JPH02107786A - 酸化物超電導膜の形成方法 - Google Patents
酸化物超電導膜の形成方法Info
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- JPH02107786A JPH02107786A JP63259840A JP25984088A JPH02107786A JP H02107786 A JPH02107786 A JP H02107786A JP 63259840 A JP63259840 A JP 63259840A JP 25984088 A JP25984088 A JP 25984088A JP H02107786 A JPH02107786 A JP H02107786A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は筒状の基材の内周面に酸化物超電導膜を形成さ
せる方法に関するものである。
せる方法に関するものである。
例えばセラミック等の筒状の磁気シールド基材の内周面
に超電導膜を形成させて磁気シールドを製造する際、ニ
オブ（Ｎｂ）又は鉛（Ｐｂ）等をテープ状に加工したも
のを、前記基材の内周面に周着させた後、Ｎｂ、 Ｐｂ
等を超電導体にするための臨界温度まで冷却して前記基
材の内周面に超電導膜を形成させ、磁気シールドを得て
いた。
に超電導膜を形成させて磁気シールドを製造する際、ニ
オブ（Ｎｂ）又は鉛（Ｐｂ）等をテープ状に加工したも
のを、前記基材の内周面に周着させた後、Ｎｂ、 Ｐｂ
等を超電導体にするための臨界温度まで冷却して前記基
材の内周面に超電導膜を形成させ、磁気シールドを得て
いた。
しかしながら、Ｎｂ、 Ｐｂ等の前記臨界温度は極低温
なので、−２６９’Ｃの液体ヘリウムを冷媒として用い
なければならないため、ヘリウム（ｌｉｅ）を液化する
冷却コストが非常に多くかかるという問題があった。
なので、−２６９’Ｃの液体ヘリウムを冷媒として用い
なければならないため、ヘリウム（ｌｉｅ）を液化する
冷却コストが非常に多くかかるという問題があった。
そこで、臨界温度がＮｂ、 Ｐｂ等よりも高く、−１９
６°Ｃの液体窒素を冷媒として用いることができるＹ−
Ｂａ−Ｃｕ−０系等の酸化物超電導体を用いて膜を形成
させると、冷却コスト面での問題が解消される。
６°Ｃの液体窒素を冷媒として用いることができるＹ−
Ｂａ−Ｃｕ−０系等の酸化物超電導体を用いて膜を形成
させると、冷却コスト面での問題が解消される。
［発明が解決しようとする課題］
ところが、酸化物超電導体の膜を前記基材の内周面に形
成させる場合、従来方法のようにテープ状に加工して前
記内周面に周着させる方法をそのまま適用すると、膜に
割れ、歪み等が生じ易く、均一な膜が形成されず、成品
の品質が悪いという問題があった。
成させる場合、従来方法のようにテープ状に加工して前
記内周面に周着させる方法をそのまま適用すると、膜に
割れ、歪み等が生じ易く、均一な膜が形成されず、成品
の品質が悪いという問題があった。
本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、筒状
の磁気シールド基材の内部に所要量の酸化物超電導塗料
を入れた後、前記基材をその長手方向を中心軸にして所
要の回転数で回転させるごとにより、遠心力で前記磁気
シールド基材の内周面に酸化物超電導膜を均一に形成さ
せ、成品の品質を向上させる酸化物超電導膜の形成方法
を提供することを目的とする。
の磁気シールド基材の内部に所要量の酸化物超電導塗料
を入れた後、前記基材をその長手方向を中心軸にして所
要の回転数で回転させるごとにより、遠心力で前記磁気
シールド基材の内周面に酸化物超電導膜を均一に形成さ
せ、成品の品質を向上させる酸化物超電導膜の形成方法
を提供することを目的とする。
上述の如き目的を達成するために、本発明に係る酸化物
超電導膜の形成方法は、筒状の基材に酸化物超電導膜を
形成させる方法において、前記基材内に所要量の酸化物
超電導塗料を入れ、該塗料を入れた基材をその長手方向
を中心軸にして所要の回転数で回転させることによって
、基材内周面に前記塗料による膜を形成させることを特
徴とする。
超電導膜の形成方法は、筒状の基材に酸化物超電導膜を
形成させる方法において、前記基材内に所要量の酸化物
超電導塗料を入れ、該塗料を入れた基材をその長手方向
を中心軸にして所要の回転数で回転させることによって
、基材内周面に前記塗料による膜を形成させることを特
徴とする。
［作用］
酸化物超電導膜を形成させるべき筒状の磁気シールド基
材の内部に、所要量の酸化物超電導塗料を入れた後、前
記基材をその長手方向を中心軸にして所要の回転数で回
転させると、遠心力により前記塗料が前記基材内周面に
付着し酸化物超電導膜が形成される。
材の内部に、所要量の酸化物超電導塗料を入れた後、前
記基材をその長手方向を中心軸にして所要の回転数で回
転させると、遠心力により前記塗料が前記基材内周面に
付着し酸化物超電導膜が形成される。
〔実施例］
第１図は本発明方法の実施例を説明するための横断面図
である。図中１は内径２０ｍｍ、外径２５ｍｍ、長さ６
０ＩｎＩ１１のアルミナセラミック製の円筒形の磁気シ
ールド基材であり、その底部及び上部は、底部に取り付
けられた底板２及び上部に取り付けられた上板３により
封止される。該上板３の中央部には直径１５皿のシーズ
ヒータ装入口を設けており、該装入口から直径１０ｍｍ
、長さ７０＋ｎｍ、出力２．５ｋＷ最大加熱温度１５０
°Ｃのシーズヒータ４が前記上板３及び前記磁気シール
ド基材１の内周面に接触しないように、磁気シールド基
材１の内部の長手方向の中心に装入され、固定される。
である。図中１は内径２０ｍｍ、外径２５ｍｍ、長さ６
０ＩｎＩ１１のアルミナセラミック製の円筒形の磁気シ
ールド基材であり、その底部及び上部は、底部に取り付
けられた底板２及び上部に取り付けられた上板３により
封止される。該上板３の中央部には直径１５皿のシーズ
ヒータ装入口を設けており、該装入口から直径１０ｍｍ
、長さ７０＋ｎｍ、出力２．５ｋＷ最大加熱温度１５０
°Ｃのシーズヒータ４が前記上板３及び前記磁気シール
ド基材１の内周面に接触しないように、磁気シールド基
材１の内部の長手方向の中心に装入され、固定される。
また、シーズヒータ４装人側と対向する側の端部には回
転機のチャック５が取り付けられる。
転機のチャック５が取り付けられる。
磁気シールド基材１の内部には次のようにして製造した
酸化物超電導塗料が注入される。即ち、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ
−０系の酸化物超電導体を９６０’Ｃの酸素雰囲気下で
３時間仮焼成し、メノウ乳鉢で粒形１０〜５０μｍに粉
砕する。粉砕した酸化物超電導粉１００部に対してエタ
ノール２００部を混合して粘度１００ｃｐｓ〜１ｏ００
ｃｐｓの塗料を得る。
酸化物超電導塗料が注入される。即ち、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ
−０系の酸化物超電導体を９６０’Ｃの酸素雰囲気下で
３時間仮焼成し、メノウ乳鉢で粒形１０〜５０μｍに粉
砕する。粉砕した酸化物超電導粉１００部に対してエタ
ノール２００部を混合して粘度１００ｃｐｓ〜１ｏ００
ｃｐｓの塗料を得る。
このようにして得られた酸化物超電導塗料を４１１ｉ気
シールド基材ｌの内部に１０〜２０ｃｃ注入し、前述の
如く封止する。その後前記チャ・ンク５を連結している
回転機（図示しない）を駆動させ、磁気シールド基材１
をその長手方向を中心軸にして回転数１２００ｒｐｍで
２時間回転させる。また、それと共にシーズヒータ４の
加熱温度を１３０°Ｃにする。そうすると、磁気シール
ド基材１の酸化物超電導塗料は、回転による遠心力で磁
気シールド基材１の内周面に付着すると共に、シーズヒ
ータ４で加熱することにより３〜５時間で乾燥する。そ
の後、この磁気シールド基材ｌを拡散炉で９８０’Ｃの
酸素雰囲気下で１時間、８００°Ｃで３時間本焼成し、
炉内で室温まで冷却すると、磁気シールド基材１の内周
面に酸化物超電導膜が形成され、磁気シールドが得られ
る。
シールド基材ｌの内部に１０〜２０ｃｃ注入し、前述の
如く封止する。その後前記チャ・ンク５を連結している
回転機（図示しない）を駆動させ、磁気シールド基材１
をその長手方向を中心軸にして回転数１２００ｒｐｍで
２時間回転させる。また、それと共にシーズヒータ４の
加熱温度を１３０°Ｃにする。そうすると、磁気シール
ド基材１の酸化物超電導塗料は、回転による遠心力で磁
気シールド基材１の内周面に付着すると共に、シーズヒ
ータ４で加熱することにより３〜５時間で乾燥する。そ
の後、この磁気シールド基材ｌを拡散炉で９８０’Ｃの
酸素雰囲気下で１時間、８００°Ｃで３時間本焼成し、
炉内で室温まで冷却すると、磁気シールド基材１の内周
面に酸化物超電導膜が形成され、磁気シールドが得られ
る。
この磁気シールドの膜厚はｌ、２ｍｍであり、膜厚の均
−製は±０．０２ｍｍ以内と良好であった。また、本発
明方法による磁気シールドを用いると、０．３Ｇの地磁
気を、０．０１５Ｇまでシールドすることができた。
−製は±０．０２ｍｍ以内と良好であった。また、本発
明方法による磁気シールドを用いると、０．３Ｇの地磁
気を、０．０１５Ｇまでシールドすることができた。
更に、本実施例においては円筒形の基材を用いたが、例
えば六角形１八角形等の多角形の筒を基材とし用いても
上述と同様に酸化物超電導膜を形成させることができる
。
えば六角形１八角形等の多角形の筒を基材とし用いても
上述と同様に酸化物超電導膜を形成させることができる
。
以上の如く、本発明に係る酸化物超電導膜の形成方法に
よると筒状の磁気シールド基材の内周面に均一な膜厚の
酸化物超電導膜が形成され、その磁気シールド特性は優
れている。
よると筒状の磁気シールド基材の内周面に均一な膜厚の
酸化物超電導膜が形成され、その磁気シールド特性は優
れている。
第１図は本発明方法の実施例を説明するための横断面図
である。
である。
Claims (1)
- １．筒状の基材に酸化物超電導膜を形成させる方法にお
いて、前記基材内に所要量の酸化物超電導塗料を入れ、
該塗料を入れた基材をその長手方向を中心軸にして所要
の回転数で回転させることによって、基材内周面に前記
塗料による膜を形成させることを特徴とする酸化物超電
導膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63259840A JPH02107786A (ja) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | 酸化物超電導膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63259840A JPH02107786A (ja) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | 酸化物超電導膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02107786A true JPH02107786A (ja) | 1990-04-19 |
Family
ID=17339715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63259840A Pending JPH02107786A (ja) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | 酸化物超電導膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02107786A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0446083A (ja) * | 1990-06-12 | 1992-02-17 | Reiko Co Ltd | 超電導性パイプ及びその製造法 |
| JPH07226540A (ja) * | 1994-02-09 | 1995-08-22 | Chodendo Sensor Kenkyusho:Kk | 超伝導体厚膜の燒結方法 |
-
1988
- 1988-10-14 JP JP63259840A patent/JPH02107786A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0446083A (ja) * | 1990-06-12 | 1992-02-17 | Reiko Co Ltd | 超電導性パイプ及びその製造法 |
| JPH07226540A (ja) * | 1994-02-09 | 1995-08-22 | Chodendo Sensor Kenkyusho:Kk | 超伝導体厚膜の燒結方法 |
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