JPH07246776A - 光記録材料およびそれを用いた追記型コンパクトデイスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】従来の追記機能、編集機能を有するＣＤあるい
はＣＤ−ＲＯＭの持つ欠点を解決し、７７０〜８１０ｎ
ｍの波長再生が可能なオレンジブックに準拠した追記型
コンパクトデイスクおよび光記録材料を提供する。 【構成】フタロシアニン骨格に、フッ素置換されたアル
コキシ基がｎ個と直鎖または分枝の無置換のアルコキシ
基がｍ個（ｎ＋ｍ＝４、ｎおよびｍは１〜３の整数を表
す）とニトロ基が置換する事を特徴とする光記録材料お
よびそれを用いた追記型コンパクトディスク。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、レーザー光線によっ
て、情報を書き込んだり、読み取ったりすることが可能
な光記録媒体に関する。さらに詳しくは、追記型コンパ
クトデイスク（ＣＤ−Ｒ）およびその記録膜材料に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、基板上に有機色素を記録膜にした
単膜構成の記録媒体が提案され、編集機能を有するファ
イリングシステム用の追記型光ディスクが実用化されて
いた。この追記型光ディスクは、反射率は２０〜３０％
であり、また記録再生のレーザー波長は８３０ｎｍであ
るため、既に普及しているＣＤるいはＣＤ−ＲＯＭとの
互換性はまったくなかった。その後、特定の光学定数を
有するシアニン色素を記録膜として、さらに記録膜上に
反射膜を設ける事により反射率を６５％以上まで向上さ
せ、ＣＤフォーマットあるいはＣＤ−ＲＯＭフォーマッ
ト信号が記録でき、しかもＣＤまたはＣＤ−ＲＯＭの再
生装置で再生できる光デイスクおよび方法が提案され
（特開平２−４２６５２号公報、特開平２−１４７２８
６号公報）、既に実用化されている。

【０００３】しかしながら、一般にシアニン色素は光安
定性が悪いため、直接太陽光に曝さらされるような使用
条件では記録の信頼性に問題が生じる可能性があり、シ
アニン色素を記録膜にしたＣＤ−Ｒでは、再生専用のＣ
ＤあるいはＣＤ−ＲＯＭと同様の信頼性は実現されてい
ない。。そのため、化学的、物理的安定性の優れたフタ
ロシアニン色素が注目され、ＣＤ−Ｒの記録膜材料に応
用する検討が行なわれてきている。フタロシアニン色素
の光記録媒体への応用については、ファイリングシステ
ム用の追記型光ディスクの検討の頃より行なわれてきて
いるが、有機溶媒への溶解性付与、光学特性の制御、記
録感度の向上等が非常に困難な問題になっていた。

【０００４】これまでのフタロシアニン色素の検討の中
では、特開昭６１−１５４８８８号公報に置換されても
よいアルコキシ基を導入したフタロシアニン色素、また
特開昭６４−１４０８７号公報にフッ素置換アルコキシ
基を導入したフタロシアニン色素が、光記録材料として
提案されている。これらのフタロシアニン色素は、アル
コキシ基さらにフッ素置換アルコキシ基を導入する事で
有機溶媒への溶解性を付与しているが、適した溶媒種と
てはハロゲン化炭化水素系、芳香族系、フッ素置換アル
コール等であり、記録膜を成膜するには、耐溶剤性の高
い基板あるいは高価な特殊な溶媒を使用しなければなら
ない。また、この提案は基板／記録膜の構成による光記
録媒体を対象としており、基板／記録膜／反射膜の積層
体で構成されるＣＤ−Ｒに適応した光学特性さらには熱
特性は実現できない。

【０００５】また、特開平３−６２８７８号公報、特開
平５−１２７２号公報にフタロシアニンの４つのベンゼ
ン環に無置換の分枝アルコキシ基とニトロ基を含むＣＤ
−Ｒ用の記録膜材料が提案されている。このフタロシア
ニン色素では、ＣＤ−Ｒの構成に適した記録膜にするた
めに屈折率等の光学特性および熱特性の向上を目的に、
アルコキシ基の導入位置に対してオルソ位にニトロ基を
導入する事により、従来のフタロシアニン色素に比較し
て明らかに信号特性が改善されている。しかしながら、
これらの化合物については特開昭５−８６３０１号公報
の比較例に示されているように信号品質としては十分な
特性には至っていない。

【０００６】又、フタロシアニン環に無置換の分枝アル
コキシ基を導入した場合、アルコキシ基の電子供与性の
効果により吸収波長がかなり長波長化し、ＣＤ−Ｒで対
象となる７８５ｎｍ付近の吸収が大きくなりすぎる傾向
があるため、７８５ｎｍ付近で最適な光学特性を実現す
るためには、中心金属として吸収の短波長化に効果のあ
るパラジウム等の高価な特殊金属類を使用する必要が生
じてくる。また、これら化合物については信号品質とし
ては十分な特性には至っておらず、さらに実用上の問題
点として、最短ピットである３Ｔ信号が長く、逆に最長
ピットである１１Ｔ信号が短くなる傾向にあり、エラー
発生の原因として課題が残っている。また、一部の再生
機に採用されている位相差法によるトラッキング方式へ
の適性も十分なマージンが得られていない。以上のよう
に、耐久性の優れたフタロシアニン色素でもＣＤ−Ｒ用
の記録膜材料として使用できるレベルに到達してきた
が、実用上の適性をすべて満足できているとは言い難
い。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上記に示したようなＣ
Ｄ−Ｒ用記録膜として、中心金属を選ばずにＣＤ−Ｒに
適した波長制御が可能なフタロシアニン色素で、オレン
ジブック規格に準拠し、さらにピット長の整合性、位相
差法によるトラッキング適性等の実用適性も満足する耐
久性の優れたフタロシアニン色素系のＣＤ−Ｒ用の記録
膜材料を提供すつものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者等は鋭意研究を
行った結果、以下の発明に至った。すなわち、本発明
は、式［１］で示されるフタロシアニン骨格の４つのベ
ンゼン環のそれぞれに、アルコキシ基とニトロ基を１つ
ずつ導入し、該アルコキシ基が、フッ素置換アルコキシ
基ｎ個と無置換アルコキシ基ｍ個（ｎ＋ｍ＝４、ｎおよ
びｍは１〜３の整数を表す）であることを特徴とする光
記録材料である。式［１］

【化２】 ［式中、Ｍは水素原子あるいは酸素、水酸基、ハロゲン
原子が置換してもよい金属原子を表す。］ 更に、本発明は、式［１］で示されるフタロシアニン骨
格の４つのベンゼン環の、１または４、５または８、９
または１２、１３または１６のそれぞれの置換位置の一
方にアルコキシ基を、他方にニトロ基を導入した請求項
１記載の光記録材料である。更に本発明は、透明基板／
記録膜／反射膜／保護膜の積層体からなり、上記記録膜
が請求項１又は２記載の光記録材料を含むことを特徴と
する追記型コンパクトデイスクに関する。

【０００９】本発明の光記録材料さらにそれを用いた追
記型コンパクトディスクに適用されるフタロシアニン化
合物の特徴は、置換基としてフッ素を置換したアルコキ
シ基とニトロ基とを好ましくはパラ位の位置関係で導入
し、さらに当該アルコキシ基がフッ素置換アルコキシ基
と無置換の直鎖あたは分枝のアルコキシ基との混合で構
成されることにある。フッ素を置換したアルコキシ基を
導入することによって、フタロシアニン化合物の有機溶
剤への可溶性が向上する。さらに記録膜と基板の界面エ
ネルギーが大きくなり記録時に均整のとれたピットが形
成しやすくなる結果、記録膜が基板と反射膜に挟み込ま
れ形状変化を伴う記録がしにくいＣＤ−Ｒで問題となる
感度低下あるいは形成したピットの歪を改善することが
できる。また、アルコキシ基にフッ素が置換していると
フッ素の効果により電子供与性が無置換のアルコキシ基
に比較して著しく弱くなるため、フタロシアニン環に無
置換のアルコキシ基とこのフッ素置換のアルコキシ基を
混合して導入する事により、その混合比率で吸収波長を
制御できる。そのため、７８５ｎｍ付近の光学特性の最
適化が非常に容易になるという利点がある。その結果、
７８５ｎｍ付近での透過率と吸光度のバランスが向上
し、透過率により影響される反射率と吸光度か影響する
光→熱変換によるヒートモード記録での感度との相反す
る特性を同時に満足する事が可能になる。

【００１０】ニトロ基の効果としては、記録時、即ち記
録膜の分解に際して酸素源となるニトロ基の導入によ
り、熱分解温度が低下すると共に分解時に大きな発熱を
伴うため、記録感度が大幅に向上する。さらにこのニト
ロ基をアルコキシ基に対してパラ位に導入した事によ
り、立体障害によるフタロシアニン環のスタッキング性
が阻害され、前述の熱分解温度の低下による感度向上と
フッ素を置換したアルコキシ基による溶解性付与効果の
両者がより向上している。

【００１１】本発明のフタロシアニン色素に導入される
フッ素を置換したアルコキシ基の代表例としては１，
１，１−トリフルオロメトキシ基、１，１，２，２−テ
トラフルオロプロポキシ基、１，１，１，３，３，３−
ヘキサフルオロ−２−プロポキシ基、２，２，２，−ト
リフルオロエトキシ基、２，２，３，３，３−ペンタフ
ルオロプロポキシ基、２，２，３，３，４，４，−ヘキ
サフルオロブトキシ基、１Ｈ，１Ｈ，５Ｈ−オクタフル
オロペンチルオキシ基、１Ｈ，１Ｈ，７Ｈ−ドデカフル
オロヘプチルオキシ基、１Ｈ，１Ｈ，９Ｈ−ヘキサデカ
フルオロノニルオキシ基、２−（パーフルオロヘキシ
ル）エトキシ基等がそれぞれ挙げられるが、これらに限
定されるものではない。

【００１２】本発明のフタロシアニン色素に導入される
無置換の直鎖および分枝のアルコキシ基の代表例として
は、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ
基、ペントキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、２，４−ジ
メチル−３−ペントキシ基、２−メチル−１−ヘキシロ
キシ基、４−メチル−シクロヘキシロキシ基、２−メチ
ル−１−ｉｓｏ−プロピルプロポキシ基、１，３−ジメ
チルブトキシ基、２，２−ジメチル−１−ｉｓｏ−プロ
ピルプロポキシ基等がそれぞれ挙げられるが、これらに
限定されるのものではない。

【００１３】本発明のフタロシアニン色素において、フ
ッ素を置換したアルコキシ基および無置換の直鎖または
分枝のアルコキシ基とニトロ基が導入されるが、それ以
外にも置換基が導入されていても良い。導入されても良
い置換基としては、置換基を有しても良いアルキル基、
置換基を有しても良いアリール基、置換基を有しても良
いアルコキシ基、置換基を有しても良いアリーロキシ
基、ハロゲン原子、アミノ基、ニトロ基、シアノ基等が
挙げられるがこれに限るものではない。

【００１４】本発明のフタロシアニン色素のＭで示され
る中心金属の代表例としては、無金属の場合のプロトン
を始めとして、Ｃｕ，Ｚｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｒｕ，
Ｒｈ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｂｅ，Ｃａ，Ｂａ，Ｃ
ｄ，Ｈｇ，Ａｌ−Ｃｌ，Ａｌ−ＯＨ，Ｃａ，Ｉｎ−Ｃ
ｌ，Ｉｎ−ＯＨ，Ｔｉ＝Ｏ，Ｖ＝Ｏ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｓ
ｎ，Ｓｉ（ＯＨ）2，Ｇｅ（ＯＨ）2等がある。また、３
価あるいは４価の金属の場合には、フタロシアニン環の
軸方向にも置換基が導入できるが、軸方向に嵩高い置換
基を導入した場合には、記録膜に成膜した際、分子のパ
ッキングが阻害され光学密度が著しく低下するため、Ｃ
Ｄ−Ｒ用の記録膜としての最適膜厚が厚くなる傾向にあ
る。そのため記録時のピット形成の体積変化が大きくな
り、隣接するトラックへの影響が現れ信号品質を低下さ
せる場合がある。さらに、ニトロ基のような電子吸引性
基を導入した場合には、軸方向に導入される置換基が脱
離しやすくなり、耐久性を低下させる事が考えられる。
従って、本発明のフタロシアニン色素では、軸方向に導
入できる置換基としては酸素、水酸基、ハロゲン等の比
較的小さい置換基に限られる。

【００１５】本発明のフタロシアニン色素は、例えば以
下の方法により製造することができる。すなわち、下記
一般式［２］で示されるフタロニトリル類と下記一般式
［３］で示されるフタロニトリル類の混合物と式［１］
中のＭで示される金属の各種金属塩を出発原料として常
法により、フッ素置換アルコキシ基と無置換の直鎖また
は分枝のアルコキシ基の両方を有するフタロシアニン化
合物を製造できる。また、一般式［２］および［３］の
フタロニトリルの代わりに、これらのフタロニトリルに
アンモニアを反応させたインドリン化合物を使用しても
同様にフッ素置換されたアルコキシ基と無置換の直鎖ま
たは分枝のアルコキシ基の両方を有するフタロシアニン
化合物を製造できる。

【００１６】一般式［２］ ［式中、Ｒはフッ素置換アルキル基を表す。］

【化３】 一般式［３］

【化４】 ［式中、Ｘは無置換の直鎖または分枝のアルキル基を表
す。］

【００１７】次に、得られたフッ素置換されたアルコキ
シ基と無置換の直鎖または分枝のアルコキシ基の両方を
有するフタロシアニン化合物をニトロ化することによ
り、本発明のフタロシアニン色素を製造することができ
る。

【００１８】本発明のフタロシアニン色素の代表的な例
として下記に示すフタロシアニン化合物（ａ）〜（ｋ）
等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

【００１９】

【表１】

【００２０】本発明のフタロシアニン色素を用いた記録
膜層には、記録膜の耐光性、耐環境性等の安定性、繰り
返し再生の安定性をさらに向上させる目的で、酸素クエ
ンチャー、紫外線吸収剤等の添加剤を加えても良い。

【００２１】記録膜層の成膜方法としては、ドライプロ
セス、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法によって
も可能であるが、ウエットプロセス、例えば、スピンコ
ート法、デップ法、スプレー法、ロールコート法あるい
はＬＢ（ラングミュアーブロジェット）法によっても可
能である。本発明の記録膜素材は、汎用の有機溶媒、例
えば、アルコール系、ケトン系、セロソルブ系、ハロゲ
ン系、炭化水素系、フロン系等に溶解するため、生産性
および記録膜の均一性からスピンコート法により成膜す
る方法が好ましい。このように、いわゆる塗布法で成膜
する場合には、必要に応じて高分子バインダーを加えて
も良い。高分子バインダーとしてはアクリル樹脂、ポリ
カーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹
脂、塩化ビニル系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、ニトロセル
ロース、フェノール樹脂等が挙げられるがこれに限られ
るものではない。高分子バインダーの混合比としては特
に制限はないが、色素に対して３０ｗｔ％以下が好まし
い。

【００２２】本発明の記録膜層の最適膜厚は、記録膜材
料の種類および組み合わせにより異なるため特に制限は
なく、５００〜３０００Ａが好ましく、さらに７００〜
２５００Ａが最適膜厚範囲である。

【００２３】本発明の反射膜素材としては、金、銀、
銅、白金、アルミニウム、コバルト、スズ等の金属およ
びこれらを主成分とした合金、ＭｇＯ，ＺｎＯ，ＳｎＯ
等の金属酸化物、ＳｉＮ４、ＡｌＮ、ＴｉＮ等の窒化物
等が挙げられるが、絶対反射率が高く安定性に優れてい
る点から金が最適である。 また、場合によっては有機
性の高反射膜を使用することもできる。このような反射
膜の成膜方法としては、ドライプロセス例えば真空蒸着
法、スパッタリング法が最も好ましいがこれらに限られ
るものではない。本発明の反射膜の最適膜厚について
は、特に制限はないが４００〜１３００Ａの範囲が好ま
しい。

【００２４】さらに、反射膜の上より、デイスク特に記
録膜層および反射膜層の化学的劣化（例えば酸化、吸水
等）および物理的劣化（例えば傷、けずれ等）を防ぐ目
的でデイスクを保護するための保護層を設ける。保護層
用の材料としては、紫外線硬化型樹脂を用いて、スピン
コートにより塗布し、紫外線照射により硬化させる方法
が好ましいがこれに限られるものではない。保護層の最
適膜厚については、薄い場合には、保護の効果が低下
し、厚い場合には樹脂の硬化時の収縮によりデイスクの
そり等の機械特性の悪化の原因になるため、２〜２０ミ
クロンの範囲で成膜することが好ましい。

【００２５】また、本発明に用いられるデイスク基板と
しては信号の書き込みや読みだしを行うための光の透過
率が好ましくは８５％以上であり、かつ光学異方性の小
さいものが好ましい。例えば、ガラス、またはアクリル
樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリ
アミド樹脂、塩化ビニル系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、ポ
リスチレン系樹脂、ポリオレフィン系樹脂（ポリ−４−
メチルペンテン等）、ポリエーテルスルホン樹脂などの
熱可塑性樹脂やエポキシ樹脂、アリル樹脂等の熱硬化性
樹脂からなる基板が挙げられる。 これらの中で、成形
のしやすさ、ＡＴＩＰ用ウオッブル信号および案内溝等
の付与のしやすさなどから熱可塑性樹脂からなるものが
好ましく、さらに光学特性や機械特性およびコストから
みてアクリル樹脂やポリカーボネート樹脂からなるもの
が特に好ましい。

【００２６】また、ＡＴＩＰウオブル信号および案内溝
などの付与は熱可塑性樹脂を成形（射出成形、圧縮成
形）する際のスタンパーなどを用いて付与する方法が好
ましいが、フォトポリマー樹脂を用いるいわゆる２Ｐ法
による方法によっても行うことが出来る。本発明の光デ
イスクの案内溝の形状については、特に制限はなく台形
あるいはＵ字形であっても良い。また、案内溝の寸法に
ついては、記録膜材料の種類および組み合わせ等により
最適値はそれぞれ異なるが、平均溝幅（溝深さの１／２
の位置の幅）が０．４〜０．６ミクロン、また、溝深さ
が７００〜２０００Ａの範囲が好ましい。

【００２７】本発明のデイスク形態は、記録後ＣＤある
いはＣＤ−ＲＯＭとして機能する必要があるため、ＣＤ
あるいはＣＤ−ＲＯＭの規格（レッドブック）およびＲ
−ＣＤの規格（オレンジブック）に準拠していることが
好ましい。

【００２８】

【実施例】以下の実施例および比較例により本発明を具
体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限られるも
のではない。はじめに、本発明で使用されるフタロシア
ニン化合物の代表例の製造法について説明する。

【００２９】 製造例１：フタロシアニン化合物（ａ）の製造 ｎ−アミルアルコール１００部、ジアザビシクロウンデ
セン（ＤＢＵ）３０部に３−（１，１，２，２−テトラ
フルオロプロピル）オキシ−ｏ−フタロニトリルと３−
（ネオペンチル）オキシ−ｏ−フタロニトリルのモル比
１：１の混合物１０部および塩化第一銅１５部を加え、
１３０〜１３５℃で３時間加熱撹拌後、冷却し、５００
部のメタノールで希釈した。析出した沈澱を濾別、メタ
ノール／水（４／１）混合溶液で洗浄、乾燥して青色の
粉末１０部を得た。このようにして得られた銅フタロシ
アニン化合物５部を無水酢酸１００部中、無水酢酸と発
煙硝酸より合成した硝酸アセチル５部を用いてニトロ化
を行い、氷水１０００部中に注入した。析出した沈澱を
濾別し、水洗、乾燥してフタロシアニン化合物（ａ）を
４部得た。

【００３０】 製造例２：フタロシアニン化合物（ｂ）の製造 製造例１と同様に、ｎ−アミルアルコール１００部、Ｄ
ＢＵ３０部に３−（２、２−ビス（トリフルオロメチ
ル）プロピル）オキシ−ｏ−フタロニトリルと３−
（２，４−ジメチル−３−ペンチル）オキシ−ｏ−フタ
ロニトリルのモル比１：３の混合物１０部および塩化第
一銅１５部を加え、１３０〜１３５℃で３時間加熱撹拌
後、冷却し、メタノール１０００部で希釈、析出した沈
澱を濾別、メタノール／水（３／１）混合溶液で洗浄、
乾燥して青色の粉末５．５部を得た。このようにして得
られた銅フタロシアニン化合物５部を無水酢酸１００部
中、無水酢酸と発煙硝酸より合成した硝酸アセチル５部
を用いてニトロ化を行い、氷水１０００部中に注入し
た。析出した沈澱を濾別し、水洗、乾燥してフタロシア
ニン化合物（ｂ）を３部得た。

【００３１】 製造例３：フタロシアニン化合物（ｃ）の製造 製造例１と同様に、ｎ−アミルアルコール１００部、Ｄ
ＢＵ３０部に３−（２、２−ビス（トリフルオロメチ
ル）プロピル）オキシ−ｏ−フタロニトリルと３−
（１，３−ジメチルブチル）オキシ−ｏ−フタロニトリ
ルのモル比１：１の混合物１０部および塩化ニッケル５
部を加え、１３０〜１３５℃で５時間加熱撹拌後、冷却
し、２０００部のメタノールで希釈した。析出した沈澱
を濾別、メタノール／水（４／１）混合溶液で洗浄、乾
燥して緑色の粉末８部を得た。このようにして得られた
ニッケルフタロシアニン体５部を無水酢酸中、ニトロ化
を行い、氷水１０００部中に注入した。析出した沈澱を
濾別し、水洗、乾燥してフタロシアニン化合物（ｃ）を
７部得た。

【００３２】 製造例４：フタロシアニン化合物（ｄ）の製造 製造例１と同様に、ｎ−アミルアルコール１００部、Ｄ
ＢＵ３０部に３−（２、２−ビス（トリフルオロメチ
ル）プロピル）オキシ−ｏ−フタロニトリルと３−
（２，４−ジメチル−３−ペンチル）オキシ−ｏ−フタ
ロニトリルのモル比１：３の混合物１０部および塩化亜
鉛３部を加え、１３０〜１３５℃で５時間加熱撹拌後、
冷却し、１５００部のメタノールで希釈した。析出した
沈澱を濾別、メタノール／水（４／１）混合溶液で洗
浄、乾燥して緑色の粉末８部を得た。このようにして得
られたバナジウムフタロシアニン体５部を無水酢酸中、
ニトロ化を行い、氷水１０００部中に注入した。析出し
た沈澱を濾別し、水洗、乾燥してフタロシアニン化合物
（ｄ）を４部得た。

【００３３】実施例１ 深さ１２００オングストローム、幅０．５０ミクロン、
ピッチ１．６ミクロンの案内溝を有する厚さ１．２０ｍ
ｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカーボネート
基板上に、フタロシアニン化合物［ａ］をエトキシエタ
ノールに５０ｍｇ／ｍｌの濃度で溶解し、０．２ミクロ
ンのフイルタリングを行い塗液を調整し、この塗液を用
いて、スピンコーターにより記録膜厚９００オングスト
ロームに成膜した。次に、このようにして得た記録膜の
上にスパッタリングにより金を膜厚８００オングストロ
ームに成膜した。さらに、この上に紫外線硬化型樹脂に
より保護膜層を５ミクロンの膜厚で設けて光デッスクを
作成した。このようにして作成した光デイスクを用い、
波長７８５ｎｍの半導体レーザーを使用して線速度１．
４ｍ／ｓｅｃでＥＦＭ−ＣＤフォーマット信号を記録し
たところ、反射率は６７％、最適記録レーザーパワーが
６．０ｍＷで記録が可能であり、得られた記録の制御信
号は良好でオレンジブックの記載項目はすべて規格値を
満足するものであった。

【００３４】実施例２ 深さ１２００オングストローム、幅０．５０ミクロン、
ピッチ１．６ミクロンの案内溝を有する厚さ１．２０ｍ
ｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカーボネート
基板上に、フタロシアニン化合物［ｂ］をジアセトンア
ルコールに６０ｍｇ／ｍｌの濃度で溶解し、０．２ミク
ロンのフイルタリングを行い塗液を調整し、この塗液を
用いて、スピンコーターにより記録膜厚７５０オングス
トロームに成膜した。次に、このようにして得た記録膜
の上にスパッタリングにより金を膜厚８００オングスト
ロームに成膜した。さらに、この上に紫外線硬化型樹脂
により保護膜層を５ミクロンの膜厚で設けて光デッスク
を作成した。このようにして作成した光デイスクを用
い、波長７８５ｎｍの半導体レーザーを使用して線速度
１．４ｍ／ｓｅｃでＥＦＭ−ＣＤフォーマット信号を記
録したところ、反射率は６８％、最適記録レーザーパワ
ーが６．２ｍＷで記録が可能であり、得られた記録の制
御信号は良好でオレンジブックの記載項目はすべて規格
値を満足するものであった。

【００３５】実施例３ 深さ１２００オングストローム、幅０．５０ミクロン、
ピッチ１．６ミクロンの案内溝を有する厚さ１．２０ｍ
ｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカーボネート
基板上に、フタロシアニン化合物［ｃ］をエトキシエタ
ノールに５０ｍｇ／ｍｌの濃度で溶解し、０．２ミクロ
ンのフイルタリングを行い塗液を調整し、この塗液を用
いて、スピンコーターにより記録膜厚９００オングスト
ロームに成膜した。次に、このようにして得た記録膜の
上にスパッタリングにより金を膜厚８００オングストロ
ームに成膜した。さらに、この上に紫外線硬化型樹脂に
より保護膜層を５ミクロンの膜厚で設けて光デッスクを
作成した。このようにして作成した光デイスクを用い、
波長７８５ｎｍの半導体レーザーを使用して線速度１．
４ｍ／ｓｅｃでＥＦＭ−ＣＤフォーマット信号を記録し
たところ、反射率は７０％、最適記録レーザーパワーが
６．６ｍＷで記録が可能であり、得られた記録の制御信
号は良好でオレンジブックの記載項目はすべて規格値を
満足するものであった。

【００３６】実施例４ 深さ１２５０オングストローム、幅０．４８ミクロン、
ピッチ１．６ミクロンの案内溝を有する厚さ１．２０ｍ
ｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカーボネート
基板上に、フタロシアニン化合物（ｄ）をエトキシエタ
ノールに５０ｍｇ／ｍｌの濃度で溶解し、０．２ミクロ
ンのフイルタリングを行い塗液を調整し、この塗液を用
いて、スピンコーターにより記録膜厚９００オングスト
ロームに成膜した。次に、このようにして得た記録膜の
上にスパッタリングにより金を膜厚８００オングストロ
ームに成膜した。さらに、この上に紫外線硬化型樹脂に
より保護膜層を５ミクロンの膜厚で設けて光デイスクを
作成した。このようにして作成した光デイスクを用い、
波長７８５ｎｍの半導体レーザーを使用して線速度１．
４ｍ／ｓｅｃでＥＦＭ−ＣＤフォーマット信号を記録し
たところ、反射率は６６％、最適記録レーザーパワーが
６．０ｍＷで記録が可能であり、得られた記録の制御信
号は良好でオレンジブックの記載項目はすべて規格値を
満足するものであった。

【００３７】比較例１〜４ 下記表２に示すフタロシアニン化合物（ｌ）〜（ｏ）を
用いて、実施例１と同様にして光ディスクを作成した。
このようにして作成した光ディスクを用いて、実施例１
と同様に記録再生を行なった。この記録再生での反射率
および最適レーザーパワーを表３に記載した。表から明
かなように、フタロシアニン環に導入されるアルコキシ
基がフッ素置換されたアルコキシ基のみの場合、および
無置換のアルコキシ基のみの場合には、反射率と最適レ
ーザーパワー即ち感度とのバランスが悪くなっている。
フッ素置換されたアルコキシ基のみの場合には、反射率
は高いが、感度は低くなる傾向にあり、ＣＤ−Ｒの規格
であるオレンジブック記載の範囲にあるもの上限ぎりぎ
りで余裕はなく、高速記録に必要な高感度は実現できな
い。逆に無置換のアルコキシ基のみの場合には、７８５
ｎｍ付近での吸光度が高くなるため、感度は非常に高く
なるものの、反射率が低くなってしまう傾向にある。

【００３８】

【表２】

【００３９】 表３ ────────────────────────────────── 比較例 フタロシアニン 反射率 最適レーザーパワー 化合物 （％） （ｍＷ） ────────────────────────────────── １ （ｌ） ５６ ５．６ ２ （ｍ） ５２ ５．３ ３ （ｎ） ７２ ７．４ ４ （ｏ） ６８ ８．０ ─────────────────────────────────

【００４０】

【発明の効果】以上のように、本発明のフタロシアニン
色素は、ッ素置換されたアルコキシ基と無置換の直鎖ま
たは分枝のアルコキシ基の両者を合わせ持ち、さらにニ
トロ基が導入されたフタロシアニン化合物を記録膜とす
る事により、ＣＤ−Ｒで対象となる７８５ｎｍ付近の光
学特性の最適化が容易となる。又、感度と反射率のバラ
ンスがよく、さらに均整のとれたピットが形成されると
同時に記録感度が高くなるため基板への熱変形等の悪影
響がなくなり、ピット長の不整合がない良質の信号特性
が得られるようになった。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 式［１］で示されるフタロシアニン骨格
   の４つのベンゼン環のそれぞれに、アルコキシ基とニト
   ロ基を１つずつ導入し、該アルコキシ基が、フッ素置換
   アルコキシ基ｎ個と無置換アルコキシ基ｍ個（ｎ＋ｍ＝
   ４、ｎおよびｍは１〜３の整数を表す）であることを特
   徴とする光記録材料。式［１］ 【化１】 ［式中、Ｍは水素原子あるいは酸素、水酸基、ハロゲン
   原子が置換してもよい金属原子を表す。］
2. 【請求項２】 式［１］で示されるフタロシアニン骨格
   の４つのベンゼン環の、１または４、５または８、９ま
   たは１２、１３または１６のそれぞれの置換位置の一方
   にアルコキシ基を、他方にニトロ基を導入した請求項１
   記載の光記録材料。
3. 【請求項３】 透明基板／記録膜／反射膜／保護膜の積
   層体からなり、上記記録膜が請求項１又は２記載の光記
   録材料を含むことを特徴とする追記型コンパクトデイス
   ク。