JPH07219310A - 帯電装置 - Google Patents
帯電装置Info
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- JPH07219310A JPH07219310A JP2743594A JP2743594A JPH07219310A JP H07219310 A JPH07219310 A JP H07219310A JP 2743594 A JP2743594 A JP 2743594A JP 2743594 A JP2743594 A JP 2743594A JP H07219310 A JPH07219310 A JP H07219310A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は帯電粒子の漏洩等が生じることなく
又長期使用によっても帯電剤が劣化する事なく安定した
均一な帯電能を確保し得る帯電装置として適用される発
明を提供する事。 【構成】 本発明は、図１（Ａ）に示すように、主極と
対向極の２つの磁石体により担持された磁性粒子群を介
して感光体を帯電可能に構成した帯電装置において、前
記主極より感光体回転方向上流側に位置する前記磁性粒
子群を帯電スリーブから分離し、前記感光体に落下可能
に構成した分離極を配するとともに、前記磁性粒子群の
平均粒径を略１０〜４０μｍに設定すると共に、前記磁
性粒子群の１ＫＯｅの磁場での飽和磁化を５０ｅｍｕ／
ｇ〜２００ｅｍｕ／ｇ、非誘電率εｒを４０以下に設定
したことを特徴とする。
又長期使用によっても帯電剤が劣化する事なく安定した
均一な帯電能を確保し得る帯電装置として適用される発
明を提供する事。 【構成】 本発明は、図１（Ａ）に示すように、主極と
対向極の２つの磁石体により担持された磁性粒子群を介
して感光体を帯電可能に構成した帯電装置において、前
記主極より感光体回転方向上流側に位置する前記磁性粒
子群を帯電スリーブから分離し、前記感光体に落下可能
に構成した分離極を配するとともに、前記磁性粒子群の
平均粒径を略１０〜４０μｍに設定すると共に、前記磁
性粒子群の１ＫＯｅの磁場での飽和磁化を５０ｅｍｕ／
ｇ〜２００ｅｍｕ／ｇ、非誘電率εｒを４０以下に設定
したことを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はいわゆるカールソンプロ
セスに基づく電子写真装置、例えば複写機、プリンタ、
ファクシミリ内に組込まれるか、若しくはこれらの機器
のプロセスカートリッジに組込まれる帯電装置として適
用される発明に係り、特に粒子帯電によりベルト状若し
くはドラム状感光体を帯電させる電子写真装置に於ける
帯電装置として適用される発明に関する。
セスに基づく電子写真装置、例えば複写機、プリンタ、
ファクシミリ内に組込まれるか、若しくはこれらの機器
のプロセスカートリッジに組込まれる帯電装置として適
用される発明に係り、特に粒子帯電によりベルト状若し
くはドラム状感光体を帯電させる電子写真装置に於ける
帯電装置として適用される発明に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より感光体ドラム外周面上に、露
光、現像、転写、クリーニング（残留トナー除去）、除
電、及び帯電の各プロセス手段を配置し、所定の電子写
真プロセスにより画像形成を行なう、いわゆるカールソ
ンプロセスに基づく電子写真装置は周知である。
光、現像、転写、クリーニング（残留トナー除去）、除
電、及び帯電の各プロセス手段を配置し、所定の電子写
真プロセスにより画像形成を行なう、いわゆるカールソ
ンプロセスに基づく電子写真装置は周知である。
【０００３】この種の装置に用いる帯電手段は一般に細
いタングステン線に高電圧を印加してコロナ放電を行な
うコロトロン方式、又導電ローラに数百ボルトの電圧を
かけて感光体ドラムと接触帯電させるもの、又導電性ブ
ラシに電圧を印加して感光体ドラムに接触させながら帯
電を行なうもの等が存在する。しかしながらコロトロン
方式は高電圧を使用し、又オゾンを発生する等安全上、
環境上の問題が多い。又帯電ローラは感光体ドラムとの
接触が線接触であるために帯電が不安定である。更にブ
ラシ帯電方式はドラムとブラシが接触して帯電を行なう
為に、ブラシの帯電劣化が生じやすい。
いタングステン線に高電圧を印加してコロナ放電を行な
うコロトロン方式、又導電ローラに数百ボルトの電圧を
かけて感光体ドラムと接触帯電させるもの、又導電性ブ
ラシに電圧を印加して感光体ドラムに接触させながら帯
電を行なうもの等が存在する。しかしながらコロトロン
方式は高電圧を使用し、又オゾンを発生する等安全上、
環境上の問題が多い。又帯電ローラは感光体ドラムとの
接触が線接触であるために帯電が不安定である。更にブ
ラシ帯電方式はドラムとブラシが接触して帯電を行なう
為に、ブラシの帯電劣化が生じやすい。
【０００４】かかる欠点を解消するために、感光体ドラ
ムと磁石体を内挿した帯電スリーブに帯電バイアスを印
加した状態で、該スリーブに磁性粒子群を付着させて刷
子状の磁気穂を感光体ドラムに摺擦させてスリーブを介
して帯電バイアスを磁性粒子群に印加させて帯電を行な
う、いわゆる粒子帯電法が提案されている。（特開昭５
９ー１３３５６９、特開昭６３ー１８７２６７他）
ムと磁石体を内挿した帯電スリーブに帯電バイアスを印
加した状態で、該スリーブに磁性粒子群を付着させて刷
子状の磁気穂を感光体ドラムに摺擦させてスリーブを介
して帯電バイアスを磁性粒子群に印加させて帯電を行な
う、いわゆる粒子帯電法が提案されている。（特開昭５
９ー１３３５６９、特開昭６３ー１８７２６７他）
【０００５】かかる帯電法においては、固定磁石体によ
り磁気穂を形成した場合、該磁石体よりの距離の２乗に
比例して磁界が減衰し、従って感光体ドラム表面に位置
する磁性粒子の磁気保持力が最も弱い。従ってこの状態
で感光体ドラムを回転させると、該ドラム表面に遠心力
が働き、静電的に感光体ドラムに付着している磁性粒子
は固定磁石集成体よりの磁気保持力（磁界）に抗して前
記磁性粒子が帯電領域から離脱する方向に力が働き、該
感光体ドラムに付着した粒子が次工程の露光及び現像等
に悪影響を及ぼす。
り磁気穂を形成した場合、該磁石体よりの距離の２乗に
比例して磁界が減衰し、従って感光体ドラム表面に位置
する磁性粒子の磁気保持力が最も弱い。従ってこの状態
で感光体ドラムを回転させると、該ドラム表面に遠心力
が働き、静電的に感光体ドラムに付着している磁性粒子
は固定磁石集成体よりの磁気保持力（磁界）に抗して前
記磁性粒子が帯電領域から離脱する方向に力が働き、該
感光体ドラムに付着した粒子が次工程の露光及び現像等
に悪影響を及ぼす。
【０００６】かかる欠点を解消するために、図３に示す
ように、前記帯電スリーブを用いずに帯電バイアス電源
１０１を接続した電極１０２を被覆した固定磁石体１０
３を感光体ドラム１０４に対向配置すると共に、該固定
磁石体１０３と対向させて、感光体ドラム１０４の背面
側に逆極性の磁石体１０５を配し、該磁石体１０５と固
定磁石体１０３間に形成される磁場により前記磁性粒子
群１０７を帯電領域に保持させながら感光体の帯電を行
なうように構成した技術が開示されている。
ように、前記帯電スリーブを用いずに帯電バイアス電源
１０１を接続した電極１０２を被覆した固定磁石体１０
３を感光体ドラム１０４に対向配置すると共に、該固定
磁石体１０３と対向させて、感光体ドラム１０４の背面
側に逆極性の磁石体１０５を配し、該磁石体１０５と固
定磁石体１０３間に形成される磁場により前記磁性粒子
群１０７を帯電領域に保持させながら感光体の帯電を行
なうように構成した技術が開示されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】かかる技術によれば、
磁性粒子群１０７の磁気保持を行なう磁石体が帯電ギャ
ップ１０８の片側にのみ配置されているのではなく、両
側に配置されている為に、帯電ギャップ１０８間の磁界
の勾配（ΔＨ／Δｔ）を大きく設定出来るが、前記した
磁石体と磁性粒子の磁化力は粒子径に依存し、粒子径が
小さくなると等比級数的に磁気的拘束力が低下し、感光
体ドラム生成する遠心力や静電的保持力により該ドラム
表面に付着した粒子により粒子漏洩が生じてしまう。又
前記粒子の静電的付着を阻止するために、粒子の電気抵
抗率をむやみに下げると、感光体の絶縁破壊や感光体欠
陥のリークが生じ、帯電バイアスにより感光体ドラム側
にピンホール等が発生しやすい。この為、前記装置にお
いては固定磁石体１０３の側面に絶縁性シート１０９を
感光体ドラム側に垂下させ、磁性粒子の飛散を機械的に
防止している。
磁性粒子群１０７の磁気保持を行なう磁石体が帯電ギャ
ップ１０８の片側にのみ配置されているのではなく、両
側に配置されている為に、帯電ギャップ１０８間の磁界
の勾配（ΔＨ／Δｔ）を大きく設定出来るが、前記した
磁石体と磁性粒子の磁化力は粒子径に依存し、粒子径が
小さくなると等比級数的に磁気的拘束力が低下し、感光
体ドラム生成する遠心力や静電的保持力により該ドラム
表面に付着した粒子により粒子漏洩が生じてしまう。又
前記粒子の静電的付着を阻止するために、粒子の電気抵
抗率をむやみに下げると、感光体の絶縁破壊や感光体欠
陥のリークが生じ、帯電バイアスにより感光体ドラム側
にピンホール等が発生しやすい。この為、前記装置にお
いては固定磁石体１０３の側面に絶縁性シート１０９を
感光体ドラム側に垂下させ、磁性粒子の飛散を機械的に
防止している。
【０００８】しかしながら前記のように絶縁シートをド
ラムに接触する構成では、摩耗等により長期使用に耐え
られないのみならず、磁性粒子を良導電性の材料にしな
ければ、絶縁性シートと粒子との摺擦帯電により粒子固
着等が生じてしまい好ましくない。
ラムに接触する構成では、摩耗等により長期使用に耐え
られないのみならず、磁性粒子を良導電性の材料にしな
ければ、絶縁性シートと粒子との摺擦帯電により粒子固
着等が生じてしまい好ましくない。
【０００９】本発明はかかる従来技術の欠点に鑑み、前
記帯電粒子の漏洩等が生じることなく又長期使用によっ
ても帯電剤が劣化する事なく安定した均一な帯電能を確
保し得る帯電装置として適用される発明を提供する事を
目的とする。本発明の他の目的は、絶縁破壊をおこすこ
となく磁性粒子の循環を良好に確保出来る帯電装置とし
て適用される発明を提供する事を目的とする。本発明の
他の目的は、製造上からも、使用者側からも、更に環境
にも十分配慮することが出来、極めて実用性の高い帯電
装置が得る事の出来る発明を提供することを目的とす
る。
記帯電粒子の漏洩等が生じることなく又長期使用によっ
ても帯電剤が劣化する事なく安定した均一な帯電能を確
保し得る帯電装置として適用される発明を提供する事を
目的とする。本発明の他の目的は、絶縁破壊をおこすこ
となく磁性粒子の循環を良好に確保出来る帯電装置とし
て適用される発明を提供する事を目的とする。本発明の
他の目的は、製造上からも、使用者側からも、更に環境
にも十分配慮することが出来、極めて実用性の高い帯電
装置が得る事の出来る発明を提供することを目的とす
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、図１（Ａ）に
示すように、感光体の帯電領域上に、該感光体に向けて
固定配置した第１の磁石体（以下主極という）を内包す
る非磁性帯電スリーブを、又前記帯電領域上に位置する
感光体ドラムの背面側に、前記主極と逆極性の第２の磁
石体（以下対向極という）を配し、前記両磁石体により
担持された磁性粒子群を介して感光体を帯電可能に構成
した帯電装置において、前記磁性粒子群の前記主極より
感光体回転方向上流側に位置する前記磁性粒子群を帯電
スリーブから分離し、前記感光体に落下可能に構成した
分離極を配するとともに平均粒径を略１０〜４０μｍに
設定すると共に、前記磁性粒子群の１ｋＯｅの磁場での
飽和磁化を５０ｅｍｕ／ｇ〜２００ｅｍｕ／ｇ、比誘電
率εｒを４０以下に設定したことを特徴とする。請求項
２記載の発明は、前記磁性粒子群が体積固有抵抗が１０
6 以下の導電性磁性粒子と体積固有抵抗が１０6 以上の
高抵抗磁性粒子の混合粒子群であり全体としての体積固
有抵抗が１０3 〜１０8 Ω・ｃｍの範囲にあり、高抵抗
磁性粒子の平均粒径を導電性磁性粒子の平均粒径より大
にした事を特徴とする。この場合前記高抵抗磁性粒子の
２０μｍ以下の粒子分布が５％以下になるように構成す
るのが良い。尚、前記体積固有抵抗は、底部に電極を有
する内径２０ｍｍのテフロン製筒体に、前記粒子を１．
５ｇ入れ、上部より外径２０ｍｍφの電極を挿入した
後、該電極上面に１Ｋｇの荷重を印加して測定した値で
ある。
示すように、感光体の帯電領域上に、該感光体に向けて
固定配置した第１の磁石体（以下主極という）を内包す
る非磁性帯電スリーブを、又前記帯電領域上に位置する
感光体ドラムの背面側に、前記主極と逆極性の第２の磁
石体（以下対向極という）を配し、前記両磁石体により
担持された磁性粒子群を介して感光体を帯電可能に構成
した帯電装置において、前記磁性粒子群の前記主極より
感光体回転方向上流側に位置する前記磁性粒子群を帯電
スリーブから分離し、前記感光体に落下可能に構成した
分離極を配するとともに平均粒径を略１０〜４０μｍに
設定すると共に、前記磁性粒子群の１ｋＯｅの磁場での
飽和磁化を５０ｅｍｕ／ｇ〜２００ｅｍｕ／ｇ、比誘電
率εｒを４０以下に設定したことを特徴とする。請求項
２記載の発明は、前記磁性粒子群が体積固有抵抗が１０
6 以下の導電性磁性粒子と体積固有抵抗が１０6 以上の
高抵抗磁性粒子の混合粒子群であり全体としての体積固
有抵抗が１０3 〜１０8 Ω・ｃｍの範囲にあり、高抵抗
磁性粒子の平均粒径を導電性磁性粒子の平均粒径より大
にした事を特徴とする。この場合前記高抵抗磁性粒子の
２０μｍ以下の粒子分布が５％以下になるように構成す
るのが良い。尚、前記体積固有抵抗は、底部に電極を有
する内径２０ｍｍのテフロン製筒体に、前記粒子を１．
５ｇ入れ、上部より外径２０ｍｍφの電極を挿入した
後、該電極上面に１Ｋｇの荷重を印加して測定した値で
ある。
【００１１】この場合前記帯電スリーブを感光体ドラム
の回転方向に対しアゲインスト方向に回転させるととも
に、前記主極Ａ1 の前記最近接点Ｐ上における磁束密度
が、前記対向極Ｂ1 の前記最近接点Ｐ上における磁束密
度より大になる如く構成するのが良い。又、前記最大磁
束密度位置Ｑ1 が最近接点Ｐを挟んで感光体ドラム回転
方向上流側 の＋５°〜−３０°、前記最大磁束密度位
置Ｑ2 が最近接点Ｐを挟んで−１０°〜 ＋５°の範囲
に配するのがよい。又更に感光体移動方向下流側におけ
る帯電スリーブ内に、前記対向極Ｂ1 と同極性の第２の
磁石体（以下シールド極Ａ2 という）を配することによ
り磁気シールドが一層容易になる。
の回転方向に対しアゲインスト方向に回転させるととも
に、前記主極Ａ1 の前記最近接点Ｐ上における磁束密度
が、前記対向極Ｂ1 の前記最近接点Ｐ上における磁束密
度より大になる如く構成するのが良い。又、前記最大磁
束密度位置Ｑ1 が最近接点Ｐを挟んで感光体ドラム回転
方向上流側 の＋５°〜−３０°、前記最大磁束密度位
置Ｑ2 が最近接点Ｐを挟んで−１０°〜 ＋５°の範囲
に配するのがよい。又更に感光体移動方向下流側におけ
る帯電スリーブ内に、前記対向極Ｂ1 と同極性の第２の
磁石体（以下シールド極Ａ2 という）を配することによ
り磁気シールドが一層容易になる。
【００１２】
【作用】本発明は磁性粒子群４の流出現象は、前記感光
体のスリーブ最近接点Ｐにおいて磁性粒子４が受ける磁
気力と静電気力との関係に依存する。即ち最近接点Ｐに
おいて粒子に働く磁気力Ｆｍは、 Ｆｍ＝ｋ1 ・ｄ3 ｋ1 ：比例関数 ｄ：粒径 即ち最近接点Ｐにおいて粒子に働く静電気力Ｆｃは、 Ｆｃ＝ｋ2 ・（Ｔ・ｄ）2 ・ΔＶ2 Ｔ：非誘電率に依存する関数 ΔＶ：電位差（帯電印加
電圧と感光層に加わる電圧） 磁気粒子が磁気力に打ち勝って静電気力で流出するとき
の電位差ΔＶは Ｆｃ≧Ｆｍ ΔＶ≧（Ｔ）-1 ・（ｋ1 ・ｄ／ｋ2 ）1/2 …１） 従って上記１）式より明らかなように粒子径が小さ過ぎ
るとＦｃ≧Ｆｍとなり、粒子の流出が生じる。
体のスリーブ最近接点Ｐにおいて磁性粒子４が受ける磁
気力と静電気力との関係に依存する。即ち最近接点Ｐに
おいて粒子に働く磁気力Ｆｍは、 Ｆｍ＝ｋ1 ・ｄ3 ｋ1 ：比例関数 ｄ：粒径 即ち最近接点Ｐにおいて粒子に働く静電気力Ｆｃは、 Ｆｃ＝ｋ2 ・（Ｔ・ｄ）2 ・ΔＶ2 Ｔ：非誘電率に依存する関数 ΔＶ：電位差（帯電印加
電圧と感光層に加わる電圧） 磁気粒子が磁気力に打ち勝って静電気力で流出するとき
の電位差ΔＶは Ｆｃ≧Ｆｍ ΔＶ≧（Ｔ）-1 ・（ｋ1 ・ｄ／ｋ2 ）1/2 …１） 従って上記１）式より明らかなように粒子径が小さ過ぎ
るとＦｃ≧Ｆｍとなり、粒子の流出が生じる。
【００１３】一方、粒子径が大き過ぎると粒子の洩出は
生じないが、粒子径が大きくなるにしたがって磁性粒子
のスリーブ／ドラム間の充填率が低下し、その分同一帯
電バイアスにおいても帯電される感光体表面電位が低下
し、又図１（Ｂ）に示すように感光体１表面上における
隣接する磁性粒子４同士の空隙４ａが多くなり、その分
帯電の均一むらが出来やすい。従って本発明は、平均粒
径を略１０μｍ〜４０μｍに設定する事により、帯電領
域よりの粒子漏洩を円滑に阻止し得る。
生じないが、粒子径が大きくなるにしたがって磁性粒子
のスリーブ／ドラム間の充填率が低下し、その分同一帯
電バイアスにおいても帯電される感光体表面電位が低下
し、又図１（Ｂ）に示すように感光体１表面上における
隣接する磁性粒子４同士の空隙４ａが多くなり、その分
帯電の均一むらが出来やすい。従って本発明は、平均粒
径を略１０μｍ〜４０μｍに設定する事により、帯電領
域よりの粒子漏洩を円滑に阻止し得る。
【００１４】又、前記磁性粒子群の磁気保持力は飽和磁
化に依存し、又、磁性粒子群の比誘電率が大きくなるほ
ど帯電剤に誘起される静電気力は増す。従って、前記磁
性粒子群の１ｋＯｅの磁場での飽和磁化を５０ｅｍｕ／
ｇ〜２００ｅｍｕ／ｇが好ましく、比誘電率εｒを４０
以下に設定するのがよい。なお２００ｅｍｕ／ｇ以上で
比誘電率εｒが４０を越える磁性粒子群であると、後記
する図２に示す磁性粒子群４が分離極Ａ4 で分離でき
ず、帯電スリーブ回転方向下流側に搬送されることとな
る。
化に依存し、又、磁性粒子群の比誘電率が大きくなるほ
ど帯電剤に誘起される静電気力は増す。従って、前記磁
性粒子群の１ｋＯｅの磁場での飽和磁化を５０ｅｍｕ／
ｇ〜２００ｅｍｕ／ｇが好ましく、比誘電率εｒを４０
以下に設定するのがよい。なお２００ｅｍｕ／ｇ以上で
比誘電率εｒが４０を越える磁性粒子群であると、後記
する図２に示す磁性粒子群４が分離極Ａ4 で分離でき
ず、帯電スリーブ回転方向下流側に搬送されることとな
る。
【００１５】又、本発明は体積固有抵抗が１０6 Ω・ｃ
ｍ以下の導電性磁性粒子と体積固有抵抗が１０6 Ω・ｃ
ｍ以上の高抵抗磁性粒子の混合粒子群で前記磁性粒子群
を構成すると共に、高抵抗磁性粒子の平均粒径を導電性
磁性粒子の平均粒径より大、具体的には前記高抵抗磁性
粒子の２０μｍ以下の粒子分布が５％以下になるように
構成することで、単一系の帯電剤に比べて生じやすい漏
洩を防止している。一方均一帯電に寄与する導電性磁性
粒子の平均粒径は小さい方が好ましく、例えば２０μｍ
以下が好ましい。又高抵抗磁性粒子と導電性磁性粒子の
混合比は夫々の体積固有抵抗にもよるが、導電性磁性粒
子の混合比を少なく、具体的には５〜３０重量％に設定
するのが良い。
ｍ以下の導電性磁性粒子と体積固有抵抗が１０6 Ω・ｃ
ｍ以上の高抵抗磁性粒子の混合粒子群で前記磁性粒子群
を構成すると共に、高抵抗磁性粒子の平均粒径を導電性
磁性粒子の平均粒径より大、具体的には前記高抵抗磁性
粒子の２０μｍ以下の粒子分布が５％以下になるように
構成することで、単一系の帯電剤に比べて生じやすい漏
洩を防止している。一方均一帯電に寄与する導電性磁性
粒子の平均粒径は小さい方が好ましく、例えば２０μｍ
以下が好ましい。又高抵抗磁性粒子と導電性磁性粒子の
混合比は夫々の体積固有抵抗にもよるが、導電性磁性粒
子の混合比を少なく、具体的には５〜３０重量％に設定
するのが良い。
【００１６】又、図１に示すように感光体ドラム１のス
リーブ最近接点Ｐの帯電ギャップ５に導かれた磁性粒子
４は、該ギャップ５が隘路となるが、主極Ａ1 における
最近接点Ｐの磁束密度をＢA1 と、対向極Ｂ1 における
最近接点Ｐの磁束密度をＢB1とした場合に「ＢA1 ＞Ｂ
B1 」に設定しているために、感光体ドラム１側より帯
電スリーブ２側に吸上げられる。更に本発明は前記帯電
スリーブ２を感光体ドラム１に対し、アゲインスト方
向、即ち帯電領域上流側に向け回転させている為に、前
記帯電スリーブ２に付着した磁性粒子４が帯電ギャップ
５位置より帯電領域上流側に向け流れる分離極Ａ4によ
り、帯電スリーブ２から分離され該帯電領域内で磁性粒
子４の循環が可能となり、長期使用によっても該粒子の
劣化が生じることはない。
リーブ最近接点Ｐの帯電ギャップ５に導かれた磁性粒子
４は、該ギャップ５が隘路となるが、主極Ａ1 における
最近接点Ｐの磁束密度をＢA1 と、対向極Ｂ1 における
最近接点Ｐの磁束密度をＢB1とした場合に「ＢA1 ＞Ｂ
B1 」に設定しているために、感光体ドラム１側より帯
電スリーブ２側に吸上げられる。更に本発明は前記帯電
スリーブ２を感光体ドラム１に対し、アゲインスト方
向、即ち帯電領域上流側に向け回転させている為に、前
記帯電スリーブ２に付着した磁性粒子４が帯電ギャップ
５位置より帯電領域上流側に向け流れる分離極Ａ4によ
り、帯電スリーブ２から分離され該帯電領域内で磁性粒
子４の循環が可能となり、長期使用によっても該粒子の
劣化が生じることはない。
【００１７】ここで最近接点Ｐ上における磁束密度を
「ＢA1 ＞ＢB1 」に設定したのは、帯電ギャップ５位置
で帯電スリーブ２側に粒子が移動できる効果を達成する
ためである。
「ＢA1 ＞ＢB1 」に設定したのは、帯電ギャップ５位置
で帯電スリーブ２側に粒子が移動できる効果を達成する
ためである。
【００１８】特に「ＢA1 ＞ＢB1 」の条件を最も有効に
達成するには夫々の磁石体の半値幅にもよるが、前記対
向極Ｂ1 の最大磁束密度位置Ｑ1 が最近接点Ｐを挟んで
感光体ドラム１回転方向上流側の＋５°〜−３０°の範
囲に設定するのが良く、更に前記最大磁束密度位置Ｑ2
が最近接点Ｐを挟んで−２０°〜＋５°の範囲に設定す
るのがよい。なお、角度は感光体ドラム軸心Ｏ1 と帯電
スリーブＯ2 を結ぶ線のうち、最近接点Ｐより軸心Ｏ2
側の方向を０°とし、感光体ドラム上流側をマイナス角
度、下流側をプラス角度に設定する。
達成するには夫々の磁石体の半値幅にもよるが、前記対
向極Ｂ1 の最大磁束密度位置Ｑ1 が最近接点Ｐを挟んで
感光体ドラム１回転方向上流側の＋５°〜−３０°の範
囲に設定するのが良く、更に前記最大磁束密度位置Ｑ2
が最近接点Ｐを挟んで−２０°〜＋５°の範囲に設定す
るのがよい。なお、角度は感光体ドラム軸心Ｏ1 と帯電
スリーブＯ2 を結ぶ線のうち、最近接点Ｐより軸心Ｏ2
側の方向を０°とし、感光体ドラム上流側をマイナス角
度、下流側をプラス角度に設定する。
【００１９】
【実施例】以下、図面に基づいて本発明の実施例を例示
的に詳しく説明する。但しこの実施例に記載されている
構成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などは特に
特定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれのみ
に限定する趣旨ではなく単なる説明例に過ぎない。図２
に基づいて本発明の実施例に係る帯電装置の構成につい
て説明する。帯電装置は前記したように図上右方向に回
転する感光体ドラム１に対し０．５ｍｍ程度の帯電ギャ
ップ５（最近接間隔）を介して帯電領域位置で前記感光
体ドラム１と互いに反対方向、即ちアゲインスト方向
（図上左方向、尚回転軸から見た場合はいずれも同一回
転方向となる。）に回転可能により非磁性の帯電スリー
ブ２を配設すると共に、該スリーブ２の背面側の帯電領
域下流側に固定配置した磁石集成体３を配設する。尚、
７は不図示の導電ブレード若しくは非磁性スリーブ２を
介して導電性磁性粒子群４に現像バイアスを印加させる
バイアス電源である。
的に詳しく説明する。但しこの実施例に記載されている
構成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などは特に
特定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれのみ
に限定する趣旨ではなく単なる説明例に過ぎない。図２
に基づいて本発明の実施例に係る帯電装置の構成につい
て説明する。帯電装置は前記したように図上右方向に回
転する感光体ドラム１に対し０．５ｍｍ程度の帯電ギャ
ップ５（最近接間隔）を介して帯電領域位置で前記感光
体ドラム１と互いに反対方向、即ちアゲインスト方向
（図上左方向、尚回転軸から見た場合はいずれも同一回
転方向となる。）に回転可能により非磁性の帯電スリー
ブ２を配設すると共に、該スリーブ２の背面側の帯電領
域下流側に固定配置した磁石集成体３を配設する。尚、
７は不図示の導電ブレード若しくは非磁性スリーブ２を
介して導電性磁性粒子群４に現像バイアスを印加させる
バイアス電源である。
【００２０】次に本発明の要旨たる帯電スリーブ２と感
光体ドラム１の夫々の磁極配置について説明する。先ず
前記磁石集成体３には、前記帯電ギャップ５上若しくは
該帯電ギャップ５より僅かに帯電スリーブ２回転方向上
流側に感光体ドラム１背面側の対向磁極Ｂ1 との間で主
として磁性粒子４の漏洩防止のために磁気シールを行う
Ｎ極の主極Ａ1 、更に主極Ａ1 の帯電スリーブ２回転方
向上流側に、反発磁界により前記磁気シール補助を行う
磁気シールを行うＳ極の磁石体（以下シールド補助極Ａ
2 という）、又主極Ａ1 の帯電スリーブ２回転方向下流
側にはスリーブ２上に約５０ガウス以下の小さな磁力し
か持たない無磁力帯域である分離極Ａ4を形成し、スリ
ーブ２のアゲインスト回転によりスリーブ２表面に担持
されながら搬送されるＳ極の磁石体Ａ3 で搬送して磁性
粒子４を帯電領域上流側の感光体ドラム１側に落下させ
る構成とする。
光体ドラム１の夫々の磁極配置について説明する。先ず
前記磁石集成体３には、前記帯電ギャップ５上若しくは
該帯電ギャップ５より僅かに帯電スリーブ２回転方向上
流側に感光体ドラム１背面側の対向磁極Ｂ1 との間で主
として磁性粒子４の漏洩防止のために磁気シールを行う
Ｎ極の主極Ａ1 、更に主極Ａ1 の帯電スリーブ２回転方
向上流側に、反発磁界により前記磁気シール補助を行う
磁気シールを行うＳ極の磁石体（以下シールド補助極Ａ
2 という）、又主極Ａ1 の帯電スリーブ２回転方向下流
側にはスリーブ２上に約５０ガウス以下の小さな磁力し
か持たない無磁力帯域である分離極Ａ4を形成し、スリ
ーブ２のアゲインスト回転によりスリーブ２表面に担持
されながら搬送されるＳ極の磁石体Ａ3 で搬送して磁性
粒子４を帯電領域上流側の感光体ドラム１側に落下させ
る構成とする。
【００２１】又前記帯電スリーブ２と感光体ドラム１に
挟まれる帯電領域上には導電性磁性粒子群４を介在させ
る。前記磁性粒子４の詳細は後記するが、体積固有抵抗
を１０3 〜１０8 Ω・ｃｍの範囲に又、粒子径は平均粒
径が１０〜３０μｍの範囲で任意に設定される。
挟まれる帯電領域上には導電性磁性粒子群４を介在させ
る。前記磁性粒子４の詳細は後記するが、体積固有抵抗
を１０3 〜１０8 Ω・ｃｍの範囲に又、粒子径は平均粒
径が１０〜３０μｍの範囲で任意に設定される。
【００２２】一方、感光体ドラム１の背面側には、前記
主極Ａ1 の対向位置より僅かに感光体ドラム１回転方向
上流側の帯電領域下流部にＳ極の磁石体（以下対向極Ｂ
1 という）と、前記対向極Ｂ1 に隣接させて帯電領域上
流側に感光体ドラム１の面と水平な磁場（以下「水平磁
場」という）を形成するためのＮ極の磁石体（以下隣接
極Ｂ2 という）とを隣接配置し、前記主極Ａ1 と対向極
Ｂ1 との間で感光体ドラム面に垂直な磁場（以下「垂直
磁場」という）を、又対向極Ｂ1 と隣接極Ｂ2との間で
感光体ドラム１上に水平磁場を形成する。
主極Ａ1 の対向位置より僅かに感光体ドラム１回転方向
上流側の帯電領域下流部にＳ極の磁石体（以下対向極Ｂ
1 という）と、前記対向極Ｂ1 に隣接させて帯電領域上
流側に感光体ドラム１の面と水平な磁場（以下「水平磁
場」という）を形成するためのＮ極の磁石体（以下隣接
極Ｂ2 という）とを隣接配置し、前記主極Ａ1 と対向極
Ｂ1 との間で感光体ドラム面に垂直な磁場（以下「垂直
磁場」という）を、又対向極Ｂ1 と隣接極Ｂ2との間で
感光体ドラム１上に水平磁場を形成する。
【００２３】即ち、前記対向配置される主極Ａ1 と対向
極Ｂ1 を感光体ドラム１回転方向における帯電領域下流
側に配し、両磁石体Ａ1 、Ｂ1 間に形成される垂直磁場
により前記磁性粒子群４を磁気保持させ、又隣接極Ｂ2
を対向極Ｂ1 に隣接させて帯電領域上流側に配置させ、
両磁石体Ｂ2 、Ｂ1 間に主として形成される感光体ドラ
ム１上の水平磁場により前記磁性粒子群４を感光体ドラ
ム１上に密着させる。
極Ｂ1 を感光体ドラム１回転方向における帯電領域下流
側に配し、両磁石体Ａ1 、Ｂ1 間に形成される垂直磁場
により前記磁性粒子群４を磁気保持させ、又隣接極Ｂ2
を対向極Ｂ1 に隣接させて帯電領域上流側に配置させ、
両磁石体Ｂ2 、Ｂ1 間に主として形成される感光体ドラ
ム１上の水平磁場により前記磁性粒子群４を感光体ドラ
ム１上に密着させる。
【００２４】更に具体的に前記夫々の磁極の磁極配置に
ついて図１（Ａ）を用いて詳細に説明する。シールド補
助極Ａ2 は主極Ａ1 に対し帯電スリーブ回転方向上流側
にして、該シールド補助極Ａ2 の帯電スリーブ上での最
大磁束密度位置Ｑ3 が４５°〜９０°の範囲に設定され
ている。なお、角度は帯電スリーブＯ2 を中心として軸
心Ｏ2 から最近接点Ｐへ結ぶ線の方向を０°とし、０°
より感光体移動方向下流側への振れ角をプラスに設定し
た値である。主極Ａ1 は、主極Ａ1 の帯電スリーブ上に
おける最大磁束密度位置Ｑ2 が、又前記対向極Ｂ1 の感
光体ドラム上における最大磁束密度位置Ｑ1 より感光体
ドラム回転方向下流側に位置するように構成すると共
に、具体的には、Ｑ2 が最近接点Ｐを挟んで−２０°〜
＋５°の範囲で、より好ましくは−１０°〜＋５°の範
囲に設定するのが良い。又対向極Ｂ1 は、最大磁束密度
位置Ｑ1 が最近接点Ｐを挟んで感光体ドラム回転方向上
流側の＋５°〜−３０°の範囲に前記主極Ａ1 の前記最
近接点Ｐ上における磁束密度が、前記対向極Ｂ1 の前記
最近接点Ｐ上における磁束密度より大になる如く配設す
る。なお、この場合の角度は作用の欄で示した値であ
る。又前記主極Ａ1 と対向極Ｂ1 との関係は、帯電スリ
ーブ軸心Ｏ2 と前記主極Ａ1 の最大磁束密度位置Ｑ2 を
結ぶ線と、前記感光体ドラム軸心Ｏ1 と対向極Ｂ1の最
大磁束密度位置Ｑ1 を結ぶ線の狭角を０〜５０°に設定
する。
ついて図１（Ａ）を用いて詳細に説明する。シールド補
助極Ａ2 は主極Ａ1 に対し帯電スリーブ回転方向上流側
にして、該シールド補助極Ａ2 の帯電スリーブ上での最
大磁束密度位置Ｑ3 が４５°〜９０°の範囲に設定され
ている。なお、角度は帯電スリーブＯ2 を中心として軸
心Ｏ2 から最近接点Ｐへ結ぶ線の方向を０°とし、０°
より感光体移動方向下流側への振れ角をプラスに設定し
た値である。主極Ａ1 は、主極Ａ1 の帯電スリーブ上に
おける最大磁束密度位置Ｑ2 が、又前記対向極Ｂ1 の感
光体ドラム上における最大磁束密度位置Ｑ1 より感光体
ドラム回転方向下流側に位置するように構成すると共
に、具体的には、Ｑ2 が最近接点Ｐを挟んで−２０°〜
＋５°の範囲で、より好ましくは−１０°〜＋５°の範
囲に設定するのが良い。又対向極Ｂ1 は、最大磁束密度
位置Ｑ1 が最近接点Ｐを挟んで感光体ドラム回転方向上
流側の＋５°〜−３０°の範囲に前記主極Ａ1 の前記最
近接点Ｐ上における磁束密度が、前記対向極Ｂ1 の前記
最近接点Ｐ上における磁束密度より大になる如く配設す
る。なお、この場合の角度は作用の欄で示した値であ
る。又前記主極Ａ1 と対向極Ｂ1 との関係は、帯電スリ
ーブ軸心Ｏ2 と前記主極Ａ1 の最大磁束密度位置Ｑ2 を
結ぶ線と、前記感光体ドラム軸心Ｏ1 と対向極Ｂ1の最
大磁束密度位置Ｑ1 を結ぶ線の狭角を０〜５０°に設定
する。
【００２５】次にかかる実施例の作用を図１を用いて簡
単に説明すると、前記帯電領域に位置する磁性粒子群４
は、対向極Ｂ1 と隣接極Ｂ2 間の水平磁場４Ａ上で感光
体ドラム１上に密着して付着され、この状態で感光体ド
ラム１が時計周りに回転すると、水平磁場４Ａ上で感光
体ドラム１への帯電を行ないながら帯電ギャップ５側に
移動し、該帯電ギャップ５位置で磁性粒子群４はシール
ド補助極Ａ2 により対向極Ｂ1 との間で反発磁界が生成
されて主極Ａ1 対向極Ｂ1 で作る磁気シールドを補助
し、力の向きをＡ1 、Ｂ1 による上向きの力とによって
感光体ドラム上流側へ傾け、図上左上のスリーブ２側へ
移動する。そして分離極Ａ4 によりスリーブ２上の無磁
力で前記磁性粒子がスリーブ２下流側に搬送されること
ない。この場合、磁性粒子群４の１ＫＯｅの磁場での飽
和磁化を５０ｅｍｕ／ｇ〜２００ｅｍｕ／ｇに設定する
が、２００ｅｍｕ／ｇを越えると分離極Ａ4 を通過しや
すく帯電スリーブ２下流側に搬送されることとなる。一
方、５０ｅｍｕ／ｇ以下になると、主極Ａ1 側に磁性粒
子群４が付着しづらく、結果として循環が困難となる。
単に説明すると、前記帯電領域に位置する磁性粒子群４
は、対向極Ｂ1 と隣接極Ｂ2 間の水平磁場４Ａ上で感光
体ドラム１上に密着して付着され、この状態で感光体ド
ラム１が時計周りに回転すると、水平磁場４Ａ上で感光
体ドラム１への帯電を行ないながら帯電ギャップ５側に
移動し、該帯電ギャップ５位置で磁性粒子群４はシール
ド補助極Ａ2 により対向極Ｂ1 との間で反発磁界が生成
されて主極Ａ1 対向極Ｂ1 で作る磁気シールドを補助
し、力の向きをＡ1 、Ｂ1 による上向きの力とによって
感光体ドラム上流側へ傾け、図上左上のスリーブ２側へ
移動する。そして分離極Ａ4 によりスリーブ２上の無磁
力で前記磁性粒子がスリーブ２下流側に搬送されること
ない。この場合、磁性粒子群４の１ＫＯｅの磁場での飽
和磁化を５０ｅｍｕ／ｇ〜２００ｅｍｕ／ｇに設定する
が、２００ｅｍｕ／ｇを越えると分離極Ａ4 を通過しや
すく帯電スリーブ２下流側に搬送されることとなる。一
方、５０ｅｍｕ／ｇ以下になると、主極Ａ1 側に磁性粒
子群４が付着しづらく、結果として循環が困難となる。
【００２６】この場合、シールド極Ａ2 と対向極Ｂ1 に
より形成される最近接点Ｐ上における磁気力の合成ベク
トルは不図示ではあるが、帯電ギャップ５入口側に向け
て設定する事により、前記反発磁界と共に磁界による押
戻し方向が働き、一層好ましい。そして更に前記感光体
ドラムのスリーブ最近接点Ｐの法線方向における、主極
Ａ1 と対向極Ｂ1 及びシールド極Ａ2 により形成される
磁気力の合成ベクトルを帯電スリーブ２側に向くよう設
定する。これにより、前記帯電ギャップ上の磁性粒子は
帯電スリーブ２側に移動し且つ吸着する。
より形成される最近接点Ｐ上における磁気力の合成ベク
トルは不図示ではあるが、帯電ギャップ５入口側に向け
て設定する事により、前記反発磁界と共に磁界による押
戻し方向が働き、一層好ましい。そして更に前記感光体
ドラムのスリーブ最近接点Ｐの法線方向における、主極
Ａ1 と対向極Ｂ1 及びシールド極Ａ2 により形成される
磁気力の合成ベクトルを帯電スリーブ２側に向くよう設
定する。これにより、前記帯電ギャップ上の磁性粒子は
帯電スリーブ２側に移動し且つ吸着する。
【００２７】そして帯電スリーブ２側に吸着した磁性粒
子４Ｂは、スリーブ２の回転に従って帯電領域上流側に
戻された後、前記磁石体Ａ3 の下流に設けた分離極Ａ4
が帯電領域上流側に位置するようにレイアウトされてい
る為に、帯電領域上流側に搬送された前記磁性粒子群４
Ｃを磁気的に開放し、感光体ドラム１側に落下し、磁性
粒子４の循環が行なわれる。
子４Ｂは、スリーブ２の回転に従って帯電領域上流側に
戻された後、前記磁石体Ａ3 の下流に設けた分離極Ａ4
が帯電領域上流側に位置するようにレイアウトされてい
る為に、帯電領域上流側に搬送された前記磁性粒子群４
Ｃを磁気的に開放し、感光体ドラム１側に落下し、磁性
粒子４の循環が行なわれる。
【００２８】次にかかる装置を用いた帯電ギャップ５よ
りの磁性粒子４の漏洩を実験により確認する。先ず本実
験条件について説明する。感光体ドラム１はＯＰＣドラ
ムを用い、その直径を３０ｍｍφ、その線速を２５ｍ／
ｓｅｃに設定する。帯電スリーブ２はアルミ管を用い、
その直径を１２ｍｍφ、その線速を８ｍ／ｓｅｃに設定
する。
りの磁性粒子４の漏洩を実験により確認する。先ず本実
験条件について説明する。感光体ドラム１はＯＰＣドラ
ムを用い、その直径を３０ｍｍφ、その線速を２５ｍ／
ｓｅｃに設定する。帯電スリーブ２はアルミ管を用い、
その直径を１２ｍｍφ、その線速を８ｍ／ｓｅｃに設定
する。
【００２９】又前記夫々の磁極の磁束密度は、対向極Ｂ
1 と隣接極Ｂ2 の夫々の感光体ドラム１上での最大磁束
密度を夫々Ｓ６３０Ｇ、Ｎ７３０Ｇ、更に主極Ａ1 とシ
ールド補助極Ａ2 の夫々の帯電スリーブ２上での最大磁
束密度を夫々Ｎ９００Ｇ、Ｓ７７０Ｇに夫々設定する。
そして、主極Ａ1 を０°（最大磁束密度をＮ９００
Ｇ）、対向極Ｂ1 を−１５°及びシールド補助極Ａ2 を
６０°に夫々設定した場合、最近接点Ｐ上における、主
極Ａ1 と対向極Ｂ1 及びシールド補助極Ａ2 により形成
される磁気力の合成ベクトルは、帯電スリーブのギャッ
プ入口に向けて磁気力が発生していることがシミュレー
ションにより確認された。
1 と隣接極Ｂ2 の夫々の感光体ドラム１上での最大磁束
密度を夫々Ｓ６３０Ｇ、Ｎ７３０Ｇ、更に主極Ａ1 とシ
ールド補助極Ａ2 の夫々の帯電スリーブ２上での最大磁
束密度を夫々Ｎ９００Ｇ、Ｓ７７０Ｇに夫々設定する。
そして、主極Ａ1 を０°（最大磁束密度をＮ９００
Ｇ）、対向極Ｂ1 を−１５°及びシールド補助極Ａ2 を
６０°に夫々設定した場合、最近接点Ｐ上における、主
極Ａ1 と対向極Ｂ1 及びシールド補助極Ａ2 により形成
される磁気力の合成ベクトルは、帯電スリーブのギャッ
プ入口に向けて磁気力が発生していることがシミュレー
ションにより確認された。
【００３０】この状態で弊社製造のＬＥＤプリンタに組
込んで帯電バイアス電源７に４００Ｖを印加して感光体
ドラム移動方向に対してアゲインスト方向へ帯電スリー
ブを回転させて、磁性粒子の循環状況および感光体ドラ
ムへの洩出状況を目視及び画像形成により確認した。な
お、磁性粒子は、平均粒径１５μｍ、体積固有抵抗１０
5 Ω・ｃｍ、１ＫＯｅの磁場で飽和磁化が７０ｅｍｕ／
ｇのフェライトキャリアを用いた（試料１）。また、比
較例として磁性粒子は、平均粒径３０μｍ、体積固有抵
抗１０5 Ω・ｃｍ、１ＫＯｅの磁場で飽和磁化が２１０
ｅｍｕ／ｇの鉄粉キャリアを用いた（試料２）。なお、
いずれのキャリアも非誘電率は４０以下であった。本実
験の結果、試料１は良好に磁性粒子が循環されており、
良好な画像が得られた。これに対し、試料２は分離極Ａ
4 で磁性粒子を分離することができず、帯電スリーブ２
周囲に磁性粒子が取り囲み、スムーズに循環されておら
ず帯電むらが画像にあらわれた。
込んで帯電バイアス電源７に４００Ｖを印加して感光体
ドラム移動方向に対してアゲインスト方向へ帯電スリー
ブを回転させて、磁性粒子の循環状況および感光体ドラ
ムへの洩出状況を目視及び画像形成により確認した。な
お、磁性粒子は、平均粒径１５μｍ、体積固有抵抗１０
5 Ω・ｃｍ、１ＫＯｅの磁場で飽和磁化が７０ｅｍｕ／
ｇのフェライトキャリアを用いた（試料１）。また、比
較例として磁性粒子は、平均粒径３０μｍ、体積固有抵
抗１０5 Ω・ｃｍ、１ＫＯｅの磁場で飽和磁化が２１０
ｅｍｕ／ｇの鉄粉キャリアを用いた（試料２）。なお、
いずれのキャリアも非誘電率は４０以下であった。本実
験の結果、試料１は良好に磁性粒子が循環されており、
良好な画像が得られた。これに対し、試料２は分離極Ａ
4 で磁性粒子を分離することができず、帯電スリーブ２
周囲に磁性粒子が取り囲み、スムーズに循環されておら
ず帯電むらが画像にあらわれた。
【００３１】
【効果】以上記載のごとく本発明によれば、粒子帯電に
おける磁性粒子の漏洩等が生じることなく又長期使用に
よっても帯電剤が劣化する事なく長期に亙って安定した
帯電能を確保し得る。又本発明によれば、磁性粒子の循
環を良好に確保出来る帯電装置として適用される。更に
本発明によれば、製造上からも、使用者側からも、更に
環境にも十分配慮することが出来、極めて実用性の高い
帯電装置が得る事の出来る。等の種々の著効を有す。
おける磁性粒子の漏洩等が生じることなく又長期使用に
よっても帯電剤が劣化する事なく長期に亙って安定した
帯電能を確保し得る。又本発明によれば、磁性粒子の循
環を良好に確保出来る帯電装置として適用される。更に
本発明によれば、製造上からも、使用者側からも、更に
環境にも十分配慮することが出来、極めて実用性の高い
帯電装置が得る事の出来る。等の種々の著効を有す。
【図１】本発明の基本構成図。
【図２】本発明の実施例に係る帯電装置を示す全体図で
ある。
ある。
【図３】従来技術に係る帯電装置を示す表図である。
１ 感光体ドラム ２ 帯電スリーブ ３ 磁石集成体 ４ 磁性粒子 ５ 帯電ギャップ Ｐ 最近接点 Ａ1 主極 Ｂ1 対向極 Ａ2 シールド補助極 Ａ4 分離極
Claims (6)
- 【請求項１】 感光体の帯電領域上に、該感光体に向け
て固定配置した第１の磁石体（以下主極という）を内包
する非磁性帯電スリーブを、又前記帯電領域上に位置す
る感光体の背面側に、前記主極と逆極性の第２の磁石体
（以下対向極という）を配し、 、前記帯電スリーブを回転させながら、前記両磁石体に
より担持された磁性粒子群を介して感光体を帯電可能に
構成した帯電装置において、 前記磁性粒子群の前記主極より、感光体回転方向上流側
に位置する前記磁性粒子群を前記帯電スリーブから分離
し、前記感光体に落下可能に構成した分離極を配すると
ともに平均粒径を略１０〜４０μｍで、１ｋＯｅの磁場
での飽和磁化を５０ｅｍｕ／ｇ〜２００ｅｍｕ／ｇ、比
誘電率εｒを４０以下に設定したことを特徴とする帯電
装置 - 【請求項２】 磁性粒子群が、体積固有抵抗が１０6 以
下の導電性磁性粒子と体積固有抵抗が１０6 以上の高抵
抗磁性粒子の混合粒子群であり、全体としての体積固有
抵抗が１０3 〜１０8 Ω・ｃｍの範囲にあり高抵抗磁性
粒子の平均粒径を導電性磁性粒子の平均粒径より大にし
た事を特徴とする請求項１記載の帯電装置 - 【請求項３】 前記高抵抗磁性粒子の２０μｍ以下の粒
子分布が５％以下になるように構成した請求項２記載の
帯電装置 - 【請求項４】 前記帯電スリーブを感光体の移動方向に
対しアゲインスト方向に回転させるとともに、前記主極
の前記感光体のスリーブ最近接点Ｐ上における磁束密度
が、前記対向極の前記最近接点Ｐ上における磁束密度よ
り大になる如く構成した事を特徴とする請求項１又は２
記載の帯電装置 - 【請求項５】 前記主極の帯電スリーブ上における最大
磁束密度位置Ｑ2 が、又前記対向極の感光体ドラム上に
おける最大磁束密度位置Ｑ1 より感光体ドラム回転方向
下流側に位置するように構成すると共に、 前記最大磁束密度位置Ｑ1 が最近接点Ｐを挟んで感光体
ドラム回転方向上流側の＋５°〜−３０°、前記最大磁
束密度位置Ｑ2 が前記最近接点Ｐを挟んで−１０°〜＋
５°の範囲に配した事を特徴とする請求項１又は２記載
の帯電装置 - 【請求項６】 感光体移動方向下流側における帯電スリ
ーブ内に、前記対向極と同極性の第３の磁石体（以下シ
ールド補助極という）を配した事を特徴とする請求項３
記載の帯電装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02743594A JP3240027B2 (ja) | 1994-01-31 | 1994-01-31 | 帯電装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02743594A JP3240027B2 (ja) | 1994-01-31 | 1994-01-31 | 帯電装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07219310A true JPH07219310A (ja) | 1995-08-18 |
| JP3240027B2 JP3240027B2 (ja) | 2001-12-17 |
Family
ID=12221039
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02743594A Expired - Fee Related JP3240027B2 (ja) | 1994-01-31 | 1994-01-31 | 帯電装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3240027B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5659852A (en) * | 1994-10-31 | 1997-08-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Image forming method, image forming apparatus and process cartridge |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3119228B2 (ja) | 1998-01-20 | 2000-12-18 | 日本電気株式会社 | 液晶表示パネル及びその製造方法 |
-
1994
- 1994-01-31 JP JP02743594A patent/JP3240027B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5659852A (en) * | 1994-10-31 | 1997-08-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Image forming method, image forming apparatus and process cartridge |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3240027B2 (ja) | 2001-12-17 |
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