JPH0722889Y2 - 静磁波共振子 - Google Patents
静磁波共振子Info
- Publication number
- JPH0722889Y2 JPH0722889Y2 JP8861888U JP8861888U JPH0722889Y2 JP H0722889 Y2 JPH0722889 Y2 JP H0722889Y2 JP 8861888 U JP8861888 U JP 8861888U JP 8861888 U JP8861888 U JP 8861888U JP H0722889 Y2 JPH0722889 Y2 JP H0722889Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wave resonator
- magnetostatic wave
- electrodes
- electrode
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 この考案は、マイクロ波の共振に用いる静磁波共振子の
改良に関するものである。
改良に関するものである。
〈従来技術〉 静磁波共振子は磁性体薄膜に静磁界を印加し、この薄膜
にマイクロ波等の高周波を印加して共振させるものであ
る。第３図にこのような静磁波共振子の構成を示す。こ
の図において、グランドプレーン１上にはGGG（ガリウ
ム−ガドリウム−ガーネット）基板２が配置され、その
上にYIG（イットリウム−鉄−ガーネット）薄膜３が形
成される。このYIG薄膜３上には電極４が形成され、こ
の電極４には端子Ａ、Ｂからマイクロ波が印加され、こ
のマイクロ波は線状アンテナ部分に印加されることにな
る。またYIG薄膜３には図示しない磁界装置から静磁界
が印加される。第４図はYIG薄膜３の断面図を示したも
のであり、この膜に平行で、且つ、電極４の前記線状ア
ンテナ部分の長手方向と平行に静磁界を印加した時は第
４図（Ａ）に示すようにYIG薄膜３の表面を伝播する表
面波モードになり、YIG薄膜３に垂直に静磁界を印加し
た時は（Ｂ）に示すように体積波モードになる。すなわ
ち、静磁界を印加する方向によって、電極４に印加する
マイクロ波の表面波５または体積波６の定在波が発生
し、共振する。
にマイクロ波等の高周波を印加して共振させるものであ
る。第３図にこのような静磁波共振子の構成を示す。こ
の図において、グランドプレーン１上にはGGG（ガリウ
ム−ガドリウム−ガーネット）基板２が配置され、その
上にYIG（イットリウム−鉄−ガーネット）薄膜３が形
成される。このYIG薄膜３上には電極４が形成され、こ
の電極４には端子Ａ、Ｂからマイクロ波が印加され、こ
のマイクロ波は線状アンテナ部分に印加されることにな
る。またYIG薄膜３には図示しない磁界装置から静磁界
が印加される。第４図はYIG薄膜３の断面図を示したも
のであり、この膜に平行で、且つ、電極４の前記線状ア
ンテナ部分の長手方向と平行に静磁界を印加した時は第
４図（Ａ）に示すようにYIG薄膜３の表面を伝播する表
面波モードになり、YIG薄膜３に垂直に静磁界を印加し
た時は（Ｂ）に示すように体積波モードになる。すなわ
ち、静磁界を印加する方向によって、電極４に印加する
マイクロ波の表面波５または体積波６の定在波が発生
し、共振する。
この様な静磁波共振子ではその定在波の基本波はYIG薄
膜３の幅で決まるが、その高次モードに対しても同様に
共振するという欠点がある。その為、第５図に示すよう
にその中心間の距離が等間隔になるようにされた複数の
電極７を形成し、この電極７に同位相でマイクロ波を印
加するようにした静磁波共振子が発表されている（昭和
62年、信学会半導体材料部門全国大会；「集積化静磁波
デバイス（１）−可変周波数チップ共振子」）。このよ
うにすると第６図（Ａ）の共振子は（Ｂ）の基本波で共
振するが、（Ｃ）のような高次モードは共振する事が出
来ないため、高次モードの発生を抑制する事が出来る。
膜３の幅で決まるが、その高次モードに対しても同様に
共振するという欠点がある。その為、第５図に示すよう
にその中心間の距離が等間隔になるようにされた複数の
電極７を形成し、この電極７に同位相でマイクロ波を印
加するようにした静磁波共振子が発表されている（昭和
62年、信学会半導体材料部門全国大会；「集積化静磁波
デバイス（１）−可変周波数チップ共振子」）。このよ
うにすると第６図（Ａ）の共振子は（Ｂ）の基本波で共
振するが、（Ｃ）のような高次モードは共振する事が出
来ないため、高次モードの発生を抑制する事が出来る。
〈考案が解決すべき課題〉 しかしながら、この様な静磁波共振子は、電極７の間隔
に関連する高次モードを抑制することが出来ないという
課題があった。すなわち、第６図（Ｄ）または（Ｅ）の
ような電極７の中心位置で同位相になる高次モードは共
振することが出来るので、高次モードを完全には抑制す
ることが出来ず広い帯域で使用することが出来ないとい
う課題があった。
に関連する高次モードを抑制することが出来ないという
課題があった。すなわち、第６図（Ｄ）または（Ｅ）の
ような電極７の中心位置で同位相になる高次モードは共
振することが出来るので、高次モードを完全には抑制す
ることが出来ず広い帯域で使用することが出来ないとい
う課題があった。
〈考案の目的〉 この考案の目的は、高次モードの共振を効果的に抑制す
ることが出来る静磁波共振子を提供することにある。
ることが出来る静磁波共振子を提供することにある。
〈課題を解決する為の手段〉 前記課題を解決する為に本考案では、静磁波共振子にお
いて、磁性体膜の表面に高周波を印加する複数の電極を
形成し、これらの電極の幅または間隔のどちらかまたは
両方が等しくならないようにしたものである。
いて、磁性体膜の表面に高周波を印加する複数の電極を
形成し、これらの電極の幅または間隔のどちらかまたは
両方が等しくならないようにしたものである。
〈実施例〉 第１図に本考案に係る静磁波共振子の一実施例を示す。
第１図において、（Ａ）は電極全体の構成図であり、10
は個々の電極、11、12は端子である。電極10の両端はそ
れぞれ端子11、12に接続されている。電極10の幅は同じ
であるが、その間隔L1〜L3は異なるようにされている。
（Ｂ）は静磁波共振子全体の構成である。13はアルミナ
基板であり、その上に（Ａ）で示した電極全体が形成さ
れ、その上にGGG基板にYIG薄膜が形成された基板14がYI
G薄膜を下側にして配置される。端子11はグランドに接
続され、端子12からマイクロ波が印加される。また、図
示しない磁界発生装置から静磁場が矢印15の方向に、す
なわち基板14に垂直に印加される。
第１図において、（Ａ）は電極全体の構成図であり、10
は個々の電極、11、12は端子である。電極10の両端はそ
れぞれ端子11、12に接続されている。電極10の幅は同じ
であるが、その間隔L1〜L3は異なるようにされている。
（Ｂ）は静磁波共振子全体の構成である。13はアルミナ
基板であり、その上に（Ａ）で示した電極全体が形成さ
れ、その上にGGG基板にYIG薄膜が形成された基板14がYI
G薄膜を下側にして配置される。端子11はグランドに接
続され、端子12からマイクロ波が印加される。また、図
示しない磁界発生装置から静磁場が矢印15の方向に、す
なわち基板14に垂直に印加される。
この様な構成において、端子12から印加されるマイクロ
波により静磁波共振子は共振する。電極10には同位相の
マイクロ波が印加されているので、この共振子に共振す
る高次モードは電極の位置で同位相でなければならない
が、その間隔が等しくないので、このマイクロ波の高次
モードに対しては共振することはない。なお、高次モー
ドに対する共振を効果的に除去するには電極10の間隔L1
〜L3がなるべく小さい約数を持たないような値を選定す
る必要がある。例えば、L1/2＝L2にするとL2の波長で共
振するので、この様にならないようにその間隔を選定す
る。また、第１図（Ａ）では電極全体を左右対称になる
ようにしたが、必ずしも左右対称にする必要はない。
波により静磁波共振子は共振する。電極10には同位相の
マイクロ波が印加されているので、この共振子に共振す
る高次モードは電極の位置で同位相でなければならない
が、その間隔が等しくないので、このマイクロ波の高次
モードに対しては共振することはない。なお、高次モー
ドに対する共振を効果的に除去するには電極10の間隔L1
〜L3がなるべく小さい約数を持たないような値を選定す
る必要がある。例えば、L1/2＝L2にするとL2の波長で共
振するので、この様にならないようにその間隔を選定す
る。また、第１図（Ａ）では電極全体を左右対称になる
ようにしたが、必ずしも左右対称にする必要はない。
第２図に本考案の他の実施例を示す。なお、共振子自体
の構成は第１図（Ｂ）と同じであるので、説明を省略す
る。また、第１図と同じ要素には同一符号を付し、説明
を省略する。第２図において、（Ａ）は電極10の間隔L4
を一定にしてその幅W1〜W4を変えるようにしたものであ
り、（Ｂ）は電極10の間隔L5〜L7及び幅W5〜W8の双方を
変えるようにしたものである。これらの場合も高次モー
ドに対して共振することはない。なお、これらの実施例
においても第１図（Ａ）と同じように間隔L5〜L7及び幅
W1〜W4、W5〜W8は互いになるべく小さい約数がないよう
な値を選択する。
の構成は第１図（Ｂ）と同じであるので、説明を省略す
る。また、第１図と同じ要素には同一符号を付し、説明
を省略する。第２図において、（Ａ）は電極10の間隔L4
を一定にしてその幅W1〜W4を変えるようにしたものであ
り、（Ｂ）は電極10の間隔L5〜L7及び幅W5〜W8の双方を
変えるようにしたものである。これらの場合も高次モー
ドに対して共振することはない。なお、これらの実施例
においても第１図（Ａ）と同じように間隔L5〜L7及び幅
W1〜W4、W5〜W8は互いになるべく小さい約数がないよう
な値を選択する。
なお、これらの実施例では体積波について説明したが表
面波についても同様に構成できる。この場合はYIG薄膜
に平行で、且つ、電極10の長手方向と平行に磁界を印加
すればよい。
面波についても同様に構成できる。この場合はYIG薄膜
に平行で、且つ、電極10の長手方向と平行に磁界を印加
すればよい。
また、共振子自体の構成は第１図（Ｂ）に示したもので
なくてもよく、例えば第３図のような構成であってもよ
い。
なくてもよく、例えば第３図のような構成であってもよ
い。
さらに磁性体膜はYIG薄膜に限らず、他のものであって
もよい。
もよい。
〈考案の効果〉 以上実施例に基づいて具体的に説明したように、この考
案では静磁波共振子において、高周波を印加する電極の
幅または間隔を異ならせるようにした。その為、高次モ
ードに対して共振することがないので、単一モードでの
共振が可能になるという効果を有する。
案では静磁波共振子において、高周波を印加する電極の
幅または間隔を異ならせるようにした。その為、高次モ
ードに対して共振することがないので、単一モードでの
共振が可能になるという効果を有する。
また、高次モードで共振しないので、磁界を変化させて
共振周波数をスイープさせる時でも広帯域で使用できる
という効果もある。
共振周波数をスイープさせる時でも広帯域で使用できる
という効果もある。
第１図は本考案に係る静磁波共振子の一実施例を示す構
成図、第２図は他の実施例を示す構成図、第３図及び第
５図は従来の静磁波共振子の構成を示す構成図、第４図
及び第６図は共振の様子を示す図である。 10……電極、11,12……端子、13……アルミナ基板、14
……基板、L1〜L7……電極の間隔、W1〜W8……電極の
幅。
成図、第２図は他の実施例を示す構成図、第３図及び第
５図は従来の静磁波共振子の構成を示す構成図、第４図
及び第６図は共振の様子を示す図である。 10……電極、11,12……端子、13……アルミナ基板、14
……基板、L1〜L7……電極の間隔、W1〜W8……電極の
幅。
Claims (1)
- 【請求項１】磁性体膜に磁界を印加し、この磁性体膜に
高周波を印加して共振させる静磁波共振子において、 前記磁性体表面上に高周波を印加する複数の電極を形成
し、これらの複数の電極の幅または電極間の間隔のうち
少なくとも１つが等しくならないようにしたことを特徴
とする静磁波共振子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8861888U JPH0722889Y2 (ja) | 1988-07-04 | 1988-07-04 | 静磁波共振子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8861888U JPH0722889Y2 (ja) | 1988-07-04 | 1988-07-04 | 静磁波共振子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0210630U JPH0210630U (ja) | 1990-01-23 |
| JPH0722889Y2 true JPH0722889Y2 (ja) | 1995-05-24 |
Family
ID=31313178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8861888U Expired - Lifetime JPH0722889Y2 (ja) | 1988-07-04 | 1988-07-04 | 静磁波共振子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0722889Y2 (ja) |
-
1988
- 1988-07-04 JP JP8861888U patent/JPH0722889Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0210630U (ja) | 1990-01-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0164684B1 (en) | Tuned oscillator | |
| CA2063119C (en) | Miniature dual mode planar filters | |
| JPS62245704A (ja) | 静磁波可変共振子 | |
| US4983937A (en) | Magnetostatic wave band-pass-filter | |
| JP2507524B2 (ja) | 静磁波共振器 | |
| US5512868A (en) | Magnetostatic microwave device having large impedance change at resonance | |
| JP4325178B2 (ja) | 圧電振動素子、圧電振動子及び圧電発振器 | |
| JP2619410B2 (ja) | 静磁波可変共振子 | |
| JPS6348856A (ja) | モノリシツク化マイクロ波集積回路 | |
| KR100331047B1 (ko) | 정자파장치 | |
| JPH04170804A (ja) | マイクロストリップアンテナ | |
| JP2630109B2 (ja) | 静磁波素子 | |
| JPH10135709A (ja) | 静磁波装置 | |
| JP2608088B2 (ja) | フェリ磁性体薄膜共振器 | |
| JPH0328563Y2 (ja) | ||
| JPH11150126A (ja) | 高出力電界効果トランジスタ | |
| EP0307178A2 (en) | Diagonally coupled magnetostatic wave resonators | |
| US6448699B1 (en) | Octagonal electrode for crystals | |
| JPH0760965B2 (ja) | 静磁波装置 | |
| JP2587140Y2 (ja) | 誘電体発振器 | |
| CA1277377C (en) | Ferrimagnetic resonator device | |
| JP2667604B2 (ja) | ストリップ線路フィルタ | |
| JPS633205Y2 (ja) | ||
| JPH0258401A (ja) | フェリ磁性体薄膜フィルタ | |
| JPH0731607Y2 (ja) | 静磁波遅延素子 |