JPH07201533A - チップ部品 - Google Patents

チップ部品

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JPH07201533A
JPH07201533A JP1315794A JP1315794A JPH07201533A JP H07201533 A JPH07201533 A JP H07201533A JP 1315794 A JP1315794 A JP 1315794A JP 1315794 A JP1315794 A JP 1315794A JP H07201533 A JPH07201533 A JP H07201533A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
exposed
end faces
cut
pieces
stick
Prior art date
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Pending
Application number
JP1315794A
Other languages
English (en)
Inventor
Tatsuya Kanzaki
達也 神崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tama Electric Co Ltd
Original Assignee
Tama Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Tama Electric Co Ltd filed Critical Tama Electric Co Ltd
Priority to JP1315794A priority Critical patent/JPH07201533A/ja
Publication of JPH07201533A publication Critical patent/JPH07201533A/ja
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  • Thermistors And Varistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 従来の外部電極面以外の露出した素子と比較
してプリント基板上に面実装する際、はんだ付け性等の
信頼性の向上と耐湿性を含む長期寿命等の環境特性の向
上を目的とする。 【構成】 本発明では、積層セラミックバリスタの未焼
成シートと内部電極シートを積層し、該内部電極が両端
面に露出するようスティック状に切断後焼成し、該内部
電極が露出した両端面を除いてエポキシ、シリコン樹
脂、ガラス等でのモ−ルドやオ−バ−コ−トをし、ある
いは該内部電極が両端面に露出しないようにスティック
状に切断後焼成し、エポキシ、シリコン樹脂、ガラス等
でのモ−ルドやオ−バ−コ−トをした後、個片状に切断
し該内部電極が露出した両端部に着膜等で導電性の被膜
を形成して面実装化することにより従来の欠点を防止し
た素子を提供するものである。

Description

【発明の詳細な説明】(段落ごとに、段落番号を付します。) 【0001】 【産業上の利用分野】本発明は電気機器、電子機器で発
生する異常高電圧、ノイズ、静電気などから機器の半導
体及び回路を保護するためのバリスタに関するものであ
る。 【0002】 【従来の技術】近年の電子機器は、信頼性向上等を目的
とした素子が広く使用されている。従来、素子は例えば
形成された積層セラミックバリスタ未焼成シ−トに内部
電極シ−トを交互に露出するように積層、焼成し、更に
内部電極が露出した両端部に金属ペースト等を塗布、焼
付けによる方式と素子の該両端部に金属ペースト等を塗
布、焼付け後、更に該両端部の上層にメッキする方式が
提案されている。 【0003】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来の素子の両端部に金属ぺ−スト等を塗布し、
焼き付け後、外部電極を形成する方式や素子の該両端部
に金属ペースト等を塗布、焼付け後、更に該両端部の上
層にメッキする方式では外部電極面以外は素子自体が露
出する為、はんだ付け時に生じるフラックスの悪影響、
例えば塩素成分による素子自体の還元や漏れ電流の増
加、及び絶縁性の低下を引き起こしてしまう。 【0004】また、メッキ時に使用するメッキ液が金属
ペースト等の電極材から素子に浸透する現象が生じる。
これはメッキ層を形成する際に、金属ペースト等の電極
材からメッキ液が浸入し、何らかの反応で素子本体と金
属ペースト状の電極材の境界面を破壊しているものと考
えられる。このような現象が生じることにより、素子本
体と金属ペースト状の電極材の密着性が悪化したり外部
から環境上の悪影響を受け易くなるため、耐湿性を含む
長期寿命等の環境特性の評価において近年の電子機器の
高信頼性への品質の要求に及ばないものになってしまう
危険性を含んでいる。 【0005】 【課題を解決するための手段】上記の欠点を解決するた
めに本発明は、積層セラミックバリスタの未焼成シート
と内部電極シートを積層し、該内部電極が両端面に露出
するようにスティック状に切断後焼成し、該内部電極が
露出した端面を除いてエポキシ、シリコン樹脂、ガラス
等でのモ−ルドやオ−バ−コ−トをし、あるいは該内部
電極が両端面に露出しないようにスティック状に切断後
焼成し、エポキシ、シリコン樹脂、ガラス等でのモ−ル
ドやオ−バ−コ−トをした後、個片状に切断し該内部電
極が露出した両端部に着膜等で導電性の被膜を形成して
面実装化する。 【0006】 【作 用】積層セラミックバリスタの未焼成シートと
内部電極シートを積層し、該内部電極が端面に露出する
ようにスティック状に切断後焼成し、該内部電極が露出
した両端面を除いてエポキシ、シリコン樹脂、ガラス等
でのモ−ルドやオ−バ−コ−トをし、あるいは該内部電
極が両端面に露出しないようにスティック状に切断後焼
成し、エポキシ、シリコン樹脂、ガラス等でのモ−ルド
やオ−バ−コ−トをした後、個片状に切断し該内部電極
が露出した両端部に着膜等で導電性の被膜を形成して面
実装化するには次の理由がある。 【0007】(1)従来、外部電極面以外の素子自体が
露出している電極面と比較して、はんだ付け時に生じる
フラックス中の塩素成分による素子自体の還元や漏れ電
流の増加を防止し、絶縁性を増大させることが可能であ
る。 【0008】(2)また、メッキ工程を経ないために素
子本体にメッキ液が浸透する心配がなく、素子の特性を
低下させずに外部電極を形成でき、外部電極部を厚膜製
法から薄膜製法にすることにより電極部の厚みを大幅に
削減することによって面実装密度を上げることが可能で
ある。 【0009】(3)また、素子全体をエポキシ、シリコ
ン樹脂、ガラス等でモ−ルドやオ−バ−コ−トをしてい
るのでモ−ルドやオ−バ−コ−ト上に捺印することが可
能である。 【0010】 【実施例】図1は、本発明の概略を説明するための積層
構造図である。 【0011】図2は、図1で説明したものを該内部電極
が両端面に露出するようにスティック状に切断後焼成
し、該内部電極が露出した端面を除いてエポキシ、シリ
コン樹脂、ガラス等でのモ−ルドやオ−バ−コ−トをし
た図である。 【0012】図3は、図1で説明したものを該内部電極
が両端面に露出しないようにスティック状に切断後焼成
し、エポキシ、シリコン樹脂、ガラス等でのモ−ルドや
オ−バ−コ−トをした図である。 【0013】図4は、図2、3で説明したものを更に個
片状に切断し該内部電極が露出した両端部に着膜等で導
電性の被膜を形成した断面図である。 【0014】1は上部保護シート、2は下部保護シー
ト、3は内部電極シート、4はセラミックバリスタシー
ト、5はエポキシ、シリコン樹脂、ガラス等でのモ−ル
ドやオ−バ−コ−ト、6は外部電極着膜面、7はNiC
r等の蒸着膜、8はNi等の蒸着膜、9はSn/Pbま
たはAu等の蒸着膜である。 【0015】図1の様な条件で積層し、内部電極3が外
部電極着膜部6に露出するようにスティック状に切断後
焼成し、該内部電極3が露出した該外部電極着膜部6を
除いてエポキシ、シリコン樹脂、ガラス等でのモ−ルド
やオ−バ−コ−ト5をし、あるいは該外部電極着膜部6
が両端面に露出しないようにスティック状に切断後焼成
し、エポキシ、シリコン樹脂、ガラス等でのモ−ルドや
オ−バ−コ−ト5をした後、個片状に切断し該内部電極
3が露出した該外部電極着膜部6にNiCr等の蒸着膜
7、Ni等の蒸着膜8、Sn/PbまたはAu等の蒸着
膜9を順に着膜して外部電極を形成して面実装化する。 【0016】このように本実施例によればはんだ付け時
に生じるフラックス中の塩素成分による素子自体の還元
や漏れ電流の増加を防止し、絶縁性を増大させプリント
基板上に面実装する際の信頼性を得ることができる。ま
た、メッキ工程を経ないために素子本体にメッキ液が浸
透する心配がなく、素子の特性を低下させずに外部電極
を形成でき、外部電極部を厚膜製法から薄膜製法にする
ことにより電極部の厚みを大幅に削減することで面実装
密度を上げることが可能になる。更に、素子全体をエポ
キシ、シリコン樹脂、ガラス等でモ−ルドやオ−バ−コ
−トをしているのでモ−ルドやオ−バ−コ−ト上に捺印
することが可能である。 【0017】 【発明の効果】この発明は、以上説明したように積層セ
ラミックバリスタの未焼成シートと内部電極シートを積
層し、該内部電極が両端面に露出するようにスティック
状に切断後焼成し、該内部電極が露出した両端面を除い
てエポキシ、シリコン樹脂、ガラス等でのモ−ルドやオ
−バ−コ−トをし、あるいは該内部電極が両端面に露出
しないようにスティック状に切断後焼成し、エポキシ、
シリコン樹脂、ガラス等でのモ−ルドやオ−バ−コ−ト
をした後、個片状に切断し該内部電極が露出した両端部
に着膜等で導電性の被膜を形成して面実装化する。 【0018】そうすることによりはんだ付け時に生じる
フラックス中の塩素成分による素子自体の還元や漏れ電
流の増加を防止し、絶縁性を増大させプリント基板上に
面実装する際の信頼性を向上させるという効果が得られ
る。 【0019】また、メッキ工程を経ないために素子本体
にメッキ液が浸透する心配がなく、素子の特性を低下さ
せずに外部電極を製造でき、外部電極部を厚膜から薄膜
にすることにより電極部の厚みを大幅に削減させるとい
う効果が得られる。 【0020】その上、素子全体をエポキシ、シリコン樹
脂、ガラス等でモ−ルドやオ−バ−コ−トをしているの
でモ−ルドやオ−バ−コ−ト上に捺印する事による製品
名等の判読ができ、面実装対応が可能な事である。
【図面の簡単な説明】 【図1】本発明の概略を説明するための積層構造図であ
る。 【図2】図1で説明したものを該内部電極が両端面に露
出するようにスティック状に切断後焼成し、該内部電極
が露出した両端面を除いてエポキシ、シリコン樹脂、ガ
ラス等でのモ−ルドやオ−バ−コ−トをした斜視図であ
る。 【図3】図1で説明したものを該内部電極が両端面に露
出しないようにスティック状に切断後焼成し、エポキ
シ、シリコン樹脂、ガラス等でのモ−ルドやオ−バ−コ
−トをした斜視図である。 【図4】図2、3で説明したものを更に個片状に切断し
該内部電極が露出した両端部にNiCr等の蒸着膜、N
i等の蒸着膜、Sn/PbまたはAu等の蒸着膜を順に
着膜した断面図である。 【符号の説明】 1 上部保護シート 2 下部保護シート 3 内部電極シート 4 セラミックバリスタシート 5 エポキシ、シリコン樹脂、ガラス等でのモ−ルドや
オ−バ−コ−ト 6 外部電極着膜面 7 NiCr等の蒸着膜 8 Ni等の蒸着膜 9 Sn/PbまたはAu等の蒸着膜

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項1】 チップバリスタ本体(以下、素子とい
    う)の電極を形成する方法で積層セラミックバリスタの
    未焼成シートと内部電極シートを積層し、該内部電極が
    両端面に露出するようにスティック状に切断後焼成し、
    該内部電極が露出した両端面を除いてエポキシ、シリコ
    ン樹脂、ガラス等でのモ−ルドやオ−バ−コ−トをした
    後、個片状に切断し該内部電極が露出した両端部に着膜
    等で導電性の被膜を形成し、面実装化することを特徴と
    するチップ部品。 【請求項2】 素子の電極を形成する方法で積層セラミ
    ックバリスタの未焼成シートと内部電極シートを積層
    し、該内部電極が両端面に露出しないようにスティック
    状に切断後焼成し、エポキシ、シリコン樹脂、ガラス等
    でのモ−ルドやオ−バ−コ−トをした後、個片状に切断
    し着膜等で導電性の被膜を形成し、面実装化することを
    特徴とするチップ部品。 (1)発明の構成に欠くことができない事項のみを記載し
    た項(請求項)に区分して記載します。 (2)請求項ごとに行を改め、1の番号を付します(請求
    項の数が1の場合でも、「 【請求項1】」と記載します。また、2以上の場合は「 【請求項1】」、「 【請求項2】」のように連続番号とします。)
JP1315794A 1994-01-11 1994-01-11 チップ部品 Pending JPH07201533A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997027598A1 (en) * 1996-01-24 1997-07-31 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electronic parts and method for manufacturing the same
WO1999053504A1 (en) * 1998-04-09 1999-10-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Ptc thermistor chip

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