JPH0723958Y2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0723958Y2 JPH0723958Y2 JP1987120327U JP12032787U JPH0723958Y2 JP H0723958 Y2 JPH0723958 Y2 JP H0723958Y2 JP 1987120327 U JP1987120327 U JP 1987120327U JP 12032787 U JP12032787 U JP 12032787U JP H0723958 Y2 JPH0723958 Y2 JP H0723958Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- type diffusion
- opening
- conductivity type
- diffusion region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Bipolar Transistors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は半導体装置に関し、特に多層配線を使用するパ
ワートランジスタに関する。
ワートランジスタに関する。
従来、パワートランジスタは、第２図及び第３図に示す
ように、Ｎ型エピタキシャル層７上にベースとなるP+型
拡散領域１及びエミッタとなるN+型拡散領域２を形成
し、このN+型拡散領域２上に第１及び第２の絶縁膜3,5
に形成された開口部に、第１及び第２の金属配線4,6を
形成した複数のトランジスタから構成されていた。
ように、Ｎ型エピタキシャル層７上にベースとなるP+型
拡散領域１及びエミッタとなるN+型拡散領域２を形成
し、このN+型拡散領域２上に第１及び第２の絶縁膜3,5
に形成された開口部に、第１及び第２の金属配線4,6を
形成した複数のトランジスタから構成されていた。
上述した従来のパワートランジスタでは、大電力、高温
状態で使用されるが、各トランジスタの特性を均一にす
るために、配線のインピーダンス等を考慮して半導体チ
ップ上に設けられるボンディングパットの位置は、各ト
ランジスタに対し対角線もしくは上下に制約されたもの
となっていた。このため、パワートランジスタ個々のN+
型拡散領域２にかかる第１及び第２配線4,6のインピダ
ンスが中心部ほど小さくなり、その部分に電流が集中し
やすい為、トランジスタの中心部ほど熱勾配をもち、ト
ランジスタの中心部で熱破壊が発生し信頼性が低下する
という欠点があった。
状態で使用されるが、各トランジスタの特性を均一にす
るために、配線のインピーダンス等を考慮して半導体チ
ップ上に設けられるボンディングパットの位置は、各ト
ランジスタに対し対角線もしくは上下に制約されたもの
となっていた。このため、パワートランジスタ個々のN+
型拡散領域２にかかる第１及び第２配線4,6のインピダ
ンスが中心部ほど小さくなり、その部分に電流が集中し
やすい為、トランジスタの中心部ほど熱勾配をもち、ト
ランジスタの中心部で熱破壊が発生し信頼性が低下する
という欠点があった。
本考案の目的は、熱破壊に強く信頼性の向上した半導体
装置を提供することにある。
装置を提供することにある。
本考案の半導体装置は、半導体基板を構成しコレクタと
なる第１導電型エピタキシャル層と、このエピタキシャ
ル層の表面に並列に形成されベースとなる複数の第２導
電型拡散領域と、これら第２導電型拡散領域の表面にそ
れぞれ形成されエミッタとなる第１導電型拡散領域と、
これら第１導電型拡散領域の表面を含む全面に設けられ
た第１の絶縁膜と、この第１の絶縁膜の前記第１導電型
拡散領域上にそれぞれ設けられた第１の開口部を介し前
記第１導電型拡散領域に接続する複数の第１の金属配線
と、これら第１の金属配線の表面を含む全面に形成され
た第２の絶縁膜と、この第２の絶縁膜に設けられた第２
の開口部を介し前記第１の金属配線に接続する第２の金
属配線とを有する複数のトランジスタからなる半導体装
置において、少くとも１個の前記トランジスタの前記第
２の絶縁膜に設けられた前記第２の開口部には、この第
２の開口部の長さ方向を２等分するように前記第２の絶
縁膜に接続する第３の絶縁膜が設けられているものであ
る。
なる第１導電型エピタキシャル層と、このエピタキシャ
ル層の表面に並列に形成されベースとなる複数の第２導
電型拡散領域と、これら第２導電型拡散領域の表面にそ
れぞれ形成されエミッタとなる第１導電型拡散領域と、
これら第１導電型拡散領域の表面を含む全面に設けられ
た第１の絶縁膜と、この第１の絶縁膜の前記第１導電型
拡散領域上にそれぞれ設けられた第１の開口部を介し前
記第１導電型拡散領域に接続する複数の第１の金属配線
と、これら第１の金属配線の表面を含む全面に形成され
た第２の絶縁膜と、この第２の絶縁膜に設けられた第２
の開口部を介し前記第１の金属配線に接続する第２の金
属配線とを有する複数のトランジスタからなる半導体装
置において、少くとも１個の前記トランジスタの前記第
２の絶縁膜に設けられた前記第２の開口部には、この第
２の開口部の長さ方向を２等分するように前記第２の絶
縁膜に接続する第３の絶縁膜が設けられているものであ
る。
次に、本考案の実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第１図（ａ）〜（ｃ）は本考案の一実施例の平面図、Ａ
−Ａ′線断面図およびＢ−Ｂ′線断面図である。
−Ａ′線断面図およびＢ−Ｂ′線断面図である。
第１図（ａ）〜（ｃ）において、半導体基板を構成しコ
レクタとなるＮ型エピタキシャル層７にはベースおよび
エミッタを構成するP+型拡散領域１とN+型拡散領域２と
が形成されている。そしてこのN+型拡散領域２上にはSi
O2等からなる第１の絶縁膜３と、この第１の絶縁膜３に
設けられた第１の開口部8Aを介してN+型拡散領域２に接
続するAl等からなる第１の金属配線４と、この第１の金
属配線４上に設けられた第２の絶縁膜５と、この第２の
絶縁膜５に設けられた第２の開口部8Bを介して第１の金
属配線に接続された第２の金属配線６とが設けられ、複
数のトランジスタQ1,Q2を構成している。
レクタとなるＮ型エピタキシャル層７にはベースおよび
エミッタを構成するP+型拡散領域１とN+型拡散領域２と
が形成されている。そしてこのN+型拡散領域２上にはSi
O2等からなる第１の絶縁膜３と、この第１の絶縁膜３に
設けられた第１の開口部8Aを介してN+型拡散領域２に接
続するAl等からなる第１の金属配線４と、この第１の金
属配線４上に設けられた第２の絶縁膜５と、この第２の
絶縁膜５に設けられた第２の開口部8Bを介して第１の金
属配線に接続された第２の金属配線６とが設けられ、複
数のトランジスタQ1,Q2を構成している。
そして特に、トランジスタQ1における第２の絶縁膜５に
設けられた第２の開口部8Bの中心部にはこの第２の開口
部8Bの長さ方向を２等分するように第３の絶縁膜5Aが形
成されている。この第３の絶縁膜5Aは第２の絶縁膜５を
パターニングし第２の開口部8Bを形成する工程で形成で
きる。
設けられた第２の開口部8Bの中心部にはこの第２の開口
部8Bの長さ方向を２等分するように第３の絶縁膜5Aが形
成されている。この第３の絶縁膜5Aは第２の絶縁膜５を
パターニングし第２の開口部8Bを形成する工程で形成で
きる。
このように構成された本実施例における、第２の絶縁膜
５に設けられた第２の開口部8Bの中心部に第３の絶縁膜
5Aが形成されたトランジスタQ1においては、この第３の
絶縁膜5A下の第１の金属配線４にインピーダンスを生じ
るため、電流の集中はなくなり耐熱破壊性は向上する。
５に設けられた第２の開口部8Bの中心部に第３の絶縁膜
5Aが形成されたトランジスタQ1においては、この第３の
絶縁膜5A下の第１の金属配線４にインピーダンスを生じ
るため、電流の集中はなくなり耐熱破壊性は向上する。
従って、複数のトランジスタをパワートランジスタとし
て用いる場合、少くともその中心部に位置するトランジ
スタを、本実施例におけるトランジスタQ1と同一構造に
することにより、熱破壊に強いパワートランジスタとす
ることができる。
て用いる場合、少くともその中心部に位置するトランジ
スタを、本実施例におけるトランジスタQ1と同一構造に
することにより、熱破壊に強いパワートランジスタとす
ることができる。
以上説明したように本考案は、第１の絶縁膜に設けられ
た第１の開口部を介してエミッタとなる拡散領域に接続
する第１の金属配線と、この第１の金属配線上の第２の
絶縁膜に設けられた第２の開口部を介して第１の金属配
線に接続する第２の金属配線とをそれぞれ有する複数個
のトランジスタからなる半導体装置において、少くとも
１個のトランジスタの前記第２の絶縁膜に設けられた第
２の開口部の中心部に、この第２の開口部の長さ方向を
２等分するように第３の絶縁膜を形成することにより、
半導体装置の耐熱破壊性および信頼性を向上させること
ができるという効果がある。
た第１の開口部を介してエミッタとなる拡散領域に接続
する第１の金属配線と、この第１の金属配線上の第２の
絶縁膜に設けられた第２の開口部を介して第１の金属配
線に接続する第２の金属配線とをそれぞれ有する複数個
のトランジスタからなる半導体装置において、少くとも
１個のトランジスタの前記第２の絶縁膜に設けられた第
２の開口部の中心部に、この第２の開口部の長さ方向を
２等分するように第３の絶縁膜を形成することにより、
半導体装置の耐熱破壊性および信頼性を向上させること
ができるという効果がある。
第１図（ａ）〜（ｃ）は本考案の一実施例の平面図及び
断面図、第２図および第３図は従来の半導体装置の斜視
図および断面図である。 １…P+型拡散領域、２…N+型拡散領域、３…第１の絶縁
膜、４…第１の金属配線、５…第２の絶縁膜、5A…第３
の絶縁膜、６…第２の金属配線、７…Ｎ型エピタキシャ
ル層、8A…第１の開口部、8B…第２の開口部、Q1,Q2…
トランジスタ。
断面図、第２図および第３図は従来の半導体装置の斜視
図および断面図である。 １…P+型拡散領域、２…N+型拡散領域、３…第１の絶縁
膜、４…第１の金属配線、５…第２の絶縁膜、5A…第３
の絶縁膜、６…第２の金属配線、７…Ｎ型エピタキシャ
ル層、8A…第１の開口部、8B…第２の開口部、Q1,Q2…
トランジスタ。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板を構成しコレクタとなる第１導
電型エピタキシャル層と、このエピタキシャル層の表面
に並列に形成されベースとなる複数の第２導電型拡散領
域と、これら第２導電型拡散領域の表面にそれぞれ形成
されエミッタとなる第１導電型拡散領域と、これら第１
導電型拡散領域の表面を含む全面に設けられた第１の絶
縁膜と、この第１の絶縁膜の前記第１導電型拡散領域上
にそれぞれ設けられた第１の開口部を介し前記第１導電
型拡散領域に接続する複数の第１の金属配線と、これら
第１の金属配線の表面を含む全面に形成された第２の絶
縁膜と、この第２の絶縁膜に設けられた第２の開口部を
介し前記第１の金属配線に接続する第２の金属配線とを
有する複数のトランジスタからなる半導体装置におい
て、少くとも１個の前記トランジスタの前記第２の絶縁
膜に設けられた前記第２の開口部には、この第２の開口
部の長さ方向を２等分するように前記第２の絶縁膜に接
続する第３の絶縁膜が設けられていることを特徴とする
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987120327U JPH0723958Y2 (ja) | 1987-08-04 | 1987-08-04 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987120327U JPH0723958Y2 (ja) | 1987-08-04 | 1987-08-04 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6424844U JPS6424844U (ja) | 1989-02-10 |
| JPH0723958Y2 true JPH0723958Y2 (ja) | 1995-05-31 |
Family
ID=31366334
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987120327U Expired - Lifetime JPH0723958Y2 (ja) | 1987-08-04 | 1987-08-04 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0723958Y2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS572753B2 (ja) * | 1973-07-06 | 1982-01-18 | ||
| JPS5165585A (ja) * | 1974-12-04 | 1976-06-07 | Hitachi Ltd | |
| JPS6059774A (ja) * | 1983-09-13 | 1985-04-06 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置 |
-
1987
- 1987-08-04 JP JP1987120327U patent/JPH0723958Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6424844U (ja) | 1989-02-10 |
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