JPH0719905B2 - 赤外線検知素子の製造方法 - Google Patents
赤外線検知素子の製造方法Info
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- JPH0719905B2 JPH0719905B2 JP63124228A JP12422888A JPH0719905B2 JP H0719905 B2 JPH0719905 B2 JP H0719905B2 JP 63124228 A JP63124228 A JP 63124228A JP 12422888 A JP12422888 A JP 12422888A JP H0719905 B2 JPH0719905 B2 JP H0719905B2
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- plasma
- anodizing
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、光導電現象を利用した赤外線検知素子の製
造方法に関するものである。
造方法に関するものである。
第４図（ａ）は、例えば特願昭60-164579号に示された
従来の光導電型の赤外線検知素子の構造を示す断面図、
第４図（ｂ）はその平面図である。これらの図におい
て、１は高抵抗の基板、２は被陽極酸化基板で、例えば
HgCdTeなどの化合物半導体、３は受光面、４は前記化合
物半導体２の陽極酸化膜により形成される受光面３の第
１の保護膜、５は例えばZnSからなる受光面３の第２の
保護膜、６は電極である。
従来の光導電型の赤外線検知素子の構造を示す断面図、
第４図（ｂ）はその平面図である。これらの図におい
て、１は高抵抗の基板、２は被陽極酸化基板で、例えば
HgCdTeなどの化合物半導体、３は受光面、４は前記化合
物半導体２の陽極酸化膜により形成される受光面３の第
１の保護膜、５は例えばZnSからなる受光面３の第２の
保護膜、６は電極である。
次に第４図を用いて従来の光導電型の赤外線検知素子の
製造方法について説明する。
製造方法について説明する。
まず、高抵抗の基板１上に、HgCdTeなどの化合物半導体
２をエピタキシャル成長などの方法により所定の厚さに
形成してウエハを製作する。
２をエピタキシャル成長などの方法により所定の厚さに
形成してウエハを製作する。
次に、前記ウエハを作製する素子の寸法に合わせてダイ
シングソーなどを用いて切断し、続いてBr2−メタノー
ル溶液でウエハ表面を軽くエッチングし、表面を清浄に
する。
シングソーなどを用いて切断し、続いてBr2−メタノー
ル溶液でウエハ表面を軽くエッチングし、表面を清浄に
する。
次に、片面が絶縁物，他の片面の一部または全部が金属
でできた陽極酸化電極兼マスクを用いてプラズマ陽極酸
化して第１の保護膜４となる陽極酸化膜を形成する。
でできた陽極酸化電極兼マスクを用いてプラズマ陽極酸
化して第１の保護膜４となる陽極酸化膜を形成する。
ここで、第２図（ａ），（ｂ），第３図を用いて、上記
第１の保護膜４の形成方法について説明する。
第１の保護膜４の形成方法について説明する。
第２図，第３図において、７は陽極酸化電極兼マスク
で、例えば石英ガラスの薄板８の一面に、例えば金など
の金属蒸着膜９を蒸着して形成される。１は高抵抗の基
板、２は化合物半導体である。
で、例えば石英ガラスの薄板８の一面に、例えば金など
の金属蒸着膜９を蒸着して形成される。１は高抵抗の基
板、２は化合物半導体である。
第３図は市販されているプラズマ陽極酸化装置の構造図
で、10は真空容器、11は下部電極、12は上部電極、13は
高周波源、14はガス導入管、15は石英カバーである。16
は前記陽極酸化電極兼マスク７と、プラズマ陽極酸化装
置の下部電極11とを電気的に接続するための配線であ
る。
で、10は真空容器、11は下部電極、12は上部電極、13は
高周波源、14はガス導入管、15は石英カバーである。16
は前記陽極酸化電極兼マスク７と、プラズマ陽極酸化装
置の下部電極11とを電気的に接続するための配線であ
る。
プラズマ陽極酸化は、高周波放電によって発生させた酸
素プラズマ中に試料を挿入し、プラズマ内の他の電極に
対し試料に正の電圧を印加して陽極酸化を行う方法であ
る。
素プラズマ中に試料を挿入し、プラズマ内の他の電極に
対し試料に正の電圧を印加して陽極酸化を行う方法であ
る。
第２図，第３図のように金属蒸着膜９側が化合物半導体
２の表面に接触するように陽極酸化電極兼マスク７をか
ぶせ、金属蒸着膜９と下部電極11間を電気的に接続す
る。このようにすれば化合物半導体２と上部電極12の間
に電圧を印加することができる。なお、陽極酸化電極兼
マスク７の表面が導体であると、この部分に電流が流れ
化合物半導体２の陽極酸化が妨げられるので、表面を絶
縁物である石英ガラスで製作した。
２の表面に接触するように陽極酸化電極兼マスク７をか
ぶせ、金属蒸着膜９と下部電極11間を電気的に接続す
る。このようにすれば化合物半導体２と上部電極12の間
に電圧を印加することができる。なお、陽極酸化電極兼
マスク７の表面が導体であると、この部分に電流が流れ
化合物半導体２の陽極酸化が妨げられるので、表面を絶
縁物である石英ガラスで製作した。
第３図の装置を用い、試料を下部電極11上に置き、真空
容器10内を真空に排気した後、酸素ガスを導入し、高周
波放電によって酸素プラズマを発生させ、下部電極11と
上部電極12の間に電圧を印加し、高抵抗の基板１上の化
合物半導体２を陽極酸化し、第１の保護膜４を形成す
る。
容器10内を真空に排気した後、酸素ガスを導入し、高周
波放電によって酸素プラズマを発生させ、下部電極11と
上部電極12の間に電圧を印加し、高抵抗の基板１上の化
合物半導体２を陽極酸化し、第１の保護膜４を形成す
る。
続いて第２の保護膜５を構成する物質、例えばZnSをウ
エハ表面全面にスパッタした後、写真製版法により所定
の形状にパターニングし第２の保護膜５を形成する。
エハ表面全面にスパッタした後、写真製版法により所定
の形状にパターニングし第２の保護膜５を形成する。
その後、蒸着用マスクを用いて受光面３を除いた部分
に、例えばInを蒸着し、電極６を形成し赤外線検知素子
を製造する。
に、例えばInを蒸着し、電極６を形成し赤外線検知素子
を製造する。
上記のような従来の赤外線検知素子の製造方法では、第
１の保護膜４となる陽極酸化膜を第３図の装置を用いて
形成する際に、化合物半導体２が直接プラズマにさらさ
れているために、高温プラズマの熱輻射により化合物半
導体２の温度が上昇し、素子の特性が劣化するという問
題点があった。
１の保護膜４となる陽極酸化膜を第３図の装置を用いて
形成する際に、化合物半導体２が直接プラズマにさらさ
れているために、高温プラズマの熱輻射により化合物半
導体２の温度が上昇し、素子の特性が劣化するという問
題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、第１の保護膜である陽極酸化膜を形成する
際に、素子の特性が劣化するほどの化合物半導体の温度
上昇を防止した赤外線検知素子の製造方法を提供するも
のである。
れたもので、第１の保護膜である陽極酸化膜を形成する
際に、素子の特性が劣化するほどの化合物半導体の温度
上昇を防止した赤外線検知素子の製造方法を提供するも
のである。
この発明に係る赤外線検知素子の製造方法は、被陽極酸
化基板を覆うように、高融点金属板を被陽極酸化基板と
プラズマの間に配置して陽極酸化するものである。
化基板を覆うように、高融点金属板を被陽極酸化基板と
プラズマの間に配置して陽極酸化するものである。
この発明においては、被陽極酸化基板の上方を覆う高融
点金属板により、高温プラズマの熱輻射が直接被陽極酸
化基板に照射されるのを防ぐので、素子の特性が劣化す
るほどの被陽極酸化基板の温度上昇が防止される。
点金属板により、高温プラズマの熱輻射が直接被陽極酸
化基板に照射されるのを防ぐので、素子の特性が劣化す
るほどの被陽極酸化基板の温度上昇が防止される。
第１図はこの発明の一実施例を説明するためのプラズマ
陽極酸化装置の構成図である。
陽極酸化装置の構成図である。
この図において、第３図と同一符号は同一部分を示し、
17は高融点金属板で、被陽極酸化基板である高抵抗の基
板１上の化合物半導体２を覆うようにプラズマとの間に
配置したものである。
17は高融点金属板で、被陽極酸化基板である高抵抗の基
板１上の化合物半導体２を覆うようにプラズマとの間に
配置したものである。
以下、この発明の陽極酸化膜形成方法について説明す
る。
る。
従来例と同様に、高抵抗の基板１上に化合物半導体２の
表面に接触するように陽極酸化電極兼マスク７をかぶ
せ、金属蒸着膜９と下部電極11間を配線16により電気的
に接続する。
表面に接触するように陽極酸化電極兼マスク７をかぶ
せ、金属蒸着膜９と下部電極11間を配線16により電気的
に接続する。
次に、化合物半導体２の上方を高融点金属板17、例えば
タンタル板で熱輻射のみを遮るように覆い、高融点金属
板17が下部電極11に接触しないように、石英カバー15の
上に配置する。このようにすれば、高融点金属板17が高
温プラズマの熱輻射をさえぎるので、化合物半導体２の
温度上昇を押さえることができ、かつ酸素プラズマが化
合物半導体２に注入されるのをさまたげない。
タンタル板で熱輻射のみを遮るように覆い、高融点金属
板17が下部電極11に接触しないように、石英カバー15の
上に配置する。このようにすれば、高融点金属板17が高
温プラズマの熱輻射をさえぎるので、化合物半導体２の
温度上昇を押さえることができ、かつ酸素プラズマが化
合物半導体２に注入されるのをさまたげない。
そして、第２の保護膜5,電極６を従来例と全く同様にし
て形成し、赤外線検知素子を製造する。
て形成し、赤外線検知素子を製造する。
なお、上記実施例では陽極酸化電極兼マスク７を用い、
化合物半導体２を陽極酸化する例を示したが、陽極酸化
電極兼マスク７を用いずに、通常の方法で陽極酸化する
場合や、他物質を陽極酸化する場合にも同様の効果を奏
する。
化合物半導体２を陽極酸化する例を示したが、陽極酸化
電極兼マスク７を用いずに、通常の方法で陽極酸化する
場合や、他物質を陽極酸化する場合にも同様の効果を奏
する。
この発明は以上説明したとおり、被陽極酸化基板を覆う
ように、高融点金属板を被陽極酸化基板とプラズマの間
に配置して陽極酸化するようにしたので、被陽極酸化基
板の温度上昇を防ぐことができ、特性の良い素子が歩留
まり良く得られる効果がある。
ように、高融点金属板を被陽極酸化基板とプラズマの間
に配置して陽極酸化するようにしたので、被陽極酸化基
板の温度上昇を防ぐことができ、特性の良い素子が歩留
まり良く得られる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例を説明するためのプラズマ
陽極酸化装置を示す構成図、第２図（ａ）は従来の陽極
酸化電極兼マスクを説明するための平面図、第２図
（ｂ）は、第２図（ａ）のII−II断面図、第３図は第１
の保護膜の形成方法を説明するための従来のプラズマ陽
極酸化装置を示す構成図、第４図（ａ）および（ｂ）は
従来の赤外線検知素子の断面図および平面図である。 図において、１は高抵抗の基板、２は化合物半導体、７
は陽極酸化電極兼マスク、10は真空容器、11は下部電
極、12は上部電極、13は高周波源、14はガス導入管、15
は石英カバー、16は配線、17は高融点金属板である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
陽極酸化装置を示す構成図、第２図（ａ）は従来の陽極
酸化電極兼マスクを説明するための平面図、第２図
（ｂ）は、第２図（ａ）のII−II断面図、第３図は第１
の保護膜の形成方法を説明するための従来のプラズマ陽
極酸化装置を示す構成図、第４図（ａ）および（ｂ）は
従来の赤外線検知素子の断面図および平面図である。 図において、１は高抵抗の基板、２は化合物半導体、７
は陽極酸化電極兼マスク、10は真空容器、11は下部電
極、12は上部電極、13は高周波源、14はガス導入管、15
は石英カバー、16は配線、17は高融点金属板である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】プラズマ陽極酸化により被陽極酸化基板を
陽極酸化し、受光面を保護する陽極酸化膜を形成する工
程を有する赤外線検知素子の製造方法において、前記被
陽極酸化基板を覆うように、高融点金属板を前記被陽極
酸化基板とプラズマとの間に配置して陽極酸化すること
を特徴とする赤外線検知素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63124228A JPH0719905B2 (ja) | 1988-05-19 | 1988-05-19 | 赤外線検知素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63124228A JPH0719905B2 (ja) | 1988-05-19 | 1988-05-19 | 赤外線検知素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01292868A JPH01292868A (ja) | 1989-11-27 |
| JPH0719905B2 true JPH0719905B2 (ja) | 1995-03-06 |
Family
ID=14880158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63124228A Expired - Lifetime JPH0719905B2 (ja) | 1988-05-19 | 1988-05-19 | 赤外線検知素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0719905B2 (ja) |
-
1988
- 1988-05-19 JP JP63124228A patent/JPH0719905B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01292868A (ja) | 1989-11-27 |
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