JPH0720331A - 光スイッチモジュール - Google Patents
光スイッチモジュールInfo
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- JPH0720331A JPH0720331A JP14585593A JP14585593A JPH0720331A JP H0720331 A JPH0720331 A JP H0720331A JP 14585593 A JP14585593 A JP 14585593A JP 14585593 A JP14585593 A JP 14585593A JP H0720331 A JPH0720331 A JP H0720331A
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Abstract
きるようにして生産性を向上させる。 【構成】 温度を変えて入射側の複数の光路と出射側の
複数の光路とを選択的に切替え接続する光導波路基板3
2と、この基板32に設けられ電力を調整して発熱量を
変化させ前記温度を調整する薄膜ヒータ51と、表面に
前記基板32が搭載されるセラミック多層基板31と、
前記薄膜ヒータ51の電力調整を行なうトリマブル抵抗
53とを有する光スイッチモジュールである。前記抵抗
53を厚膜状の抵抗体で構成し、この抵抗53を前記多
層基板31の裏面に形成する。抵抗53はレーザトリミ
ングによりその抵抗値を変えて薄膜ヒータ51の電力調
整を行なう。これにより、全体の小型化、薄膜ヒータ5
1の電力調整の容易化、短時間化ができる。
Description
る多数のモジュール間を接続し、必要に応じてこれらの
間を選択的に切替え接続する光切替え型モジュール間接
続装置(光IMC装置)等に適用して好適な光スイッチ
モジュールに関するものである。
ールによって構成されている。これらのモジュール間は
近年、光インターフェースによって接続されることが増
えてきている。一方、特定モジュールが故障した場合に
は、速やかに予備のモジュールに切替える必要がある。
この切替え動作は光インターフェースにおいて行なわれ
るが、この光インターフェースとして光IMC装置が用
いられる。この光IMC装置において直接の切替動作
は、光スイッチモジュールによって行なわれる。
えばT.ItoらによるGLOBELOM'92,PP.187-191“Photonic
inter-module connector using silica-based optical
switches”に記載のものが知られている。この光IM
C用スイッチモジュールを図4から図8に示す。
光導波路技術を用いた8入力8出力クロスバ型光スイッ
チを、スイッチ駆動回路と共にプリント回路基板に搭載
した光スイッチモジュールである。このスイッチは、図
4に示すように、64個の2×2スイッチエレメント1
で構成され、それぞれヒータ電流により[クロス状態]
と[バー状態]が切り替わるようになっている。また、
このスイッチには8入力ポート,8出力ポートの他、ス
イッチの調整するために用い、実使用時には使わないア
イドルポート17が備っている。
ト1の構成を示す。このスイッチエレメント1はガラス
導波路による対称型マッハ・ツェンダー干渉計を用いて
おり、熱を加えることでその屈折率を変えることができ
る効果(熱光学効果)を利用してスイッチ動作を行なわ
せる。この2×2スイッチエレメント1は、具体的には
基板2上に、入射側の2本の導波路3,4と、この各導
波路3,4からの光を合分波する第1の3dBカプラ5
と、2分岐された2本のアーム部6,7と、各アーム部
6,7にそれぞれ設けられた薄膜ヒータ8,9と、各ア
ーム部6,7からの光を合分波する第2の3dBカプラ
10と、出射側の2本の導波路11,12とを備えて構
成されている。この構成の2×2スイッチエレメント1
において、各薄膜ヒータ8,9のいずれかに電流を流す
と共に電流調整を行なうことで、各アーム部6,7間の
温度差を制御して干渉計の状態を変化させ、[クロス状
態]と[バー状態]とを切り替える。
1を用いた8×8スイッチマトリックスの導波路レイア
ウトを示す。このスイッチへの入出力端にはそれぞれ先
端SCコネクタ付の8芯、16芯(8芯2組)シングル
モード光ファイバ14,15が取り付けられる。2×2
スイッチエレメント1はこのようにレイアウトされた状
態でその裏面に放熱フィンが付けられ、各部品の搭載基
板であるパッケージ(図示せず)の中央部に収納され
る。さらに、その周辺部に各2×2スイッチエレメント
1のヒータ電流をそれぞれ調整する64個の可変抵抗群
とオンボード電源が搭載される。
の機能ブロック図を示す。光IMC用スイッチモジュー
ルには、各2×2スイッチエレメント1の各薄膜ヒータ
8,9へ流れる電流を調整する回路がそれぞれ設けられ
ている。この回路は、各2×2スイッチエレメント1に
それぞれ対応して64組設けられており、主に、2つの
可変抵抗21,22と、第1の可変抵抗21へ流れる電
流を制御するトランジスタ23とから構成されている。
なお、この回路は64組設けられているが、図において
は1組のみを示す。また、2つの薄膜ヒータ8,9はこ
のいずれかが選択されて片方のヒータのみが制御され
る。さらに、図中の第2のトランジスタ25は第1のト
ランジスタ23の動作が正常か否かをモニタするために
設けられている。
は、入力端子24から“1”信号が入力されると第1の
トランジスタ23がONされ、主に第1の可変抵抗21で
調整された電流が薄膜ヒータ8に流れて2×2スイッチ
エレメント1が[バー状態]になる。この電流は[バー
状態]におけるクロスポートへの漏れ光が最小になるよ
うに調整される。
されると第1のトランジスタ23がOFFされ、第2の可
変抵抗22で調整された電流が薄膜ヒータ10に流れて
2×2スイッチエレメント1が[クロス状態]になる。
この電流は[クロス状態]におけるバーポートへの漏れ
光が最小になるように調整される。
ジスタ23等は光IMC用スイッチモジュールの製造段
階において同時に組込まれ、光IMC用スイッチモジュ
ールの完成後に作業者が個別に調整する。具体的には、
光ファイバに実際に光信号を通した状態で、入力端子2
4から“1”信号を入力して作業者が手動で第1の可変
抵抗21を調整し、同様に“0”信号を入力して手動で
第2の可変抵抗22を調整する。
光IMC用スイッチモジュールでは、2つの可変抵抗2
1,22が2×2スイッチエレメント1の搭載数(64
個)に対応して64組ずつ設けられており、さらに個々
の可変抵抗21,22自体も大型であるため、装置全体
が大型化してしまうという問題点がある。
業者が1個ずつ手動で行なっているため、すべての可変
抵抗21,22を調整するのに時間がかかり、生産性が
悪いという問題点がある。
されたもので、装置の小型化及び可変抵抗の電力調整を
短時間で容易に行なうことができる生産性に優れた光ス
イッチモジュールを提供することを目的とする。
ために第1の発明は、温度の違いによる特性変化を利用
して入射側の複数の光路と出射側の複数の光路とを選択
的に切替え接続する光導波路基板と、当該光導波路基板
に設けられ電力を調整して発熱量を変化させ前記温度の
調整を行なう発熱体と、前記光導波路基板が搭載される
回路基板と、前記発熱体の電力調整を行なう可変抵抗と
を有する光スイッチモジュールにおいて、前記可変抵抗
は厚膜状の抵抗体で構成され、当該厚膜状の可変抵抗
が、一側面に前記光導波路基板を搭載した前記回路基板
の他側面に形成されたことを特徴とする。
抗を、レーザトリミングによりその抵抗値を変えて前記
発熱体の電力調整を行なうことを特徴とする。
抗体で構成することで、この可変抵抗を小さくすること
ができ、さらに可変抵抗を回路基板の他側面に形成する
ことで、全体を小型化することができる。
ザトリミングにより少しずつその抵抗値を変えて発熱体
の電力調整を行なうことで、調整を容易にかつ短時間で
行なうことができる。
ながら説明する。
な機能は前述した従来の光IMC用スイッチモジュール
とほぼ同様であり、ここでも、8入力8出力クロスバ型
光スイッチとして構成したものを例に説明する。また、
前記従来の光スイッチモジュールと同じ部分には同じ符
号を付してその説明を省略する。
1及び図2に示す。図中の31はセラミック多層基板で
ある。このセラミック多層基板31の表面(上側面)に
は、図7に示す従来の導波路レイアウトと同様の構成を
有する石英系光導波路基板32が搭載されている。この
石英系光導波路基板32には保護キャップ33が設けら
れている。セラミック多層基板31の裏面にはスペーサ
35を介して放熱フィン36が取り付けられている。こ
の放熱フィン36は石英系光導波路基板32内に組み込
まれた後述する薄膜ヒータ51により発生する熱を外部
に逃がす。
続される入力側の光リボンファイバ42及び出力側の光
リボンファイバ43をそれぞれ支持固定するファイバ固
定具である。
込まれた2×2スイッチエレメント1(図5参照)に装
着される薄膜ヒータの制御回路について図3を基に説明
する。
に組み込まれた薄膜ヒータである。なお、ここでは薄膜
ヒータ51を1個だけ示すが、この薄膜ヒータ51をア
ーム部6,7(図5参照)のいずれか一方にだけ設けて
も、従来と同様に2個並列に設けていずれかに切替える
ようにしてもよい。
を介してアースされている。さらに、このトランジスタ
52と平列に、可変抵抗であるトリマブル抵抗53及び
固定抵抗54が接続されている。トリマブル抵抗53及
び固定抵抗54はそれぞれ厚膜状に形成され、セラミッ
ク多層基板31の裏面に1組ずつ直接に印刷するか、チ
ップ部品として取り付ける(図1及び図2参照)。
のは次の理由による。従来は2個の可変抵抗21,22
を設けて[バー状態]及び[クロス状態]のそれぞれに
おいて薄膜ヒータ8,9に流れる電流を調整するように
していた。これに対し本発明者は、前記構成の回路にお
いて[クロス状態]における漏れ光は出力ポートにクロ
ストークとして影響するが[バー状態]における漏れ光
は図4におけるアイドルポート17に抜けるため出力ポ
ートへ影響しないことに着眼し、[クロス状態]につい
てのみ個別に抵抗値を調整することとし、これに基づい
てトリマブル抵抗53を1個だけ設けている。なお、固
定抵抗55,56はトランジスタ52に内蔵されたもの
である。
求条件が厳しい場合、あるいはシステム構成によって図
4におけるアイドルポート17からの光も信号として取
出す必要が生ずる場合においては、図8に示すように2
個のトリマブル抵抗を設ける必要が生ずることもあり得
る。
御回路は、2×2スイッチエレメント1の数に合せて6
4組設けられている。
ブル抵抗53及び固定抵抗54は、図1及び図2に示す
ように、セラミック多層基板31の裏面に設けられてい
る。トリマブル抵抗53及び固定抵抗54は、セラミッ
ク多層基板31の裏面のうち、放熱フィン36の両側
(図中の左右両側)にそれぞれ設けられている。具体的
には、放熱フィン36の両側に2列に、全部で64組設
けられている。この配列状態で外側にはトリマブル抵抗
53が、内側には固定抵抗54がそれぞれ設けられてい
る。さらに、トランジスタ52は放熱フィン36の内側
に64個組み込まれている。
ールにおいて、トリマブル抵抗53の調整は、光スイッ
チモジュールの組立時に行なう。具体的にはセラミック
多層基板31の表面に石英系光導波路基板32を、裏面
にトランジスタ52、トリマブル抵抗53及び固定抵抗
54をそれぞれ組み付けた状態で、かつ放熱フィン36
及びファイバ固定具41を取り付ける前の状態で、各2
×2スイッチエレメント1に光を伝搬させてそれぞれに
対応するヒータ制御回路のトリマブル抵抗53をレーザ
トリミング方式で調整する。このレーザトリミングは製
造過程において自動的に行なわれる。あるいは、予め単
体で測定した石英系光導波路基板32のデータに基づ
き、トリマブル抵抗53の抵抗値を個別にレーザトリミ
ング方式により調整した後、光スイッチモジュールの組
立を行なってもよい。この場合には前述のように光を伝
搬させて光パワーを測定しながら調整するのに比べて、
さらに短時間で調整作業を完了することも可能である。
ールの具体的な動作は、前述した従来の光スイッチモジ
ュールとほぼ同様である。即ち、入力端子57から
“1”信号が入力されるとトランジスタ52がONされ、
定電流が薄膜ヒータ51に流れて2×2スイッチエレメ
ント1が[バー状態]になる。また、入力端子57から
“0”信号が入力されるとトランジスタ52がOFFさ
れ、トリマブル抵抗53で調整された電流が薄膜ヒータ
51に流れて2×2スイッチエレメント1が[クロス状
態]になる。
状に構成し、各スイッチエレメント1とそれぞれ対応さ
せてレーザトリミング方式により製造過程において自動
的に調整するようにしたので、トリマブル抵抗53の電
力調整を短時間で行なうことが可能になる。この結果、
生産性が大幅に向上する。
したので、装着状態での可変抵抗部分を大幅に小型化す
ることができ、その光スイッチモジュールを小型化する
ことが可能になる。
25を設けて第1のトランジスタ21の作動状態をモニ
タするようにしているのに対して本実施例では設けてい
ないが、このモニタの有無は任意である。
バ型光スイッチを例に説明したが、8入力8出力以外の
構成を有するクロスバ型光スイッチでもよいことはいう
までもない。
ば、次のような効果を奏する。
メントとの対応でレーザトリミング方式によって自動的
に調整するので、可変抵抗の電力調整を短時間で行なう
ことが可能になり、生産性が大幅に向上する。
成し、回路基板に設けたので、装着状態での可変抵抗部
分を大幅に小型化することができ、その結果、装置全体
を小型化することができる。
図である。
る。
ブロック図である。
を示す図である。
である。
概略構成図である。
トを示す構成図である。
ク図である。
板、36…放熱フィン、41…ファイバ固定具、42,
43…光リボンファイバ、52…トランジスタ、53…
トリマブル抵抗、54…固定抵抗。
Claims (2)
- 【請求項1】 温度の違いによる特性変化を利用して入
射側の複数の光路と出射側の複数の光路とを選択的に切
替え接続する光導波路基板と、当該光導波路基板に設け
られ電力を調整して発熱量を変化させ前記温度の調整を
行なう発熱体と、前記光導波路基板が搭載される回路基
板と、前記発熱体の電力調整を行なう可変抵抗とを有す
る光スイッチモジュールにおいて、 前記可変抵抗は厚膜状の抵抗体で構成され、当該厚膜状
の可変抵抗が、一側面に前記光導波路基板を搭載した前
記回路基板の他側面に形成されたことを特徴とする光ス
イッチモジュール。 - 【請求項2】 請求項1記載の光スイッチモジュールに
おいて、 前記厚膜状の可変抵抗は、レーザトリミングによりその
抵抗値を変えて前記発熱体の電力調整を行なうことを特
徴とする光スイッチモジュール。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5145855A JP2738492B2 (ja) | 1993-06-17 | 1993-06-17 | 光スイッチモジュール |
| FR9407129A FR2706631B1 (fr) | 1993-06-17 | 1994-06-10 | Module de commutation optique compact. |
| US08/216,040 US5513285A (en) | 1993-06-17 | 1994-06-14 | Compact optical switching module including thin-film heaters and trimmed thick-film fixed resistors |
| GB9706565A GB2308894B (en) | 1993-06-17 | 1994-06-16 | Compact optical switching module |
| GB9706566A GB2308895B (en) | 1993-06-17 | 1994-06-16 | Compact optical switching module |
| GB9412090A GB2279152B (en) | 1993-06-17 | 1994-06-16 | Optical switching module |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5145855A JP2738492B2 (ja) | 1993-06-17 | 1993-06-17 | 光スイッチモジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0720331A true JPH0720331A (ja) | 1995-01-24 |
| JP2738492B2 JP2738492B2 (ja) | 1998-04-08 |
Family
ID=15394648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5145855A Expired - Fee Related JP2738492B2 (ja) | 1993-06-17 | 1993-06-17 | 光スイッチモジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2738492B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998037445A1 (fr) * | 1997-02-19 | 1998-08-27 | Hitachi, Ltd. | Guide d'ondes optique en polymere, circuit integre optique, module optique et appareil de communication optique |
| KR100558857B1 (ko) * | 2003-08-08 | 2006-03-10 | 현대자동차주식회사 | 자동차용 광통신 멀티플렉스 장치 및 그것을 이용한통신방법 |
| WO2017018034A1 (ja) * | 2015-07-27 | 2017-02-02 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 光スイッチ装置及びその設計方法 |
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| JPH02264823A (ja) * | 1989-04-05 | 1990-10-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 熱式流量のセンサの製造方法 |
-
1993
- 1993-06-17 JP JP5145855A patent/JP2738492B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| WO2017018034A1 (ja) * | 2015-07-27 | 2017-02-02 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 光スイッチ装置及びその設計方法 |
| JPWO2017018034A1 (ja) * | 2015-07-27 | 2018-06-21 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 光スイッチ装置及びその設計方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2738492B2 (ja) | 1998-04-08 |
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