JPH0722801A - マイクロ波半導体装置 - Google Patents
マイクロ波半導体装置Info
- Publication number
- JPH0722801A JPH0722801A JP6102781A JP10278194A JPH0722801A JP H0722801 A JPH0722801 A JP H0722801A JP 6102781 A JP6102781 A JP 6102781A JP 10278194 A JP10278194 A JP 10278194A JP H0722801 A JPH0722801 A JP H0722801A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- short
- microwave
- node
- link node
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/60—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
- H03F3/601—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators using FET's, e.g. GaAs FET's
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
- Waveguide Connection Structure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 極めて広い周波数範囲に亘って無条件に安定
化し得る回路を提供せんとするものである。 【構成】 半導体装置はマイクロ波集積回路を具え、マ
イクロ波整合回路およびリンクノードＡを経て相互接続
された直バイアス回路を具えるとともにこのリンクノー
ドＡに接続された短絡ラインを含む安定化手段具える少
なくとも１つのトランジスタ段を有する。この半導体装
置では、前記リンクノードＡに接続された短絡ラインは
このリンクノードＡに短絡回路を設けることにより動作
周波数を有するλ／４短絡ラインとし、且つ直流分離コ
ンデンサを経てマイクロ波モードで接地された低抵抗を
具える安定化回路をこのリンクノードＡにさらに接続し
得るようにする。
化し得る回路を提供せんとするものである。 【構成】 半導体装置はマイクロ波集積回路を具え、マ
イクロ波整合回路およびリンクノードＡを経て相互接続
された直バイアス回路を具えるとともにこのリンクノー
ドＡに接続された短絡ラインを含む安定化手段具える少
なくとも１つのトランジスタ段を有する。この半導体装
置では、前記リンクノードＡに接続された短絡ラインは
このリンクノードＡに短絡回路を設けることにより動作
周波数を有するλ／４短絡ラインとし、且つ直流分離コ
ンデンサを経てマイクロ波モードで接地された低抵抗を
具える安定化回路をこのリンクノードＡにさらに接続し
得るようにする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はマイクロ波集積回路を具
えるものであって、マイクロ波整合回路およびリンクノ
ードＡを経て相互接続された直バイアス回路を具えると
ともにこのリンクノードＡに接続された短絡ラインを含
む安定化手段具える少なくとも１つのトランジスタ段を
有する半導体装置に関するものである。
えるものであって、マイクロ波整合回路およびリンクノ
ードＡを経て相互接続された直バイアス回路を具えると
ともにこのリンクノードＡに接続された短絡ラインを含
む安定化手段具える少なくとも１つのトランジスタ段を
有する半導体装置に関するものである。
【０００２】本発明は任意の広帯域マイクロ波回路に適
用、例えば車両のボードの通信または回路に適用するこ
とができる。
用、例えば車両のボードの通信または回路に適用するこ
とができる。
【０００３】
【従来の技術】この種の回路は特願平１−３３３６１６
号明細書（特開平３−１９２８０１号公報）から既知で
ある。この装置はマイクロ波入力端子（４）およびソー
ス接地されたトランジスタのドレインを経て接続された
出力端子（２）を有するマイクロ波トランジスタ段
（１）と、このトランジスタのゲートに接続された伝送
ライン（３）および（５）により形成されたマイクロ波
整合回路と、伝送ライン（５）の終端でノード（１３）
で整合回路（３，５）に接続された直流バイアス回路
（６）とを具える。この直流バイアス回路（６）はリン
クノード（１３）、直流電源１１およびこの直流電源の
減結合コンデンサ（１０）間に接続されたバイアス抵抗
（９）を具える。
号明細書（特開平３−１９２８０１号公報）から既知で
ある。この装置はマイクロ波入力端子（４）およびソー
ス接地されたトランジスタのドレインを経て接続された
出力端子（２）を有するマイクロ波トランジスタ段
（１）と、このトランジスタのゲートに接続された伝送
ライン（３）および（５）により形成されたマイクロ波
整合回路と、伝送ライン（５）の終端でノード（１３）
で整合回路（３，５）に接続された直流バイアス回路
（６）とを具える。この直流バイアス回路（６）はリン
クノード（１３）、直流電源１１およびこの直流電源の
減結合コンデンサ（１０）間に接続されたバイアス抵抗
（９）を具える。
【０００４】上述したバイアスコンデンサ（１０）はリ
ンクモード（１３）に接続された短絡ライン（１９）を
具え、これにより直流電圧（１１）の減結合コンデンサ
（１０）の値をも考慮に入れるＲＣフィルタをバイアス
抵抗（９）と相俟って形成し得る低い値のコンデンサを
形成する。
ンクモード（１３）に接続された短絡ライン（１９）を
具え、これにより直流電圧（１１）の減結合コンデンサ
（１０）の値をも考慮に入れるＲＣフィルタをバイアス
抵抗（９）と相俟って形成し得る低い値のコンデンサを
形成する。
【０００５】これがため、上記特許明細書に記載された
回路では、バイアス抵抗（９）はマイクロ波作動を常時
考慮に入れる必要がある。この周波数領域では、この抵
抗はコンデンサ（１９，１０）と共働してフィルタを形
成する。
回路では、バイアス抵抗（９）はマイクロ波作動を常時
考慮に入れる必要がある。この周波数領域では、この抵
抗はコンデンサ（１９，１０）と共働してフィルタを形
成する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述した特許明細書に
記載されているように、動作周波数を有する不整合ファ
クタはバイアス回路（６）がリンクノード（１３）から
みられる場合には１に接近する。これがため、発振が生
じ得る危険がある。
記載されているように、動作周波数を有する不整合ファ
クタはバイアス回路（６）がリンクノード（１３）から
みられる場合には１に接近する。これがため、発振が生
じ得る危険がある。
【０００７】しかし、この既知の回路には次に示すよう
な欠点がある。まず第１に、１に近い不整合ファクタま
たは僅かに負のファクタを得ることは満足な結果ではな
い。かかる回路が負の不整合ファクタを有するかぎり、
厳しい発振の生ずる可能性を無視することはできない。
な欠点がある。まず第１に、１に近い不整合ファクタま
たは僅かに負のファクタを得ることは満足な結果ではな
い。かかる回路が負の不整合ファクタを有するかぎり、
厳しい発振の生ずる可能性を無視することはできない。
【０００８】また、所要する短絡ライン素子（１９）は
狭帯域に中心を有するフィルタ機能を呈するようにな
る。この帯域の外側では厄介な発振が低いまたは高い周
波数で発生し得るようになる
狭帯域に中心を有するフィルタ機能を呈するようにな
る。この帯域の外側では厄介な発振が低いまたは高い周
波数で発生し得るようになる
【０００９】本発明の目的はこの回路を無条件に安定化
し得る手段を具える上述した種類の回路を提供せんとす
るにある。本発明の他の目的は安定化手段によってこの
回路を極めて広い周波数範囲に亘って無条件に安定化し
得るかかる回路を提供せんとするにある。
し得る手段を具える上述した種類の回路を提供せんとす
るにある。本発明の他の目的は安定化手段によってこの
回路を極めて広い周波数範囲に亘って無条件に安定化し
得るかかる回路を提供せんとするにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明はマイクロ波集積
回路を具えるものであって、マイクロ波整合回路および
リンクノードＡを経て相互接続された直バイアス回路を
具えるとともにこのリンクノードＡに接続された短絡ラ
インを含む安定化手段具える少なくとも１つのトランジ
スタ段を有する半導体装置において、前記リンクノード
Ａに接続された短絡ラインはこのリンクノードＡに短絡
回路を設けることにより動作周波数を有するλ／４短絡
ラインとし、且つ直流分離コンデンサを経てマイクロ波
モードで接地された低抵抗を具える安定化回路をこのリ
ンクノードＡにさらに接続するようにしたことを特徴と
する。
回路を具えるものであって、マイクロ波整合回路および
リンクノードＡを経て相互接続された直バイアス回路を
具えるとともにこのリンクノードＡに接続された短絡ラ
インを含む安定化手段具える少なくとも１つのトランジ
スタ段を有する半導体装置において、前記リンクノード
Ａに接続された短絡ラインはこのリンクノードＡに短絡
回路を設けることにより動作周波数を有するλ／４短絡
ラインとし、且つ直流分離コンデンサを経てマイクロ波
モードで接地された低抵抗を具える安定化回路をこのリ
ンクノードＡにさらに接続するようにしたことを特徴と
する。
【００１１】
【作用】マイクロ波回路に接続されたこれら安定化手段
はバイアス回路および整合回路間のリンクノードに短絡
回路を具える。その結果バイアス回路がλ／４短絡ライ
ンの全帯域に亘ってマイクロ波作動にもはや妨害を呈さ
ない利点を有する。さらに、この波長領域では安定化回
路の抵抗は絶対的に考慮する必要はない。
はバイアス回路および整合回路間のリンクノードに短絡
回路を具える。その結果バイアス回路がλ／４短絡ライ
ンの全帯域に亘ってマイクロ波作動にもはや妨害を呈さ
ない利点を有する。さらに、この波長領域では安定化回
路の抵抗は絶対的に考慮する必要はない。
【００１２】逆に、λ／４短絡ラインがリンクノードＡ
に短絡回路を形成するとともに不安定性が危ぶまれる周
波数帯域の外側では安定化回路の抵抗によって所望によ
り減衰すべき発振が生ずるようになる。
に短絡回路を形成するとともに不安定性が危ぶまれる周
波数帯域の外側では安定化回路の抵抗によって所望によ
り減衰すべき発振が生ずるようになる。
【００１３】一例ではλ／４短絡ラインをラジアル型
（λ／４ラジアルスタブ）とする。これがため、このλ
／４短絡ラインの短絡回路の作動の利点は広帯域区域に
ある。
（λ／４ラジアルスタブ）とする。これがため、このλ
／４短絡ラインの短絡回路の作動の利点は広帯域区域に
ある。
【００１４】本発明回路により得られる利点は、回路が
バイアス回路に向かってリンクノードＡに見た回路の安
定ファクタが常時１以上であり、従って、これが無条件
に安定となることである。さらに、これらの利点は広い
通過帯域に亘って得ることができる。これがため、動作
周波数に近い周波数での、および動作周波数よりも低い
または動作周波数よりも高い周波数での共振を防止する
ことができる。
バイアス回路に向かってリンクノードＡに見た回路の安
定ファクタが常時１以上であり、従って、これが無条件
に安定となることである。さらに、これらの利点は広い
通過帯域に亘って得ることができる。これがため、動作
周波数に近い周波数での、および動作周波数よりも低い
または動作周波数よりも高い周波数での共振を防止する
ことができる。
【００１５】
【実施例】図面につき本発明の実施例を説明する。図１
ａに示すように、半導体装置に集積化されるトランジス
タ段は： ・整合回路 ・バイアス回路 ・安定化手段 を具える。
ａに示すように、半導体装置に集積化されるトランジス
タ段は： ・整合回路 ・バイアス回路 ・安定化手段 を具える。
【００１６】このトランジスタ段は例えばゲートＧ、ド
レインＤおよびソースＳを有するトランジスタＴを具え
る。マイクロ波信号はゲートＧに対するノード１０に供
給し、その出力をドレインＤを経てノード１１に取出
す。ソースＳは接地する。
レインＤおよびソースＳを有するトランジスタＴを具え
る。マイクロ波信号はゲートＧに対するノード１０に供
給し、その出力をドレインＤを経てノード１１に取出
す。ソースＳは接地する。
【００１７】トランジスタＴの整合回路は入力ノード１
０とトランジスタのゲートＦとの間に接続された伝送ラ
インＬ１および一端が入力ノード１０に接続された伝送
ラインＬ２を具える。整合回路の伝送ラインＬ２の他端
はノードＡとし、これをトランジスタＴのバイアス回路
にリンクする。トランジスタＴのバイアス回路はリンク
ノードＡおよび直流電源ＶＤＤ間に接続されたトランジ
スタＲ１を具える。さらに、この直流電源をコンデンサ
Ｃ１によって側路し、接地する。
０とトランジスタのゲートＦとの間に接続された伝送ラ
インＬ１および一端が入力ノード１０に接続された伝送
ラインＬ２を具える。整合回路の伝送ラインＬ２の他端
はノードＡとし、これをトランジスタＴのバイアス回路
にリンクする。トランジスタＴのバイアス回路はリンク
ノードＡおよび直流電源ＶＤＤ間に接続されたトランジ
スタＲ１を具える。さらに、この直流電源をコンデンサ
Ｃ１によって側路し、接地する。
【００１８】本発明によれば、整合回路Ｌ１，Ｌ２およ
びバイアス回路Ｒ１，Ｃ１間にリンクを形成するリンク
ノードＡには動作周波数を有するλ／４短絡ラインＳＬ
によりマイクロ波短絡回路を形成する。
びバイアス回路Ｒ１，Ｃ１間にリンクを形成するリンク
ノードＡには動作周波数を有するλ／４短絡ラインＳＬ
によりマイクロ波短絡回路を形成する。
【００１９】図１ｂに示すように、かかる短絡ラインＳ
Ｌはラジアルスタブとするとともに周辺円弧の長さＬＧ
がλG ／４に等しいリンクノードＡに中心が位置する円
の扇形状の金属化部とし、ここにλG は動作周波数に対
応する案内された波形の長さを示し、その半径もλG ／
４に等しくＬＧとする。ラジアルスタブＳＬはマイクロ
ストリップ技術またはコプラナ技術の当業者が任意に決
めて形成することができる。マイクロストリップ技術で
は、導体を基板の表面に配置し、接地面をその反対の面
とし、導体の構造およびその寸法の他に基板の厚さおよ
びその特性パラメータを考慮して伝搬を行う。コプラナ
技術では、マイクロ波導体および接地面を基板の同一表
面に配置する。伝搬は、導体の構造および寸法の他に導
体の縁部および接地面間の距離並びに基板の特性パラメ
ータを考慮して行う。
Ｌはラジアルスタブとするとともに周辺円弧の長さＬＧ
がλG ／４に等しいリンクノードＡに中心が位置する円
の扇形状の金属化部とし、ここにλG は動作周波数に対
応する案内された波形の長さを示し、その半径もλG ／
４に等しくＬＧとする。ラジアルスタブＳＬはマイクロ
ストリップ技術またはコプラナ技術の当業者が任意に決
めて形成することができる。マイクロストリップ技術で
は、導体を基板の表面に配置し、接地面をその反対の面
とし、導体の構造およびその寸法の他に基板の厚さおよ
びその特性パラメータを考慮して伝搬を行う。コプラナ
技術では、マイクロ波導体および接地面を基板の同一表
面に配置する。伝搬は、導体の構造および寸法の他に導
体の縁部および接地面間の距離並びに基板の特性パラメ
ータを考慮して行う。
【００２０】図１ｃに示すように、λ／４短絡ラインＳ
Ｌは開放端を有する長さＬＧの簡単なストリップとする
ことができる。従ってその差はかかるλ／４短絡ライン
ＳＬが広帯域ラインではなく、逆にラジアルスタブであ
る点である。
Ｌは開放端を有する長さＬＧの簡単なストリップとする
ことができる。従ってその差はかかるλ／４短絡ライン
ＳＬが広帯域ラインではなく、逆にラジアルスタブであ
る点である。
【００２１】さらに本発明回路は低抵抗値、例えば数Ω
の抵抗Ｒ２により形成された安定化回路を具える。この
低抵抗値のため、当業者はほぼ５Ωの抵抗を選択するこ
とができる。この抵抗によってリンクノードＡをマイク
ロ波モードである条件のもとで接地する。λG ／４ラジ
アルスタブＳＬによりリンクノードＡに短絡回路を形成
する周波数領域では、トランジスタ段はバイアス抵抗Ｒ
１も安定化抵抗Ｒ２も含まない。
の抵抗Ｒ２により形成された安定化回路を具える。この
低抵抗値のため、当業者はほぼ５Ωの抵抗を選択するこ
とができる。この抵抗によってリンクノードＡをマイク
ロ波モードである条件のもとで接地する。λG ／４ラジ
アルスタブＳＬによりリンクノードＡに短絡回路を形成
する周波数領域では、トランジスタ段はバイアス抵抗Ｒ
１も安定化抵抗Ｒ２も含まない。
【００２２】逆に、低い周波数における、特に発振の生
ずる極めて高い周波数におけるこの周波数領域の外側で
は安定化抵抗Ｒ２が有効となり発振が終端する。実際に
は、抵抗Ｒ２は直流分離コンデンサＣ２を経て接地す
る。
ずる極めて高い周波数におけるこの周波数領域の外側で
は安定化抵抗Ｒ２が有効となり発振が終端する。実際に
は、抵抗Ｒ２は直流分離コンデンサＣ２を経て接地す
る。
【００２３】ラジアルスタブＳＬによって形成される短
絡回路を具え、安定化回路Ｒ２，Ｃ２は具えない図１ａ
に示される装置の安定ファクタｋを実線曲線Ａで示す図
２ａから明らかなように、この安定ファクタｋは２５Ｇ
Ｈｚ程度の動作周波数Ｆに対しこの臨界値“１”以下と
なる。
絡回路を具え、安定化回路Ｒ２，Ｃ２は具えない図１ａ
に示される装置の安定ファクタｋを実線曲線Ａで示す図
２ａから明らかなように、この安定ファクタｋは２５Ｇ
Ｈｚ程度の動作周波数Ｆに対しこの臨界値“１”以下と
なる。
【００２４】安定化回路Ｒ２，Ｃ２を具えない理想的な
装置に対し次式で定義された安定性を特徴付ける他のパ
ラメータを破線曲線Ｂで示す図２ａから明らかなよう
に、この２５ＧＨｚの動作周波数Ｆでの共振を特徴付け
るピークが現われる。 ｜△｜＝｜（Ｓ１１・Ｓ２２）−（Ｓ１２・Ｓ２１）｜
装置に対し次式で定義された安定性を特徴付ける他のパ
ラメータを破線曲線Ｂで示す図２ａから明らかなよう
に、この２５ＧＨｚの動作周波数Ｆでの共振を特徴付け
るピークが現われる。 ｜△｜＝｜（Ｓ１１・Ｓ２２）−（Ｓ１２・Ｓ２１）｜
【００２５】ラジアルスタブＳＬおよび安定化回路Ｒ
２，Ｃ２によって形成される短絡回路を具え、図１ａの
場合のような装置の安定ファクタｋを実線曲線Ｃで示す
図２ｂから明らかなように、この安定ファクタｋは臨界
値“１”よりも常時充分高く且つこの回路は１および１
００ＧＨｚ間に位置する動作周波数Ｆの領域で無条件に
安定となる。
２，Ｃ２によって形成される短絡回路を具え、図１ａの
場合のような装置の安定ファクタｋを実線曲線Ｃで示す
図２ｂから明らかなように、この安定ファクタｋは臨界
値“１”よりも常時充分高く且つこの回路は１および１
００ＧＨｚ間に位置する動作周波数Ｆの領域で無条件に
安定となる。
【００２６】パラメータ｜△｜を破線曲線Ｄでの示す図
２ｂから明らかなように、バイアス回路Ｒ２，Ｃ２のた
め、１および１００ＧＨｚ間に位置する動作周波数Ｆの
領域で不所望な共振ピークはもはや存在しない。
２ｂから明らかなように、バイアス回路Ｒ２，Ｃ２のた
め、１および１００ＧＨｚ間に位置する動作周波数Ｆの
領域で不所望な共振ピークはもはや存在しない。
【００２７】当業者にとって既知のように、安定ファク
タｋおよび安定パラメータ｜△｜間の関係は次式で示す
ようになる。 ｋ＝１＋｜△｜2 −｜Ｓ１１｜2 ｜Ｓ２２｜2 ／２・｜Ｓ１２｜・｜Ｓ２１｜
タｋおよび安定パラメータ｜△｜間の関係は次式で示す
ようになる。 ｋ＝１＋｜△｜2 −｜Ｓ１１｜2 ｜Ｓ２２｜2 ／２・｜Ｓ１２｜・｜Ｓ２１｜
【図１】（ａ）は本発明による整合回路、バイアス回路
および安定化手段を具えるマイクロ波トランジスタ段の
構成を示す回路図であり、（ｂ）はλ／４ラジアルスタ
ブを示す構成説明図であり、（ｃ）はλ／４単一ストリ
ップラインを示す構成説明図である。
および安定化手段を具えるマイクロ波トランジスタ段の
構成を示す回路図であり、（ｂ）はλ／４ラジアルスタ
ブを示す構成説明図であり、（ｃ）はλ／４単一ストリ
ップラインを示す構成説明図である。
【図２】（ａ）は周波数（ＧＨｚ）に対しプロットされ
た安定化回路Ｒ２，Ｃ２を具えない回路の安定ファクタ
ｋ（実線曲線Ａ）および安定パラメータ｜△｜（破線曲
線Ｂ）を表わす曲線を示す特性図であり、 （ｂ）は本
発明安定化回路Ｒ２，Ｃ２を具える回路の安定ファクタ
ｋ（実線曲線Ｃ）および安定パラメータ｜△｜（破線曲
線Ｄ）を表わす曲線を示す特性図である。
た安定化回路Ｒ２，Ｃ２を具えない回路の安定ファクタ
ｋ（実線曲線Ａ）および安定パラメータ｜△｜（破線曲
線Ｂ）を表わす曲線を示す特性図であり、 （ｂ）は本
発明安定化回路Ｒ２，Ｃ２を具える回路の安定ファクタ
ｋ（実線曲線Ｃ）および安定パラメータ｜△｜（破線曲
線Ｄ）を表わす曲線を示す特性図である。
１０ １１ Ｔ トランジスタ Ｓ ソース Ｄ ドレイン Ｇ ゲート Ｒ１，Ｒ２ 抵抗 Ｃ１，Ｃ２ コンデンサ Ａ リンクノード Ｌ１，Ｌ２ 伝送ライン ＳＬ 短絡ライン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 クリストフ コルディエ フランス国 94450 リメイユ−ブルバン ヌ リュ ド ヴェー ルーヴル 28
Claims (2)
- 【請求項１】 マイクロ波集積回路を具えるものであっ
て、マイクロ波整合回路およびリンクノードＡを経て相
互接続された直バイアス回路を具えるとともにこのリン
クノードＡに接続された短絡ラインを含む安定化手段具
える少なくとも１つのトランジスタ段を有する半導体装
置において、前記リンクノードＡに接続された短絡ライ
ンはこのリンクノードＡに短絡回路を設けることにより
動作周波数を有するλ／４短絡ラインとし、且つ直流分
離コンデンサを経てマイクロ波モードで接地された低抵
抗を具える安定化回路をこのリンクノードＡにさらに接
続するようにしたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記λ／４短絡ラインはラジアル型のも
のとしたことを特徴とする請求項１に記載の半導体装
置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9305997 | 1993-05-18 | ||
| FR9305997 | 1993-05-18 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0722801A true JPH0722801A (ja) | 1995-01-24 |
Family
ID=9447258
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6102781A Pending JPH0722801A (ja) | 1993-05-18 | 1994-05-17 | マイクロ波半導体装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5451905A (ja) |
| EP (1) | EP0625823B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0722801A (ja) |
| DE (1) | DE69419965T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008005128A (ja) * | 2006-06-21 | 2008-01-10 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波増幅器 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6043722A (en) * | 1998-04-09 | 2000-03-28 | Harris Corporation | Microstrip phase shifter including a power divider and a coupled line filter |
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| US7254790B2 (en) * | 2004-07-13 | 2007-08-07 | Chang Gung University | Method of moment computations in R(L)C interconnects of high speed VLSI with resistor loops |
| BR112013001186A2 (pt) | 2010-07-16 | 2016-05-31 | Michael Arnouse | sistema de computação e comunicação |
| US9660594B2 (en) | 2014-06-02 | 2017-05-23 | Nxp Usa, Inc. | Resonating filter and method thereof |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPH03192801A (ja) * | 1989-12-21 | 1991-08-22 | Mitsubishi Electric Corp | モノリシック・マイクロ波集積回路 |
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1994
- 1994-05-05 US US08/239,013 patent/US5451905A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-05-13 EP EP94201363A patent/EP0625823B1/fr not_active Expired - Lifetime
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008005128A (ja) * | 2006-06-21 | 2008-01-10 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波増幅器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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