JPH07215765A - 誘電体磁器組成物及びその製造方法 - Google Patents
誘電体磁器組成物及びその製造方法Info
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- JPH07215765A JPH07215765A JP844594A JP844594A JPH07215765A JP H07215765 A JPH07215765 A JP H07215765A JP 844594 A JP844594 A JP 844594A JP 844594 A JP844594 A JP 844594A JP H07215765 A JPH07215765 A JP H07215765A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 Ｌａ2 Ｏ3 ・ｘ（ｚＭｇＯ・（１−ｚ）Ｚｎ
Ｏ）・ｙＮｂ2 Ｏ5 （式中、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ、
０．５０≦ｘ＜１．００、０．００＜ｙ≦０．５０、
０．００＜ｚ＜１．００の範囲内の値を示す）で表わさ
れる組成を有する誘電体磁器組成物。 【効果】 比誘電率（εr ）を３０〜４０と高く保ち、
またＱ値を測定周波数３ＧＨｚで８０００以上と大きく
することにより誘電損失を減少させることができる。ま
た組成等を変化させることにより共振周波数の温度係数
（τf ）を＋５０〜−５０ｐｐｍ／℃の範囲内で一定の
値に制御することができる。本発明に係る誘電体磁器組
成物は、このような特性を有する結果、従来よりさらに
汎用性の高い誘電体磁器素子を構成して電子、電気機器
回路等に提供することが可能となった。
Ｏ）・ｙＮｂ2 Ｏ5 （式中、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ、
０．５０≦ｘ＜１．００、０．００＜ｙ≦０．５０、
０．００＜ｚ＜１．００の範囲内の値を示す）で表わさ
れる組成を有する誘電体磁器組成物。 【効果】 比誘電率（εr ）を３０〜４０と高く保ち、
またＱ値を測定周波数３ＧＨｚで８０００以上と大きく
することにより誘電損失を減少させることができる。ま
た組成等を変化させることにより共振周波数の温度係数
（τf ）を＋５０〜−５０ｐｐｍ／℃の範囲内で一定の
値に制御することができる。本発明に係る誘電体磁器組
成物は、このような特性を有する結果、従来よりさらに
汎用性の高い誘電体磁器素子を構成して電子、電気機器
回路等に提供することが可能となった。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は誘電体磁器組成物及びそ
の製造方法に関し、より詳細には、主としてマイクロ波
帯域において使用されるレゾネーター、フィルタ、コン
デンサ、基板等を構成する誘電体磁器組成物及びその製
造方法に関する。
の製造方法に関し、より詳細には、主としてマイクロ波
帯域において使用されるレゾネーター、フィルタ、コン
デンサ、基板等を構成する誘電体磁器組成物及びその製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、自動車電話、携帯電話、コードレ
ス電話等の無線通信用機器に用いられる空中線共用器
（デュプレクサー）や電圧制御発振器等に使用される共
振器、あるいはＣＡＴＶ用チューナに使用されるフィル
タ等に高周波用誘電体磁器が多く用いられている。この
ような共振器等においては、高誘電率の材料を使用する
ことにより、高周波の波長を真空中の１／εr 1/2 （ε
r ：比誘電率）の長さに短縮し、かかる周波数における
１波長、１／２波長、あるいは１／４波長のマイクロ波
を高周波誘電体磁器の中に閉じ込め、所定の使用効果が
得られるように小型に構成したものが一般的に知られて
いる。
ス電話等の無線通信用機器に用いられる空中線共用器
（デュプレクサー）や電圧制御発振器等に使用される共
振器、あるいはＣＡＴＶ用チューナに使用されるフィル
タ等に高周波用誘電体磁器が多く用いられている。この
ような共振器等においては、高誘電率の材料を使用する
ことにより、高周波の波長を真空中の１／εr 1/2 （ε
r ：比誘電率）の長さに短縮し、かかる周波数における
１波長、１／２波長、あるいは１／４波長のマイクロ波
を高周波誘電体磁器の中に閉じ込め、所定の使用効果が
得られるように小型に構成したものが一般的に知られて
いる。
【０００３】このような高周波誘電体磁器に要求される
特性としては、 誘電体中では電磁波の波長が１／εr 1/2 に短縮さ
れ、同じ共振周波数では比誘電率が大きいほど小型化で
きるため、可能な限り比誘電率が大であること、 高周波帯域での誘電損失（１／Ｑ）が小さいこと、す
なわちＱ値が大きいこと、 共振周波数の温度変化に対する変化率が少ないこと、
すなわち誘電率の温度依存性が小さくかつ安定であるこ
と、の３つの特性が挙げられる。
特性としては、 誘電体中では電磁波の波長が１／εr 1/2 に短縮さ
れ、同じ共振周波数では比誘電率が大きいほど小型化で
きるため、可能な限り比誘電率が大であること、 高周波帯域での誘電損失（１／Ｑ）が小さいこと、す
なわちＱ値が大きいこと、 共振周波数の温度変化に対する変化率が少ないこと、
すなわち誘電率の温度依存性が小さくかつ安定であるこ
と、の３つの特性が挙げられる。
【０００４】従来からマイクロ波用の誘電体共振器等に
用いられる材料としてＢａＯ−ＴｉＯ2 系、ＺｒＴｉＯ
4 系を始め種々のセラミックス系の誘電体磁器組成物が
知られている。これらの誘電体磁器組成物に要求される
特性としては、比誘電率（εr ）やＱ値が大きいこと、
共振周波数の温度係数（τf ）が０に近いこと、組成等
を制御することにより前記した種々の特性値をある程度
コントロールできること等が挙げられる。
用いられる材料としてＢａＯ−ＴｉＯ2 系、ＺｒＴｉＯ
4 系を始め種々のセラミックス系の誘電体磁器組成物が
知られている。これらの誘電体磁器組成物に要求される
特性としては、比誘電率（εr ）やＱ値が大きいこと、
共振周波数の温度係数（τf ）が０に近いこと、組成等
を制御することにより前記した種々の特性値をある程度
コントロールできること等が挙げられる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
材料において上記したすべての特性を満足させるような
ものは得られていないのが現状である。
材料において上記したすべての特性を満足させるような
ものは得られていないのが現状である。
【０００６】すなわち、従来のＢａＯ−ＴｉＯ2 系やＺ
ｒＴｉＯ4 系の材料でＱ値が大きいものは、通常比誘電
率（εr ）が２０〜４０であった。しかしこれらの材料
は、そのままでは共振周波数の温度係数（τf ）を制御
することができないため、希土類元素など種々の添加物
を加えることによりこの共振周波数の温度係数（τf）
を変化させる必要があった。このため、新たな特性の要
求があると、共振周波数の温度係数（τf ）等に対する
要求特性に合致するように、添加する元素やその添加量
等を検討しなければならず、容易に要求特性に合致した
誘電体組成物を供給することができないという課題があ
った。
ｒＴｉＯ4 系の材料でＱ値が大きいものは、通常比誘電
率（εr ）が２０〜４０であった。しかしこれらの材料
は、そのままでは共振周波数の温度係数（τf ）を制御
することができないため、希土類元素など種々の添加物
を加えることによりこの共振周波数の温度係数（τf）
を変化させる必要があった。このため、新たな特性の要
求があると、共振周波数の温度係数（τf ）等に対する
要求特性に合致するように、添加する元素やその添加量
等を検討しなければならず、容易に要求特性に合致した
誘電体組成物を供給することができないという課題があ
った。
【０００７】また、最も厳しい要求である共振周波数の
温度係数（τf ）が０に近い材料を製造しようとする
と、Ｑ値が低いものしか得られない等の問題があり、Ｑ
値、比誘電率（εr ）、共振周波数の温度係数（τf ）
のすべてに優れた材料を製造するのは困難であるという
課題があった。
温度係数（τf ）が０に近い材料を製造しようとする
と、Ｑ値が低いものしか得られない等の問題があり、Ｑ
値、比誘電率（εr ）、共振周波数の温度係数（τf ）
のすべてに優れた材料を製造するのは困難であるという
課題があった。
【０００８】本発明は上記した課題に鑑み発明されたも
のであって、高いＱ値及び比誘電率（εr ）を有し、共
振周波数の温度係数（τf ）が＋５０〜−５０ｐｐｍ／
℃の範囲内で任意の値に制御することができる誘電体磁
器組成物及びその製造方法を提供することを目的として
いる。
のであって、高いＱ値及び比誘電率（εr ）を有し、共
振周波数の温度係数（τf ）が＋５０〜−５０ｐｐｍ／
℃の範囲内で任意の値に制御することができる誘電体磁
器組成物及びその製造方法を提供することを目的として
いる。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係る誘電体磁器組成物は、Ｌａ2 Ｏ3 ・ｘ
（ｚＭｇＯ・（１−ｚ）ＺｎＯ）・ｙＮｂ2 Ｏ5 （式
中、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ、０．５０≦ｘ＜１．００、
０．００＜ｙ≦０．５０、０．００＜ｚ＜１．００の範
囲内の値を示す）で表わされる組成を有することを特徴
としている。
に本発明に係る誘電体磁器組成物は、Ｌａ2 Ｏ3 ・ｘ
（ｚＭｇＯ・（１−ｚ）ＺｎＯ）・ｙＮｂ2 Ｏ5 （式
中、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ、０．５０≦ｘ＜１．００、
０．００＜ｙ≦０．５０、０．００＜ｚ＜１．００の範
囲内の値を示す）で表わされる組成を有することを特徴
としている。
【００１０】また本発明に係る誘電体磁器組成物の製造
方法は、上記誘電体磁器組成物の製造方法であって、Ｌ
ａ2 Ｏ3 １００モルに対し、ＭｇＯとＺｎＯとを合計で
５０〜１００モル、及びＮｂ2 Ｏ5 を０モル＜Ｎｂ2 Ｏ
5 ≦５０モルの割合で混合し、大気中あるいは酸素雰囲
気中、１２００〜１６００℃で焼成することを特徴とし
ている。
方法は、上記誘電体磁器組成物の製造方法であって、Ｌ
ａ2 Ｏ3 １００モルに対し、ＭｇＯとＺｎＯとを合計で
５０〜１００モル、及びＮｂ2 Ｏ5 を０モル＜Ｎｂ2 Ｏ
5 ≦５０モルの割合で混合し、大気中あるいは酸素雰囲
気中、１２００〜１６００℃で焼成することを特徴とし
ている。
【００１１】
【作用】上記構成の誘電体磁器組成物によれば、Ｌａ2
Ｏ3 ・ｘ（ｚＭｇＯ・（１−ｚ）ＺｎＯ）・ｙＮｂ2 Ｏ
5 （式中、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ、０．５０≦ｘ＜１．
００、０．００＜ｙ≦０．５０、０．００＜ｚ＜１．０
０の範囲内の値を示す）で表わされる組成を有し、比誘
電率（εr ）が３０〜４０と高く、Ｑ値が測定周波数３
ＧＨｚで８０００以上と大きいために誘電損失が小さ
く、組成等を変化させることにより共振周波数の温度係
数（τf ）を＋５０〜−５０ｐｐｍ／℃の範囲内で一定
の値に制御することが可能である。
Ｏ3 ・ｘ（ｚＭｇＯ・（１−ｚ）ＺｎＯ）・ｙＮｂ2 Ｏ
5 （式中、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ、０．５０≦ｘ＜１．
００、０．００＜ｙ≦０．５０、０．００＜ｚ＜１．０
０の範囲内の値を示す）で表わされる組成を有し、比誘
電率（εr ）が３０〜４０と高く、Ｑ値が測定周波数３
ＧＨｚで８０００以上と大きいために誘電損失が小さ
く、組成等を変化させることにより共振周波数の温度係
数（τf ）を＋５０〜−５０ｐｐｍ／℃の範囲内で一定
の値に制御することが可能である。
【００１２】前記誘電体磁器組成物において、ｘの値は
前記誘電体磁器組成物のＬａ2 Ｏ3に対するＭｇＯとＺ
ｎＯとの合計のモル比を示しているが、このｘの値が
０．５未満であるとＱ値が小さくなり、他方ｘの値が
１．０以上であるとＱ値や比誘電率（εr ）が小さくな
る。
前記誘電体磁器組成物のＬａ2 Ｏ3に対するＭｇＯとＺ
ｎＯとの合計のモル比を示しているが、このｘの値が
０．５未満であるとＱ値が小さくなり、他方ｘの値が
１．０以上であるとＱ値や比誘電率（εr ）が小さくな
る。
【００１３】またｙの値は前記誘電体磁器組成物中のＬ
ａ2 Ｏ3 に対するＮｂ2 Ｏ5 のモル比を示しているが、
ｙの値が０、すなわち前記誘電体磁器組成物がＮｂ2 Ｏ
5 を含まないものであると比誘電率（εr ）やＱ値が小
さくなり、他方ｙの値が０．５を超えると比誘電率（ε
r ）が小さくなる。
ａ2 Ｏ3 に対するＮｂ2 Ｏ5 のモル比を示しているが、
ｙの値が０、すなわち前記誘電体磁器組成物がＮｂ2 Ｏ
5 を含まないものであると比誘電率（εr ）やＱ値が小
さくなり、他方ｙの値が０．５を超えると比誘電率（ε
r ）が小さくなる。
【００１４】またｚの値は、ＭｇＯとＺｎＯの合計モル
数に対するＭｇＯのモル比を示しているが、このｚの値
が０〜１の範囲内で次第に大きくなるに従い、共振周波
数の温度係数（τf ）も＋５０〜−５０ｐｐｍ／℃の範
囲内において一定の割合で減少していくため、上記した
ようにｚの値を調整することにより共振周波数の温度係
数（τf ）をかなり正確に制御することが可能となっ
た。
数に対するＭｇＯのモル比を示しているが、このｚの値
が０〜１の範囲内で次第に大きくなるに従い、共振周波
数の温度係数（τf ）も＋５０〜−５０ｐｐｍ／℃の範
囲内において一定の割合で減少していくため、上記した
ようにｚの値を調整することにより共振周波数の温度係
数（τf ）をかなり正確に制御することが可能となっ
た。
【００１５】上記構成の誘電体磁器組成物の製造方法に
よれば、Ｌａ2 Ｏ3 １００モルに対し、ＭｇＯとＺｎＯ
とを合計で５０〜１００モル、及びＮｂ2 Ｏ5 を０モル
＜Ｎｂ2 Ｏ5 ≦５０モルの割合で混合し、大気中あるい
は酸素雰囲気中、１２００〜１６００℃で焼成するの
で、焼結体の平均結晶粒径が均一に制御され、比誘電率
（εr ）が３０〜４０と高く、Ｑ値が８０００以上と大
きくなり、誘電損失が小さく、組成や焼成温度等の変化
により共振周波数の温度係数（τf ）が＋５０〜−５０
ｐｐｍ／℃の範囲内で一定の値に制御された誘電体磁器
組成物が製造される。
よれば、Ｌａ2 Ｏ3 １００モルに対し、ＭｇＯとＺｎＯ
とを合計で５０〜１００モル、及びＮｂ2 Ｏ5 を０モル
＜Ｎｂ2 Ｏ5 ≦５０モルの割合で混合し、大気中あるい
は酸素雰囲気中、１２００〜１６００℃で焼成するの
で、焼結体の平均結晶粒径が均一に制御され、比誘電率
（εr ）が３０〜４０と高く、Ｑ値が８０００以上と大
きくなり、誘電損失が小さく、組成や焼成温度等の変化
により共振周波数の温度係数（τf ）が＋５０〜−５０
ｐｐｍ／℃の範囲内で一定の値に制御された誘電体磁器
組成物が製造される。
【００１６】前記誘電体磁器組成物の製造方法におい
て、焼成温度が１２００℃未満であると緻密化が十分に
進行せず、Ｑ値が低くなり、比誘電率（εr ）も十分高
くならず、他方焼成温度が１６００℃を超えると、誘電
体磁器組成物が溶融してしまう。
て、焼成温度が１２００℃未満であると緻密化が十分に
進行せず、Ｑ値が低くなり、比誘電率（εr ）も十分高
くならず、他方焼成温度が１６００℃を超えると、誘電
体磁器組成物が溶融してしまう。
【００１７】
【実施例及び比較例】以下、本発明に係る誘電体磁器組
成物及びその製造方法の実施例及び比較例を説明する。
成物及びその製造方法の実施例及び比較例を説明する。
【００１８】まず、実施例に係る誘電体磁器組成物の製
造方法について説明する。
造方法について説明する。
【００１９】原料粉末として、Ｌａ2 Ｏ3 、ＭｇＯ、Ｚ
ｎＯ、Ｎｂ2 Ｏ5 を表１に示した割合で調合を行う。こ
こで表１に示したｘ、ｙ、ｚは、原料粉末の組成をＬａ
2 Ｏ3 ・ｘ（ｚＭｇＯ・（１−ｚ）ＺｎＯ）・ｙＮｂ2
Ｏ5 で表示した場合のｘ、ｙ、ｚに対応する。
ｎＯ、Ｎｂ2 Ｏ5 を表１に示した割合で調合を行う。こ
こで表１に示したｘ、ｙ、ｚは、原料粉末の組成をＬａ
2 Ｏ3 ・ｘ（ｚＭｇＯ・（１−ｚ）ＺｎＯ）・ｙＮｂ2
Ｏ5 で表示した場合のｘ、ｙ、ｚに対応する。
【００２０】最初に各原料粉末を表１に示した割合にな
るように正確に秤量し、適量の玉石、公知の分散剤、純
水とともにポットミル内で２４時間湿式混合を行うこと
により、スラリー状の原料粉末混合物を得る。このスラ
リー状の原料粉末混合物を脱水乾燥させた後、解砕す
る。
るように正確に秤量し、適量の玉石、公知の分散剤、純
水とともにポットミル内で２４時間湿式混合を行うこと
により、スラリー状の原料粉末混合物を得る。このスラ
リー状の原料粉末混合物を脱水乾燥させた後、解砕す
る。
【００２１】次に、解砕された粉末を、例えばジルコニ
ア製の焼成ルツボ内に移し、１１００℃で仮焼合成を行
う。そして、所定の固溶体が合成されていることをｘ線
解析やＩＣＰ発光分光分析等の組成分析手段で確認す
る。
ア製の焼成ルツボ内に移し、１１００℃で仮焼合成を行
う。そして、所定の固溶体が合成されていることをｘ線
解析やＩＣＰ発光分光分析等の組成分析手段で確認す
る。
【００２２】次に、仮焼合成粉を解砕し、１．０μｍ前
後の均一粉に整粒する。整粒が終了した後、この粉末に
有機バインダー等を添加して成形を行い、直径が１５ｍ
ｍ、厚みが８ｍｍの円板形状の成形体を作製する。
後の均一粉に整粒する。整粒が終了した後、この粉末に
有機バインダー等を添加して成形を行い、直径が１５ｍ
ｍ、厚みが８ｍｍの円板形状の成形体を作製する。
【００２３】次に、得られた成形体を６００℃で脱脂し
た後、脱脂後の成形体を、例えばアルミナ製の焼成ルツ
ボ内に載置して、大気中あるいは酸素雰囲気中で焼成を
行う。焼成条件は、焼成温度が１２００〜１６００℃、
焼成時間が２．０〜８．０時間である。
た後、脱脂後の成形体を、例えばアルミナ製の焼成ルツ
ボ内に載置して、大気中あるいは酸素雰囲気中で焼成を
行う。焼成条件は、焼成温度が１２００〜１６００℃、
焼成時間が２．０〜８．０時間である。
【００２４】次に、前記焼成により得られた焼結体を有
機溶剤及び熱水中で十分洗浄した後、セラミックスの表
面が平行になるように、また共振周波数が３ＧＨｚにな
るような形状に研磨し、電気的特性を測定する。
機溶剤及び熱水中で十分洗浄した後、セラミックスの表
面が平行になるように、また共振周波数が３ＧＨｚにな
るような形状に研磨し、電気的特性を測定する。
【００２５】なお、前記実施例では原料として酸化物を
使用しているが、原料は酸化物に限られず、炭酸塩、シ
ュウ酸塩、硝酸塩等で焼成後に目的の酸化物が得られる
ものならばどのようなものでも良い。また、製造された
誘電体磁器組成物の組成については、焼成により得られ
た誘電体磁器組成物を酸に溶解させた後、ＩＣＰ発光分
光分析を行うことにより原料粉末の組成と焼結体の組成
が変わっていないことを確認した。
使用しているが、原料は酸化物に限られず、炭酸塩、シ
ュウ酸塩、硝酸塩等で焼成後に目的の酸化物が得られる
ものならばどのようなものでも良い。また、製造された
誘電体磁器組成物の組成については、焼成により得られ
た誘電体磁器組成物を酸に溶解させた後、ＩＣＰ発光分
光分析を行うことにより原料粉末の組成と焼結体の組成
が変わっていないことを確認した。
【００２６】次に、実施例に係る誘電体磁器組成物の電
気的特性の測定方法を説明する。
気的特性の測定方法を説明する。
【００２７】電気特性については、共振周波数、比誘電
率（εr ）、及びＱ値をHakki-Coleman により提唱され
たThe Post Resonance Techniqueを利用することにより
測定した。
率（εr ）、及びＱ値をHakki-Coleman により提唱され
たThe Post Resonance Techniqueを利用することにより
測定した。
【００２８】図１（ａ）は、前記電気特性の測定に用い
られた装置を模式的に示した平面図であり、（ｂ）は前
記装置の正面図である。
られた装置を模式的に示した平面図であり、（ｂ）は前
記装置の正面図である。
【００２９】測定の対象である誘電体磁器組成物からな
る試料１１は２枚の平行な金属板１２で挟まれた状態で
固定されている。１３は金属板を試料の上に乗せた状態
で安定させるための支柱である。
る試料１１は２枚の平行な金属板１２で挟まれた状態で
固定されている。１３は金属板を試料の上に乗せた状態
で安定させるための支柱である。
【００３０】誘電率測定の際には、ネットワークアナラ
イザーの一方のプローブ１４より高周波を発振して周波
数特性を測定し、得られたＴＥ０１δモードの共振周波
数ピークと試料１１の寸法より比誘電率（εr ）を求め
た。また標準試料により求めた金属板１２の表面比抵抗
から求めた金属板１２の誘電損失を除き、試料１１のＱ
値とした。さらに、共振周波数の温度係数（τf ）につ
いては、前記共振周波数の測定を雰囲気の温度を−３０
〜＋８５℃に変化させて測定することにより行った。
イザーの一方のプローブ１４より高周波を発振して周波
数特性を測定し、得られたＴＥ０１δモードの共振周波
数ピークと試料１１の寸法より比誘電率（εr ）を求め
た。また標準試料により求めた金属板１２の表面比抵抗
から求めた金属板１２の誘電損失を除き、試料１１のＱ
値とした。さらに、共振周波数の温度係数（τf ）につ
いては、前記共振周波数の測定を雰囲気の温度を−３０
〜＋８５℃に変化させて測定することにより行った。
【００３１】測定のための試料は各実施例（組成）ごと
に１００個製造し、それらの試料１１について電気的特
性をそれぞれ測定し、平均値を算出した。その結果を表
１に示す。
に１００個製造し、それらの試料１１について電気的特
性をそれぞれ測定し、平均値を算出した。その結果を表
１に示す。
【００３２】なお比較例として、本発明の組成範囲外の
誘電体組成物についても、上記実施例と全く同様の条件
により、誘電体磁器組成物を製造し、その電気的特性を
測定した。その結果も併せて表１に示す。
誘電体組成物についても、上記実施例と全く同様の条件
により、誘電体磁器組成物を製造し、その電気的特性を
測定した。その結果も併せて表１に示す。
【００３３】
【表１】
【００３４】表１の結果より明らかなように、実施例に
係る誘電体磁器組成物は比誘電率（εr ）が３０〜４０
と高く、Ｑ値が測定周波数３ＧＨｚで８０００以上と大
きいために誘電損失が小さく、ＭｇＯとＺｎＯの比率を
変化させることにより共振周波数の温度係数（τf ）を
＋５０〜−５０ｐｐｍ／℃の範囲内で一定の値になるよ
うに制御することができる。
係る誘電体磁器組成物は比誘電率（εr ）が３０〜４０
と高く、Ｑ値が測定周波数３ＧＨｚで８０００以上と大
きいために誘電損失が小さく、ＭｇＯとＺｎＯの比率を
変化させることにより共振周波数の温度係数（τf ）を
＋５０〜−５０ｐｐｍ／℃の範囲内で一定の値になるよ
うに制御することができる。
【００３５】
【発明の効果】以上詳述したように本発明に係る誘電体
磁器組成物にあっては、Ｌａ2 Ｏ3 ・ｘ（ｚＭｇＯ・
（１−ｚ）ＺｎＯ）・ｙＮｂ2 Ｏ5 （式中、ｘ、ｙ、ｚ
はそれぞれ、０．５０≦ｘ＜１．００、０．００＜ｙ≦
０．５０、０．００＜ｚ＜１．００の範囲内の値を示
す）で表わされる組成を有するので、比誘電率（εr ）
を３０〜４０と高く保ち、またＱ値は測定周波数３ＧＨ
ｚで８０００以上と大きく、誘電損失を減少させること
ができる。また組成等を変化させることにより共振周波
数の温度係数（τf ）を＋５０〜−５０ｐｐｍ／℃の範
囲内で一定の値に制御することができる。本発明に係る
誘電体磁器組成物は、このような特性を有する結果、従
来よりさらに汎用性の高い誘電体磁器素子を構成して、
電子、電気機器回路等に提供することが可能となった。
磁器組成物にあっては、Ｌａ2 Ｏ3 ・ｘ（ｚＭｇＯ・
（１−ｚ）ＺｎＯ）・ｙＮｂ2 Ｏ5 （式中、ｘ、ｙ、ｚ
はそれぞれ、０．５０≦ｘ＜１．００、０．００＜ｙ≦
０．５０、０．００＜ｚ＜１．００の範囲内の値を示
す）で表わされる組成を有するので、比誘電率（εr ）
を３０〜４０と高く保ち、またＱ値は測定周波数３ＧＨ
ｚで８０００以上と大きく、誘電損失を減少させること
ができる。また組成等を変化させることにより共振周波
数の温度係数（τf ）を＋５０〜−５０ｐｐｍ／℃の範
囲内で一定の値に制御することができる。本発明に係る
誘電体磁器組成物は、このような特性を有する結果、従
来よりさらに汎用性の高い誘電体磁器素子を構成して、
電子、電気機器回路等に提供することが可能となった。
【００３６】また本発明に係る上記誘電体磁器組成物の
製造方法にあっては、Ｌａ2 Ｏ3 １００モルに対し、Ｍ
ｇＯとＺｎＯとを合計で５０〜１００モル、及びＮｂ2
Ｏ5を０モル＜Ｎｂ2 Ｏ5 ≦５０モルの割合で混合し、
大気中あるいは酸素雰囲気中、１２００〜１６００℃で
焼成するので、焼結体の平均結晶粒径を均一に制御する
ことができ、比誘電率（εr ）が３０〜４０と高く、Ｑ
値が８０００以上と大きく、すなわち誘電損失が小さ
く、組成や焼成温度等の変化により共振周波数の温度係
数（τf ）が＋５０〜−５０ｐｐｍ／℃の範囲内で一定
の値に制御された誘電体磁器組成物を製造することがで
きる。
製造方法にあっては、Ｌａ2 Ｏ3 １００モルに対し、Ｍ
ｇＯとＺｎＯとを合計で５０〜１００モル、及びＮｂ2
Ｏ5を０モル＜Ｎｂ2 Ｏ5 ≦５０モルの割合で混合し、
大気中あるいは酸素雰囲気中、１２００〜１６００℃で
焼成するので、焼結体の平均結晶粒径を均一に制御する
ことができ、比誘電率（εr ）が３０〜４０と高く、Ｑ
値が８０００以上と大きく、すなわち誘電損失が小さ
く、組成や焼成温度等の変化により共振周波数の温度係
数（τf ）が＋５０〜−５０ｐｐｍ／℃の範囲内で一定
の値に制御された誘電体磁器組成物を製造することがで
きる。
【図１】（ａ）は、実施例に係る誘電体磁器組成物の電
気特性の測定に用いられた装置を模式的に示した平面図
であり、（ｂ）は前記装置の正面図である。
気特性の測定に用いられた装置を模式的に示した平面図
であり、（ｂ）は前記装置の正面図である。
１１ 誘電体磁器組成物
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｌａ2 Ｏ3 ・ｘ（ｚＭｇＯ・（１−ｚ）
ＺｎＯ）・ｙＮｂ2Ｏ5 （式中、ｘ、ｙ、ｚはそれぞ
れ、０．５０≦ｘ＜１．００、０．００＜ｙ≦０．５
０、０．００＜ｚ＜１．００の範囲内の値を示す）で表
わされる組成を有することを特徴とする誘電体磁器組成
物。 - 【請求項２】 Ｌａ2 Ｏ3 １００モルに対し、ＭｇＯと
ＺｎＯとを合計で５０〜１００モル、及びＮｂ2 Ｏ5 を
０モル＜Ｎｂ2 Ｏ5 ≦５０モルの割合で混合し、大気中
あるいは酸素雰囲気中、１２００〜１６００℃で焼成す
ることを特徴とする請求項１記載の半導体磁器組成物の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP844594A JPH07215765A (ja) | 1994-01-28 | 1994-01-28 | 誘電体磁器組成物及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP844594A JPH07215765A (ja) | 1994-01-28 | 1994-01-28 | 誘電体磁器組成物及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07215765A true JPH07215765A (ja) | 1995-08-15 |
Family
ID=11693330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP844594A Pending JPH07215765A (ja) | 1994-01-28 | 1994-01-28 | 誘電体磁器組成物及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07215765A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100478127B1 (ko) * | 2002-09-03 | 2005-03-21 | (주) 알엔투테크놀로지 | 유전체 세라믹 조성물 |
-
1994
- 1994-01-28 JP JP844594A patent/JPH07215765A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100478127B1 (ko) * | 2002-09-03 | 2005-03-21 | (주) 알엔투테크놀로지 | 유전체 세라믹 조성물 |
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