JPH0722326A - 光ｃｖｄ装置 - Google Patents
光ｃｖｄ装置Info
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- JPH0722326A JPH0722326A JP2922792A JP2922792A JPH0722326A JP H0722326 A JPH0722326 A JP H0722326A JP 2922792 A JP2922792 A JP 2922792A JP 2922792 A JP2922792 A JP 2922792A JP H0722326 A JPH0722326 A JP H0722326A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title abstract description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 34
- 238000006552 photochemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 12
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 11
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 238000007664 blowing Methods 0.000 abstract 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 45
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 8
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 8
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 長期間の成膜操作を行っても整流ガス吹き出
し口における詰まりを防止し長期間の成膜操作を可能と
した光ＣＶＤ装置を提供すること。 【構成】 整流ガス吹き出し口６を介して反応室内１に
供給されたガスに光入射窓２を透過して低圧水銀ランプ
等の光源３からの光を照射することにより光化学反応を
促進し、反応室１内に設置された基板５上に薄膜を堆積
させるに際して、光源３から光入射窓２を介して反応室
１内に供給される光が整流ガス吹き出し口６に照射され
ないように遮蔽板４を設置した。遮蔽板４は、整流ガス
吹き出し口６側になるにつれてその長さが長くなってい
る。
し口における詰まりを防止し長期間の成膜操作を可能と
した光ＣＶＤ装置を提供すること。 【構成】 整流ガス吹き出し口６を介して反応室内１に
供給されたガスに光入射窓２を透過して低圧水銀ランプ
等の光源３からの光を照射することにより光化学反応を
促進し、反応室１内に設置された基板５上に薄膜を堆積
させるに際して、光源３から光入射窓２を介して反応室
１内に供給される光が整流ガス吹き出し口６に照射され
ないように遮蔽板４を設置した。遮蔽板４は、整流ガス
吹き出し口６側になるにつれてその長さが長くなってい
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光ＣＶＤ装置に係り、特
に光化学反応を用いた薄膜を形成するための装置におい
て、ガス供給管の吹き出し口の詰まりを防止するのに好
適な光ＣＶＤ装置に関する。
に光化学反応を用いた薄膜を形成するための装置におい
て、ガス供給管の吹き出し口の詰まりを防止するのに好
適な光ＣＶＤ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】光化学反応は反応性ガスにそのガスの波
長吸収に応じた波長を有する光を照射することにより化
学反応を促進するものである。照射する光と反応ガスと
の組み合わせによって反応を選択的に進行させることが
可能である。さらに光化学反応は熱化学反応のような高
温が要求されないので、プロセスの低温化に有効であ
り、プラズマ反応のような荷電粒子の影響がないため、
堆積した膜に電気的な損傷がないことから、シリコン酸
化膜等の形成に有効であるとされている。
長吸収に応じた波長を有する光を照射することにより化
学反応を促進するものである。照射する光と反応ガスと
の組み合わせによって反応を選択的に進行させることが
可能である。さらに光化学反応は熱化学反応のような高
温が要求されないので、プロセスの低温化に有効であ
り、プラズマ反応のような荷電粒子の影響がないため、
堆積した膜に電気的な損傷がないことから、シリコン酸
化膜等の形成に有効であるとされている。
【０００３】しかしながら、光化学反応を用いた薄膜製
造装置では、反応容器内に反応ガスを供給し、基盤上に
薄膜を堆積させるものであるため、薄膜を堆積させる回
数が多くなったり、薄膜を堆積させる時間を長くなる
と、光入射窓の表面に反応生成物が付着し、反応容器内
に照射される光の強度が低下し、さらには反応が停止す
る問題がある。
造装置では、反応容器内に反応ガスを供給し、基盤上に
薄膜を堆積させるものであるため、薄膜を堆積させる回
数が多くなったり、薄膜を堆積させる時間を長くなる
と、光入射窓の表面に反応生成物が付着し、反応容器内
に照射される光の強度が低下し、さらには反応が停止す
る問題がある。
【０００４】光入射窓の表面に反応生成物が付着するこ
とを防止する薄膜製造装置として、本発明者らは、先に
図３に示す光化学反応装置を提案した。（特開平１−１
８６６１３号公報）
とを防止する薄膜製造装置として、本発明者らは、先に
図３に示す光化学反応装置を提案した。（特開平１−１
８６６１３号公報）
【０００５】図３において、５１は反応室、５２は反応
室５１の壁面の一部を構成している光入射窓、５３は光
源、５４は薄膜を堆積させるための基板、５６は光化学
反応に関係しないガス、５７は反応ガス、５８は整流ガ
ス吹き出し口、５９は排気口である。
室５１の壁面の一部を構成している光入射窓、５３は光
源、５４は薄膜を堆積させるための基板、５６は光化学
反応に関係しないガス、５７は反応ガス、５８は整流ガ
ス吹き出し口、５９は排気口である。
【０００６】上記した光化学反応装置では、光入射窓５
２の表面に反応生成物が付着することを防止するため
に、ガス吹き出し口５８を多数の微細な連通孔を有する
耐熱性の多孔質物質によって構成し、ガス流路形状がガ
スの流れに乱れを生じる凹凸を有しない構造となってい
る。
２の表面に反応生成物が付着することを防止するため
に、ガス吹き出し口５８を多数の微細な連通孔を有する
耐熱性の多孔質物質によって構成し、ガス流路形状がガ
スの流れに乱れを生じる凹凸を有しない構造となってい
る。
【０００７】しかしながら、光源５３からの光は光入射
窓５２を透過し、基板５４付近を照射するが、整流ガス
吹き出し口５８にも照射してしまう。そのために整流ガ
ス吹き出し口５８近傍で光化学反応が進行すると、整流
ガス吹き出し口５８でも膜が堆積され、整流ガス吹き出
し口５８が詰まり易いという問題があった。
窓５２を透過し、基板５４付近を照射するが、整流ガス
吹き出し口５８にも照射してしまう。そのために整流ガ
ス吹き出し口５８近傍で光化学反応が進行すると、整流
ガス吹き出し口５８でも膜が堆積され、整流ガス吹き出
し口５８が詰まり易いという問題があった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、従来の
光化学反応装置においては、光源５３からの光を基板５
４付近に照射するように構成されているが、特に整流ガ
ス吹き出し口５８の照射しないように配慮されていな
い。このため、整流ガス吹き出し口５８近傍で光化学反
応が進行すると、連通孔に膜が生成され、整流ガス吹き
出し口５８が詰まり易いという問題があった。
光化学反応装置においては、光源５３からの光を基板５
４付近に照射するように構成されているが、特に整流ガ
ス吹き出し口５８の照射しないように配慮されていな
い。このため、整流ガス吹き出し口５８近傍で光化学反
応が進行すると、連通孔に膜が生成され、整流ガス吹き
出し口５８が詰まり易いという問題があった。
【０００９】本発明の目的は、上記した従来の課題を解
決し、長期間成膜操作を行っても整流ガス吹き出し口の
詰まりを防止することができる光ＣＶＤ装置を提供する
ことにある。
決し、長期間成膜操作を行っても整流ガス吹き出し口の
詰まりを防止することができる光ＣＶＤ装置を提供する
ことにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ため、本発明は整流ガス吹き出し口を介して反応室内に
供給されたガスに光入射窓を透過して光源からの光を照
射することにより光化学反応を促進し、反応室内に設置
された基板上に薄膜を堆積させる光ＣＶＤ装置におい
て、光源から光入射窓を介して反応室内に供給される光
が整流ガス吹き出し口に照射されないように光源付近に
遮蔽板を設置したことを特徴とする。
ため、本発明は整流ガス吹き出し口を介して反応室内に
供給されたガスに光入射窓を透過して光源からの光を照
射することにより光化学反応を促進し、反応室内に設置
された基板上に薄膜を堆積させる光ＣＶＤ装置におい
て、光源から光入射窓を介して反応室内に供給される光
が整流ガス吹き出し口に照射されないように光源付近に
遮蔽板を設置したことを特徴とする。
【００１１】
【作用】反応室内に供給された反応ガスは、反応ガスの
励起に必要な波長を有する光が照射されないと、光化学
反応が促進されず、反応生成物が生成されない。整流ガ
ス吹き出し口付近は遮蔽板によって光源からの光の照射
が遮蔽されるので、整流ガス吹き出し口付近では、光化
学反応が促進されず、反応生成物が生成されない。この
結果、整流ガス吹き出し口には膜が生成されないから、
整流ガス吹き出し口の詰まりが防止される。
励起に必要な波長を有する光が照射されないと、光化学
反応が促進されず、反応生成物が生成されない。整流ガ
ス吹き出し口付近は遮蔽板によって光源からの光の照射
が遮蔽されるので、整流ガス吹き出し口付近では、光化
学反応が促進されず、反応生成物が生成されない。この
結果、整流ガス吹き出し口には膜が生成されないから、
整流ガス吹き出し口の詰まりが防止される。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１は本発明の光ＣＶＤ装置の一実施例を示す概
略的断面構成図である。断面矩形状の内部空間を有する
反応容器内を構成する反応室１の上部には光入射窓２が
設置されている。この光入射窓２は反応室１の壁面の一
部を構成し、反応室１の内壁面と光入射窓２の内面（反
応室側面）は同一面を構成し、凹凸を有しない構造とな
っている。
する。図１は本発明の光ＣＶＤ装置の一実施例を示す概
略的断面構成図である。断面矩形状の内部空間を有する
反応容器内を構成する反応室１の上部には光入射窓２が
設置されている。この光入射窓２は反応室１の壁面の一
部を構成し、反応室１の内壁面と光入射窓２の内面（反
応室側面）は同一面を構成し、凹凸を有しない構造とな
っている。
【００１３】また、光入射窓２の上方には、光化学反応
の励起源となる低圧水銀ランプ３が複数個配設されてお
り、それぞれの低圧水銀ランプ３の間には遮蔽板４が光
入射窓２に対して垂直な方向に並設されている。
の励起源となる低圧水銀ランプ３が複数個配設されてお
り、それぞれの低圧水銀ランプ３の間には遮蔽板４が光
入射窓２に対して垂直な方向に並設されている。
【００１４】さらに反応室１の底面部には凹部が形成さ
れ、この凹部に薄膜を堆積させるための基板５が埋設可
能な形状を有するサセプタ９が配設されると共にこのサ
セプタ９及び基板５の上面は反応室１の底面と同一面を
構成し、凹凸を有しない構造となっている。
れ、この凹部に薄膜を堆積させるための基板５が埋設可
能な形状を有するサセプタ９が配設されると共にこのサ
セプタ９及び基板５の上面は反応室１の底面と同一面を
構成し、凹凸を有しない構造となっている。
【００１５】反応容器の側面に整流ガス吹き出し口６が
配設されており、この整流ガス吹き出し口６は上下方向
に２段に区画され、その下段側は単体で光入射窓２の曇
りの原因となる可能性となる反応ガスを供給するための
ガス供給管７が配設され、その上段側は単体では光入射
窓２の曇りの原因とならない反応ガスを供給するための
ガス供給管８が配設されている。また、整流ガス吹き出
し口６に対応する反応室１の側面下方には排気口１０が
形成されている。
配設されており、この整流ガス吹き出し口６は上下方向
に２段に区画され、その下段側は単体で光入射窓２の曇
りの原因となる可能性となる反応ガスを供給するための
ガス供給管７が配設され、その上段側は単体では光入射
窓２の曇りの原因とならない反応ガスを供給するための
ガス供給管８が配設されている。また、整流ガス吹き出
し口６に対応する反応室１の側面下方には排気口１０が
形成されている。
【００１６】整流ガス吹き出し口６は、それぞれ多数の
微細な連通孔を有する耐熱性の多孔質物質によって構成
されており、多孔質物質としては、例えば、平均粒径が
０．１μｍ〜１ｍｍ、好ましくは２μｍ〜５００μｍの
金属又はセラミックスの焼結体からなるものが望まし
い。
微細な連通孔を有する耐熱性の多孔質物質によって構成
されており、多孔質物質としては、例えば、平均粒径が
０．１μｍ〜１ｍｍ、好ましくは２μｍ〜５００μｍの
金属又はセラミックスの焼結体からなるものが望まし
い。
【００１７】低圧水銀ランプ３から光入射窓２を介して
反応室１内に光を照射する際、図２に点線で示すように
整流ガス吹き出し口６に光が照射されないようにそれぞ
れの遮蔽板４の長さが異なっている。すなわち、低圧水
銀ランプ３は、光入射窓２に対して所定の間隔をおいて
平行に並設されており、光入射窓２に対して垂直方向に
配置された各々の遮蔽板４は、整流ガス吹き出し口６側
の遮蔽板４の長さが長く、排気口１０側になるにつれて
遮蔽板４の長さに短くなっている。
反応室１内に光を照射する際、図２に点線で示すように
整流ガス吹き出し口６に光が照射されないようにそれぞ
れの遮蔽板４の長さが異なっている。すなわち、低圧水
銀ランプ３は、光入射窓２に対して所定の間隔をおいて
平行に並設されており、光入射窓２に対して垂直方向に
配置された各々の遮蔽板４は、整流ガス吹き出し口６側
の遮蔽板４の長さが長く、排気口１０側になるにつれて
遮蔽板４の長さに短くなっている。
【００１８】次の上記の構成からなる光ＣＶＤ装置の作
用をモノシラン（ＳｉＨ4 ）と酸素ガス（Ｏ2 ）を用い
て酸化シリコン膜（Ｓｉ2 Ｏ）を堆積させる場合を例に
説明する。
用をモノシラン（ＳｉＨ4 ）と酸素ガス（Ｏ2 ）を用い
て酸化シリコン膜（Ｓｉ2 Ｏ）を堆積させる場合を例に
説明する。
【００１９】図１に示す装置において、モノシランガス
はガス供給管７から下段の整流ガス吹き出し口６を介し
て反応室１内に供給され、酸素ガスはガス供給管８から
上段の整流ガス吹き出し口６を介して反応室１内にされ
る。通常成膜は、減圧下で行うが、減圧下では、モノシ
ランガスと酸素ガスは同じ流速で反応室１内に供給され
た直後、相互拡散により広がり、互いに混合する。
はガス供給管７から下段の整流ガス吹き出し口６を介し
て反応室１内に供給され、酸素ガスはガス供給管８から
上段の整流ガス吹き出し口６を介して反応室１内にされ
る。通常成膜は、減圧下で行うが、減圧下では、モノシ
ランガスと酸素ガスは同じ流速で反応室１内に供給され
た直後、相互拡散により広がり、互いに混合する。
【００２０】この時点で、低圧水銀ランプ３からの光が
照射されていれば光化学反応が進行するが、整流ガス吹
き出し口６付近では、光が照射されない領域を形成して
いるので、光化学反応が進行しない。したがって、整流
ガス吹き出し口６の付近領域では反応生成物が生成され
ないので、整流ガス吹き出し口６に反応生成物が付着す
ることがない。反応ガスが図２中、点線で示す領域に入
ると、光化学反応が進行し、その結果、基板５上に薄膜
が堆積するが、整流ガス吹き出し口６には反応生成物が
付着しない。
照射されていれば光化学反応が進行するが、整流ガス吹
き出し口６付近では、光が照射されない領域を形成して
いるので、光化学反応が進行しない。したがって、整流
ガス吹き出し口６の付近領域では反応生成物が生成され
ないので、整流ガス吹き出し口６に反応生成物が付着す
ることがない。反応ガスが図２中、点線で示す領域に入
ると、光化学反応が進行し、その結果、基板５上に薄膜
が堆積するが、整流ガス吹き出し口６には反応生成物が
付着しない。
【００２１】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、長時間又
は長期間にわたって成膜操作を続けても整流ガス吹き出
し口が詰まることがなく、安定して成膜操作を行うこと
ができる。
は長期間にわたって成膜操作を続けても整流ガス吹き出
し口が詰まることがなく、安定して成膜操作を行うこと
ができる。
【図１】本発明の光ＣＶＤ装置の一実施例を示す概略的
断面構成図である。
断面構成図である。
【図２】図１の装置における光の照射領域を示すための
説明図である。
説明図である。
【図３】従来の光化学反応装置を示す概略的断面図構成
図である。
図である。
１ 反応室 ２ 光入射窓 ３ 低圧水銀ランプ ４ 遮蔽板 ５ 基板 ６ 整流ガス吹き出し口 ７，８ ガス供給管 ９ サセプタ １０ 排気口
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 阿高 三郎 神奈川県横浜市磯子区磯子一丁目２番10号 バブコック日立株式会社横浜研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】 整流ガス吹き出し口を介して反応室内に
供給されたガスに光入射窓を透過して光源からの光を照
射することにより光化学反応を促進し、反応室内に設置
された基板上に薄膜を堆積させる光ＣＶＤ装置におい
て、前記光源から光入射窓を介して反応室内に供給され
る光が前記整流ガス吹き出し口に照射されないように光
源付近に遮蔽板を設置したことを特徴とする光ＣＶＤ装
置。 - 【請求項２】 前記光源が反応室の一部を構成する光入
射窓に対して平行に複数個並設され、各光源の間に前記
遮蔽板が設置されると共に前記整流ガス吹き出し口側に
近接するにつれて前記遮蔽板の長さが長くなっているこ
とを特徴とする請求項１の光ＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2922792A JPH0722326A (ja) | 1992-02-17 | 1992-02-17 | 光ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2922792A JPH0722326A (ja) | 1992-02-17 | 1992-02-17 | 光ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0722326A true JPH0722326A (ja) | 1995-01-24 |
Family
ID=12270338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2922792A Pending JPH0722326A (ja) | 1992-02-17 | 1992-02-17 | 光ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0722326A (ja) |
-
1992
- 1992-02-17 JP JP2922792A patent/JPH0722326A/ja active Pending
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