JPH0720910B2 - 光学活性カルボン酸の製法 - Google Patents
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Landscapes
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は不斉合成法により光学活性カルボン酸を製造す
る方法、更に詳しくは次の一般式(II) (式中、R1及びR2はそれぞれ水素原子、アルキル基、ア
ルケニル基又は置換基を有してもよいアリール基を示
し、R3は水素原子、アルキル基、アルケニル基又は置換
基を有してもよいナフチル基を示す。ただし、R1、R2及
びR3が同時に水素原子であることはなく、R1及びR2が同
時に水素原子である場合はR3がメチル基でなく、R3が水
素原子である場合はR1とR2が水素原子以外の異なる基で
ある。) で表わされるα,β−不飽和カルボン酸を、一般式(II
I)(V)又は(VII) RuxHyClz(R4-BINAP)2(S)p (III) (式中、R4-BINAPは式(IV) で表わされる三級ホスフインを示し、R4は水素原子又は
メチル基を示し、Sは三級アミンを示し、yが0のとき
xは2、zは4、pは1を示し、yが1のときxは1、
zは1、pは0を示す。) (式中、X-R5-BINAPは式(VI) で表わされる三級ホスフインを示し、R5は水素原子又は
低級アルキル基を示し、Xは水素原子、アミノ基、アセ
チルアミノ基又はスルホン基を示し、R6及びR7は低級ア
ルキル基、ハロゲノ低級アルキル基、低級アルキル基が
置換してもよいフエニル基、α−アミノアルキル基又は
α−アミノフエニルアルキル基を示すか、あるいはR6と
R7が一緒になってアルキレン基を示し、qは1又は2を
示す。) 〔RuHl(R4-BINAP)v〕Yw (VII) (式中、R4-BINAPは前記と同様の意義を有し、YはCl
O4、BF4又はPF6を示し、lが0ときvは1、wは2を示
し、lが1のときvは2、wは1を示す) で表わされるルテニウム−光学活性ホスフイン錯体を触
媒として不斉水素化することを特徴とする一般式(I) (式中、R1、R2及びR3は前記と同様の意義を有する) で表わされる光学活性カルボン酸の製法に関する。
る方法、更に詳しくは次の一般式(II) (式中、R1及びR2はそれぞれ水素原子、アルキル基、ア
ルケニル基又は置換基を有してもよいアリール基を示
し、R3は水素原子、アルキル基、アルケニル基又は置換
基を有してもよいナフチル基を示す。ただし、R1、R2及
びR3が同時に水素原子であることはなく、R1及びR2が同
時に水素原子である場合はR3がメチル基でなく、R3が水
素原子である場合はR1とR2が水素原子以外の異なる基で
ある。) で表わされるα,β−不飽和カルボン酸を、一般式(II
I)(V)又は(VII) RuxHyClz(R4-BINAP)2(S)p (III) (式中、R4-BINAPは式(IV) で表わされる三級ホスフインを示し、R4は水素原子又は
メチル基を示し、Sは三級アミンを示し、yが0のとき
xは2、zは4、pは1を示し、yが1のときxは1、
zは1、pは0を示す。) (式中、X-R5-BINAPは式(VI) で表わされる三級ホスフインを示し、R5は水素原子又は
低級アルキル基を示し、Xは水素原子、アミノ基、アセ
チルアミノ基又はスルホン基を示し、R6及びR7は低級ア
ルキル基、ハロゲノ低級アルキル基、低級アルキル基が
置換してもよいフエニル基、α−アミノアルキル基又は
α−アミノフエニルアルキル基を示すか、あるいはR6と
R7が一緒になってアルキレン基を示し、qは1又は2を
示す。) 〔RuHl(R4-BINAP)v〕Yw (VII) (式中、R4-BINAPは前記と同様の意義を有し、YはCl
O4、BF4又はPF6を示し、lが0ときvは1、wは2を示
し、lが1のときvは2、wは1を示す) で表わされるルテニウム−光学活性ホスフイン錯体を触
媒として不斉水素化することを特徴とする一般式(I) (式中、R1、R2及びR3は前記と同様の意義を有する) で表わされる光学活性カルボン酸の製法に関する。
〔従来の技術〕 上記(I)式で表わされる光学活性カルボン酸は、種々
の有用な化合物の合成原料、例えば天然物の生理活性物
質を合成するための中間体、また、液晶材料として注目
されているものである。
の有用な化合物の合成原料、例えば天然物の生理活性物
質を合成するための中間体、また、液晶材料として注目
されているものである。
従来、この光学活性カルボン酸を不斉合成する方法とし
ては、天然に存在する光学活性体を原料とする方法、
微生物を使用する不斉水素化反応を利用する方法、あ
るいは特定の触媒を用いて不斉水素化する方法が知ら
れている。特に式(II)で表わされるα,β−不飽和カ
ルボン酸から不斉合成によつて式(I)の光学活性カル
ボン酸を得る方法としては、ロジウム−光学活性ホスフ
イン錯体を触媒として用いて不斉水素化をする方法が報
告されている。すなわち、C.Fisherら: Tetrahedron Letters,No.29,(1977)p.2487−2490で
は、アトロパ酸(2-メチレンフエニル酢酸)の不斉水素
化においては不斉収率27.5%eeで2-メチルフエニル酢酸
を得ている。P.Aviron-Violetら:J.Mol.Cat.,5、(197
9)、p.41−50では、同じくアトロパ酸の不斉水素化を7
0%eeの不斉収率で報告している。また、M.Yamashita
ら:Bull.Chem.Soc.Jpn.,55(1982)p.2917−2921では、
チグリン酸((E)‐2-メチル‐2-ブテン酸)の不斉水
素化で2-メチル酪酸を62%eeの不斉収率で得ている。
ては、天然に存在する光学活性体を原料とする方法、
微生物を使用する不斉水素化反応を利用する方法、あ
るいは特定の触媒を用いて不斉水素化する方法が知ら
れている。特に式(II)で表わされるα,β−不飽和カ
ルボン酸から不斉合成によつて式(I)の光学活性カル
ボン酸を得る方法としては、ロジウム−光学活性ホスフ
イン錯体を触媒として用いて不斉水素化をする方法が報
告されている。すなわち、C.Fisherら: Tetrahedron Letters,No.29,(1977)p.2487−2490で
は、アトロパ酸(2-メチレンフエニル酢酸)の不斉水素
化においては不斉収率27.5%eeで2-メチルフエニル酢酸
を得ている。P.Aviron-Violetら:J.Mol.Cat.,5、(197
9)、p.41−50では、同じくアトロパ酸の不斉水素化を7
0%eeの不斉収率で報告している。また、M.Yamashita
ら:Bull.Chem.Soc.Jpn.,55(1982)p.2917−2921では、
チグリン酸((E)‐2-メチル‐2-ブテン酸)の不斉水
素化で2-メチル酪酸を62%eeの不斉収率で得ている。
しかしながら、天然物を出発原料とする方法、或は微生
物による方法は比較的高い光学純度のカルボン酸を得る
ことができるが、得られる光学活性カルボン酸の絶対配
置は特定のものに限られ、鏡像体の合成は困難である。
また、ロジウム.光学活性ホスフイン触媒によるα,β
−不飽和カルボン酸誘導体の不斉水素化による方法は得
られるカルボン酸の光学純度も未だ充分でないと共に、
使毛するロジウム金属は生産地および生産量が限られて
おり、その価格も高価なものであるため、これを触媒と
して用いる場合にはその製品価格中に占めるロジウムの
価格の割合が大きくなり、商品の製造原価に影響を与え
るという欠点があつた。
物による方法は比較的高い光学純度のカルボン酸を得る
ことができるが、得られる光学活性カルボン酸の絶対配
置は特定のものに限られ、鏡像体の合成は困難である。
また、ロジウム.光学活性ホスフイン触媒によるα,β
−不飽和カルボン酸誘導体の不斉水素化による方法は得
られるカルボン酸の光学純度も未だ充分でないと共に、
使毛するロジウム金属は生産地および生産量が限られて
おり、その価格も高価なものであるため、これを触媒と
して用いる場合にはその製品価格中に占めるロジウムの
価格の割合が大きくなり、商品の製造原価に影響を与え
るという欠点があつた。
斯かる実状において、本発明者は上記問題点を解決せん
と鋭意研究を行つた結果、触媒として比較的安価な特定
のルテニウム−光学活性ホスフイン錯体を使用して不斉
水素化を行えば高い光学純度のカルボン酸が得られるこ
とを見出し、本発明を完成した。
と鋭意研究を行つた結果、触媒として比較的安価な特定
のルテニウム−光学活性ホスフイン錯体を使用して不斉
水素化を行えば高い光学純度のカルボン酸が得られるこ
とを見出し、本発明を完成した。
すなわち、本発明は、α,β−不飽和カルボン酸(II)
を、前記一般式(III)、(V)又は(VII)で表わされ
るルテニウムー光学活性ホスフイン錯体を触媒とし不斉
水素化して光学活性カルボン酸(I)を製造する方法で
ある。
を、前記一般式(III)、(V)又は(VII)で表わされ
るルテニウムー光学活性ホスフイン錯体を触媒とし不斉
水素化して光学活性カルボン酸(I)を製造する方法で
ある。
本発明を実施するには、α,β−不飽和カルボン酸(I
I)を、メタノール、エタノール、メチルセロソルブ等
のプロテツク溶媒にとかし、基質により等モルのテリエ
チルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリ‐n-
ブチルアミン等の三級アミンを加え、オートクレーブに
仕込み、これにルテニウム−光学活性ホスフイン錯体を
上記のα,β−不飽和カルボン酸に対して1/100〜1/300
0倍モルを加えて、水素圧4〜135kg/cm2、水素化温度0
〜80℃で1時間から100時間撹拌して水素化を行う。反
応後、溶媒を留去して残留物を減圧下で蒸留すれば目的
とする光学活性カルボン酸(I)がほぼ定量的収率で得
られる。
I)を、メタノール、エタノール、メチルセロソルブ等
のプロテツク溶媒にとかし、基質により等モルのテリエ
チルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリ‐n-
ブチルアミン等の三級アミンを加え、オートクレーブに
仕込み、これにルテニウム−光学活性ホスフイン錯体を
上記のα,β−不飽和カルボン酸に対して1/100〜1/300
0倍モルを加えて、水素圧4〜135kg/cm2、水素化温度0
〜80℃で1時間から100時間撹拌して水素化を行う。反
応後、溶媒を留去して残留物を減圧下で蒸留すれば目的
とする光学活性カルボン酸(I)がほぼ定量的収率で得
られる。
本発明の原料であるα,β−不飽和カルボン酸(II)
は、上記式(II)中のR1及びR2がそれぞれ水素原子、ア
ルキル基、アルケニル基又は置換基を有してもよいアリ
ール基であり、R3が水素原子、アルキル基、アルケニル
基又は置換基を有してもよいナフチル基であり、R1、R2
及びR3が同時に水素原子であることはなく、R1及びR2が
同時に水素原子である場合はR3がメチル基でなく、R3が
水素原子である場合はR1とR2が水素原子以外の異なる基
であることが必要である。これは本発明により得られる
目的物のカルボン酸(I)のα位或はβ位の炭素原子が
不斉水素原子となり、光学活性を有するための条件であ
る。このα,β−不飽和カルボン酸(II)の例として、
チグリン酸、アンゲリカ酸((Z)‐2-メチル‐2-ブテ
ン酸)、2-メチル‐2-ペンテン酸、2-メチレンノナン
酸、2-メチル桂皮酸、3-メチル桂皮酸、2-フエニル桂皮
酸、ゲラン酸、6-メトキシ‐α‐メチレン‐2-ナフタレ
ン酢酸等が挙げられる。
は、上記式(II)中のR1及びR2がそれぞれ水素原子、ア
ルキル基、アルケニル基又は置換基を有してもよいアリ
ール基であり、R3が水素原子、アルキル基、アルケニル
基又は置換基を有してもよいナフチル基であり、R1、R2
及びR3が同時に水素原子であることはなく、R1及びR2が
同時に水素原子である場合はR3がメチル基でなく、R3が
水素原子である場合はR1とR2が水素原子以外の異なる基
であることが必要である。これは本発明により得られる
目的物のカルボン酸(I)のα位或はβ位の炭素原子が
不斉水素原子となり、光学活性を有するための条件であ
る。このα,β−不飽和カルボン酸(II)の例として、
チグリン酸、アンゲリカ酸((Z)‐2-メチル‐2-ブテ
ン酸)、2-メチル‐2-ペンテン酸、2-メチレンノナン
酸、2-メチル桂皮酸、3-メチル桂皮酸、2-フエニル桂皮
酸、ゲラン酸、6-メトキシ‐α‐メチレン‐2-ナフタレ
ン酢酸等が挙げられる。
本発明において、触媒として使用するルテニウム‐光学
活性ホスフィン錯体(III)は、T.Ikariyaら;J.Chem.So
c.,Chem.Commun.,(1985)p.922-924及び特開昭61−636
90号で開示されている方法により得ることができる。す
なわち、y=0の場合の式(III)の錯体は、ルテニウ
ムクロライドとシクロオクタ‐1,5-ジエン(以下、COD
と略す)をエタノール溶液中で反応させることにより得
られる〔RuCl2(COD)〕n1モルと、2,2′‐ビス(ジ
‐p-R4-フエニルホスフイノ)‐1,1′‐ビナフチル(R4
-BINAP)1.2モルをトリエチルアミンのごとき三級アミ
ン4モルの存在下、トルエンまたはエタノール等の溶媒
中で加熱反応させることにより得られる。y=1の場合
の化合物は、〔RuCl2(COD)〕n1モル、R4-BINAP2.25
モル及び三級アミン4.5モルを反応させることにより得
られる。
活性ホスフィン錯体(III)は、T.Ikariyaら;J.Chem.So
c.,Chem.Commun.,(1985)p.922-924及び特開昭61−636
90号で開示されている方法により得ることができる。す
なわち、y=0の場合の式(III)の錯体は、ルテニウ
ムクロライドとシクロオクタ‐1,5-ジエン(以下、COD
と略す)をエタノール溶液中で反応させることにより得
られる〔RuCl2(COD)〕n1モルと、2,2′‐ビス(ジ
‐p-R4-フエニルホスフイノ)‐1,1′‐ビナフチル(R4
-BINAP)1.2モルをトリエチルアミンのごとき三級アミ
ン4モルの存在下、トルエンまたはエタノール等の溶媒
中で加熱反応させることにより得られる。y=1の場合
の化合物は、〔RuCl2(COD)〕n1モル、R4-BINAP2.25
モル及び三級アミン4.5モルを反応させることにより得
られる。
以上の製造法において、光学活性なR4-BINAPを使用する
ことにより、これに対応する光学活性な性質を有するル
テニウム‐ホスフイン錯体(III)を得ることが出来
る。
ことにより、これに対応する光学活性な性質を有するル
テニウム‐ホスフイン錯体(III)を得ることが出来
る。
以上のルテニウム‐光学活性ホスフイン錯体(III)の
例として次のものが挙げられる。
例として次のものが挙げられる。
Ru2Cl4(BINAP)2(NEt3) 〔BINAPは、2,2′‐ビス(ジフエニルホスフイノ)‐1,
1′‐ビナフチルをいう〕 Bu2Cl4(T−BINAP)2(NEt3) 〔T−BINAPは、2,2′‐ビス(ジ‐P-トリルホスフイ
ノ)‐1,1′‐ビナフチルをいう〕 RuHCl(BINAP)2 RuHCl(T-BINAP)2 光学活性ホスフィン錯体(V)は、例えば、さきに本発
明者らが出願した特願昭61−108888号の方法に従つて、
上記方法により得られる Ru2HCl4(X-R5-BINAP)2(NEt3)を原料とし、これと
カルボン酸塩をメタノール、エタノール、t-ブタノール
等のアルコール溶媒中で、約20〜110℃の温度で3〜15
時間反応させた後、溶媒を留去して、エーテル、エタノ
ール等の溶媒で目的の錯体を抽出した後、乾固すれば粗
製の錯体が得られる。更に酢酸エチル等で再結晶して精
製品を得ることができる。
1′‐ビナフチルをいう〕 Bu2Cl4(T−BINAP)2(NEt3) 〔T−BINAPは、2,2′‐ビス(ジ‐P-トリルホスフイ
ノ)‐1,1′‐ビナフチルをいう〕 RuHCl(BINAP)2 RuHCl(T-BINAP)2 光学活性ホスフィン錯体(V)は、例えば、さきに本発
明者らが出願した特願昭61−108888号の方法に従つて、
上記方法により得られる Ru2HCl4(X-R5-BINAP)2(NEt3)を原料とし、これと
カルボン酸塩をメタノール、エタノール、t-ブタノール
等のアルコール溶媒中で、約20〜110℃の温度で3〜15
時間反応させた後、溶媒を留去して、エーテル、エタノ
ール等の溶媒で目的の錯体を抽出した後、乾固すれば粗
製の錯体が得られる。更に酢酸エチル等で再結晶して精
製品を得ることができる。
また、トリフロロアセテート基を有する錯体は、上記の
如くして得たジアセテート錯体Ru(X-R5-BINAP)(O2CC
H3)2にトリフロロ酢酸を塩化メチレンを溶媒として約
25℃にて約12時間反応せしめることにより得られる。
如くして得たジアセテート錯体Ru(X-R5-BINAP)(O2CC
H3)2にトリフロロ酢酸を塩化メチレンを溶媒として約
25℃にて約12時間反応せしめることにより得られる。
さらに、ルテニウム金属に2当量の配位子の配位した錯
体、すなわちqが2のものを製造する場合は、上記の方
法で得たRuHCl(X-R5-BINAP)2を原料として、これと
カルボン酸塩を塩化メチレン等の溶媒中で反応せしめれ
ばよい。
体、すなわちqが2のものを製造する場合は、上記の方
法で得たRuHCl(X-R5-BINAP)2を原料として、これと
カルボン酸塩を塩化メチレン等の溶媒中で反応せしめれ
ばよい。
以上の製造法において、光学活性な X-R5-BINAPを使用することにより、これに対応する光学
活性な性質を有するルテニウム‐ホスフイン錯体(V)
を得ることが出来る。斯かる錯体の例として次のものが
挙げられる。
活性な性質を有するルテニウム‐ホスフイン錯体(V)
を得ることが出来る。斯かる錯体の例として次のものが
挙げられる。
Ru(BINAP)(O2CCH3)2 Ru(BINAP)(O2CCF3)2 Ru(T-BINAP)(O2CCF3)2 Ru(T-BINAP)2(O2CCH3)2 Ru(BINAP)(O2Ct-Bu)2 Ru(BINAP)(O2CPh)2 Ru(T-BINAP)(O2CCH3)2 Ru(t-BuBINAP)(O2CCH3)2 Ru(アミノBINAP)(O2CCH3)2 Ru(アセチルアミノBINAP)(O2CCH3)2 Ru(スルホン化BINAP)(O2CCH3)2 Ru(T-BINAP)2(O2CCF3)2 上記式中の記号の説明は次の通りである。t-Bu:ターシ
ヤリーブチル基、i-Pr:イソプロピル基、Ph:フエニル
基、t-BuBINAP:2,2′‐ビス(ジ‐p-ターシヤリ−ブチ
ルフエニルホスフイノ)‐1,1′‐ビナフチル、スルホ
ン化BINAP:2,2′‐ビス(ジフエニルホスフイノ)‐5,
5′‐ビス(スルホン酸ソーダ)‐1,1′‐ビナフチル、
アミノBINAP:2,2′‐ビス(ジフエニルホスフイノ)‐
5,5′‐ビス(アミノ)‐1,1′‐ビナフチル、アセチル
アミノBINAP:2,2′‐ビス(ジフエニルホスフイノ)‐
5,5′‐ビス(アセチルアミノ)‐1,1′‐ビナフチル 光学活性ホスフィン錯体(VII)は、本発明者らが特願
昭61−184651号として出願した方法によつて得ることが
できる。すなわち、(VII)式の錯体のうち、lが0、
vが1、wが2の場合の錯体は、原料として上記方法に
より得た Ru2Cl4(R4-BINAP)2(NEt3)を用い、このものと、次
式(VIII) MY (VIII) (式中、MはNa、K、Li、Mg、Agの金属を示し、YはCl
O4、BF4、PF6を意味する) で表わされる塩とを、溶媒として水と塩化メチレンを用
いて、次式(IX) R8R9R10R11AB (IX) (式中、R8、R9、R10、R11は炭素数1〜16のアルキル
基、フエニル基、ベンジル基を意味し、Aは窒素原子ま
たはリン原子を意味し、Bはハロゲン原子を意味する) で表わされる四級アンモニウム塩または四級ホスホニウ
ム塩を相間移動触媒として使用し、反応せしめてルテニ
ウム‐ホスフイン錯体を得る。Ru2Cl4(R-BINAP)2(N
Et3)と塩(VIII)との反応は、水と塩化メチレンの混
合溶媒中に両者と相間移動触媒(IX)を加えて撹拌して
行わしめる。塩(VIII)及び相間移動触媒(IX)の量
は、ルテニウムに対してそれぞれ2〜10倍モル(好まし
くは5倍モル)、1/100〜1/10倍モルである。反応は5
〜30℃の温度で6〜18時間、通常は12時間の撹拌で充分
である。塩としてはNa、K、Li、Mg、Agの過塩素酸塩、
ホウ弗化塩、ヘキサフルオロホスフエイトが用いられ
る。相間移動触媒(IX)としては、文献〔例えば、W.P.
Weber、G.W.Gokel共著、田伏岩夫、西谷孝子共訳「相間
移動触媒」(株)化学同人(1978-9-5)第1版〕に記載
されているものが用いられる。反応終了後、反応物を静
置し、分液操作を行い、水層を除き、塩化メチレン溶液
を水洗した後、減圧下、塩化メチレンを留去し目的物を
得る。
ヤリーブチル基、i-Pr:イソプロピル基、Ph:フエニル
基、t-BuBINAP:2,2′‐ビス(ジ‐p-ターシヤリ−ブチ
ルフエニルホスフイノ)‐1,1′‐ビナフチル、スルホ
ン化BINAP:2,2′‐ビス(ジフエニルホスフイノ)‐5,
5′‐ビス(スルホン酸ソーダ)‐1,1′‐ビナフチル、
アミノBINAP:2,2′‐ビス(ジフエニルホスフイノ)‐
5,5′‐ビス(アミノ)‐1,1′‐ビナフチル、アセチル
アミノBINAP:2,2′‐ビス(ジフエニルホスフイノ)‐
5,5′‐ビス(アセチルアミノ)‐1,1′‐ビナフチル 光学活性ホスフィン錯体(VII)は、本発明者らが特願
昭61−184651号として出願した方法によつて得ることが
できる。すなわち、(VII)式の錯体のうち、lが0、
vが1、wが2の場合の錯体は、原料として上記方法に
より得た Ru2Cl4(R4-BINAP)2(NEt3)を用い、このものと、次
式(VIII) MY (VIII) (式中、MはNa、K、Li、Mg、Agの金属を示し、YはCl
O4、BF4、PF6を意味する) で表わされる塩とを、溶媒として水と塩化メチレンを用
いて、次式(IX) R8R9R10R11AB (IX) (式中、R8、R9、R10、R11は炭素数1〜16のアルキル
基、フエニル基、ベンジル基を意味し、Aは窒素原子ま
たはリン原子を意味し、Bはハロゲン原子を意味する) で表わされる四級アンモニウム塩または四級ホスホニウ
ム塩を相間移動触媒として使用し、反応せしめてルテニ
ウム‐ホスフイン錯体を得る。Ru2Cl4(R-BINAP)2(N
Et3)と塩(VIII)との反応は、水と塩化メチレンの混
合溶媒中に両者と相間移動触媒(IX)を加えて撹拌して
行わしめる。塩(VIII)及び相間移動触媒(IX)の量
は、ルテニウムに対してそれぞれ2〜10倍モル(好まし
くは5倍モル)、1/100〜1/10倍モルである。反応は5
〜30℃の温度で6〜18時間、通常は12時間の撹拌で充分
である。塩としてはNa、K、Li、Mg、Agの過塩素酸塩、
ホウ弗化塩、ヘキサフルオロホスフエイトが用いられ
る。相間移動触媒(IX)としては、文献〔例えば、W.P.
Weber、G.W.Gokel共著、田伏岩夫、西谷孝子共訳「相間
移動触媒」(株)化学同人(1978-9-5)第1版〕に記載
されているものが用いられる。反応終了後、反応物を静
置し、分液操作を行い、水層を除き、塩化メチレン溶液
を水洗した後、減圧下、塩化メチレンを留去し目的物を
得る。
もう一つの方法として、前記のRu(R4-BINAP)(O2CC
H3)2を原料とし、次式(X) HY (X) (式中、YはClO4、BF4、PF6を意味する) で表わされる酸とを、塩化メチレンとメタノールの混合
溶媒中で撹拌して反応させる。酸(X)の量はルテニウ
ムに対して2〜6倍モル、好ましくは4倍モルである。
反応は5〜30℃の温度で、6〜18時間、通常は12時間撹
拌することで充分である。
H3)2を原料とし、次式(X) HY (X) (式中、YはClO4、BF4、PF6を意味する) で表わされる酸とを、塩化メチレンとメタノールの混合
溶媒中で撹拌して反応させる。酸(X)の量はルテニウ
ムに対して2〜6倍モル、好ましくは4倍モルである。
反応は5〜30℃の温度で、6〜18時間、通常は12時間撹
拌することで充分である。
(VII)式の錯体のうち、lが1、vが2、wが1に相
当する錯体を製造する場合は、上記方法で得たRuHCl(R
4-BINAP)2を原料として、これと塩(VIII)とを相間
移動触媒(IX)の存在下に塩化メチレン等と水の混合溶
媒中で反応せしめればよい。塩(VIII)と相間移動触媒
(IX)の量は、ルテニウムに対してそれぞれ2〜10倍モ
ル(好ましくは5倍モル)、1〜100〜1/10倍モルであ
る。反応は、5〜30℃の温度で6〜18時間、通常は12時
間の撹拌で充分である。
当する錯体を製造する場合は、上記方法で得たRuHCl(R
4-BINAP)2を原料として、これと塩(VIII)とを相間
移動触媒(IX)の存在下に塩化メチレン等と水の混合溶
媒中で反応せしめればよい。塩(VIII)と相間移動触媒
(IX)の量は、ルテニウムに対してそれぞれ2〜10倍モ
ル(好ましくは5倍モル)、1〜100〜1/10倍モルであ
る。反応は、5〜30℃の温度で6〜18時間、通常は12時
間の撹拌で充分である。
斯かる(VII)式の錯体の例として次のものが挙げられ
る。
る。
次に参考例及び実施例により本発明を説明する。
尚実施例中の分析は、次の分析機器を用いて行つた。
ガスクロマトグラフイ:島津GC−9A(株式会社島 津製作所製) カラム:OV-101シリカキヤピラリー、φ 0.25mm×25m(ガスクロ工業株式会 社製) 測定温度100〜250℃で3℃/分で 昇温 高速液体クロマトグラフイー:日立液体クロマトグラフ イー665A-11(株式会社日立製作所 製) カラム:Chemeopack Nucleosil 100-3、φ4.6 mm×300mm(Chemco社製) 展開溶媒:ヘキサン:エーテル=7:3 1ml/分 検出器:UV検出器635M(UV-254)(株式会社日立製作所
製)1 H核磁気共鳴スペクトル:JNM-GX400型(400 MHz)(日本電子株式会社製) 内部標準:テトラメチルケイ素 旋光度計:旋光度計DIP-4(日本分光工業株式会社製)31 P核磁気共鳴スペクトル(以下31PNMRと略す): JNM-GX400型(161MHz)を用い て測定し、化学シフトは85%リン酸を
外部標準として測定 参考例1 Ru2Cl4((−)‐T-BINAP)2(NEt3)(ジ〔2,2′‐ビ
ス(ジ‐p-トリルホスフイノ)‐1,1′‐ビナフチル〕
テトラクロロジルテニウムトリエチルアミン)の合成: 〔RuCl2(COD)〕n1g(3.6ミリモル)と(−)‐T-BINA
P2.9g(4.3ミリモル)を、250mlのシユレンク管に入
れ、充分窒素置換を行つてから、トリエチルアミン1.5
g、トルエン50mlを加え、6時間加熱還流して反応させ
た。反応終了後、溶媒を減圧下で留去した。結晶を塩化
メチレンに溶解した後、セライト上で過し、液を濃
縮乾固し、濃赤色の固体Ru2Cl4((−)‐T-BINAP)2
(NEt3)3.6gを得た。収率100%。
製)1 H核磁気共鳴スペクトル:JNM-GX400型(400 MHz)(日本電子株式会社製) 内部標準:テトラメチルケイ素 旋光度計:旋光度計DIP-4(日本分光工業株式会社製)31 P核磁気共鳴スペクトル(以下31PNMRと略す): JNM-GX400型(161MHz)を用い て測定し、化学シフトは85%リン酸を
外部標準として測定 参考例1 Ru2Cl4((−)‐T-BINAP)2(NEt3)(ジ〔2,2′‐ビ
ス(ジ‐p-トリルホスフイノ)‐1,1′‐ビナフチル〕
テトラクロロジルテニウムトリエチルアミン)の合成: 〔RuCl2(COD)〕n1g(3.6ミリモル)と(−)‐T-BINA
P2.9g(4.3ミリモル)を、250mlのシユレンク管に入
れ、充分窒素置換を行つてから、トリエチルアミン1.5
g、トルエン50mlを加え、6時間加熱還流して反応させ
た。反応終了後、溶媒を減圧下で留去した。結晶を塩化
メチレンに溶解した後、セライト上で過し、液を濃
縮乾固し、濃赤色の固体Ru2Cl4((−)‐T-BINAP)2
(NEt3)3.6gを得た。収率100%。
元素分析値:C102H95Cl4NP4Ru2として Ru C H P 理論値(%):11.21 67.96 5.31 6.87 実測値(%):10.97 67.51 5.88 6.4631 P NMR(CDCl3)δppm:49.65(s) 49.89(s) 51.07(s) 51.30(s) 参考例2 RuHCl((+)‐BINAP)2(ジ〔2,2′‐ビス(ジフエ
ニルホスフイノ)‐1,1′‐ビナフチル〕ヒドリドクロ
リドルテニウム)の合成: 〔RuCl2(COD)〕n0.5g(1.8ミリモル)、(+)‐BINA
P2.6g(4.1ミリモル)を、250mlのシユレンク管に入
れ、充分窒素置換を行つてから、トリエチルアミン0.8g
(8ミリモル)及びエタノール50mlを反応器に入れ、6
時間加熱還流して反応させた。反応終了後、エタノール
を減圧下で留去し、乾燥すると黄色の結晶RuHCl
((+)‐BINAP)22.8gを得た。収率100%。
ニルホスフイノ)‐1,1′‐ビナフチル〕ヒドリドクロ
リドルテニウム)の合成: 〔RuCl2(COD)〕n0.5g(1.8ミリモル)、(+)‐BINA
P2.6g(4.1ミリモル)を、250mlのシユレンク管に入
れ、充分窒素置換を行つてから、トリエチルアミン0.8g
(8ミリモル)及びエタノール50mlを反応器に入れ、6
時間加熱還流して反応させた。反応終了後、エタノール
を減圧下で留去し、乾燥すると黄色の結晶RuHCl
((+)‐BINAP)22.8gを得た。収率100%。
元素分析値:C88H65ClP4Ruとして Ru C H P 理論値(%):7.31 76.43 4.74 8.96 実測値(%):6.95 76.17 5.15 8.6731 P NMR(CDCl3)δppm:21.90(t,J=0.83Hz) 37.74(t,J=0.83Hz) 参考例3 Ru((−)‐BINAP)(O2CCH3)2(〔2,2′‐ビス(ジ
フエニルホスフイノ)‐1,1′‐ビナフチル〕ルテニウ
ム−ジアセテート)の合成: 参考例1に示した方法に準じて(−)‐BINAPを原料と
して合成したRu2Cl4((−)‐BINAP)2(NEt3)1.43g
(0.9ミリモル)と酢酸ソーダ3.06g(37ミリモル)を、
250mlのシユレンク管に入れ、充分窒素置換を行つてか
ら、t-ブタノール100mlを加え、12時間加熱還流して反
応させた。反応終了後、20mmHgの減圧下で、t-ブタノー
ルを留去して乾固した後、エチルエーテル10mlで2回抽
出した。エチルエーテルを留去して乾固し、得られた固
体を更にエタノール10mlで2回抽出した。抽出液を濃縮
して乾固し、粗製のRu((−)‐BINAP)(O2CCH3)21.
5gを得た。このものを更に酢酸エチルエステルから再結
晶を行い、黄褐色の固体0.79gを得た。収率52%。
フエニルホスフイノ)‐1,1′‐ビナフチル〕ルテニウ
ム−ジアセテート)の合成: 参考例1に示した方法に準じて(−)‐BINAPを原料と
して合成したRu2Cl4((−)‐BINAP)2(NEt3)1.43g
(0.9ミリモル)と酢酸ソーダ3.06g(37ミリモル)を、
250mlのシユレンク管に入れ、充分窒素置換を行つてか
ら、t-ブタノール100mlを加え、12時間加熱還流して反
応させた。反応終了後、20mmHgの減圧下で、t-ブタノー
ルを留去して乾固した後、エチルエーテル10mlで2回抽
出した。エチルエーテルを留去して乾固し、得られた固
体を更にエタノール10mlで2回抽出した。抽出液を濃縮
して乾固し、粗製のRu((−)‐BINAP)(O2CCH3)21.
5gを得た。このものを更に酢酸エチルエステルから再結
晶を行い、黄褐色の固体0.79gを得た。収率52%。
融 点:180〜181℃(分解)。
元素分析値:C48H38O4P2Ruとして Ru P C H 理論値(%):12.01 7.36 68.48 4.55 実測値(%):11.85 7.28 68.35 4.6131 P NMR(CDCl3)δppm: 65.00(s)1 H NMR(CDCl3)δppm: 6.5〜7.8(m,32H,ナフチル環とフエ
ニルプロトン) 参考例4 Ru((−)‐T-BINAP)(O2CCF3)2(2,2′‐ビス(ジ
‐p-トリルホスフイノ)‐1,1′‐ビナフチル〕ルテニ
ウム‐ジトリフロロアセテート)の合成: 参考例3に示した方法に準じて(−)‐T-BINAPを原料
として合成したRu((−)‐T-BINAP)(O2CCH3)20.74
g(0.82ミリモル)を、あらかじめ窒素置換を行つた250
mlのシユレンク管に入れ、塩化メチレン10mlにとかし、
均一溶液とした。この中にトリフロロ酢酸0.14ml(1.81
ミリモル)を加えて、室温で12時間撹拌した。反応終了
後、反応液を濃縮乾固し、茶褐の固体Ru((−)‐T-BI
NAP)(O2CCF3)20.7gを得た。収率91%。
ニルプロトン) 参考例4 Ru((−)‐T-BINAP)(O2CCF3)2(2,2′‐ビス(ジ
‐p-トリルホスフイノ)‐1,1′‐ビナフチル〕ルテニ
ウム‐ジトリフロロアセテート)の合成: 参考例3に示した方法に準じて(−)‐T-BINAPを原料
として合成したRu((−)‐T-BINAP)(O2CCH3)20.74
g(0.82ミリモル)を、あらかじめ窒素置換を行つた250
mlのシユレンク管に入れ、塩化メチレン10mlにとかし、
均一溶液とした。この中にトリフロロ酢酸0.14ml(1.81
ミリモル)を加えて、室温で12時間撹拌した。反応終了
後、反応液を濃縮乾固し、茶褐の固体Ru((−)‐T-BI
NAP)(O2CCF3)20.7gを得た。収率91%。
元素分析値:C52H40F6O4P2Ruとして Ru C H P 理論値(%):10.05 62.09 4.01 6.16 実測値(%):9.89 62.27 4.15 5.8231 P NMR(CDCl3)δppm: 59.91(s) 参考例5 Ru((−)‐BINAP)〕(BF4)2(〔2,2′‐ビス(ジ
フエニルホスフイノ)‐1,1′‐ビナフチル〕ルテニウ
ム‐ジテトラフロロボレート)の合成: 上記参考例3で得たRu((−)‐BINAP)(O2CCH3)20.
51g(0.61ミリモル)をシユレンク管に入れ、充分窒素
置換を行つてから、塩化メチレン7ml、メタノール7ml、
42%ホウ弗化水素酸水溶液0.52ml(2.48ミリモル)を加
え、室温にて12時間撹拌した。その後減圧下で濃縮し、
黄褐色の固体〔Ru((−)‐BINAP)〕(BF4)20.53gを
得た。収率97.2%。
フエニルホスフイノ)‐1,1′‐ビナフチル〕ルテニウ
ム‐ジテトラフロロボレート)の合成: 上記参考例3で得たRu((−)‐BINAP)(O2CCH3)20.
51g(0.61ミリモル)をシユレンク管に入れ、充分窒素
置換を行つてから、塩化メチレン7ml、メタノール7ml、
42%ホウ弗化水素酸水溶液0.52ml(2.48ミリモル)を加
え、室温にて12時間撹拌した。その後減圧下で濃縮し、
黄褐色の固体〔Ru((−)‐BINAP)〕(BF4)20.53gを
得た。収率97.2%。
元素分析値:C44H32B2F8P2Ruとして Ru P C H 理論値(%):11.26 6.90 58.90 3.59 実測値(%):10.88 6.51 58.62 3.8231 P NMR(CDCl3)δppm: 10.357(d,J=48.9Hz) 77.450(d,J=48.9Hz) 参考例6 〔Ru((+)‐T-BINAP)〕(ClO4)2(〔2,2′‐ビス
(ジ‐p-トリルホスフイノ)‐1,1′‐ビナフチル〕ル
テニウム過塩素酸塩)の合成: 上記参考例1に示した方法により得られた Ru2Cl4((+)‐T-BINAP)2(NEt3)0.54g(0.3ミリ
モル)を、250mlのシユレンク管に入れ、充分窒素置換
を行つてから、塩化メチレン60mlを加え、つづいて過塩
素酸ソーダ0.36g(3.0ミリモル)を60mlの水に溶解した
ものと、トリエチルベンジルアンモニウムブロマイド16
mg(0.06ミリモル)を3mlの水に溶かしたものを加えた
後、室温にて12時間撹拌して反応させた。反応終了後、
静置し、分液操作を行い水層を取り除き、塩化メチレン
を減圧下にて留去し、減圧下で乾燥を行い、濃褐色の固
体〔Ru((+)‐T-BINAP)〕(ClO4)20.59gを得た。
収率99.6%。
(ジ‐p-トリルホスフイノ)‐1,1′‐ビナフチル〕ル
テニウム過塩素酸塩)の合成: 上記参考例1に示した方法により得られた Ru2Cl4((+)‐T-BINAP)2(NEt3)0.54g(0.3ミリ
モル)を、250mlのシユレンク管に入れ、充分窒素置換
を行つてから、塩化メチレン60mlを加え、つづいて過塩
素酸ソーダ0.36g(3.0ミリモル)を60mlの水に溶解した
ものと、トリエチルベンジルアンモニウムブロマイド16
mg(0.06ミリモル)を3mlの水に溶かしたものを加えた
後、室温にて12時間撹拌して反応させた。反応終了後、
静置し、分液操作を行い水層を取り除き、塩化メチレン
を減圧下にて留去し、減圧下で乾燥を行い、濃褐色の固
体〔Ru((+)‐T-BINAP)〕(ClO4)20.59gを得た。
収率99.6%。
元素分析値:C48H40Cl2O8P2Ruとして Ru P C H 理論値(%):10.32 6.33 58.90 4.12 実測値(%):10.08 5.97 58.61 4.5331 P NMR(CDCl3)δppm: 12.920(d,J=41.1Hz) 61.402(d,J=41.1Hz) 実施例1 (2S)‐(+)‐2-メチル酪酸の製造: あらかじめアルゴン置換した100mlのステンレスオート
クレーブに(E)‐2-メチル‐2-ブテン酸0.2g(2ミリ
モル)とメタノール20mlを入れ、続いて参考例5で合成
したRu〔(−)‐BINAP)〕(BF4)2 6.0mg(0.007ミリ
モル)を入れ、水素圧4Kg/cm2、反応温度20℃で12時間
水素化を行い、溶媒を留去して0.2gの2-メチル酪酸を得
た。収率100%。1 HNMR(CDCI3)δppm:0.95(t,3H)、1.17(d, 3H)、1.15〜2.00(m,2H)、 2.4(m,1H)、9.76(s, 1H) 旋光度:▲〔α〕25 D▼+18.05゜(neat) 得られたカルボン酸と(R)‐(+)‐1-(1-ナフチ
ル)エチルアミンとからアミドを合成し、高速液体クロ
マトグラフイー分析を行つた結果、もとのカルボン酸は
(2S)‐(+)‐2-メチル酪酸95.8%と(2R)‐(−)
‐2-メチル酪酸4.2%の混合物であり(2S)‐(+)‐2
-メチル酪酸の光学純度は91.6%eeであつた。
クレーブに(E)‐2-メチル‐2-ブテン酸0.2g(2ミリ
モル)とメタノール20mlを入れ、続いて参考例5で合成
したRu〔(−)‐BINAP)〕(BF4)2 6.0mg(0.007ミリ
モル)を入れ、水素圧4Kg/cm2、反応温度20℃で12時間
水素化を行い、溶媒を留去して0.2gの2-メチル酪酸を得
た。収率100%。1 HNMR(CDCI3)δppm:0.95(t,3H)、1.17(d, 3H)、1.15〜2.00(m,2H)、 2.4(m,1H)、9.76(s, 1H) 旋光度:▲〔α〕25 D▼+18.05゜(neat) 得られたカルボン酸と(R)‐(+)‐1-(1-ナフチ
ル)エチルアミンとからアミドを合成し、高速液体クロ
マトグラフイー分析を行つた結果、もとのカルボン酸は
(2S)‐(+)‐2-メチル酪酸95.8%と(2R)‐(−)
‐2-メチル酪酸4.2%の混合物であり(2S)‐(+)‐2
-メチル酪酸の光学純度は91.6%eeであつた。
実施例2 (2R)‐(−)‐2-メチル酪酸の製造: あらかじめアルゴン置換した100mlのステンレスオート
クレーブに(E)‐2-メチル‐2-ブテン酸0.2g(2ミリ
モル)とジシクロヘキシルメチルアミン0.39g(2ミリ
モル)とテトラヒドロフラン2mlとエタノール20mlを入
れ、続いて参考例1と同様にして(+)‐BINAPを原料
として合成したRu2Cl4((+)‐BINAP)2(NEt3)6.3
mg(0.004ミリモル)を入れ、水素圧4kg/cm2、反応温度
0℃で12時間水素化を行い、溶媒を留去して0.2gの2-メ
チル酪酸を得た。収率100%。
クレーブに(E)‐2-メチル‐2-ブテン酸0.2g(2ミリ
モル)とジシクロヘキシルメチルアミン0.39g(2ミリ
モル)とテトラヒドロフラン2mlとエタノール20mlを入
れ、続いて参考例1と同様にして(+)‐BINAPを原料
として合成したRu2Cl4((+)‐BINAP)2(NEt3)6.3
mg(0.004ミリモル)を入れ、水素圧4kg/cm2、反応温度
0℃で12時間水素化を行い、溶媒を留去して0.2gの2-メ
チル酪酸を得た。収率100%。
旋光度:▲〔α〕25 D▼−17.30゜(neat) 実施例1と同様な方法でアミドを合成し分析を行つた結
果、2-メチル酪酸の光学純度は86.9%eeであつた。
果、2-メチル酪酸の光学純度は86.9%eeであつた。
実施例3 (2R)‐(−)‐2-メチル酪酸の製造: アルゴン置換した100mlのステンレスオートクレーブ
に、(E)‐2-メチル‐2-ブテン酸0.2g(2ミリモル)
とトリエチルアミン0.2g(2ミリモル)とテトラヒドロ
フラン2mlとエタノール20mlを入れ、続いて参考例2で
合成したRuHCl((+)‐BINAP)26.9mg(0.005ミリモ
ル)を入れ、水素圧30kg/cm2、反応温度80℃で14時間水
素化を行い、溶媒を留去して0.2gの2-メチル酪酸を得
た。収率100%。
に、(E)‐2-メチル‐2-ブテン酸0.2g(2ミリモル)
とトリエチルアミン0.2g(2ミリモル)とテトラヒドロ
フラン2mlとエタノール20mlを入れ、続いて参考例2で
合成したRuHCl((+)‐BINAP)26.9mg(0.005ミリモ
ル)を入れ、水素圧30kg/cm2、反応温度80℃で14時間水
素化を行い、溶媒を留去して0.2gの2-メチル酪酸を得
た。収率100%。
旋光度:▲〔α〕25 D▼+15.60゜(neat) 実施例1と同様な方法でアミドを合成し分析を行つた結
果、2-メチル酪酸の光学純度は77.0%eeであつた。
果、2-メチル酪酸の光学純度は77.0%eeであつた。
実施例4 (2S)‐(+)‐2-メチル酪酸の製造: アルゴン置換した100mlのオートクレーブに(Z)‐2-
メチル‐ブテン酸0.2g(2ミリモル)とメタノール20m
l、ジシクロヘキシルメチルアミン0.39g(2ミリモル)
を加え溶解し、参考例3に示した方法に準じて(+)‐
BINAPを原料として合成したRu((+)‐BINAP)(O2CC
H3)23.4mg(0.004ミリモル)を加え、水素圧125kg/cm2
で25℃の反応温度で4時間撹拌して水素化を行い、溶媒
を留去して、0.2gの2-メチル酪酸を得た。収率100%。
メチル‐ブテン酸0.2g(2ミリモル)とメタノール20m
l、ジシクロヘキシルメチルアミン0.39g(2ミリモル)
を加え溶解し、参考例3に示した方法に準じて(+)‐
BINAPを原料として合成したRu((+)‐BINAP)(O2CC
H3)23.4mg(0.004ミリモル)を加え、水素圧125kg/cm2
で25℃の反応温度で4時間撹拌して水素化を行い、溶媒
を留去して、0.2gの2-メチル酪酸を得た。収率100%。
旋光度:▲〔α〕25 D▼−12.25゜(neat) 実施例1と同様な方法でアミドを合成し、分析を行つた
結果、(2S)‐(+)‐2-メチル酪酸の光学純度は57.9
%eeであつた。
結果、(2S)‐(+)‐2-メチル酪酸の光学純度は57.9
%eeであつた。
実施例5 2-メチル吉草酸の製造: アルゴン置換した100mlのオートクレーブに(E)‐2-
メチル‐2-ペンテン酸0.23g(2ミリモル)とメタノー
ル20mlを加え、これに参考例3で合成したRu((−)‐
BINAP)(O2CCH3)28.4mg(0.01ミリモル)を入れ、水
素圧4kg/cm2で25℃の反応温度で24時間水素化を行い、
溶媒を留去して、0.23gの2-メチル吉草酸を得た。収率1
00%。
メチル‐2-ペンテン酸0.23g(2ミリモル)とメタノー
ル20mlを加え、これに参考例3で合成したRu((−)‐
BINAP)(O2CCH3)28.4mg(0.01ミリモル)を入れ、水
素圧4kg/cm2で25℃の反応温度で24時間水素化を行い、
溶媒を留去して、0.23gの2-メチル吉草酸を得た。収率1
00%。
沸 点:50℃/0.07mmHg1 H NMR(CDCl3)δppm:0.92(t,3H)、 1.18(d,3H)、1.3〜1.5(m,2H)、
1.6〜1.75 (m,1H)、2.48(m,1H)、 11.00(s,1H) 旋光度:▲〔α〕25 D▼+14.40゜(neat) 実施例1と同様な方法でアミドを合成し、分析を行つた
結果、2-メチル吉草酸の光学純度は77.9%eeであつた。
1.6〜1.75 (m,1H)、2.48(m,1H)、 11.00(s,1H) 旋光度:▲〔α〕25 D▼+14.40゜(neat) 実施例1と同様な方法でアミドを合成し、分析を行つた
結果、2-メチル吉草酸の光学純度は77.9%eeであつた。
実施例6 (2R)‐(−)‐2-メチルノナン酸の製造: アルゴン置換した200mlのオートクレーブに2-メチレン
ノナン酸3.0g(17.6ミリモル)とエタノール50mlを加
え、これに参考例6に示した方法に準じて(−)‐T-BI
NAPを原料として合成した〔Ru((−)‐T-BINAP)〕
(ClO4)26.9mg(0.007ミリモル)を入れ、水素圧30kg/
cm2で、20℃の反応温度で、15時間水素化を行ない、溶
媒を留去し、3.0gの2-メチルノナン酸を得た。収率100
%。
ノナン酸3.0g(17.6ミリモル)とエタノール50mlを加
え、これに参考例6に示した方法に準じて(−)‐T-BI
NAPを原料として合成した〔Ru((−)‐T-BINAP)〕
(ClO4)26.9mg(0.007ミリモル)を入れ、水素圧30kg/
cm2で、20℃の反応温度で、15時間水素化を行ない、溶
媒を留去し、3.0gの2-メチルノナン酸を得た。収率100
%。
沸 点:110〜112℃/2mmHg1 H NMR(CDCl3)δppm:0.85〜1.80(m,18H)、2.24 〜2.75(m,1H)、11.90(s,1H) 旋光度:▲〔α〕25 D▼−5.40゜(c2.11,エタノール) 実施例1と同様な方法でアミドを合成し、分析を行つた
結果、(2R)‐(−)‐2-メチルノナン酸の光学純度は
37%eeであつた。
結果、(2R)‐(−)‐2-メチルノナン酸の光学純度は
37%eeであつた。
実施例7 (3S)‐(−)‐シトロネリル酸の製造: アルゴン置換した100mlのオートクレーブに、ゲラン酸
0.34g(2ミリモル)とメタノール20ml、ジシクロヘキ
シルメチルアミン0.39g(2ミリモル)とを加え、参考
例3に示した方法に準じて(+)‐BINAPを原料として
合成したRu((+)‐BINAP)(O2CCH3)25.6mg(0.007
ミリモル)を入れ、水素圧100kg/cm2、25℃の反応温度
で12時間反応を行い、溶媒を留去して、0.34gのシトロ
ネリル酸を得た。収率100%。
0.34g(2ミリモル)とメタノール20ml、ジシクロヘキ
シルメチルアミン0.39g(2ミリモル)とを加え、参考
例3に示した方法に準じて(+)‐BINAPを原料として
合成したRu((+)‐BINAP)(O2CCH3)25.6mg(0.007
ミリモル)を入れ、水素圧100kg/cm2、25℃の反応温度
で12時間反応を行い、溶媒を留去して、0.34gのシトロ
ネリル酸を得た。収率100%。
沸 点:100℃〜0.07mmHg1 H NMR(CDCl3)δppm:0.97(d,3H)、1.1〜1.5(m, 2H)、1.60(s,3H)、1.67(s, 3H)、1.73〜2.50(m,4H)、 5.08(t,1H)、12.30(s,1H) 旋光度:▲〔α〕25 D▼−7.82゜(c2.99,メタノール) 実施例1と同様な方法でアミドを合成し、分析を行つた
結果、(3S)‐(−)‐シトロネリル酸の光学純度は8
7.0%eeであつた。
結果、(3S)‐(−)‐シトロネリル酸の光学純度は8
7.0%eeであつた。
実施例8 ナプロキセン(6-メトキシ‐α‐メチル‐2-ナフタレン
酢酸)の製造: アルゴン置換した100mlのオートクレーブに、6-メトキ
シ‐α‐メチレン‐2-ナフタレン酢酸0.45g(2ミリモ
ル)とメタノール20ml、ジシクロヘキシルメチルアミン
0.39g(2ミリモル)を加え、これに参考例3に準じて
(−)‐T-BINAPを原料として合成したRu((−)‐T-B
INAP)(O2CCH3)29.0mg(0.010ミリモル)を入れ、水
素圧135kg/cm2、17℃の反応温度で12時間水素化を行
い、溶媒を留去して、0.39gのナプロキセンを得た。収
率84%。
酢酸)の製造: アルゴン置換した100mlのオートクレーブに、6-メトキ
シ‐α‐メチレン‐2-ナフタレン酢酸0.45g(2ミリモ
ル)とメタノール20ml、ジシクロヘキシルメチルアミン
0.39g(2ミリモル)を加え、これに参考例3に準じて
(−)‐T-BINAPを原料として合成したRu((−)‐T-B
INAP)(O2CCH3)29.0mg(0.010ミリモル)を入れ、水
素圧135kg/cm2、17℃の反応温度で12時間水素化を行
い、溶媒を留去して、0.39gのナプロキセンを得た。収
率84%。
融 点:154〜155℃1 H NMR(CDCl3)δppm:1.57(d,3H)、3.86(q,1H)、 3.90(s,3H)、7.07〜7.87(m, 6H)、10.83(s,1H) 旋光度:▲〔α〕25 D▼+59.21゜(c1.08,クロロホル
ム) 実施例1と同様な方法でアミドを合成し、分析を行つた
結果、ナプロキセンの光学純度は90.4%eeであつた。
ム) 実施例1と同様な方法でアミドを合成し、分析を行つた
結果、ナプロキセンの光学純度は90.4%eeであつた。
実施例9 ナプロキセンの製造: アルゴン置換した100mlのオートクレーブに、6-メトキ
シ‐α‐メチレン‐2-ナフタレン酢酸0.45g(2ミリモ
ル)とメタノール20mlを加え、これに参考例1で合成し
たRu2Cl4((−)−T−BINAP)2(NEt3)3.6mg(0.00
4ミリモル)を入れ、水素圧40kg/cm2、20℃の反応温度
で24時間水素化を行い、溶媒を留去して、0.42gのナプ
ロキセンを得た。収率92%。
シ‐α‐メチレン‐2-ナフタレン酢酸0.45g(2ミリモ
ル)とメタノール20mlを加え、これに参考例1で合成し
たRu2Cl4((−)−T−BINAP)2(NEt3)3.6mg(0.00
4ミリモル)を入れ、水素圧40kg/cm2、20℃の反応温度
で24時間水素化を行い、溶媒を留去して、0.42gのナプ
ロキセンを得た。収率92%。
融 点:154〜155℃1 H NMR(CDCl3)δppm:1.57(d,3H)、3.86(q,1H)、 3.90(s,3H)、7.07〜7.87(m, 6H)、10.83(s,1H) 旋光度:▲〔α〕25 D▼+49.0゜(c1.01,クロロホル
ム) 実施例1と同様な方法でアミドを合成し、分析を行つた
結果、ナプロキセンの光学純度は74%eeであつた。
ム) 実施例1と同様な方法でアミドを合成し、分析を行つた
結果、ナプロキセンの光学純度は74%eeであつた。
実施例10 ナプロキセンの製造: アルゴン置換した100mlのオートクレーブに、6-メトキ
シ‐α‐メチレン‐2-ナフタレン酢酸0.45g(2ミリモ
ル)とメタノール20mlを加え、これに参考例4で合成し
たRu((−)‐T-BINAP)(O2CCF3)22.0mg(0.002ミリ
モル)を入れ、水素圧40kg/cm2、20℃の反応温度で24時
間水素化を行い、溶媒を留去して、0.43gのナプロキセ
ンを得た。収率93.7%。
シ‐α‐メチレン‐2-ナフタレン酢酸0.45g(2ミリモ
ル)とメタノール20mlを加え、これに参考例4で合成し
たRu((−)‐T-BINAP)(O2CCF3)22.0mg(0.002ミリ
モル)を入れ、水素圧40kg/cm2、20℃の反応温度で24時
間水素化を行い、溶媒を留去して、0.43gのナプロキセ
ンを得た。収率93.7%。
融 点:154〜155℃1 H NMR(CDCl3)δppm:1.57(d,3H)、3.86(q,1H) 、3.90(s,3H)、7.07〜7.87(m, 6H)、10.83(s,1H) 旋光度:▲〔α〕25 D▼+38.87゜(c0.98,クロロホル
ム) 実施例1と同様な方法でアミドを合成し、分析を行つた
結果、ナプロキセンの光学純度は58.8%eeであつた。
ム) 実施例1と同様な方法でアミドを合成し、分析を行つた
結果、ナプロキセンの光学純度は58.8%eeであつた。
実施例11 (3S)‐(+)‐3-フエニル酪酸の製造: アルゴン置換した100mlのオートクレーブに(Z)‐3-
メチル桂皮酸0.32g(2ミリモル)とメタノール20mlを
加え、これに参考例3に準じて(+)‐BINAPを原料と
して合成したRu((+)‐BINAP)(O2CCH3)22.9mg
(0.0034ミリモル)を入れ、水素圧104kg/cm2、25℃で7
0時間反応を行い、溶媒を留去し、0.32gの(3S)‐
(+)‐3-フエニル酪酸を得た。収率100%。
メチル桂皮酸0.32g(2ミリモル)とメタノール20mlを
加え、これに参考例3に準じて(+)‐BINAPを原料と
して合成したRu((+)‐BINAP)(O2CCH3)22.9mg
(0.0034ミリモル)を入れ、水素圧104kg/cm2、25℃で7
0時間反応を行い、溶媒を留去し、0.32gの(3S)‐
(+)‐3-フエニル酪酸を得た。収率100%。
沸 点:170℃〜0.05mmHg1 H NMR(CDCl3)δppm:1.30(d,3H)、2.57(d,1H)、 2.60(d,1H)、3.27(m,1H)、 7.32(broads,5H)、12.20 (s,1H) 旋光度:▲〔α〕25 D▼+0.44゜(c0.94,ベンゼン) 実施例1と同様な方法でアミドを合成し、分析を行つた
結果、(3S)‐(+)‐フエニル酪酸の光学純度は84.8
%eeであつた。
結果、(3S)‐(+)‐フエニル酪酸の光学純度は84.8
%eeであつた。
本発明は、ルテニウム‐光学活性ホスフイン錯体を触媒
として用いて、α,β‐不飽和カルボン酸を不斉水素化
することにより、種々の有用な化合物の合成原料、例え
ば天然物の生理活性物質を合成するための中間体、また
液晶材料等に広範囲に利用できる光学活性カルボン酸を
工業的に有利に製造することのできるものである。
として用いて、α,β‐不飽和カルボン酸を不斉水素化
することにより、種々の有用な化合物の合成原料、例え
ば天然物の生理活性物質を合成するための中間体、また
液晶材料等に広範囲に利用できる光学活性カルボン酸を
工業的に有利に製造することのできるものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 // B01J 31/24 C07B 53/00 B 7419−4H 61/00 300 (72)発明者 芥川 進 神奈川県横浜市港北区篠原町1080−22 (56)参考文献 特開 昭62−185044(JP,A) 特開 昭63−152337(JP,A)
Claims (1)
- 【請求項1】次の一般式(II) (式中、R1及びR2はそれぞれ水素原子、アルキル基、ア
ルケニル基又は置換基を有してもよいアリール基を示
し、R3は水素原子、アルキル基、アルケニル基又は置換
基を有してもよいナフチル基を示す。ただし、R1、R2及
びR3が同時に水素原子であることはなく、R1及びR2が同
時に水素原子である場合はR3がメチル基でなく、R3が水
素原子である場合はR1とR2が水素原子以外の異なる基で
ある。) で表わされるα,β−不飽和カルボン酸を、次の一般式
(III)、(V)又は(VII) RuxHyClz(R4-BINAP)2(S)p (III) (式中、R4-BINAPは式(IV) で表わされる三級ホスフィンを示し、R4は水素原子又は
メチル基を示し、Sは三級アミンを示し、yが0のとき
xは2、zは4、pは1を示し、yが1のときxは1、
zは1、pは0を示す。) (式中、X-R5-BINAPは式(VI) で表わされる三級ホスフィンを示し、R5は水素原子又は
低級アルキル基を示し、Xは水素原子、アミノ基、アセ
チルアミノ基又はスルホン基を示し、R6及びR7は低級ア
ルキル基、ハロゲノ低級アルキル基、低級アルキル基が
置換してもよいフェニル基、α−アミノアルキル基又は
α−アミノフェニルアルキル基を示すか、あるいはR6と
R7が一緒になってアルキレン基を示し、qは1又は2を
示す。) 〔RuHl(R4-BINAP)v〕Yw (VII) (式中、R4-BINAPは前記と同様の意義を有し、YはCl
O4、BF4又はPF6を示し、lが0ときvは1、wは2を示
し、lが1のときvは2、wは1を示す) で表わされるルテニウム−光学活性ホスフィン錯体を触
媒として不斉水素化することを特徴とする一般式(I) (式中、R1、R2及びR3は前記と同様の意義を有する) で表わされる光学活性カルボン酸の製法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP87310023A EP0272787B1 (en) | 1986-11-14 | 1987-11-12 | Catalytic production of optically active carboxylic acid |
| DE8787310023T DE3778857D1 (de) | 1986-11-14 | 1987-11-12 | Katalytische produktion von optisch aktiven carbonsaeuren. |
| US07/121,247 US4962230A (en) | 1986-11-14 | 1987-11-16 | Process for producing optically active carboxylic acid |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61-269589 | 1986-11-14 | ||
| JP26958986 | 1986-11-14 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63239245A JPS63239245A (ja) | 1988-10-05 |
| JPH0720910B2 true JPH0720910B2 (ja) | 1995-03-08 |
Family
ID=17474462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62192339A Expired - Fee Related JPH0720910B2 (ja) | 1986-11-14 | 1987-07-31 | 光学活性カルボン酸の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0720910B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| JP4751579B2 (ja) * | 2004-03-26 | 2011-08-17 | 高砂香料工業株式会社 | 光学活性テトラヒドロイソキノリン類の製造方法 |
| WO2005097811A1 (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-20 | Takasago International Corporation | ホスフィン化合物、それを配位子とする遷移金属錯体及び光学活性カルボン酸の製造法 |
| AT501193B1 (de) * | 2004-12-27 | 2007-03-15 | Dsm Fine Chem Austria Gmbh | Verfahen zur übergangsmetall - katalysierten asymmetrischen hydrierung von acrylsäurederivaten |
| EP1944354B1 (en) | 2005-09-12 | 2011-02-16 | Takasago International Corporation | Flavor composition or fragrance composition, and flavor-improving agent |
| CN101565366B (zh) * | 2008-04-25 | 2013-04-17 | 浙江九洲药业股份有限公司 | 铱络合物在不饱和羧酸不对称催化氢化中的应用 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62185044A (ja) * | 1986-02-07 | 1987-08-13 | Sumitomo Chem Co Ltd | 光学活性フエニル酢酸誘導体の製造法 |
-
1987
- 1987-07-31 JP JP62192339A patent/JPH0720910B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63239245A (ja) | 1988-10-05 |
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