ガラスを板状
に成形し、粉砕した後、350メッシュのステンレス製
篩を通過させて45μm以下の粒径を有する結晶性ガラ
ス粉末を得た。
を添加し、混合した後、表に示す焼成条件で焼成した。
なお試料Iは耐火性物質粉末を添加せずに焼成した。
料用フィラー粉末として使用するに当たり、解砕や粉砕
が必要かどうかを検討したところ、本発明の方法を用い
て作製した試料A〜Hについては、解砕も粉砕も必要な
く、そのまま使用できることが分かった。これに対して
試料Iは、強く焼き締まった堅い塊状の結晶物であった
ため解砕は不可能であり、ボールミルにて再粉砕しなけ
れば試料Hと同等のフィラー粉末が得られなかった。
(フィラー粉末)の試料A〜Hについて、比表面積を流
体式比表面積測定装置で測定し、平均粒径をマイクロト
ラック粒度分析計にて行ったところ、平均粒径(D
50値)に殆ど変化がなかったにも関わらず、比表面積は
焼成後に大きく減少した。一方、試料Iについては再粉
砕後に比表面積及び平均粒径の測定を行った。その結
果、平均粒径(D50値)は実施例と同等であったもの
の、比表面積は焼成後の各実施例の値に比べて大きかっ
た。これらの事実から、本発明の方法にて作製したフィ
ラー粉末は、焼成時に微粉が結晶性ガラス粉末表面に熔
着したために、比表面積が小さくなったものと推測でき
る。
試料A〜Hのフィラー粉末を、各々樹脂に混練して硬化
させた後、硬化物の断面を研磨し、電子顕微鏡で観察し
たところ、各試料ともフィラー粉末の表面に微粉が熔着
しているのが認められた。
ークォーツ固溶体粉末とジルコン系セラミックス粉末と
の混合物、試料Bがβ−クォーツ固溶体粉末とウイレマ
イト系セラミックス粉末との混合物、試料Cがコーディ
エライト粉末とジルコニア粉末との混合物、試料Dがβ
−ユークリプタイト粉末と酸化錫系セラミックス粉末と
の混合物、試料Eが亜鉛ペタライト粉末とコーディエラ
イト粉末との混合物、試料Fがガーナイト粉末、ジルコ
ニア粉末及び酸化チタン粉末からなる混合物、試料Gが
ウイレマイト系セラミックス粉末、アルミナ粉末及びシ
リカ粉末からなる混合物、試料H及び試料Iは何れもウ
イレマイト系セラミックス粉末であった。
を用いて封着材料を作製した。
〜c)を示している。また表4及び表5は、上記フィラ
ー粉末を用いて作製した封着材料の実施例(試料No.
1〜9)及び比較例(試料No.10)を示すものであ
る。
した。
酸化ビスマス、酸化鉄、硼酸、亜鉛華、純珪粉、酸化ア
ルミニウム、炭酸バリウムを調合、混合し、この混合物
を白金坩堝に入れて900℃で1時間溶融した。次いで
溶融ガラスを板状に成形し、粉砕した後、350メッシ
ュのステンレス製篩を通過させて45μm以下の粒径を
有する低融点ガラス粉末を得た。このようにして得られ
た試料a〜cは、ガラス転移点が290〜300℃、3
0〜250℃における熱膨張係数が108〜115×1
0-7/℃であった。
ガラス粉末とフィラー粉末とを混合して封着材料を作製
した。
て、封着温度、熱膨張係数、抗折強度、絶縁抵抗及び流
動性を評価したところ、試料A〜Hのフィラーを用いた
試料No.1〜9の封着材料は、封着温度が390〜4
00℃、30〜250℃における熱膨張係数が50〜7
5×10-7/℃、抗折強度が550〜650kg/cm
2 、150℃での絶縁抵抗が13.2〜14.2Ω・c
mであり、また流動性が良好であった。これに対して試
料Iのフィラー粉末を用いた試料No.10は、30〜
250℃における熱膨張係数が68×10-7/℃、抗折
強度が600kg/cm2 、150℃での絶縁抵抗が1
3.3Ω・cmであり、実施例の各試料と同等の値を示
したものの、封着温度及び流動性については、同種のフ
ィラー粉末を同じ割合で用いた試料No.9に比べて悪
かった。これは、試料Hのフィラー粉末中に含まれる微
粉が流動性に悪影響を及ぼしたものと思われる。
必要性については、焼成物の平均粒径が焼成前の混合粉
末のそれより2μm以上大きくなったものを必要有、2
μm未満であれば必要無とした。粉砕の必要性について
は、スプーンを用いて片手で押し潰した時に、押し潰す
ことができない粒径1mm以上の塊があるものを粉砕の
必要性有りとした。ガラス転移点及び熱膨張係数は、押
棒式熱膨張測定装置を用いて測定した。抗折強度は、各
試料を10×10×50mmの角柱に成形した後、焼成
し、次いで三点荷重測定法にて測定した。絶縁抵抗はメ
ガオームメーターを用いて測定した。また流動性は、各
試料から作製した外径20mm、高さ5mmの円柱を4
00℃で10分間加熱流動させた後、その流動径が21
mm未満のものを不可、21〜22mmのものを可、2
2mmを超えるものを良とした。
粉末として使用した結晶物については次のようにして用
意した。
華、光学石粉、酸化アルミニウムを重量比でZnO70
%、SiO2 25%、Al2 O3 5%の組成となるよう
に調合し、混合後、1440℃で15時間焼成し、粉砕
して、350メッシュのステンレス製篩を通過させた粒
径45μm以下の粉末を使用した。
Hに使用する結晶性ガラス粉末を予め1200℃で10
時間焼成した後、粉砕し、350 メッシュのステンレ
ス製篩を通過させたものを使用した。
コンサンドを一旦ソーダ分解し、塩酸に溶解した後、濃
縮結晶化を繰り返すことによって、α線放出物質である
U、Thの極めて少ないオキシ塩化ジルコニウムにし、
次いでアルカリ中和後、加熱して精製ZrO2 を得た。
続いてこれに高純度珪石粉、酸化第二鉄を重量比でZr
O2 66%、SiO2 32%、Fe2 O3 2%の組成に
なるように調合し、混合後、1400℃で16時間焼成
し、さらに粉砕して、350メッシュのステンレス製篩
を通過させたものを使用した。
2 93%、TiO2 2%、MnO25%の組成になるよ
うに酸化錫、酸化チタン、二酸化マンガンを調合し、混
合後、1400℃で16時間焼成し、次いで粉砕し、3
50メッシュのステンレス製篩を通過させたものを使用
した。
酸化チタン、炭酸カルシウムを重量比でPbO70%、
TiO 20%、CaO10%の組成になるように調合
し、混合後、1100℃で5時間焼成し、次いでこの焼
成物を粉砕し、350メッシュのステンレス製篩を通過
させたものを使用した。
ト、酸化チタン及びシリカは、350メッシュパスの市
販品を使用した。
れば、焼成後の再粉砕を必要としないために、従来の方
法に比べて低コストでフィラー粉末を製造することが可
能である。また本発明の方法で作製したフィラー粉末
は、比表面積が小さいために、封着材料の流動性を損な
うことがなく、封着材料用のフィラー粉末の製造方法と
して好適である。
Claims (1)
- 【請求項1】 結晶性ガラス粉末に耐火性物質粉末を添
加し、混合した後、結晶性ガラス粉末と耐火性物質粉末
とが熔着せず且つ結晶性ガラス粉末が結晶化するのに十
分な温度で焼成することを特徴とするフィラー粉末の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35364593A JP3534257B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 封着材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35364593A JP3534257B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 封着材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07196338A true JPH07196338A (ja) | 1995-08-01 |
| JP3534257B2 JP3534257B2 (ja) | 2004-06-07 |
Family
ID=18432251
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35364593A Expired - Lifetime JP3534257B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 封着材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3534257B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001122639A (ja) * | 1999-10-21 | 2001-05-08 | Tdk Corp | ガラスフリットおよび導体ペースト組成物ならびに積層コンデンサ |
| WO2011093177A1 (ja) * | 2010-01-28 | 2011-08-04 | 日本電気硝子株式会社 | 半導体被覆用ガラスおよびそれを用いてなる半導体被覆用材料 |
| JP2011153049A (ja) * | 2010-01-28 | 2011-08-11 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 半導体被覆用ガラスおよびそれを用いてなる半導体被覆用材料 |
| JP2012051761A (ja) * | 2010-09-01 | 2012-03-15 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 半導体被覆用ガラス |
-
1993
- 1993-12-28 JP JP35364593A patent/JP3534257B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001122639A (ja) * | 1999-10-21 | 2001-05-08 | Tdk Corp | ガラスフリットおよび導体ペースト組成物ならびに積層コンデンサ |
| WO2011093177A1 (ja) * | 2010-01-28 | 2011-08-04 | 日本電気硝子株式会社 | 半導体被覆用ガラスおよびそれを用いてなる半導体被覆用材料 |
| JP2011153049A (ja) * | 2010-01-28 | 2011-08-11 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 半導体被覆用ガラスおよびそれを用いてなる半導体被覆用材料 |
| CN102741185A (zh) * | 2010-01-28 | 2012-10-17 | 日本电气硝子株式会社 | 半导体覆盖用玻璃和使用该玻璃形成的半导体覆盖用材料 |
| CN102741185B (zh) * | 2010-01-28 | 2015-11-25 | 日本电气硝子株式会社 | 半导体覆盖用玻璃和使用该玻璃形成的半导体覆盖用材料 |
| CN105152532A (zh) * | 2010-01-28 | 2015-12-16 | 日本电气硝子株式会社 | 半导体覆盖用玻璃和使用该玻璃形成的半导体覆盖用材料 |
| JP2012051761A (ja) * | 2010-09-01 | 2012-03-15 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 半導体被覆用ガラス |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3534257B2 (ja) | 2004-06-07 |
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