JPH07210822A - 磁気ヘッド - Google Patents
磁気ヘッドInfo
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- JPH07210822A JPH07210822A JP528194A JP528194A JPH07210822A JP H07210822 A JPH07210822 A JP H07210822A JP 528194 A JP528194 A JP 528194A JP 528194 A JP528194 A JP 528194A JP H07210822 A JPH07210822 A JP H07210822A
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 飽和磁束密度が高くて熱的安定性にも優れた
軟磁性合金薄膜の構成を明らかにすることにより、高密
度磁気記録に適した磁気ヘッドを提供する。 【構成】 本発明による磁気ヘッドは、磁気コアの少な
くとも一部が、Ｎｉ−Ｆｅ系合金等からなる結晶質の磁
性薄膜とＣｏ−Ｚｒ系合金等からなる非晶質の磁性薄膜
とを少なくとも１層づつ積層した薄膜体にて構成され、
該積層薄膜体の最下層が、前記結晶質の磁性薄膜にて構
成されることを特徴とするものである。
軟磁性合金薄膜の構成を明らかにすることにより、高密
度磁気記録に適した磁気ヘッドを提供する。 【構成】 本発明による磁気ヘッドは、磁気コアの少な
くとも一部が、Ｎｉ−Ｆｅ系合金等からなる結晶質の磁
性薄膜とＣｏ−Ｚｒ系合金等からなる非晶質の磁性薄膜
とを少なくとも１層づつ積層した薄膜体にて構成され、
該積層薄膜体の最下層が、前記結晶質の磁性薄膜にて構
成されることを特徴とするものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＨＤＤ（ハード・ディ
スク・ドライブ）等の磁気記録再生装置に使用される磁
気ヘッドに関するものである。
スク・ドライブ）等の磁気記録再生装置に使用される磁
気ヘッドに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】磁気コアや通電コイルが薄膜体で構成さ
れる薄膜磁気ヘッドの磁気コア材としては、従来、Ｎｉ
−Ｆｅ系合金薄膜が用いらることが多かった。７０〜９
０原子％Ｎｉ−Ｆｅ合金薄膜は高透磁率を有し耐食性に
も優れているが、飽和磁束密度が高々１．０Ｔ程度であ
るため、最近の高密度磁気記録システムには対応できな
くなってきている。
れる薄膜磁気ヘッドの磁気コア材としては、従来、Ｎｉ
−Ｆｅ系合金薄膜が用いらることが多かった。７０〜９
０原子％Ｎｉ−Ｆｅ合金薄膜は高透磁率を有し耐食性に
も優れているが、飽和磁束密度が高々１．０Ｔ程度であ
るため、最近の高密度磁気記録システムには対応できな
くなってきている。
【０００３】一方、高飽和磁束密度で高透磁率の磁性薄
膜としては、特開昭５９−１２５６０７号にＣｏ−Ｚｒ
系非晶質合金薄膜が開示されている。Ｚｒの含有量が５
原子％程度以上のＣｏ−Ｚｒ合金は、スパッタリング法
にて成膜されることにより非晶質化して優れた軟磁気特
性を示し、Ｚｒ含有量が５原子％のときの飽和磁束密度
は約１．５Ｔで、高密度磁気記録用磁気ヘッドの磁気コ
ア材として好適である。
膜としては、特開昭５９−１２５６０７号にＣｏ−Ｚｒ
系非晶質合金薄膜が開示されている。Ｚｒの含有量が５
原子％程度以上のＣｏ−Ｚｒ合金は、スパッタリング法
にて成膜されることにより非晶質化して優れた軟磁気特
性を示し、Ｚｒ含有量が５原子％のときの飽和磁束密度
は約１．５Ｔで、高密度磁気記録用磁気ヘッドの磁気コ
ア材として好適である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Ｚｒ含
有量が５〜６原子％程度のＣｏ−Ｚｒ系合金薄膜は、非
晶質化が可能ではあるものの成膜条件の設定、制御が難
しく、成膜後も熱的に不安定で、磁気ヘッドの製造プロ
セスにおける加熱処理によって特性が劣化するという問
題がある。
有量が５〜６原子％程度のＣｏ−Ｚｒ系合金薄膜は、非
晶質化が可能ではあるものの成膜条件の設定、制御が難
しく、成膜後も熱的に不安定で、磁気ヘッドの製造プロ
セスにおける加熱処理によって特性が劣化するという問
題がある。
【０００５】また、薄膜磁気ヘッドとしての実用時に
は、記録電流によるコイルの発熱のために磁気コアが加
熱、冷却というヒートサイクルを受け、熱的に不安定な
非晶質合金薄膜の磁気特性が徐々に劣化していくという
問題もある。
は、記録電流によるコイルの発熱のために磁気コアが加
熱、冷却というヒートサイクルを受け、熱的に不安定な
非晶質合金薄膜の磁気特性が徐々に劣化していくという
問題もある。
【０００６】このような問題は、Ｚｒ含有量の増大や第
３元素の添加によってある程度改善されるが、Ｚｒ含有
量の増大や第３元素の添加は、磁性原子としてのＣｏの
含有量低下を意味し、飽和磁束密度の低下をもたらす。
３元素の添加によってある程度改善されるが、Ｚｒ含有
量の増大や第３元素の添加は、磁性原子としてのＣｏの
含有量低下を意味し、飽和磁束密度の低下をもたらす。
【０００７】本発明は、飽和磁束密度が高くて耐熱性や
耐食性にも優れた軟磁性合金薄膜の構成を明らかにする
ことにより、高密度磁気記録に適した磁気ヘッドを提供
するものである。
耐食性にも優れた軟磁性合金薄膜の構成を明らかにする
ことにより、高密度磁気記録に適した磁気ヘッドを提供
するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明による磁気ヘッド
は、磁気コアの少なくとも一部が、Ｎｉ−Ｆｅ系合金等
からなる結晶質の磁性薄膜とＣｏ−Ｚｒ系合金等からな
る非晶質の磁性薄膜とを少なくとも１層づつ積層した薄
膜体にて構成され、該積層薄膜体の最下層が、前記結晶
質の磁性薄膜にて構成されることを特徴とするものであ
る。
は、磁気コアの少なくとも一部が、Ｎｉ−Ｆｅ系合金等
からなる結晶質の磁性薄膜とＣｏ−Ｚｒ系合金等からな
る非晶質の磁性薄膜とを少なくとも１層づつ積層した薄
膜体にて構成され、該積層薄膜体の最下層が、前記結晶
質の磁性薄膜にて構成されることを特徴とするものであ
る。
【０００９】
【作用】上記本発明の構成によれば、Ｃｏ−Ｚｒ系合金
薄膜の形成過程におけるＮｉ−Ｆｅ系合金薄膜との原子
配列の非整合性や、Ｎｉ−Ｆｅ系合金薄膜中の原子がＣ
ｏ−Ｚｒ系合金薄膜中に拡散すること等により、Ｃｏ−
Ｚｒ系合金薄膜の非晶質化が促進される。
薄膜の形成過程におけるＮｉ−Ｆｅ系合金薄膜との原子
配列の非整合性や、Ｎｉ−Ｆｅ系合金薄膜中の原子がＣ
ｏ−Ｚｒ系合金薄膜中に拡散すること等により、Ｃｏ−
Ｚｒ系合金薄膜の非晶質化が促進される。
【００１０】また、Ｎｉ−Ｆｅ系合金薄膜は耐熱性、耐
食性に優れているため、該Ｎｉ−Ｆｅ系合金薄膜とＣｏ
−Ｚｒ系合金薄膜とを積層すれば、Ｃｏ−Ｚｒ系合金薄
膜の飽和磁束密度を低下させることなく、積層薄膜体と
しての耐熱性、耐食性が向上する。
食性に優れているため、該Ｎｉ−Ｆｅ系合金薄膜とＣｏ
−Ｚｒ系合金薄膜とを積層すれば、Ｃｏ−Ｚｒ系合金薄
膜の飽和磁束密度を低下させることなく、積層薄膜体と
しての耐熱性、耐食性が向上する。
【００１１】さらに、Ｎｉ−Ｆｅ系合金薄膜は、薄膜磁
気ヘッドにおいて磁気コア層の成膜下地となるＳｉＯ2
等の酸化物絶縁体層に対する付着力が強いため、該Ｎｉ
−Ｆｅ系合金薄膜をＣｏ−Ｚｒ系合金薄膜と酸化物絶縁
体層との間に介在させることによって、高飽和磁束密度
の積層薄膜体からなる磁気コア層が酸化物絶縁体層上に
強固に形成されることになり、薄膜磁気ヘッドとしての
信頼性が向上する。
気ヘッドにおいて磁気コア層の成膜下地となるＳｉＯ2
等の酸化物絶縁体層に対する付着力が強いため、該Ｎｉ
−Ｆｅ系合金薄膜をＣｏ−Ｚｒ系合金薄膜と酸化物絶縁
体層との間に介在させることによって、高飽和磁束密度
の積層薄膜体からなる磁気コア層が酸化物絶縁体層上に
強固に形成されることになり、薄膜磁気ヘッドとしての
信頼性が向上する。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。
【００１３】本発明の磁気ヘッドにおいては、磁気コア
の少なくとも一部が、図１の（ａ）〜（ｃ）に示すよう
に、Ｎｉ−Ｆｅ系合金等からなる結晶質の磁性薄膜１と
Ｃｏ−Ｚｒ系合金等からなる非晶質の磁性薄膜２とを少
なくとも１層づつ積層した薄膜体にて構成される。そし
て、図１の（ａ）は非晶質磁性薄膜２の下側のみに結晶
質磁性薄膜１を配した例、（ｂ）は非晶質磁性薄膜２の
下側及び上側に結晶質磁性薄膜１を配した例、（ｃ）は
非晶質磁性薄膜２と結晶質磁性薄膜１とを交互に積層し
た例を示しているが、いずれの場合でも積層薄膜体の最
下層は結晶質の磁性薄膜１にて構成される。なお、図１
において符号３にて示されているのは、前記積層薄膜体
の成膜下地である。
の少なくとも一部が、図１の（ａ）〜（ｃ）に示すよう
に、Ｎｉ−Ｆｅ系合金等からなる結晶質の磁性薄膜１と
Ｃｏ−Ｚｒ系合金等からなる非晶質の磁性薄膜２とを少
なくとも１層づつ積層した薄膜体にて構成される。そし
て、図１の（ａ）は非晶質磁性薄膜２の下側のみに結晶
質磁性薄膜１を配した例、（ｂ）は非晶質磁性薄膜２の
下側及び上側に結晶質磁性薄膜１を配した例、（ｃ）は
非晶質磁性薄膜２と結晶質磁性薄膜１とを交互に積層し
た例を示しているが、いずれの場合でも積層薄膜体の最
下層は結晶質の磁性薄膜１にて構成される。なお、図１
において符号３にて示されているのは、前記積層薄膜体
の成膜下地である。
【００１４】本発明の実施対象となる磁気ヘッドとして
は、磁気コアや通電コイルが薄膜体で構成される薄膜磁
気ヘッドのみならず、磁気コアを構成する薄膜体が非磁
性基板に挟持されてなる磁気ヘッドや、フェライト製磁
気コアのギャップ突き合わせ部に磁性薄膜を配したＭＩ
Ｇ（メタルインギャップ）型の磁気ヘッド等が挙げられ
る。
は、磁気コアや通電コイルが薄膜体で構成される薄膜磁
気ヘッドのみならず、磁気コアを構成する薄膜体が非磁
性基板に挟持されてなる磁気ヘッドや、フェライト製磁
気コアのギャップ突き合わせ部に磁性薄膜を配したＭＩ
Ｇ（メタルインギャップ）型の磁気ヘッド等が挙げられ
る。
【００１５】ここで、本発明を特徴づける積層薄膜体に
おける、結晶質磁性薄膜の膜厚について説明する。
おける、結晶質磁性薄膜の膜厚について説明する。
【００１６】図２は、ガラス基板上に各種膜厚のＮｉ−
Ｆｅ合金薄膜を形成し、その上に厚さ１μｍのＣｏ−Ｚ
ｒ合金薄膜を形成した積層薄膜体における、保磁力Ｈｃ
（曲線Ａ）及び飽和磁束密度Ｂｓ（曲線Ｂ）を示すもの
である。
Ｆｅ合金薄膜を形成し、その上に厚さ１μｍのＣｏ−Ｚ
ｒ合金薄膜を形成した積層薄膜体における、保磁力Ｈｃ
（曲線Ａ）及び飽和磁束密度Ｂｓ（曲線Ｂ）を示すもの
である。
【００１７】成膜にはマルチカソード型のマグネトロン
スパッタ装置を用い、Ｎｉ−Ｆｅ合金としては約８０原
子％Ｎｉのもの、Ｃｏ−Ｚｒ合金としては約５．５原子
％Ｚｒのものを用いた。また、磁性薄膜に異方性を付与
して透磁率を向上させるため、基板の周辺に永久磁石を
設置して基板表面に平行な所定の方向に３０Ｏｅの静磁
場を印加しながら成膜した。
スパッタ装置を用い、Ｎｉ−Ｆｅ合金としては約８０原
子％Ｎｉのもの、Ｃｏ−Ｚｒ合金としては約５．５原子
％Ｚｒのものを用いた。また、磁性薄膜に異方性を付与
して透磁率を向上させるため、基板の周辺に永久磁石を
設置して基板表面に平行な所定の方向に３０Ｏｅの静磁
場を印加しながら成膜した。
【００１８】図２によれば、Ｃｏ−Ｚｒ膜の下にＮｉ−
Ｆｅ膜を介在させることによる保磁力の低下、すなわち
軟磁気特性の向上は、Ｎｉ−Ｆｅ膜の厚さが５０Åの場
合でも顕著に認められるが、Ｎｉ−Ｆｅ膜の膜厚増大に
伴う薄膜積層体としての保磁力低下の傾向は、Ｎｉ−Ｆ
ｅ膜の厚さが１００Åを越えると徐々に緩やかなものと
なり、５００Åを越えると、それ以上保磁力が低下しな
くなる。
Ｆｅ膜を介在させることによる保磁力の低下、すなわち
軟磁気特性の向上は、Ｎｉ−Ｆｅ膜の厚さが５０Åの場
合でも顕著に認められるが、Ｎｉ−Ｆｅ膜の膜厚増大に
伴う薄膜積層体としての保磁力低下の傾向は、Ｎｉ−Ｆ
ｅ膜の厚さが１００Åを越えると徐々に緩やかなものと
なり、５００Åを越えると、それ以上保磁力が低下しな
くなる。
【００１９】一方、Ｎｉ−Ｆｅ膜の膜厚増大に伴う薄膜
積層体としての飽和磁束密度の低下傾向は直線的で、Ｃ
ｏ−Ｚｒ単層膜の約１．５５ＴをＮｉ−Ｆｅ単層膜の約
１．０Ｔで単純に希釈したものと見なすことができ、Ｃ
ｏ−Ｚｒ膜におけるＺｒ含有量の増大に伴う飽和磁束密
度の低下傾向（後述の図３、図４参照）のように単純希
釈則から下方に大きくずれるようなことがない。
積層体としての飽和磁束密度の低下傾向は直線的で、Ｃ
ｏ−Ｚｒ単層膜の約１．５５ＴをＮｉ−Ｆｅ単層膜の約
１．０Ｔで単純に希釈したものと見なすことができ、Ｃ
ｏ−Ｚｒ膜におけるＺｒ含有量の増大に伴う飽和磁束密
度の低下傾向（後述の図３、図４参照）のように単純希
釈則から下方に大きくずれるようなことがない。
【００２０】次に、非晶質となるべき磁性合金薄膜の非
晶質化組成領域について説明する。
晶質化組成領域について説明する。
【００２１】図３は、ガラス基板上にＮｉ−Ｆｅ合金薄
膜（厚さ３００Å）を形成し、その上に各種組成のＣｏ
−Ｚｒ合金薄膜（厚さ１μｍ）を形成した積層薄膜体に
おける、保磁力Ｈｃ（曲線Ｃ）及び飽和磁束密度Ｂｓ
（曲線Ｄ）を示すものであり、図４は、ガラス基板上に
直接形成した各種組成のＣｏ−Ｚｒ合金薄膜（厚さ１μ
ｍ）における、保磁力Ｈｃ（曲線Ｅ）及び飽和磁束密度
Ｂｓ（曲線Ｆ）を示すものである。
膜（厚さ３００Å）を形成し、その上に各種組成のＣｏ
−Ｚｒ合金薄膜（厚さ１μｍ）を形成した積層薄膜体に
おける、保磁力Ｈｃ（曲線Ｃ）及び飽和磁束密度Ｂｓ
（曲線Ｄ）を示すものであり、図４は、ガラス基板上に
直接形成した各種組成のＣｏ−Ｚｒ合金薄膜（厚さ１μ
ｍ）における、保磁力Ｈｃ（曲線Ｅ）及び飽和磁束密度
Ｂｓ（曲線Ｆ）を示すものである。
【００２２】図３と図４とを比較すればわかるように、
Ｃｏ−Ｚｒ単層膜では保磁力が１Ｏｅ以下となる組成領
域が約５原子％Ｚｒ以上であるのに対して、Ｃｏ−Ｚｒ
膜とＮｉ−Ｆｅ膜との積層膜では保磁力が１Ｏｅ以下と
なる組成領域が約４．５原子％Ｚｒ以上にまで広がり、
保磁力が約１Ｏｅとなるときの飽和磁束密度は約０．０
３Ｔ高くなる。
Ｃｏ−Ｚｒ単層膜では保磁力が１Ｏｅ以下となる組成領
域が約５原子％Ｚｒ以上であるのに対して、Ｃｏ−Ｚｒ
膜とＮｉ−Ｆｅ膜との積層膜では保磁力が１Ｏｅ以下と
なる組成領域が約４．５原子％Ｚｒ以上にまで広がり、
保磁力が約１Ｏｅとなるときの飽和磁束密度は約０．０
３Ｔ高くなる。
【００２３】なお、保磁力の１Ｏｅという値は、磁気ヘ
ッドの磁気コア材として要求される軟磁気特性の目安と
なる値であり、図３及び図４において、保磁力が１Ｏｅ
となるＣｏ−Ｚｒ膜の組成付近を境にしてＺｒ高濃度側
で保磁力が著しく小さくなっているのは、その組成付近
を境にしてＺｒ高濃度側でＣｏ−Ｚｒ膜が非晶質化して
いることに対応した現象であると考えられる。
ッドの磁気コア材として要求される軟磁気特性の目安と
なる値であり、図３及び図４において、保磁力が１Ｏｅ
となるＣｏ−Ｚｒ膜の組成付近を境にしてＺｒ高濃度側
で保磁力が著しく小さくなっているのは、その組成付近
を境にしてＺｒ高濃度側でＣｏ−Ｚｒ膜が非晶質化して
いることに対応した現象であると考えられる。
【００２４】また、昇温に伴う保磁力の上昇に関して
も、保磁力が１Ｏｅ以上となる温度を結晶化温度と見な
せば、Ｎｉ−Ｆｅ膜上に形成されたＣｏ−Ｚｒ膜では、
Ｃｏ−Ｚｒ単層膜に比べて結晶化温度が約１５℃上昇し
た。
も、保磁力が１Ｏｅ以上となる温度を結晶化温度と見な
せば、Ｎｉ−Ｆｅ膜上に形成されたＣｏ−Ｚｒ膜では、
Ｃｏ−Ｚｒ単層膜に比べて結晶化温度が約１５℃上昇し
た。
【００２５】さらに、５〜６原子％ＺｒのＣｏ−Ｚｒ単
層膜においては、成膜時の基板温度が１００℃を越える
と結晶化して保磁力が著しく増大するのに対して、Ｎｉ
−Ｆｅ膜上に形成したＣｏ−Ｚｒ膜では、基板温度を２
００℃にしても保磁力が大ききくなるようなことがなか
った。
層膜においては、成膜時の基板温度が１００℃を越える
と結晶化して保磁力が著しく増大するのに対して、Ｎｉ
−Ｆｅ膜上に形成したＣｏ−Ｚｒ膜では、基板温度を２
００℃にしても保磁力が大ききくなるようなことがなか
った。
【００２６】次に、本発明を特徴づける積層薄膜体の耐
食性について説明する。
食性について説明する。
【００２７】図５は、厚さ１μｍのＣｏ−Ｚｒ単層膜
（白ヌキの三角印）、厚さ３００ÅのＮｉ−Ｆｅ膜上に
厚さ１μｍのＣｏ−Ｚｒ膜を形成した２層膜（黒塗りの
四角印）、厚さ３００ÅのＮｉ−Ｆｅ膜上に厚さ１μｍ
のＣｏ−Ｚｒ膜を形成し、さらにその上に厚さ３００Å
のＮｉ−Ｆｅ膜を形成した３層膜（白ヌキの四角印）に
ついて、ＪＩＳ規格（規格番号ＪＩＳ−Ｚ２３１７）に
準じた塩水噴霧試験を行い、時間経過に伴う飽和磁束密
度の変化を、初期の飽和磁束密度の値で規格化して示し
たものである。
（白ヌキの三角印）、厚さ３００ÅのＮｉ−Ｆｅ膜上に
厚さ１μｍのＣｏ−Ｚｒ膜を形成した２層膜（黒塗りの
四角印）、厚さ３００ÅのＮｉ−Ｆｅ膜上に厚さ１μｍ
のＣｏ−Ｚｒ膜を形成し、さらにその上に厚さ３００Å
のＮｉ−Ｆｅ膜を形成した３層膜（白ヌキの四角印）に
ついて、ＪＩＳ規格（規格番号ＪＩＳ−Ｚ２３１７）に
準じた塩水噴霧試験を行い、時間経過に伴う飽和磁束密
度の変化を、初期の飽和磁束密度の値で規格化して示し
たものである。
【００２８】図５によれば、Ｎｉ−Ｆｅ膜とＣｏ−Ｚｒ
膜との積層膜はＣｏ−Ｚｒ単層膜に比べて耐食性に優れ
ていることがわかり、特にＣｏ−Ｚｒ膜の上下にＮｉ−
Ｆｅ膜を形成した積層膜では、飽和磁束密度の低下がほ
とんど認められない。
膜との積層膜はＣｏ−Ｚｒ単層膜に比べて耐食性に優れ
ていることがわかり、特にＣｏ−Ｚｒ膜の上下にＮｉ−
Ｆｅ膜を形成した積層膜では、飽和磁束密度の低下がほ
とんど認められない。
【００２９】
【発明の効果】以上のように、本発明の磁気ヘッドにお
いては、磁気コアを構成する磁性薄膜が、高飽和磁束密
度で軟磁気特性や耐熱性、耐食性にも優れた軟磁性合金
薄膜で構成されることになり、該磁気ヘッドは高密度磁
気記録に適したものとなる。
いては、磁気コアを構成する磁性薄膜が、高飽和磁束密
度で軟磁気特性や耐熱性、耐食性にも優れた軟磁性合金
薄膜で構成されることになり、該磁気ヘッドは高密度磁
気記録に適したものとなる。
【図１】本発明実施例による積層薄膜体の断面図であ
る。
る。
【図２】本発明実施例及び比較例を示す実験結果図であ
る。
る。
【図３】本発明実施例及び比較例を示す実験結果図であ
る。
る。
【図４】比較例を示す実験結果図である。
【図５】本発明実施例及び比較例を示す実験結果図であ
る。
る。
【符号の説明】 １ 結晶質磁性薄膜 ２ 非晶質磁性薄膜 ３ 成膜下地
Claims (3)
- 【請求項１】 磁気コアの少なくとも一部が、結晶質の
磁性薄膜と非晶質の磁性薄膜とを少なくとも１層ずつ積
層した薄膜体にて構成され、該積層薄膜体の最下層が、
前記結晶質の磁性薄膜にて構成されることを特徴とする
磁気ヘッド。 - 【請求項２】 前記結晶質の磁性薄膜がＮｉ−Ｆｅ系合
金からなり、前記非晶質の磁性薄膜がＣｏ−Ｚｒ系合金
からなることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド。 - 【請求項３】 前記結晶質の磁性薄膜の厚さが１層につ
き５０Å以上であることを特徴とする請求項１記載の磁
気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP528194A JPH07210822A (ja) | 1994-01-21 | 1994-01-21 | 磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP528194A JPH07210822A (ja) | 1994-01-21 | 1994-01-21 | 磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07210822A true JPH07210822A (ja) | 1995-08-11 |
Family
ID=11606865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP528194A Pending JPH07210822A (ja) | 1994-01-21 | 1994-01-21 | 磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07210822A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015115088A (ja) * | 2013-12-13 | 2015-06-22 | シーゲイト テクノロジー エルエルシー | 磁気抵抗性センサシールド |
| KR20250042250A (ko) * | 2023-09-19 | 2025-03-27 | 세종대학교산학협력단 | 비정질 박막 및 결정질막을 포함하는 복층막을 포함하는, 다층 박막의 제조방법 및 이에 따라 제조된 다층 박막 |
-
1994
- 1994-01-21 JP JP528194A patent/JPH07210822A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015115088A (ja) * | 2013-12-13 | 2015-06-22 | シーゲイト テクノロジー エルエルシー | 磁気抵抗性センサシールド |
| KR20250042250A (ko) * | 2023-09-19 | 2025-03-27 | 세종대학교산학협력단 | 비정질 박막 및 결정질막을 포함하는 복층막을 포함하는, 다층 박막의 제조방법 및 이에 따라 제조된 다층 박막 |
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