JPH0724276B2 - ワイヤボンデイングパッドの組立体 - Google Patents
ワイヤボンデイングパッドの組立体Info
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- JPH0724276B2 JPH0724276B2 JP63026016A JP2601688A JPH0724276B2 JP H0724276 B2 JPH0724276 B2 JP H0724276B2 JP 63026016 A JP63026016 A JP 63026016A JP 2601688 A JP2601688 A JP 2601688A JP H0724276 B2 JPH0724276 B2 JP H0724276B2
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- JP
- Japan
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- wire bonding
- bonding pad
- passivation film
- opening
- wire
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
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- H10W72/019—Manufacture or treatment of bond pads
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
-
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
-
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/59—Bond pads specially adapted therefor
-
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/981—Auxiliary members, e.g. spacers
- H10W72/983—Reinforcing structures, e.g. collars
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- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、例えばIC,LSI等の半導体装置におけるワイヤ
ボンディングパッドの組立体に関する。
ボンディングパッドの組立体に関する。
従来、この種ワイヤボンディングパッドの組立体は第３
図および第４図に示すように構成されている。これを同
図に基づいて概略説明すると、同図において、符号１で
示すものは下層パッシベーション膜で、この下層パッシ
ベーション膜１はPSG,BPSG,SiO2等の無機ガラスによっ
て形成されている。
図および第４図に示すように構成されている。これを同
図に基づいて概略説明すると、同図において、符号１で
示すものは下層パッシベーション膜で、この下層パッシ
ベーション膜１はPSG,BPSG,SiO2等の無機ガラスによっ
て形成されている。
２は上層パッシベーション膜、３はワイヤボンディング
パッドで、これらは何れも前記下層パッシベーション膜
１上に形成されている。前記上層パッシベーション膜２
は、窒化珪素等の無機物によって形成され、ワイヤボン
ディングパッド３はAlあるいはAl−Si合金によって形成
されている。前記上層パッシベーション膜２は、ボンデ
ィング位置に開口部が形成されており、この開口部内に
ワイヤボンディングパッド３が位置付けられている。そ
して、この上層パッシベーション膜２は、開口部の周縁
がワイヤボンディングパッド３の側部に乗り上げる構造
になっている。すなわち、上層パッシベーション膜２に
は、ワイヤボンディングパッド３の側部と対応する部分
に上方へ突出する部分が形成されることになる。
パッドで、これらは何れも前記下層パッシベーション膜
１上に形成されている。前記上層パッシベーション膜２
は、窒化珪素等の無機物によって形成され、ワイヤボン
ディングパッド３はAlあるいはAl−Si合金によって形成
されている。前記上層パッシベーション膜２は、ボンデ
ィング位置に開口部が形成されており、この開口部内に
ワイヤボンディングパッド３が位置付けられている。そ
して、この上層パッシベーション膜２は、開口部の周縁
がワイヤボンディングパッド３の側部に乗り上げる構造
になっている。すなわち、上層パッシベーション膜２に
は、ワイヤボンディングパッド３の側部と対応する部分
に上方へ突出する部分が形成されることになる。
４はボンディング用ワイヤで、このワイヤ４は金，銅等
の金属によって形成されている。５は前記ワイヤ４の一
端に設けられるワイヤボールである。
の金属によって形成されている。５は前記ワイヤ４の一
端に設けられるワイヤボールである。
このように構成されたワイヤボンディングパッドの組立
体におけるワイヤボンディングは、ワイヤボンディング
パッド３にワイヤ４の一端であるワイヤボール５を圧接
し、超音波印加，加熱等によって溶融接続した後、ワイ
ヤ４を引き出してから他端を外部リード（図示せず）に
接続する。
体におけるワイヤボンディングは、ワイヤボンディング
パッド３にワイヤ４の一端であるワイヤボール５を圧接
し、超音波印加，加熱等によって溶融接続した後、ワイ
ヤ４を引き出してから他端を外部リード（図示せず）に
接続する。
しかるに、このワイヤボンディングパッドの組立体を採
用した半導体装置は、導通不良を起こし易いという問題
があった。
用した半導体装置は、導通不良を起こし易いという問題
があった。
これは、樹脂封止時に上層パッシベーション膜２の突出
部分に封止樹脂の圧力が加わって応力が集中し、この部
分にクラックが生じるからであった。すなわち、樹脂封
止後に前記クラックを介してワイヤボンディングパッド
３の下面側に水分が浸入し易くなり、この浸入した水分
によってワイヤボンディングパッド３が腐食され、導通
不良を起こしてしまうのである。
部分に封止樹脂の圧力が加わって応力が集中し、この部
分にクラックが生じるからであった。すなわち、樹脂封
止後に前記クラックを介してワイヤボンディングパッド
３の下面側に水分が浸入し易くなり、この浸入した水分
によってワイヤボンディングパッド３が腐食され、導通
不良を起こしてしまうのである。
また、ワイヤボンディング時にワイヤボール５が上層パ
ッシベーショ膜２の突出部分とワイヤボンディングパッ
ド３とに跨るようにボンディングされると、ワイヤ４の
接着強度が低下するという問題もあった。これは、ワイ
ヤボール５の接続位置に段差があると、突出部分より低
いワイヤボンディングパッド３側はワイヤボンディング
時の超音波分布状態や熱分布状態が最適になり難くなっ
てしまい、ワイヤボール５をワイヤボンディングパッド
３に確実に接合することができなくなるからであった。
ッシベーショ膜２の突出部分とワイヤボンディングパッ
ド３とに跨るようにボンディングされると、ワイヤ４の
接着強度が低下するという問題もあった。これは、ワイ
ヤボール５の接続位置に段差があると、突出部分より低
いワイヤボンディングパッド３側はワイヤボンディング
時の超音波分布状態や熱分布状態が最適になり難くなっ
てしまい、ワイヤボール５をワイヤボンディングパッド
３に確実に接合することができなくなるからであった。
本発明はこのような問題点を解消するためになされたも
ので、樹脂封止後に導通不良を起こし難く、しかも、ワ
イヤの接着強度を確保できるワイヤボンディングパッド
の組立体を得ることを目的とする。
ので、樹脂封止後に導通不良を起こし難く、しかも、ワ
イヤの接着強度を確保できるワイヤボンディングパッド
の組立体を得ることを目的とする。
本発明に係るワイヤボンディングパッドの組立体は、下
部絶縁膜上に設けられ多数の溝を有する第１のパッシベ
ーション膜と、この第１のパッシベーション膜上に接合
され溝開口外周部寄りの部分を開口周縁の裏面で覆う開
口部が形成された第２のパッシベーション膜と、この第
２のパッシベーション膜の開口部内に一部が第１のパッ
シベーション膜上の溝内に臨んで設けられるワイヤボン
ディングパッドとを備え、このワイヤボンディングパッ
ドの上面と第２のパッシベーション膜の上面とを略面一
に形成したものである。
部絶縁膜上に設けられ多数の溝を有する第１のパッシベ
ーション膜と、この第１のパッシベーション膜上に接合
され溝開口外周部寄りの部分を開口周縁の裏面で覆う開
口部が形成された第２のパッシベーション膜と、この第
２のパッシベーション膜の開口部内に一部が第１のパッ
シベーション膜上の溝内に臨んで設けられるワイヤボン
ディングパッドとを備え、このワイヤボンディングパッ
ドの上面と第２のパッシベーション膜の上面とを略面一
に形成したものである。
〔作用〕 本発明によれば、略面一とされる第２のパッシベーショ
ン膜の上面とワイヤボンディングパッドの上面とでは封
止樹脂から加えられる圧力が略均等になるから、樹脂封
止時に応力が集中する部分がなくなる。
ン膜の上面とワイヤボンディングパッドの上面とでは封
止樹脂から加えられる圧力が略均等になるから、樹脂封
止時に応力が集中する部分がなくなる。
また、本発明によれば、ワイヤのワイヤボールが第２の
パッシベーション膜とワイヤボンディングパッドとに跨
ってボンディングされても、ワイヤボンディングパッド
にボンディングされる部分の超音波分布状態や熱分布状
態は最適状態に維持される。
パッシベーション膜とワイヤボンディングパッドとに跨
ってボンディングされても、ワイヤボンディングパッド
にボンディングされる部分の超音波分布状態や熱分布状
態は最適状態に維持される。
さらに、本発明によれば、ワイヤボンディングパッド
は、その一部が第１のパッシベーション膜の溝内に臨
み、かつその上面側が第２のパッシベーション膜の開口
部周縁の裏面で覆われることにより、密着性が確保され
る。
は、その一部が第１のパッシベーション膜の溝内に臨
み、かつその上面側が第２のパッシベーション膜の開口
部周縁の裏面で覆われることにより、密着性が確保され
る。
以下、本発明の構成等を図に示す実施例によって詳細に
説明する。第１図は本発明に係るワイヤボンディングパ
ッドの組立体を示す断面図である。同図において、符号
11で示すものは多数の溝12を有する第１のパッシベーシ
ョン膜で、下部絶縁膜（図示せず）上に設けられてい
る。13は前記溝12の開口外周部寄りの部分を開口周縁の
裏面で覆う開口部14を有する第２のパッシベーション膜
で、前記第１のパッシベーション膜11上に接合されてい
る。
説明する。第１図は本発明に係るワイヤボンディングパ
ッドの組立体を示す断面図である。同図において、符号
11で示すものは多数の溝12を有する第１のパッシベーシ
ョン膜で、下部絶縁膜（図示せず）上に設けられてい
る。13は前記溝12の開口外周部寄りの部分を開口周縁の
裏面で覆う開口部14を有する第２のパッシベーション膜
で、前記第１のパッシベーション膜11上に接合されてい
る。
15はワイヤ（図示せず）の一端を接続する有底筒状のワ
イヤボンディングパッドで、前記第１のパッシベーショ
ン膜11の溝12内および第２のパッシベーション膜13の開
口部14内に設けられ、かつ前記両パッシベーション膜1
1,13に接合されている。このワイヤボンディングパッド
15の内周面15aは前記溝12の内周面12aに対接し、外周面
15bは前記溝12の外周面12bに対接している。
イヤボンディングパッドで、前記第１のパッシベーショ
ン膜11の溝12内および第２のパッシベーション膜13の開
口部14内に設けられ、かつ前記両パッシベーション膜1
1,13に接合されている。このワイヤボンディングパッド
15の内周面15aは前記溝12の内周面12aに対接し、外周面
15bは前記溝12の外周面12bに対接している。
このように構成されたワイヤボンディングパッド組立体
においては、ワイヤボンディングパッド15の内周面15a
および外周面15bが各々溝12の内周面12aと外周面12bに
対接する構造であるから、第１のパッシベーション膜11
に対するワイヤボンディングパッド15の接触面積を広く
することができるとともに、このワイヤボンディングパ
ッド15の溝12内に臨む部分とその上面を覆う第２のパッ
シベーション膜13における開口部14の開口周縁の裏面と
のオーバラップで押え付けて接合させた状態とすること
ができ、またワイヤボンディングパッド15の周囲に位置
する第２のパッシベーション膜面13aとワイヤ接続面15a
とを同一の面上に位置付けることができる。
においては、ワイヤボンディングパッド15の内周面15a
および外周面15bが各々溝12の内周面12aと外周面12bに
対接する構造であるから、第１のパッシベーション膜11
に対するワイヤボンディングパッド15の接触面積を広く
することができるとともに、このワイヤボンディングパ
ッド15の溝12内に臨む部分とその上面を覆う第２のパッ
シベーション膜13における開口部14の開口周縁の裏面と
のオーバラップで押え付けて接合させた状態とすること
ができ、またワイヤボンディングパッド15の周囲に位置
する第２のパッシベーション膜面13aとワイヤ接続面15a
とを同一の面上に位置付けることができる。
次に、本発明におけるワイヤボンディングパッドの組立
体の製造方法を第２図（ａ）〜（ｅ）を用いて説明す
る。
体の製造方法を第２図（ａ）〜（ｅ）を用いて説明す
る。
先ず、酸化珪素からなる絶縁膜18上に薄膜を接合し、こ
れに選択エッチング処理を施して同図（ａ）に示すよう
に多数の溝12を有する第１のパッシベーション膜11を形
成する。次に、同図（ｂ）に示すように第１のパッシベ
ーション膜11上にワイヤボンディングパッド15となる金
膜Ａを接合してレジスト19を塗布し、このレジスト19を
マスクとして合金膜Ａを選択エッチングした後、同図
（ｃ）に示すようにレジスト19を除去してワイヤボンデ
ィングパッド15を形成する。このとき、このワイヤボン
ディングパッド15の一部は前記第１のパッシベーション
膜11の溝12内にも臨んで形成される。そして、同図
（ｄ）に示すようにワイヤボンディングパッド15上およ
び第１のパッシベーション膜11上に第２のパッシベーシ
ョン膜13となる薄膜Ｂを形成し、この薄膜Ｂ上にレジス
ト20をパターニングする。しかる後、このレジスト20を
マスクとして第２のパッシベーション膜13となる薄膜に
選択エッチング処理を施し、同図（ｅ）に示すようにレ
ジスト20を除去してから第２のパッシベーション膜13を
形成する。このとき、この第２のパッシベーション膜13
における開口部14の開口周縁は、その裏面が前記ワイヤ
ボンディングパッド15における前記溝12内に臨む部分の
上面の一部を覆うことになり、これによりこのワイヤボ
ンディングパッド15の密着性を向上させることができ
る。
れに選択エッチング処理を施して同図（ａ）に示すよう
に多数の溝12を有する第１のパッシベーション膜11を形
成する。次に、同図（ｂ）に示すように第１のパッシベ
ーション膜11上にワイヤボンディングパッド15となる金
膜Ａを接合してレジスト19を塗布し、このレジスト19を
マスクとして合金膜Ａを選択エッチングした後、同図
（ｃ）に示すようにレジスト19を除去してワイヤボンデ
ィングパッド15を形成する。このとき、このワイヤボン
ディングパッド15の一部は前記第１のパッシベーション
膜11の溝12内にも臨んで形成される。そして、同図
（ｄ）に示すようにワイヤボンディングパッド15上およ
び第１のパッシベーション膜11上に第２のパッシベーシ
ョン膜13となる薄膜Ｂを形成し、この薄膜Ｂ上にレジス
ト20をパターニングする。しかる後、このレジスト20を
マスクとして第２のパッシベーション膜13となる薄膜に
選択エッチング処理を施し、同図（ｅ）に示すようにレ
ジスト20を除去してから第２のパッシベーション膜13を
形成する。このとき、この第２のパッシベーション膜13
における開口部14の開口周縁は、その裏面が前記ワイヤ
ボンディングパッド15における前記溝12内に臨む部分の
上面の一部を覆うことになり、これによりこのワイヤボ
ンディングパッド15の密着性を向上させることができ
る。
このようにして、ワイヤボンディングパッドの組立体を
形成することができる。
形成することができる。
したがって、このように構成されたワイヤボンディング
パッドの組立体によれば、第２のパッシベーション膜の
上面（膜面13a）とワイヤボンディングパッド15の上面
（ワイヤ接続面15a）とでは封止樹脂から加えられる圧
力が略均等になるから、樹脂封止時に応力が集中する部
分がなくなる。
パッドの組立体によれば、第２のパッシベーション膜の
上面（膜面13a）とワイヤボンディングパッド15の上面
（ワイヤ接続面15a）とでは封止樹脂から加えられる圧
力が略均等になるから、樹脂封止時に応力が集中する部
分がなくなる。
また、ワイヤが第２のパッシベーション膜13とワイヤボ
ンディングパッド15とに跨ってボンディングされても、
ワイヤボンディングパッド15にボンディングされる部分
の超音波分布状態や熱分布状態は最適状態に維持され
る。
ンディングパッド15とに跨ってボンディングされても、
ワイヤボンディングパッド15にボンディングされる部分
の超音波分布状態や熱分布状態は最適状態に維持され
る。
以上説明したように本発明に係るワイヤボンディングパ
ッドの組立体によれば、下部絶縁膜上に設けられ多数の
溝を有する第１のパッシベーション膜と、この第１のパ
ッシベーション膜上に接合され前記溝開口外周部寄りの
部分を開口周縁の裏面で覆う開口部が形成された第２の
パッシベーション膜と、この第２のパッシベーション膜
の開口部内に一部が第１のパッシベーション膜上の溝内
に臨んで設けられるワイヤボンディングパッドとを備
え、このワイヤボンディングパッドの上面と第２のパッ
シベーション膜の上面とを略面一に形成したので、第２
のパッシベーション膜の上面とワイヤボンディングパッ
ドの上面とでは封止樹脂から加えられる圧力が略均等に
なるから、樹脂封止時に応力が集中する部分がなくな
る。
ッドの組立体によれば、下部絶縁膜上に設けられ多数の
溝を有する第１のパッシベーション膜と、この第１のパ
ッシベーション膜上に接合され前記溝開口外周部寄りの
部分を開口周縁の裏面で覆う開口部が形成された第２の
パッシベーション膜と、この第２のパッシベーション膜
の開口部内に一部が第１のパッシベーション膜上の溝内
に臨んで設けられるワイヤボンディングパッドとを備
え、このワイヤボンディングパッドの上面と第２のパッ
シベーション膜の上面とを略面一に形成したので、第２
のパッシベーション膜の上面とワイヤボンディングパッ
ドの上面とでは封止樹脂から加えられる圧力が略均等に
なるから、樹脂封止時に応力が集中する部分がなくな
る。
したがって、ワイヤボンディングパッドに水分を導くク
ラックが生じることがなくなり、このワイヤボンディン
グパッドの組立体を採用した半導体装置は導通不良を起
こし難くなる。
ラックが生じることがなくなり、このワイヤボンディン
グパッドの組立体を採用した半導体装置は導通不良を起
こし難くなる。
また、ワイヤが第２のパッシベーション膜とワイヤボン
ディングパッドとに跨ってボンディングされても、ワイ
ヤボンディングパッドにボンディングされる部分の超音
波分布状態や熱分布状態は最適状態に維持される。した
がって、ワイヤをワイヤボンディングパッドに確実にボ
ンディングすることができる。
ディングパッドとに跨ってボンディングされても、ワイ
ヤボンディングパッドにボンディングされる部分の超音
波分布状態や熱分布状態は最適状態に維持される。した
がって、ワイヤをワイヤボンディングパッドに確実にボ
ンディングすることができる。
さらに、ワイヤボンディングパッドの一部が第１のパッ
シベーション膜の溝内に臨み、かつその上面側が第２の
パッシベーション膜の開口部周縁の裏面で覆われること
により、このワイヤボンディングパッドの密着性をより
一層向上させることができる。
シベーション膜の溝内に臨み、かつその上面側が第２の
パッシベーション膜の開口部周縁の裏面で覆われること
により、このワイヤボンディングパッドの密着性をより
一層向上させることができる。
第１図は本発明に係るワイヤボンディングパッドの組立
体を示す断面図、第２図は同じく本発明におけるワイヤ
ボンディングパッドの組立体の製造方法を説明するため
の工程図、第３図は従来のワイヤボンディングパッドの
組立体を示す断面図、第４図はその要部を拡大して示す
断面図である。 11……第１のパッシベーション膜、12……溝、13……第
２のパッシベーション膜、14……開口部、15……ワイヤ
ボンディングパッド。
体を示す断面図、第２図は同じく本発明におけるワイヤ
ボンディングパッドの組立体の製造方法を説明するため
の工程図、第３図は従来のワイヤボンディングパッドの
組立体を示す断面図、第４図はその要部を拡大して示す
断面図である。 11……第１のパッシベーション膜、12……溝、13……第
２のパッシベーション膜、14……開口部、15……ワイヤ
ボンディングパッド。
Claims (1)
- 【請求項１】下部絶縁膜上に設けられ多数の溝を有する
第１のパッシベーション膜と、この第１のパッシベーシ
ョン膜上に接合され前記溝の溝開口外周部寄りの部分を
開口周縁の裏面で覆う開口部が形成された第２のパッシ
ベーション膜と、この第２のパッシベーション膜の開口
部内に一部が前記第１のパッシベーション膜上の溝内に
臨んで設けられるワイヤボンディングパッドとを備え、 このワイヤボンディングパッドの上面と前記第２のパッ
シベーション膜の上面とを略面一に形成したことを特徴
とするワイヤボンディングパッドの組立体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63026016A JPH0724276B2 (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | ワイヤボンデイングパッドの組立体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63026016A JPH0724276B2 (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | ワイヤボンデイングパッドの組立体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01201929A JPH01201929A (ja) | 1989-08-14 |
| JPH0724276B2 true JPH0724276B2 (ja) | 1995-03-15 |
Family
ID=12181898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63026016A Expired - Lifetime JPH0724276B2 (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | ワイヤボンデイングパッドの組立体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0724276B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5925387B2 (ja) * | 1980-06-10 | 1984-06-16 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
-
1988
- 1988-02-05 JP JP63026016A patent/JPH0724276B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01201929A (ja) | 1989-08-14 |
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