JPH07209861A - ポジ型感放射線性樹脂組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】テルペンフェノール類と１，２−ナフトキノン
ジアジドスルホニルクロライドとのエステル化反応によ
り得られるエステル体とアルカリ可溶性樹脂とを含有す
るポジ型フォトレジスト組成物を溶媒に溶解し感光液と
する。この感光液をシリコンウェハーの様な基板上に塗
布し、次にベークし乾燥させた後、微細パターンの描か
れているマスクを通して紫外線等の放射線を照射し、更
にベークし次いでアルカリ水溶液で現像処理することに
よりレジストパターンを得る。 【効果】本発明のポジ型フォトレジスト組成物は、解像
性が極めて高く、得られたレジストパターン形状も優れ
ているため半導体集積回路の製造に極めて有用である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、紫外線、遠紫外線、電
子線、イオン線及びＸ線等の放射線に感応し、特にＩＣ
等の半導体回路及びフォトマスク作製用として好適なポ
ジ型感放射線性樹脂組成物に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体集積回路の製造において
は、シリコンウェハー、クロム蒸着板等の基板上にレジ
ストを塗布し、放射線を照射し、さらに現像することで
微細パターンを形成、ついでパターン部以外の基板部分
をエッチングする操作が行われている。近年、集積回路
の高性能化及び信頼性向上を図るため、素子の高密度化
の要請が高まってきている。

【０００３】一般にポジ型感放射線性樹脂組成物は、ア
ルカリ可溶性樹脂と樹脂のアルカリ溶解性を抑制するナ
フトキノンジアジド化合物とからなる組成物が広く用い
られている。この組成物に放射線を照射すると感放射線
性を示すナフトキノンジアジド化合物が分解し、系中の
水分と反応してインデンカルボン酸を生成する。このイ
ンデンカルボン酸は抑制力を持たず、逆にアルカリ可溶
性を示すため、照射部はアルカリ現像液に溶解するよう
になる。一方未照射部は、抑制力を有するナフトキノン
ジアジド化合物がそのまま存在する為に、アルカリ現像
液に殆ど溶解せず膨潤もしない。その結果、高解像性の
樹脂パターンを得ることができる。この様な高解像力を
有する、アルカリ可溶性樹脂とナフトキノンジアジド化
合物からなる樹脂組成物が以前より種々開発され、１μ
ｍ前後での半導体製造技術において多く使用されてい
る。しかしながら、半導体回路の高集積化は益々進み、
要求される解像性も０．５μｍ以下となるに至り、光源
もｇ線（４３６ｎｍ）から光学的に解像性の優れたｉ線
（３６５ｎｍ）や遠紫外線（３００ｎｍ以下）へと短波
長化しており、それぞれの光源に適合した、エッチング
耐性を有する高感度、高解像性のポジ型感放射線性樹脂
組成物の開発が強く望まれている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、紫外線、遠
紫外線、電子線、イオン線及びＸ線等の放射線に感応
し、感度、残膜率、解像性のバランスのよいエッチング
耐性の優れた、微細加工用ポジ型感放射線性樹脂組成物
を提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明者等は前記課題を
解決すべく鋭意研究を重ねた結果、本発明に至ったもの
である。すなわち本発明は、アルカリ可溶性樹脂及び式
（１）

【０００６】

【化２】

【０００７】（式中、Ｄは水素原子あるいは、１，２−
ナフトキノンジアジド−５−（及び／又は−４−）スル
ホニル基を示す。ただし、少なくともどちらか１つは
１，２−ナフトキノンジアジド−５−（及び／又は−４
−）スルホニル基を示す。Ｒは−Ｈ、−ＯＨ、アルキル
基、アルコキシ基、アリール基、アリールアルキル基、
アシル基、アシルオキシ基を示す。ｌ，ｍは１〜３の整
数。）で示される感放射線性化合物を含有するポジ型感
放射線性樹脂組成物、に関する。

【０００８】本発明において用いられる式（１）の感放
射線性化合物は、１，２−ナフトキノンジアジド−５−
（及び／又は−４−）スルホニルクロライドと下記式
（２）

【０００９】

【化３】

【００１０】式中 Ｒは −Ｈ、−ＯＨ、アルキル基、
アルコキシ基、アリール基、アリールアルキル基、アシ
ル基、アシルオキシ基を示す。ｌ，ｍは １〜３の整
数。）で示される公知のテルペンフエノール系化合物を
縮合反応させることにより得ることができる。

【００１１】反応は一般に、アセトン、メチルエチルケ
トン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エーテル、酢
酸エチル等のアルコール性ＯＨ基やフェノール性ＯＨ基
を持たない溶媒が用いられ、また反応中に生成する塩化
水素を取り除くため、トリメチルアミン、トリエチルア
ミン、ピリジン等のアミン類、水酸化ナトリウム水溶
液、水酸化カリウム水溶液等の無機アルカリ水溶液が同
時に加えられる。

【００１２】これらの化合物の仕込割合は式（２）の化
合物１当量に対し、１，２−ナフトキノンジアジド−５
−（及び／又は−４−）スルホニルクロライドを０．５
〜２．０当量である。その量が０．５当量以下では、生
成した式（１）の化合物を使用したレジスト組成物のア
ルカリ現像液に対する抑制力が低下するため未露光部の
許容出来ない膜減りや転写パターン形状の劣化を招く。

【００１３】本発明のポジ型感放射線性樹脂組成物にお
いて用いるアルカリ可溶性樹脂としては、ノボラック樹
脂、レゾール樹脂、ポリビニルフェノール、（メタ）ア
クリル酸、（メタ）アクリル酸エステル、スチレン−マ
レイン酸共重合体、スチレン−（メタ）アクリル酸共重
合体等が挙げられるが、特にノボラック樹脂が本発明に
おいて好適に使用される。ノボラック樹脂としては、フ
ェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレ
ゾール、ビスフェノール−Ａ、ビスフェノール−Ｆ、レ
ゾルシノール、ピロガロール、２，６−キシレノール、
２，４−キシレノール、２，５−キシレノール、３，５
−キシレノール、２，４，６−トリメチルフェノール、
２，３，５−トリメチルフェノール等のフェノール類を
単独又は２種以上組み合わせて、ホルムアルデヒド、パ
ラホルムアルデヒド、トリオキサン、ベンズアルデヒ
ド、ｏ−ニトロベンズアルデヒド、ｐ−ニトロベンズア
ルデヒド、ｏ−メチルベンズアルデヒド、ｐ−メチルベ
ンズアルデヒド等のアルデヒド類と酸性触媒下、重縮合
させることによって得ることができる。該酸性触媒とし
ては、塩酸、硫酸、燐酸、硝酸、ギ酸、シュウ酸、酢酸
等が挙げられる。

【００１４】本発明において用いられるアルカリ可溶性
樹脂の重量平均分子量は、１，０００〜２０，０００、
好ましくは２，０００〜１５，０００である。分子量が
１，０００未満では耐熱性が著しく低下したり、アルカ
リ現像液に対する溶解性が高くなり過ぎる傾向がある。
また２０，０００を超えると感度低下や現像性低下等の
傾向がみられる。

【００１５】本発明におけるアルカリ可溶性樹脂及び式
（１）で示される感放射線性化合物の組成比率は、全固
形分を１００重量部としたとき、アルカリ可溶性樹脂は
５０〜９５重量部、好ましくは６０〜９０重量部、感放
射線性化合物は５〜５０重量部であり、好ましくは１０
〜４０重量部である。感放射線性化合物の比率が５重量
部未満では、アルカリ現像液に対する溶解抑制効果が著
しく低下し、転写パターン形状に影響する。また５０重
量部を超えると、感度低下及び転写後のパターンの耐熱
性が低くなる。

【００１６】本発明のポジ型感放射線性樹脂組成物は、
通常前記各成分を有機溶剤に溶解して感光液の形で用い
られる。この際用いられる有機溶剤としては、エチルセ
ロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート、プ
ロピレングリコールメチルエーテルアセテート、メトキ
シプロピルアセテート、プロピレングリコールプロピル
エーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチル
エーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、
メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルアセテー
ト、アミルアセテート、メチルエチルケトン、メチルイ
ソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルラクテー
ト、エチルラクテート、ブチルラクテート等を挙げるこ
とができる。特に感放射線性化合物及びアルカリ可溶性
樹脂に対する溶解力が強く、また毒性の極めて低いラク
テート類、及びメトキシプロピルアセテートは有用であ
る。これらは、単独で用いてもよいし、２種以上混合し
て使用することができる。

【００１７】本発明のポジ型感放射線性樹脂組成物は、
さらに用途に応じて、増感剤、可塑剤、光変色剤、染
料、密着向上剤、界面活性剤、保存安定剤等の添加剤を
添加することができる。

【００１８】本発明のポジ型感放射線性樹脂組成物を固
形分が１０〜５０重量％となるように前記溶剤に溶解
し、孔径０．５μｍ以下のフィルターで濾過後スピンコ
ーター、バーコーター等によりクロム蒸着板、ウェハー
等の基板に塗布し乾燥することにより感光層が形成され
る。ついで所定のフォトマスク、ステンシルマスク等の
マスクを通して放射線を照射、又は放射線を走査し直接
選択的に放射線を照射した後、必要に応じて７０〜１４
０℃で加熱処理を施し、アルカリ水溶液により現像する
ことにより良好な樹脂パターンを転写することができ
る。この際使用される現像液としては、水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、
メタケイ酸ナトリウム等の無機アルカリ水溶液、又はテ
トラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、テトラエ
チルアンモニウムハイドロオキサイド、コリン、トリメ
タノールアミン、トリエタノールアミン、トリエチルア
ミン等の有機アルカリ水溶液等が使用できる。これらア
ルカリ水溶液中の溶質の濃度は好ましくは０．５〜５％
であるがこの範囲に限定されるものではない。また該現
像液には、メタノール、エタノール、プロパノール等の
水溶性有機溶媒や界面活性剤を適量添加することができ
る。現像時間としては通常３０秒乃至５分である。

【００１９】

【実施例】以下実施例により本発明を更に詳細に説明す
るが、本発明はこれらに限定されるものではない。

【００２０】合成例１ 下記式（３）で表される化合物５．０ｇ（０．０１５４
モル）及び１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホ
ニルクロライド８．３ｇ（０．０３０９モル）をテトラ
ヒドロフラン３０ｍｌに溶解させた。ついで、トリエチ
ルアミン３．７ｇ（０．０３７１モル）の３０％テトラ
ヒドロフラン溶液を３０度以下の温度で滴下した。滴下
後、さらに室温で３時間撹拌を続け、反応を完結させ
た。反応後、溶液を純水１０００ｍｌに滴下し、析出し
た結晶を濾取、水洗し乾燥させて感放射線性化合物を得
た。得られた化合物（以下化合物Ａとする）を高速液体
クロマトグラフにより分析したところ、ジエステル体
１００％であった。ＵＶ吸収スペクトルの測定結果、λ
max は２２５ｎｍであった。

【００２１】

【化４】

【００２２】合成例２ 下記式（４）で表される化合物５．０ｇ（０．０１４２
モル）及び１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホ
ニルクロライド７．６ｇ（０．０２８４モル）をテトラ
ヒドロフラン ３０ｍｌに溶解させた。ついで、トリエ
チルアミン３．５ｇ（０．０３４７モル）の３０％テト
ラヒドロフラン溶液を３０度以下の温度で滴下した。滴
下後、さらに室温で３時間撹拌を続け、反応を完結させ
た。反応後、溶液を純水１０００ｍｌに滴下し、析出し
た結晶を濾取、水洗し乾燥させて感放射線性化合物を得
た。得られた化合物（以下化合物Ｂとする）は、ジエス
テル体１００％であった。ＵＶ吸収スペクトルの測定結
果、λmax は２２５ｎｍであった。

【００２３】

【化５】

【００２４】合成例３ 下記式（５）で表される化合物５．０ｇ（０．０１３モ
ル）及び１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニ
ルクロライド７．０ｇ（０．０２６モル）をテトラヒド
ロフラン３０ｍｌに溶解させた。ついで、トリエチルア
ミン３．２ｇ（０．０３１７モル）の３０％テトラヒド
ロフラン溶液を３０度以下の温度で滴下た。滴下後、さ
らに室温で３時間撹拌を続け、反応を完結させた。反応
後、溶液を純水１０００ｍｌに滴下し、析出した結晶を
濾取、水洗し乾燥させて感放射線性化合物を得た。得ら
れた化合物（以下化合物Ｃとする）は、モノエステル体
１４％、ジエステル体８６％であった。ＵＶ吸収スペク
トルの測定結果、いずれもλmax は２２５ｎｍであっ
た。

【００２５】

【化６】

【００２６】合成例４ 上記式（４）で表される化合物５．０ｇ（０．０１４２
モル）及び１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホ
ニルクロライド５．７２ｇ（０．０２１３モル）をテト
ラヒドロフラン３０ｍｌに溶解させた。ついで、トリエ
チルアミン２．６ｇ（０．０２５７モル）の３０％テト
ラヒドロフラン溶液を３０度以下の温度で滴下した。滴
下後、さらに室温で３時間撹拌を続け、反応を完結させ
た。反応後、溶液を純水１０００ｍｌに滴下し、析出し
た結晶を濾取、水洗し乾燥させて感放射線性化合物を得
た。得られた化合物（以下化合物Ｄとする）は、モノエ
ステル体２４％、ジエステル体７６％であった。ＵＶ吸
収スペクトルの測定結果、いずれもλmax は２２５ｎｍ
であった。

【００２７】合成例５ 上記式（５）で表される化合物５．０ｇ（０．０１３モ
ル）及びナフトキノンジアジド−４−スルホニルクロラ
イド５．２３ｇ（０．０１９５モル）をテトラヒドロフ
ラン３０ｍｌに溶解させた。ついで、トリエチルアミン
２．４ｇ（０．０２３８モル）の３０％テトラヒドロフ
ラン溶液を３０度以下の温度で滴下した。滴下後、さら
に室温で３時間撹拌を続け反応を完結させた。反応後、
溶液を純水１０００ｍｌに滴下し、析出した結晶を濾
取、水洗し乾燥させて感放射線性化合物を得た。得られ
た化合物（以下化合物Ｅとする）は、モノエステル体３
５％、ジエステル体６５％であった。ＵＶ吸収スペクト
ルの測定結果、いずれもλmax は２２５ｎｍであった。

【００２８】実施例１ 化合物Ａ２ｇ及びクレゾールノボラック（メタ／パラ比
＝５／５；分子量３，４００）８ｇをフッ素系界面活性
剤を添加した乳酸エチル３５ｇに溶解させ、孔径０．１
μｍのメンブランフィルターで濾過し本発明の組成物の
溶液を得た。得られた溶液を、低反射膜を有するクロム
蒸着板上に回転数１，５００ｒｐｍで回転塗布した後、
表面温度９０℃のホットプレート上で５分間ソフトベー
クして膜厚１．０μｍの感放射線層を得た。ついで超高
圧水銀灯に東芝硝子製Ｖ−４２，ＵＶＤ−３５フィルタ
ーを装着し、透過してきた３６５ｎｍの紫外線を用い
て、マスクを介し照射を行った。照射後、表面温度１１
０℃のホットプレート上で５分間ポストエクスポージャ
ーベークし、ついでテトラメチルアンモニウムハイドロ
オキサイド２．３８重量％水溶液で温度２３℃にて６０
秒間現像、純水でリンスし、クロム基板上に転写パター
ンを得、感度、解像性、パターン形状、残膜率、耐熱性
の評価を行った。その結果、感度は２００ｍＪ／ｃ
ｍ² 、０．５μｍラインアンドスペースを解像し、パタ
ーンは剥離もなく矩形を示し、残膜率は９９％以上あ
り、１３０℃までパターンの変形を起こさず高い耐熱性
を示した。

【００２９】実施例２ 化合物Ａ２ｇ及びクレゾールノボラック（メタ／パラ比
＝４／６；分子量２，４００）１０ｇをフッ素系界面活
性剤を添加したエチルラクテート１０ｇに溶解させ、孔
径０．５μｍのメンブランフィルターで濾過し本発明の
組成物の溶液を調製した。得られた溶液を、銅張り積層
板上にバーコーターで塗布した後、温度９０℃のオーブ
ン中で１５分間ソフトベークして膜厚５μｍの感放射線
層を得た。ついで超高圧水銀灯の紫外線を用いてマスク
を介し照射を行い、２％メタケイ酸ナトリウム水溶液で
現像、水洗を行った。その結果、感度は９５０ｍＪ／ｃ
ｍ² 、１．５μｍラインアンドスペースを解像し、剥離
は観察されなかった。

【００３０】実施例３ 化合物Ｂ１．２ｇ及びクレゾールノボラック（メタ／パ
ラ比＝４／６；分子量２，４００）８ｇをフッ素系界面
活性剤を添加したエチルラクテート２５ｇに溶解させ、
孔径０．１μｍのメンブランフィルターで濾過し本発明
の組成物の溶液を調製した。得られた溶液を、酸化膜を
有するシリコンウェハー上に回転数４，０００ｒｐｍで
回転塗布した後、表面温度９０℃のホットプレート上で
９０秒間ソフトベークして膜厚１．２μｍの感放射線層
を得た。ついで超高圧水銀灯に東芝硝子製Ｖ−４２，Ｕ
ＶＤ−３５フィルターを装着し、透過してきた３６５ｎ
ｍの紫外線を用いて、マスクを介し照射を行った。照射
後表面温度１１０℃のホットプレート上で６０秒間ポス
トエクスポージャーベークし、ついでテトラメチルアン
モニウムハイドロオキサイド２．３８重量％水溶液で温
度２３℃にて６０秒間現像、純水でリンスし、シリコン
ウェハー上に転写パターンを得、感度、解像性、パター
ン形状、残膜率、耐熱性の評価を行った。その結果、感
度は２２０ｍＪ／ｃｍ² 、０．５μｍラインアンドスペ
ースを解像し、パターンは剥離もなく矩形を示し、残膜
率は９９％以上あり、１２５℃までパターンの変形を起
こさず高い耐熱性を示した。

【００３１】実施例４ 化合物Ｂ１．６ｇ及びクレゾールノボラック（メタ／パ
ラ比＝５／５；分子量５，０００）８ｇをフッ素系界面
活性剤を添加したエチルラクテート３０ｇに溶解させ孔
径０．１μｍのメンブランフィルターで濾過し本発明の
組成物の溶液を調製した。得られた溶液を、ベアーシリ
コンウェハー上に回転数４，０００ｒｐｍで回転塗布し
た後、表面温度９０℃のホットプレート上で９０秒間ソ
フトベークして膜厚１．２μｍの感放射線層を得た。つ
いで超高圧水銀灯に東芝硝子製ＫＬ−２５フィルターを
装着し、透過してきた遠紫外線を用い、マスクを介し照
射を行った。照射後、表面温度１１０℃のホットプレー
ト上で６０秒間ポストエクスポージャーベークし、つい
でテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド２．３
８重量％水溶液で温度２３℃にて６０秒間現像、純水に
てリンスし、シリコンウェハー上に転写パターンを得、
感度、解像性、パターン形状、残膜率、耐熱性の評価を
行った。その結果、感度は２５０ｍＪ／ｃｍ² 、０．５
μｍラインアンドスペースを解像、パターンは剥離もな
く矩形を示し、残膜率は９９％以上あり、１３０℃まで
パターンの変形を起こさず高い耐熱性を示した。

【００３２】実施例５ 化合物Ｂ２．２ｇ及びクレゾールノボラック（メタ／パ
ラ比＝６／４；分子量７，０００）８ｇをジメチルフォ
ルムアミド及びフッ素系界面活性剤を添加したエチルラ
クテート６０ｇに溶解させ、孔径０．１μｍのメンブラ
ンフィルターで濾過し本発明の組成物の溶液を得た。得
られた溶液を、低反射膜層を有するクロム蒸着板上に回
転数１，５００ｒｐｍで回転塗布した後、表面温度９０
℃のホットプレート上で５分間ソフトベークして膜厚
０．４μｍの感放射線層を得た。ついで超高圧水銀灯に
東芝硝子製Ｖ−４２，ＵＶＤ−３５フィルターを装着
し、透過してきた３６５ｎｍの紫外線を用いて、マスク
を介し照射を行った。照射後、表面温度１１０℃のホッ
トプレート上で５分間ポストエクスポージャーベーク
し、ついでテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイ
ド２．３８重量％水溶液で温度２３℃にて６０秒間現
像、純水でリンスし、クロム基板上に転写パターンを
得、感度、解像性、パターン形状、残膜率、耐熱性の評
価を行った。その結果、感度は１００ｍＪ／ｃｍ² 、
０．５μｍラインアンドスペースを解像し、パターンは
剥離もなく矩形を示し、残膜率は９９％以上あり、１３
０℃までパターンの変形を起こさず高い耐熱性を示し
た。

【００３３】実施例６ 化合物Ｃ２ｇ及びクレゾールノボラック（メタ／パラ比
＝４／６；分子量１０，０００）８ｇをフッ素系界面活
性剤を添加したメトキシプロピルアセテート２５ｇに溶
解させ、孔径０．１μｍのメンブランフィルターで濾過
し本発明の組成物の溶液を調製した。得られた溶液を、
酸化膜を有するシリコンウェハー上に回転数４，０００
ｒｐｍで回転塗布した後、表面温度９０℃のホットプレ
ート上で３分間ソフトベークして膜厚１．２μｍの感放
射線層を得た。ついで超高圧水銀灯に東芝硝子製Ｖ−４
２，ＵＶＤ−３５フィルターを装着し、透過してきた３
６５ｎｍの紫外線を用いて、マスクを介し照射を行っ
た。照射後、表面温度１１０℃のホットプレート上で１
分間ポストエクスポージャーベークし、ついでテトラメ
チルアンモニウムハイドロオキサイド２．３８重量％水
溶液で温度２３℃にて６０秒間現像、純水でリンスを行
いシリコンウェハー上に転写パターンを得、感度、解像
性、パターン形状、残膜率、耐熱性の評価を行った。そ
の結果、感度は２２０ｍＪ／ｃｍ² 、０．５μｍライン
アンドスペースを解像、パターンは剥離もなく矩形を示
し、残膜率は９９％以上あり、１３５℃までパターンの
変形を起こさず高い耐熱性を示した。

【００３４】実施例７ 化合物Ｄ２ｇ及びクレゾールノボラック（メタ／パラ比
＝４／６；分子量５，０００）８ｇをフッ素系界面活性
剤を添加したメトキシプロピルアセテート３０ｇに溶解
させ、孔径０．１μｍのメンブランフィルターで濾過し
本発明の組成物の溶液を調製した。得られた溶液を、酸
化膜を有するシリコンウェハー上に回転数４，０００ｒ
ｐｍで回転塗布した後、表面温度９０℃のホットプレー
ト上で２分間ソフトベークして膜厚１．２μｍの感放射
線層を得た。ついで超高圧水銀灯に東芝硝子製Ｖ−４
２，ＵＶＤ−３５フィルターを装着し、透過してきた３
６５ｎｍの紫外線を用いて、マスクを介し照射を行っ
た。照射後、表面温度１１０℃のホットプレート上で１
分間ポストエクスポージャーベークし、ついでテトラメ
チルアンモニウムハイドロオキサイド２．３８重量％水
溶液で温度２３℃にて６０秒間現像、純水にてリンス
し、シリコンウェハー上に転写パターンを得、感度、解
像性、パターン形状、残膜率、耐熱性の評価を行った。
その結果、感度は２８０ｍＪ／ｃｍ² 、０．５μｍライ
ンアンドスペースを解像し、パターンは剥離もなく矩形
を示し、残膜率は９９％以上あり、１２０℃までパター
ンの変形を起こさず高い耐熱性を示した。

【００３５】実施例８ 化合物Ｅ２．５ｇ及びクレゾールノボラック（メタ／パ
ラ比＝６／４；分子量１０，０００）８ｇをフッ素系界
面活性剤を添加したエチルセロソルブアセテート乳酸エ
チル７０ｇに溶解させ、孔径０．１μｍのメンブランフ
ィルターで濾過し本発明の組成物の溶液を得た。得られ
た溶液を、低反射膜層を有するクロム蒸着板上に回転数
１，５００ｒｐｍで回転塗布した後、表面温度９０℃の
ホットプレート上で３分間ソフトベークして膜厚０．４
５μｍの感放射線層を得た。ついで超高圧水銀灯に東芝
硝子製Ｖ−４２，ＵＶＤ−３５フィルターを装着し、透
過してきた３６５ｎｍの紫外線を用いて、マスクを介し
照射を行った。照射後表面温度１００℃のホットプレー
ト上で５分間ポストエクスポージャーベークし、ついで
テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド２．３８
重量％水溶液で温度２３℃にて６０秒間現像、純水でリ
ンスし、クロム基板上に転写パターンを得、感度、解像
性、パターン形状、残膜率、耐熱性の評価を行った。そ
の結果、感度は１２０ｍＪ／ｃｍ² 、０．５μｍライン
アンドスペースを解像し、パターンは剥離もなく矩形を
示し、残膜率は９９％以上あり、１３０℃までパターン
の変形を起こさず高い耐熱性を示した。

【００３６】実施例９ 化合物Ｅ １．２ｇ及びクレゾールノボラック（メタ／
パラ比＝５／４；分子量 ３，４００） ８ｇをジメチ
ルフォルムアミド及びフッ素系界面活性剤を添加したプ
ロピレングリコールプロピルエーテルアセテート ６０
ｇに溶解させ、孔径０．１μｍのメンブランフィルター
で濾過し本発明の組成物の溶液を得た。得られた溶液
を、低反射膜層を有するクロム蒸着板上に回転数１，５
００ｒｐｍで回転塗布した後、表面温度９０℃のホット
プレート上で５分間ソフトベークして膜厚０．４μｍの
感放射線層を得た。ついで電子線照射装置を用いて電子
線照射を行った。ついでテトラメチルアンモニウムハイ
ドロオキサイド２．３８重量％水溶液で温度２３℃にて
６０秒間現像、純水にてリンスし、クロム基板上に転写
パターンを得、感度、解像性、パターン形状、残膜率、
耐熱性の評価を行った。その結果、感度は４５μＣ／ｃ
ｍ² 、０．５μｍラインアンドスペースを解像し、パタ
ーンは剥離もなく矩形を示し、残膜率は９９％以上あ
り、１３０℃までパターンの変形を起こさず高い耐熱性
を示した。

【００４０】

【発明の効果】本発明のポジ型感放射線樹脂組成物は、
放射線に対する感度が高く、基板に転写されたパターン
は、膨潤がなく感度、解像度が極めて優れ、さらに剥離
もなく耐熱性に極めて優れているので、半導体集積回路
の製造に極めて有用である。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 アルカリ可溶性樹脂及び式（１） 【化１】 （式中、Ｄは水素原子あるいは、１，２−ナフトキノン
   ジアジド−５−（及び／又は−４−）スルホニル基を示
   す。ただし、少なくともどちらか１つは１，２−ナフト
   キノンジアジド−５−（及び／又は−４−）スルホニル
   基を示す。Ｒは−Ｈ、−ＯＨ、アルキル基、アルコキシ
   基、アリール基、アリールアルキル基、アシル基、アシ
   ルオキシ基を示す。ｌ，ｍは１〜３の整数。）で示され
   る感放射線性化合物を含有することを特徴とするポジ型
   感放射線性樹脂組成物。
2. 【請求項２】 アルカリ可溶性樹脂の重量平均分子量が
   １，０００〜２０，０００である請求項１のポジ型感放
   射線性樹脂組成物。