JPH0720935Y2 - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH0720935Y2 JPH0720935Y2 JP1988121049U JP12104988U JPH0720935Y2 JP H0720935 Y2 JPH0720935 Y2 JP H0720935Y2 JP 1988121049 U JP1988121049 U JP 1988121049U JP 12104988 U JP12104988 U JP 12104988U JP H0720935 Y2 JPH0720935 Y2 JP H0720935Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- hfm
- lead portion
- heat dissipation
- contact
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Description
【考案の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本考案は、光学ヘッド等に用いられる半導体レーザ装置
に関する。
に関する。
［従来の技術］ 最近、光学式情報記録再生装置の光学ヘッド等において
は、半導体レーザ光源であるLD（レーザダイオード）の
ノイズ低減のために高周波重畳モジュール（以下HFMと
いう）が使用されている。かかる構成の半導体レーザ装
置においては、LDとHFMとを別体構成にすると、LDのリ
ード部およびHFMとから発せられる電磁波（500〜900MH
z）がLD取付部等の隙から洩れるという問題点があり、V
CCi等の電磁波規制の規格を満足できないという問題点
があった。
は、半導体レーザ光源であるLD（レーザダイオード）の
ノイズ低減のために高周波重畳モジュール（以下HFMと
いう）が使用されている。かかる構成の半導体レーザ装
置においては、LDとHFMとを別体構成にすると、LDのリ
ード部およびHFMとから発せられる電磁波（500〜900MH
z）がLD取付部等の隙から洩れるという問題点があり、V
CCi等の電磁波規制の規格を満足できないという問題点
があった。
実開昭60-92855号公報は、上記問題点に鑑みて案出され
たものである。かかる公報記載の技術は、図３にて示す
ごとく、光出力安定化回路１と高周波重畳回路２とが同
一のシールドケース３内に収納され、半導体レーザ４お
よび光検出器５を内蔵した金属製パッケージ６が該シー
ルドケース３に密着した構成としたものである。かかる
構成によれば、高周波重畳回路（HFM）２から輻射され
る電磁波を有効にシールドできるものである。
たものである。かかる公報記載の技術は、図３にて示す
ごとく、光出力安定化回路１と高周波重畳回路２とが同
一のシールドケース３内に収納され、半導体レーザ４お
よび光検出器５を内蔵した金属製パッケージ６が該シー
ルドケース３に密着した構成としたものである。かかる
構成によれば、高周波重畳回路（HFM）２から輻射され
る電磁波を有効にシールドできるものである。
［考案が解決しようとする課題］ したがって、上記従来技術においては、次のような問題
点があった。
点があった。
（１） ２つのシールドケース3,6（詳細には符号６は
金属製パッケージ）を必要とするためにシールドケース
部が複雑かつ大型化し、コスト高になるとともに組付け
時の作業性も悪い。
金属製パッケージ）を必要とするためにシールドケース
部が複雑かつ大型化し、コスト高になるとともに組付け
時の作業性も悪い。
（２） 大がかりなシールドケース３を必要とするた
め、スペース効率が極めて悪い。
め、スペース効率が極めて悪い。
（３） 高周波重畳回路（HFM）２から輻射される電磁
波のシールドは可能であるが、半導体レーザ４の金属製
パッケージ６はシールドケースではないために半導体レ
ーザ４のリード部から輻射される電磁波を確実にシール
ドできない。
波のシールドは可能であるが、半導体レーザ４の金属製
パッケージ６はシールドケースではないために半導体レ
ーザ４のリード部から輻射される電磁波を確実にシール
ドできない。
（４） 高周波重畳回路２部と半導体レーザ４部を隔離
させて配置構成してあるので、組立作業性、スペース効
率が極めて悪い。
させて配置構成してあるので、組立作業性、スペース効
率が極めて悪い。
本考案は、上記従来技術の問題点に鑑みてなされたもの
であって、簡単かつコンパクトな構成でHFMから輻射さ
れる電磁波を確実にシールドしうるようにした半導体レ
ーザ装置を提供することを目的とする。
であって、簡単かつコンパクトな構成でHFMから輻射さ
れる電磁波を確実にシールドしうるようにした半導体レ
ーザ装置を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］ 上記課題を解決するために、本考案は、コリメータレン
ズ枠と、前記コリメータレンズ枠の端面中央部に取り付
けられる半導体レーザと、前記半導体レーザのリード部
挿通用の穴が形成され、その一面が前記半導体レーザの
端面に対し面接触される放熱板と、前記半導体レーザの
リード部挿通用の穴が形成された底面を有し、該底面が
前記放熱板の他面と面接触される升型形状のケースと、
前記ケース内の底面に面接触され、前記半導体レーザの
リード部にハンダ付けされる高周波重畳基板と、縁部全
周にわたって前記放熱板の前記他面もしくは側面に対し
て面接触し前記ケースの外表面を被覆する升型形状の電
磁シールドカバーとから半導体レーザ装置を構成した。
ズ枠と、前記コリメータレンズ枠の端面中央部に取り付
けられる半導体レーザと、前記半導体レーザのリード部
挿通用の穴が形成され、その一面が前記半導体レーザの
端面に対し面接触される放熱板と、前記半導体レーザの
リード部挿通用の穴が形成された底面を有し、該底面が
前記放熱板の他面と面接触される升型形状のケースと、
前記ケース内の底面に面接触され、前記半導体レーザの
リード部にハンダ付けされる高周波重畳基板と、縁部全
周にわたって前記放熱板の前記他面もしくは側面に対し
て面接触し前記ケースの外表面を被覆する升型形状の電
磁シールドカバーとから半導体レーザ装置を構成した。
［作用］ 上記構成によれば、簡単かつコンパクトな構成でHFMお
よび半導体レーザリード部から輻射される電磁波を確実
にシールドすることができる。
よび半導体レーザリード部から輻射される電磁波を確実
にシールドすることができる。
［実施例］ 以下、図面を用いて本考案の実施例について詳細に説明
する。
する。
（第１実施例） 第１図（ａ）、（ｂ）および（ｃ）は本考案に係る半導
体レーザ装置10の第１実施例を示すものであり、第１図
（ａ）は装置の分解斜視図、第１図（ｂ）は正断面図、
第１図（ｃ）は要部の断面図である。
体レーザ装置10の第１実施例を示すものであり、第１図
（ａ）は装置の分解斜視図、第１図（ｂ）は正断面図、
第１図（ｃ）は要部の断面図である。
図において、11で示すのはピックアップ本体で、このピ
ックアップ本体11にはコリメータ枠12が固定ねじを介し
て固設してある。コリメータ枠12の軸心部には、筒状の
コリメータ調節枠14が軸方向に調節自在に螺着してあ
る。15で示すのはコリメータレンズである。
ックアップ本体11にはコリメータ枠12が固定ねじを介し
て固設してある。コリメータ枠12の軸心部には、筒状の
コリメータ調節枠14が軸方向に調節自在に螺着してあ
る。15で示すのはコリメータレンズである。
コリメータ枠12の上面中央部には、半導体レーザ光源で
あるLD（レーザダイオード）16が固定ねじ17を介して固
定してあり、このLD16の上側面に鉄素材にニッケルメッ
キを施して構成した放熱板18′が直接接触させて取付け
ている。この放熱板18′の上側面にHFMケース20を直接
載置して固定している。
あるLD（レーザダイオード）16が固定ねじ17を介して固
定してあり、このLD16の上側面に鉄素材にニッケルメッ
キを施して構成した放熱板18′が直接接触させて取付け
ている。この放熱板18′の上側面にHFMケース20を直接
載置して固定している。
放熱板18′およびHFMケース20にはLD16のリード部が挿
通するための穴が形成されており、HFMケース20の底部
にHFM基板（モジュール）19が面で接触された状態で配
設され、このHFM基板19にLD16のリード部が緊密に嵌挿
されてハンダ付けされている。
通するための穴が形成されており、HFMケース20の底部
にHFM基板（モジュール）19が面で接触された状態で配
設され、このHFM基板19にLD16のリード部が緊密に嵌挿
されてハンダ付けされている。
HFM基板19のリード線は第１図（ｃ）にて示すごとく貫
通コンデンサ（EMI）20aを介して外部に導き出してあ
る。
通コンデンサ（EMI）20aを介して外部に導き出してあ
る。
21で示すのはHFMカバー（電磁シールドカバー）であ
り、升型形状としている。HFMカバー21はHFMケース20の
外表面を被覆（カバー）し、フランジ部21bの下面を放
熱板18′の上面に面接触させ、フランジ部21bの４隅部
または全周をハンダ50によってハンダ付けする。このよ
うに構成することで、HFM基板19およびLDリード部16aか
ら発せられる電磁波をシールドしうるようにしてある。
り、升型形状としている。HFMカバー21はHFMケース20の
外表面を被覆（カバー）し、フランジ部21bの下面を放
熱板18′の上面に面接触させ、フランジ部21bの４隅部
または全周をハンダ50によってハンダ付けする。このよ
うに構成することで、HFM基板19およびLDリード部16aか
ら発せられる電磁波をシールドしうるようにしてある。
上記構成によれば、放熱板18′によってLD16を囲む必要
がないため放熱板を小型化することができ、従ってハン
ダ付け作業時の熱の逃げを少なくし、ハンダ付け作業の
効率を向上させることができると共に装置を小型化する
ことができる利点がある。また放熱板18′の上面まで延
設したHFMカバー21の周面カバー部21aによってLD16のリ
ード部16aおよびHFM基板19から輻射される電磁波を極め
て有効に、かつ確実にシールドできる。
がないため放熱板を小型化することができ、従ってハン
ダ付け作業時の熱の逃げを少なくし、ハンダ付け作業の
効率を向上させることができると共に装置を小型化する
ことができる利点がある。また放熱板18′の上面まで延
設したHFMカバー21の周面カバー部21aによってLD16のリ
ード部16aおよびHFM基板19から輻射される電磁波を極め
て有効に、かつ確実にシールドできる。
またHFMカバー21のフランジ部21bが放熱板18′の上面と
面接触し、そのフランジ部21bの縁部をハンダ付けする
ことで、上記シールドがより確実なものとなる。
面接触し、そのフランジ部21bの縁部をハンダ付けする
ことで、上記シールドがより確実なものとなる。
またHFM基板19のリード線は、EMIフィルタまたは貫通コ
ンデンサを介して外部に導出してあるので、リード線か
ら電磁波が外部に漏れることはない。
ンデンサを介して外部に導出してあるので、リード線か
ら電磁波が外部に漏れることはない。
（第２実施例） 第２図（ａ）および（ｂ）に本考案の第２実施例を示
す。本実施例の特徴はLD16をコリメータ枠12の上面に直
接接触させないで、このLD支持板25によって保持し、こ
のLD16をLD支持板25をコリメータ枠12の上面中央部で直
接接触させると共に前記LD16の上面に放熱板18′を直接
載置してLD16を固定し、これら放熱板18′およびLD支持
板25をねじ26によってコリメータ枠12に螺着するように
構成した点である。
す。本実施例の特徴はLD16をコリメータ枠12の上面に直
接接触させないで、このLD支持板25によって保持し、こ
のLD16をLD支持板25をコリメータ枠12の上面中央部で直
接接触させると共に前記LD16の上面に放熱板18′を直接
載置してLD16を固定し、これら放熱板18′およびLD支持
板25をねじ26によってコリメータ枠12に螺着するように
構成した点である。
かかる構成によれば、LD支持板25によってLD16を保持し
ているため、LD16はねじ止めに有利な角形、即ち、長方
形とする必要はなく、丸形のものとすることができ、し
かも、装置の小型化およびシールドのためのハンダ付け
作業の効率向上を図る利点がある。その他の構成および
作用、効果は第１実施例と同様であるのでその説明を省
略する。
ているため、LD16はねじ止めに有利な角形、即ち、長方
形とする必要はなく、丸形のものとすることができ、し
かも、装置の小型化およびシールドのためのハンダ付け
作業の効率向上を図る利点がある。その他の構成および
作用、効果は第１実施例と同様であるのでその説明を省
略する。
本出願人の実験によれば、上記各実施例の構成により、
HFM基板（モジュール）19から発せられる周波数500〜90
0MHzにおける電磁波を約20dB低減できることが確認され
ている。
HFM基板（モジュール）19から発せられる周波数500〜90
0MHzにおける電磁波を約20dB低減できることが確認され
ている。
［考案の効果］ 以上のように本考案の半導体レーザ装置によれば、極め
て簡単かつコンパクトな構成として小型化することがで
きるとともに、電磁シールドカバーがその縁部全周にわ
たって面で接触することで確実に隙間を無くし電磁シー
ルドが確実に行える効果を有する。
て簡単かつコンパクトな構成として小型化することがで
きるとともに、電磁シールドカバーがその縁部全周にわ
たって面で接触することで確実に隙間を無くし電磁シー
ルドが確実に行える効果を有する。
第１図（ａ）、（ｂ）および（ｃ）はそれぞれ本考案の
第１実施例を示す分解斜視図、断面図および要部断面
図、 第２図（ａ）および（ｂ）はそれぞれ本考案の第２実施
例を示す分解斜視図および断面図、 第３図は従来技術の説明図である。 12……コリメータ枠 16……LD（半導体レーザ光源） 18′……放熱板 19……HFM基板 20……HFMケース 21……HFMカバー 21a……周面カバー部 25……LD支持板
第１実施例を示す分解斜視図、断面図および要部断面
図、 第２図（ａ）および（ｂ）はそれぞれ本考案の第２実施
例を示す分解斜視図および断面図、 第３図は従来技術の説明図である。 12……コリメータ枠 16……LD（半導体レーザ光源） 18′……放熱板 19……HFM基板 20……HFMケース 21……HFMカバー 21a……周面カバー部 25……LD支持板
Claims (1)
- 【請求項１】コリメータレンズ枠と、 前記コリメータレンズ枠の端面中央部に取り付けられる
半導体レーザと、 前記半導体レーザのリード部挿通用の穴が形成され、そ
の一面が前記半導体レーザの端面に対し面接触される放
熱板と、 前記半導体レーザのリード部挿通用の穴が形成された底
面を有し、該底面が前記放熱板の他面と面接触される升
型形状のケースと、 前記ケース内の底面に面接触され、前記半導体レーザの
リード部にハンダ付けされる高周波重畳基板と、 縁部全周にわたって前記放熱板の前記他面もしくは側面
に対して面接触し前記ケースの外表面を被覆する升型形
状の電極シールドカバーとからなることを特徴とする半
導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988121049U JPH0720935Y2 (ja) | 1988-04-14 | 1988-09-14 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5038088 | 1988-04-14 | ||
| JP1988121049U JPH0720935Y2 (ja) | 1988-04-14 | 1988-09-14 | 半導体レーザ装置 |
| JP63-50380 | 1988-12-24 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0229552U JPH0229552U (ja) | 1990-02-26 |
| JPH0720935Y2 true JPH0720935Y2 (ja) | 1995-05-15 |
Family
ID=31718050
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1988121049U Expired - Lifetime JPH0720935Y2 (ja) | 1988-04-14 | 1988-09-14 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0720935Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4692460B2 (ja) * | 2006-10-05 | 2011-06-01 | 日立電線株式会社 | 光モジュール |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59149231U (ja) * | 1983-03-23 | 1984-10-05 | 株式会社日立製作所 | 半導体レ−ザ高周波重畳基板取付構造 |
| JPS6338356U (ja) * | 1986-08-27 | 1988-03-11 |
-
1988
- 1988-09-14 JP JP1988121049U patent/JPH0720935Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0229552U (ja) | 1990-02-26 |
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