JPH07202152A - 固体撮像装置 - Google Patents

固体撮像装置

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JPH07202152A
JPH07202152A JP5349016A JP34901693A JPH07202152A JP H07202152 A JPH07202152 A JP H07202152A JP 5349016 A JP5349016 A JP 5349016A JP 34901693 A JP34901693 A JP 34901693A JP H07202152 A JPH07202152 A JP H07202152A
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JP
Japan
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solid
imaging device
state imaging
chip
image pickup
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JP5349016A
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English (en)
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Hideo Yamamoto
秀男 山本
Yoshiro Nishimura
芳郎 西村
Hiroshi Suzushima
浩 鈴島
Takashi Nakayama
高志 中山
Kazue Tanaka
和恵 田中
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Olympus Corp
Original Assignee
Olympus Optical Co Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80Constructional details of image sensors
    • H10F39/804Containers or encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80Constructional details of image sensors
    • H10F39/806Optical elements or arrangements associated with the image sensors
    • H10F39/8063Microlenses

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  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 マイクロレンズを備えた固体撮像素子チップ
でもマイクロレンズを備えないものと同程度の小型実装
化できるようにした固体撮像装置を提供する。 【構成】 マイクロレンズ3を備えた受光エリア2を有
する固体撮像素子チップ1の受光エリア2のみに対し、
下面縁部に枠部4aを一体的に形成した透明材料からな
る封止部材4を配置し、マイクロレンズ3の表面と封止
部材4の下面の間に5μ以上の空間を形成して気密封止
し、小型実装したマイクロレンズ付の固体撮像装置を構
成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、固体撮像素子チップ
を実装した固体撮像装置、特にオンチップマイクロレン
ズを備えた固体撮像素子チップを実装した固体撮像装置
に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、マイクロレンズ付きの固体撮像素
子チップは、次のように実装が施されている。すなわ
ち、図8又は図9に示すように、受光エリアにマイクロ
レンズ102 を設けた固体撮像素子チップ101 を、セラミ
ックなどからなるパッケージ103又は基板104 にダイボ
ンドし、ボンディングワイヤ105 を用いて固体撮像素子
チップ101 とパッケージ103 又は基板104 との所定の接
続を行ったのち、パッケージ103 の縁部に設けた段部 1
03a又は封止枠106 を用いて、素子チップ101 の表面と
の間に空間を設けて、ガラスリッド107 を接着して気密
封止し、固体撮像装置を構成している。なお図8におい
て、108 はリードを示している。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、マイクロレ
ンズを備えた受光エリアを有する固体撮像素子チップに
おいては、受光エリア表面に直接、保護ガラス又はフィ
ルタ,レンズ,プリズム等の光学部品を接着すると、接
着剤の屈折率によりマイクロレンズの集光能力が低下し
てしまうという問題を生じるため、かかる固体撮像素子
チップを実装する場合は、上記のように、固体撮像素子
チップ全体を気密封止せざるを得ない。したがって、固
体撮像素子チップ全体の気密封止を行うと実装形状が大
きくなってしまい、小型実装、特に電子内視鏡の先端部
などの微小部分に配置される固体撮像装置など、超小型
実装を必要とする分野への適用が困難であった。
【0004】また固体撮像素子チップの受光エリアに設
けられるマイクロレンズは、アクリルなどの樹脂で形成
されているため、固体撮像素子チップの作成の際のダイ
シング時の汚れ防止のために、ダイシング時に固体撮像
素子ウェハを保護膜でコートし、ダイシング後に、その
保護膜を剥離するという余分な作業を必要としていた。
【0005】本発明は、従来のマイクロレンズを備えた
固体撮像素子チップを実装して構成した固体撮像装置に
おける上記問題点を解消するためになされたもので、マ
イクロレンズを備えた固体撮像素子チップでも、マイク
ロレンズを備えない固体撮像素子チップとほぼ同サイズ
で小型実装できるようにした固体撮像装置を提供するこ
とを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段及び作用】上記問題点を解
決するため、本発明は、オンチップマイクロレンズを備
えた受光エリアを有する固体撮像素子チップの受光エリ
アのみに、透明部材からなる気密封止部を設けて固体撮
像装置を構成するものである。
【0007】このように固体撮像素子チップ表面の受光
エリアのみに透明部材からなる気密封止部を設けたの
で、実装サイズの小型化を図ることができ、特に電子内
視鏡に好適な固体撮像装置が実現できる。また気密封止
部の表面にフィルタ,レンズ,プリズム等の光学部品を
接着することが可能となり、マイクロレンズの集光能力
の低下を伴うことなく実装サイズの小型化を図ることが
できる。また固体撮像素子チップのウェハ状態で、受光
エリアに全チップ一括して気密封止部を設けることが可
能であり、これによりダイシング時の汚れ防止処理が不
要となる。
【0008】
【実施例】次に、実施例について説明する。図1の
(A),(B)は本発明に係る固体撮像装置の第1実施
例を示す概略上面図及びその断面図である。図におい
て、1は固体撮像素子チップで、該固体撮像素子チップ
1の受光エリア2にはマイクロレンズ3が各画素に対応
して設けられている。4はガラス,石英,サファイア,
透明樹脂などの透明材料からなる封止部材で、下面の縁
部には枠部4aが一体的に形成されており、そして、前
記固体撮像素子チップ1の受光エリア2のみを気密封止
し、且つ受光エリア2のマイクロレンズ3の表面と封止
部材4の裏面の間には、干渉縞が生じないように少なく
とも5μm以上の空間が形成されるように、固体撮像素
子チップ1の表面に接着されている。固体撮像素子チッ
プ1の表面への封止部材4の接着方法としては、陽極接
合又は超音波接合を利用すれば接合面積を小さくするこ
とができるが、エポキシ樹脂などの接着剤を用いてもよ
いことは勿論である。なお図1の(A)において、5は
固体撮像素子チップ1の電極を示している。
【0009】このように構成された固体撮像装置は、封
止部材4で固体撮像素子チップの受光エリア2のみを気
密封止しているので、マイクロレンズ3の集光能力低下
を伴うことなく実装サイズの小型化が実現できる。
【0010】次に、第2実施例を図2に基づいて説明す
る。この実施例は、封止部材11を透明部材からなる平板
部11aと枠部11bの2部材で構成したものである。この
際、枠部11bはセラミック,ガラス,シリコン等の無機
物又はコバール,42アロイ等の金属を用いて形成しても
よいが、固体撮像素子チップ1の表面に、エポキシ,フ
ェノール,シリコンなどの樹脂を印刷又はフォトリソ技
術でパターン形成してもよい。また透明平板部11aに枠
部11bを陽極接合等で接着したものを、固体撮像素子チ
ップ1の表面に接着するようにしてもよい。
【0011】この実施例では、封止部材を透明平板部と
枠部の2部材で構成しているため、各部材の加工が容易
でコストを低減することができる。
【0012】次に、第3実施例を図3に基づいて説明す
る。この実施例は、図1に示した第1実施例と同様に、
マイクロレンズ3を設けた受光エリア2のみを透明封止
部材4で気密封止した固体撮像素子チップ1を、基板21
と直接ダイボンドで接着し、固体撮像素子チップ1の電
極と基板21との電極間をボンディングワイヤ22で接続し
たのち、固体撮像素子チップ1の受光エリア2のみに設
けた封止部材4以外のチップ表面及びボンディングワイ
ヤ22による接続部分を、エポキシ,フェノール,シリコ
ンなどの封止樹脂23で封止して固体撮像装置を構成した
ものである。
【0013】この実施例によれば、固体撮像素子チップ
を基板に接着して構成する固体撮像装置の小型実装を図
ることができる。
【0014】次に、第4実施例を図4に基づいて説明す
る。この実施例は、図3に示した第3実施例の固体撮像
装置における透明封止部材4の表面に、赤外線カットフ
ィルタ,紫外線カットフィルタ,レンズ,プリズム等の
光学部品31を接着剤32で接着して構成したものであり、
この実施例によれば、光学部品を装着して構成した固体
撮像装置の小型実装が可能となる。
【0015】次に、第5実施例を図5に基づいて説明す
る。この実施例は、下面の縁部に枠部41aを一体的に形
成したプリズム等の光学部品41を、固体撮像素子チップ
1のマイクロレンズ3を備えた受光エリア2のみに対し
て、枠部41aを介して配置し接着する。そして、固体撮
像素子チップ1を、図3に示した第3実施例と同様に、
基板21にダイボンドで接着し、ボンディングワイヤ22で
所定の接続を行ったのち、光学部品41以外のチップ表面
とボンディングワイヤ22の接続部分を封止樹脂23で封止
して、固体撮像装置を構成するものである。なお、この
実施例においても、光学部品41の下面と固体撮像素子チ
ップ1のマイクロレンズ3の表面との間には、5μm以
上の空間が形成されるようになっている。
【0016】この実施例においては、光学部品自体が封
止部材を兼ねているので、光学部品を備えた固体撮像装
置の一層の小型化並びに薄型化を実現することができ
る。
【0017】次に、第6実施例を図6に基づいて説明す
る。図6において、51は固体撮像素子チップで、該固体
撮像素子チップ51にはチップ表面より凹んで形成された
凹部52が設けられており、この凹部52にはマイクロレン
ズ3を設けた受光エリア2のみが形成されている。そし
て、受光エリア2が形成されている凹部52を覆うように
透明部材からなる平板状封止部材53を、チップ表面に配
置して接着し、固体撮像装置を構成している。この実施
例においても、凹部52に形成されている受光エリア2の
マイクロレンズ3の表面と平板状封止部材(ガラスリッ
ド)53の裏面との間には、5μm以上の空間が形成され
るようになっている。
【0018】この実施例によれば、封止部材に枠部を必
要とせず、したがって封止部材のコストを低減できるば
かりでなく、一層の薄型化が可能になる。
【0019】次に、第7実施例を図7に基づいて説明す
る。この実施例は、図6に示した第6実施例における平
板状封止部材53の変わりに、プリズム等の光学部品31を
封止部材を兼ねさせて固体撮像素子チップ51の凹部52を
覆うように配置して接着し、固体撮像装置を構成するも
のである。
【0020】この実施例では、光学部品を備えた固体撮
像装置の更に一層の小型化及び薄型化を図ることができ
る。
【0021】
【発明の効果】以上実施例に基づいて説明したように、
本発明によれば、固体撮像素子チップ表面のマイクロレ
ンズを備えた受光エリアのみに透明部材からなる気密封
止部を設けたので、実装サイズの小型化を図った固体撮
像装置を得ることができる。また気密封止部の表面に、
受光エリアに対して間接的にプリズム等の光学部品を接
着することができ、マイクロレンズの集光能力の低下を
伴うことなく実装サイズの小型化を図ることができる。
また固体撮像素子チップのウェハ状態で、受光エリアに
全チップ一括して気密封止部を設けることが可能であ
り、これによりダイシング時の汚れ防止処理が不要とな
る等の効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る固体撮像装置の第1実施例の概略
平面図及び断面図である。
【図2】第2実施例を示す断面図である。
【図3】第3実施例を示す断面図である。
【図4】第4実施例を示す断面図である。
【図5】第5実施例を示す断面図である。
【図6】第6実施例を示す断面図である。
【図7】第7実施例を示す断面図である。
【図8】従来の固体撮像装置の実装態様の構成例を示す
断面図である。
【図9】従来の固体撮像装置の実装態様の他の構成例を
示す断面図である。
【符号の説明】
1 固体撮像素子チップ 2 受光エリア 3 マイクロレンズ 4 封止部材 4a 枠部 5 電極 11 封止部材 11a 平板部 11b 枠部 21 基板 22 ボンディングワイヤ 23 封止樹脂 31 光学部品 32 接着剤 41 光学部品 41a 枠部 51 固体撮像素子チップ 52 凹部 53 平板状封止部材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中山 高志 東京都渋谷区幡ケ谷2丁目43番2号 オリ ンパス光学工業株式会社内 (72)発明者 田中 和恵 東京都渋谷区幡ケ谷2丁目43番2号 オリ ンパス光学工業株式会社内

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 オンチップマイクロレンズを備えた受光
    エリアを有する固体撮像素子チップの受光エリアのみ
    に、透明部材からなる気密封止部を設けたことを特徴と
    する固体撮像装置。
  2. 【請求項2】 前記気密封止部は、平板部とその下面縁
    部に一体的に形成された枠部とで構成されていることを
    特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
  3. 【請求項3】 前記気密封止部は、平板部とその下面縁
    部に接着された枠部とで構成されていることを特徴とす
    る請求項1記載の固体撮像装置。
  4. 【請求項4】 前記気密封止部は、透明光学部品とその
    下面の縁部に一体的に形成された枠部とで構成されてい
    ることを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
  5. 【請求項5】 前記固体撮像素子チップは、チップ表面
    に凹部が形成されていて、該凹部に受光エリアが形成さ
    れていることを特徴とする請求項1記載の固体撮像装
    置。
  6. 【請求項6】 前記受光エリアのオンチップマイクロレ
    ンズ表面と前記気密封止部の裏面との距離が、少なくと
    も5μm以上であることを特徴とする請求項1〜5のい
    ずれか1項に記載の固体撮像装置。
  7. 【請求項7】 前記固体撮像素子チップに設けた気密封
    止部以外のチップ表面に樹脂封止を施したことを特徴と
    する請求項1〜6のいずれか1項に記載の固体撮像装
    置。
  8. 【請求項8】 前記気密封止部の表面に光学部品を接着
    していることを特徴とする請求項1〜3及び5〜7のい
    ずれか1項に記載の固体撮像装置。
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Cited By (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001065839A1 (en) * 2000-03-02 2001-09-07 Olympus Optical Co., Ltd. Small-sized image pickup module
JP2002231919A (ja) * 2001-02-06 2002-08-16 Olympus Optical Co Ltd 固体撮像装置及びその製造方法
US6483179B2 (en) 2000-03-10 2002-11-19 Olympus Optical Co., Ltd. Solid-state image pickup apparatus and fabricating method thereof
JP2003318377A (ja) * 2002-04-24 2003-11-07 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像素子の製造方法及び固定方法
JP2004088082A (ja) * 2002-06-24 2004-03-18 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像装置およびその製造方法
JP2004335794A (ja) * 2003-05-08 2004-11-25 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像素子及びカメラモジュール及びカメラモジュールの製造方法
JP2005056999A (ja) * 2003-08-01 2005-03-03 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像装置およびその製造方法
JP2005322851A (ja) * 2004-05-11 2005-11-17 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像装置
US7074638B2 (en) 2002-04-22 2006-07-11 Fuji Photo Film Co., Ltd. Solid-state imaging device and method of manufacturing said solid-state imaging device
EP1503421A3 (en) * 2003-08-01 2006-07-12 Fuji Photo Film Co., Ltd. Solid-state imaging device and method for manufacturing the same
US7084922B2 (en) 2000-02-23 2006-08-01 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Pickup device
US7126637B2 (en) 2001-02-06 2006-10-24 Olympus Optical Co., Ltd. Solid-state image pickup apparatus having a hermetic seal portion and fabricating method thereof
JP2006295481A (ja) * 2005-04-08 2006-10-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体撮像装置およびその製造方法
US7172923B2 (en) 2002-04-26 2007-02-06 Fuji Photo Film Co., Ltd. Imaging device and manufacturing method for imaging device
JP2007221231A (ja) * 2006-02-14 2007-08-30 Denso Corp 撮像モジュールおよびその製造方法
KR100791730B1 (ko) * 2005-02-15 2008-01-03 샤프 가부시키가이샤 반도체 장치 및 그 제조 방법
US7332783B2 (en) 2002-07-17 2008-02-19 Fujifilm Corporation Semiconductor device with a photoelectric converting portion and a light-shading means
JP2008042186A (ja) * 2006-07-11 2008-02-21 Sumitomo Bakelite Co Ltd 受光装置および受光装置の製造方法
US7365379B2 (en) 2004-06-22 2008-04-29 Fujifilm Corporation Solid state imaging unit and endoscope
CN100394607C (zh) * 2003-11-18 2008-06-11 宏齐科技股份有限公司 光感测芯片的封装方法
EP1942522A2 (en) 2002-07-29 2008-07-09 FUJIFILM Corporation Solid-state imaging device and method of manufacturing the same
CN100411122C (zh) * 2001-12-27 2008-08-13 精工爱普生株式会社 光装置的制造方法
CN100423277C (zh) * 2004-06-15 2008-10-01 夏普株式会社 具有盖部分的半导体晶片制造方法和半导体器件制造方法
JP2008252127A (ja) * 2008-06-30 2008-10-16 Fujifilm Corp 固体撮像装置およびその製造方法
US7456483B2 (en) 2004-05-10 2008-11-25 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device and module for optical device
JP2008288603A (ja) * 2008-06-16 2008-11-27 Fujifilm Corp 固体撮像素子およびその製造方法
US7501304B2 (en) 2005-09-20 2009-03-10 Fujifilm Corporation Method of cleaning cover glass having spacer
JP2009224400A (ja) * 2008-03-13 2009-10-01 Olympus Corp 固体撮像装置およびその製造方法
US8243461B2 (en) 2008-12-04 2012-08-14 Renesas Electronics Corporation Electronic device and process for manufacturing electronic device
US8241951B2 (en) 2008-12-19 2012-08-14 Canon Kabushiki Kaisha Method of manufacturing solid-state image pickup device and solid-state image pickup device
US8270177B2 (en) 2007-07-27 2012-09-18 Renesas Electronics Corporation Electronic device and method for manufacturing electronic device
US8279336B2 (en) 2009-06-09 2012-10-02 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state image pickup device
JP2013077839A (ja) * 2013-01-11 2013-04-25 Toppan Printing Co Ltd 固体撮像装置
US10009523B2 (en) 2015-05-11 2018-06-26 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Electronic module and method of manufacturing the same
US10164602B2 (en) 2015-09-14 2018-12-25 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Acoustic wave device and method of manufacturing the same
US10600835B2 (en) 2016-12-12 2020-03-24 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Electronic module and method of manufacturing the same
WO2020079735A1 (ja) * 2018-10-15 2020-04-23 オリンパス株式会社 内視鏡用光学装置、内視鏡、および内視鏡用光学装置の製造方法

Cited By (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7084922B2 (en) 2000-02-23 2006-08-01 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Pickup device
WO2001065839A1 (en) * 2000-03-02 2001-09-07 Olympus Optical Co., Ltd. Small-sized image pickup module
US6483179B2 (en) 2000-03-10 2002-11-19 Olympus Optical Co., Ltd. Solid-state image pickup apparatus and fabricating method thereof
US6780667B2 (en) 2000-03-10 2004-08-24 Olympus Optical, Co., Ltd. Solid-state image pickup apparatus and fabricating method thereof
JP2002231919A (ja) * 2001-02-06 2002-08-16 Olympus Optical Co Ltd 固体撮像装置及びその製造方法
US7126637B2 (en) 2001-02-06 2006-10-24 Olympus Optical Co., Ltd. Solid-state image pickup apparatus having a hermetic seal portion and fabricating method thereof
CN100411122C (zh) * 2001-12-27 2008-08-13 精工爱普生株式会社 光装置的制造方法
US7411230B2 (en) 2002-04-22 2008-08-12 Fujifilm Corporation Solid-state imaging device and method of manufacturing said solid-state imaging device
US7638823B2 (en) 2002-04-22 2009-12-29 Fujifilm Corporation Solid-state imaging device and method of manufacturing said solid-state imaging device
US7074638B2 (en) 2002-04-22 2006-07-11 Fuji Photo Film Co., Ltd. Solid-state imaging device and method of manufacturing said solid-state imaging device
US7659136B2 (en) 2002-04-22 2010-02-09 Fujifilm Corporation Solid-state imaging device and method of manufacturing said solid-state imaging device
US7582505B2 (en) 2002-04-22 2009-09-01 Fujifilm Corporation Solid-state imaging device and method of manufacturing said solid-state imaging device
JP2003318377A (ja) * 2002-04-24 2003-11-07 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像素子の製造方法及び固定方法
US7172923B2 (en) 2002-04-26 2007-02-06 Fuji Photo Film Co., Ltd. Imaging device and manufacturing method for imaging device
JP2004088082A (ja) * 2002-06-24 2004-03-18 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像装置およびその製造方法
US6930327B2 (en) 2002-06-24 2005-08-16 Fuji Photo Film Co., Ltd. Solid-state imaging device and method of manufacturing the same
US7592200B2 (en) 2002-06-24 2009-09-22 Fujifilm Corporation Solid-state imaging device and method of manufacturing the same
US7518206B2 (en) 2002-07-17 2009-04-14 Fujifilm Corporation Semiconductor device with a photoelectric converting portion and a light-shading means
US7332783B2 (en) 2002-07-17 2008-02-19 Fujifilm Corporation Semiconductor device with a photoelectric converting portion and a light-shading means
US7384812B2 (en) 2002-07-17 2008-06-10 Fujifilm Corporation Method of manufacturing a semiconductor device with light shading means
EP1942522A2 (en) 2002-07-29 2008-07-09 FUJIFILM Corporation Solid-state imaging device and method of manufacturing the same
EP1990829A2 (en) 2002-07-29 2008-11-12 FUJIFILM Corporation Solid-state imaging device and method of manufacturing the same
EP2178112A2 (en) 2002-07-29 2010-04-21 Fujifilm Corporation Solid-state imaging device and method of manufacturing the same
JP2004335794A (ja) * 2003-05-08 2004-11-25 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像素子及びカメラモジュール及びカメラモジュールの製造方法
US7692720B2 (en) 2003-08-01 2010-04-06 Fujifilm Corporation Solid-state imaging device and method for manufacturing the same
JP2005056999A (ja) * 2003-08-01 2005-03-03 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像装置およびその製造方法
US7688382B2 (en) 2003-08-01 2010-03-30 Fujifilm Corporation Solid-state imaging device and method for manufacturing the same
EP1503421A3 (en) * 2003-08-01 2006-07-12 Fuji Photo Film Co., Ltd. Solid-state imaging device and method for manufacturing the same
CN100355080C (zh) * 2003-08-01 2007-12-12 富士胶片株式会社 固态成像装置及其制造方法
CN100394607C (zh) * 2003-11-18 2008-06-11 宏齐科技股份有限公司 光感测芯片的封装方法
CN100446223C (zh) * 2004-05-10 2008-12-24 夏普株式会社 半导体器件及其制作方法和光学器件模块
US7456483B2 (en) 2004-05-10 2008-11-25 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device and module for optical device
JP2005322851A (ja) * 2004-05-11 2005-11-17 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像装置
CN100423277C (zh) * 2004-06-15 2008-10-01 夏普株式会社 具有盖部分的半导体晶片制造方法和半导体器件制造方法
US7365379B2 (en) 2004-06-22 2008-04-29 Fujifilm Corporation Solid state imaging unit and endoscope
KR100791730B1 (ko) * 2005-02-15 2008-01-03 샤프 가부시키가이샤 반도체 장치 및 그 제조 방법
JP2006295481A (ja) * 2005-04-08 2006-10-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体撮像装置およびその製造方法
US7501304B2 (en) 2005-09-20 2009-03-10 Fujifilm Corporation Method of cleaning cover glass having spacer
JP2007221231A (ja) * 2006-02-14 2007-08-30 Denso Corp 撮像モジュールおよびその製造方法
JP2008042186A (ja) * 2006-07-11 2008-02-21 Sumitomo Bakelite Co Ltd 受光装置および受光装置の製造方法
US9327457B2 (en) 2007-07-27 2016-05-03 Renesas Electronics Corporation Electronic device and method for manufacturing electronic device
US8270177B2 (en) 2007-07-27 2012-09-18 Renesas Electronics Corporation Electronic device and method for manufacturing electronic device
US8159575B2 (en) 2008-03-13 2012-04-17 Olympus Corporation Solid-state image pickup apparatus and method for manufacturing the same
JP2009224400A (ja) * 2008-03-13 2009-10-01 Olympus Corp 固体撮像装置およびその製造方法
JP2008288603A (ja) * 2008-06-16 2008-11-27 Fujifilm Corp 固体撮像素子およびその製造方法
JP2008252127A (ja) * 2008-06-30 2008-10-16 Fujifilm Corp 固体撮像装置およびその製造方法
US8986588B2 (en) 2008-12-04 2015-03-24 Renesas Electronics Corporation Electronic device and process for manufacturing electronic device
US8243461B2 (en) 2008-12-04 2012-08-14 Renesas Electronics Corporation Electronic device and process for manufacturing electronic device
US8241951B2 (en) 2008-12-19 2012-08-14 Canon Kabushiki Kaisha Method of manufacturing solid-state image pickup device and solid-state image pickup device
US8279336B2 (en) 2009-06-09 2012-10-02 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state image pickup device
JP2013077839A (ja) * 2013-01-11 2013-04-25 Toppan Printing Co Ltd 固体撮像装置
US10009523B2 (en) 2015-05-11 2018-06-26 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Electronic module and method of manufacturing the same
US10602036B2 (en) 2015-05-11 2020-03-24 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Electronic module and method of manufacturing the same
US10164602B2 (en) 2015-09-14 2018-12-25 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Acoustic wave device and method of manufacturing the same
US10600835B2 (en) 2016-12-12 2020-03-24 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Electronic module and method of manufacturing the same
WO2020079735A1 (ja) * 2018-10-15 2020-04-23 オリンパス株式会社 内視鏡用光学装置、内視鏡、および内視鏡用光学装置の製造方法

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