JPH07276800A - 光記録材料およびそれを用いた追記型コンパクトデイスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】従来の追記機能、編集機能を有するＣＤあるい
はＣＤ−ＲＯＭの持つ欠点を解決し、７７０〜８１０ｎ
ｍの波長再生が可能なオレンジブックに準拠した追記型
コンパクトデイスクおよび光記録材料を提供する。 【構成】フタロシアニン骨格に、１ないし３個の直鎖ま
たは分枝のアルコキシ基と１ないし乃至４個のニトロ基
またはハロゲン原子を有する事を特徴とする光記録材料
およびそれを用いた追記型コンパクトディスク。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、レーザー光線によっ
て、情報を書き込んだり、読み取ったりすることが可能
な光記録媒体に関する。さらに詳しくは、追記型コンパ
クトデイスク（ＣＤ−Ｒ）およびその記録膜材料に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、基板上に有機色素を記録膜にした
単膜構成の記録媒体が提案され、編集機能を有するファ
イリングシステム用の追記型光ディスクが実用化されて
いた。この追記型光ディスクは、反射率は２０〜３０％
であり、また記録再生のレーザー波長は８３０ｎｍであ
るため、既に普及しているＣＤあるいはＣＤ−ＲＯＭと
の互換性は全くなかった。その後、特定の光学定数を有
するシアニン色素を記録膜として、さらに記録膜上に反
射膜を設ける事により反射率を６５％以上まで向上さ
せ、ＣＤフォーマットあるいはＣＤ−ＲＯＭフォーマッ
ト信号が記録でき、しかもＣＤまたはＣＤ−ＲＯＭの再
生装置で再生できる光デイスクおよび方法が提案（特開
平２−４２６５２号公報、特開平２−１４７２８６号公
報）され、既に実用化されている。

【０００３】しかしながら、一般にシアニン色素は光安
定性が悪いため、直接太陽光に曝さらされるような使用
条件では記録の信頼性に問題が生じる可能性があり、シ
アニン色素を記録膜にしたＣＤ−Ｒでは、再生専用のＣ
ＤあるいはＣＤ−ＲＯＭと同様の信頼性は実現されてい
ない。そのため、化学的、物理的安定性の優れたフタロ
シアニン色素が注目され、ＣＤ−Ｒの記録膜材料に応用
する検討が行なわれてきている。フタロシアニン色素の
光記録媒体への応用については、ファイリングシステム
用の追記型光ディスクの検討の頃より行なわれてきてい
るが、有機溶媒への溶解性付与、光学特性の制御、記録
感度の向上等が非常に困難な問題になっていた。

【０００４】これまでのフタロシアニン色素の検討の中
では、特開昭６１−１５４８８８号公報に置換されても
よいアルコキシ基を導入したフタロシアニン色素、また
特開昭６４−１４０８７号公報にフッ素置換アルコキシ
基を導入したフタロシアニン色素が提案されている。こ
れらのフタロシアニン色素は、アルコキシ基さらにフッ
素置換アルコキシ基を導入する事で有機溶媒への溶解性
を付与しているが、適した溶媒種とてはハロゲン化炭化
水素系、芳香族系、フッ素置換アルコール等であり、記
録膜を成膜するには、耐溶剤性の高い基板あるいは高価
な特殊な溶媒を使用しなければならない。また、この提
案は基板／記録膜の構成による光記録媒体を対象として
おり、基板／記録膜／反射膜の積層体で構成されるＣＤ
−Ｒに適応した光学特性さらには熱特性は実現できな
い。

【０００５】また、特開平３−６２８７８号公報、特開
昭５−１２７２号公報にフタロシアニンの４つのベンゼ
ン環に無置換の分岐アルコキシ基とハロゲン原子または
ニトロ基を導入した化合物が提案されている。このフタ
ロシアニン色素では、ＣＤ−Ｒの構成に適した記録膜に
するために屈折率等の光学特性および熱特性の向上を目
的に、アルコキシ基と同時にハロゲン原子またはニトロ
基を導入する事により、従来のフタロシアニン色素に比
較して明らかに信号特性が改善され、実用レベルに到達
してきている。しかしながら、フタロシアニン環に無置
換の分枝アルコキシ基を導入する場合、アルコキシ基の
電子供与性の効果により吸収波長が長波長化し、ＣＤ−
Ｒで対象となる７８５ｎｍ付近の吸収が大きくなりすぎ
る傾向がある。従って、このフタロシアニン化合物をＣ
Ｄ−Ｒに適応する場合、７８５ｎｍ付近で最適な光学特
性を実現するために、材料面で吸収波長の短波長化に効
果的な特殊な中心金属を選ぶ必要がある等の不都合があ
った。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上記に示したようなＣ
Ｄ−Ｒ用記録膜として、ＣＤ−Ｒに適した波長制御が可
能なフタロシアニン色素で、オレンジブック規格に準拠
し実用適性も満足する耐久性の優れたフタロシアニン色
素系のＣＤ−Ｒ用の記録膜材料を提供するものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者等は鋭意研究を
行った結果、以下の発明に至った。すなわち、本発明
は、一般式［１］で示されるフタロシアニン化合物から
なることを特徴とする光記録材料に関する。 一般式［１］ ＭＰｃ−（Ｏ−Ｒ）n（Ｘ）m ［式中、Ｐｃは式［２］で示されるフタロシアニン骨格
を表し、Ｍは水素原子（Ｈ2）又は酸素、水酸基もしく
はハロゲン原子が置換してもよい金属原子を表し、Ｒは
炭素数１ないし２０の直鎖または分岐の置換基を有して
もよいアルキル基を表し、Ｘはニトロ基またはハロゲン
原子を表し、ｎは１〜３の整数を表し、ｍは１〜４の整
数を表す。ただし、置換基（Ｏ−Ｒ）および置換基Ｘの
置換位置は、式［２］で示されるフタロシアニン骨格の
１、４、５、８、９、１２、１３または１６の位置から
選ばれる。］ 式［２］

【化２】 更に、本発明は、一般式［１］のｎとｍが１ないし３の
同数（１≦ｎ＝ｍ≦３）であり、かつ置換基（Ｏ−Ｒ）
および置換基Ｘは、それぞれフタロシアニン骨格の１ま
たは４位、５または８位、９または１２位および１３ま
たは１６位から選ばれる１ないし３個の置換位置に存在
する上記光記録材料に関する。更に、本発明は、一般式
［１］で示される置換基Ｒが、炭素数１ないし２０の直
鎖または分岐のフッ素含有のアルキル基である上記光記
録材料に関する。更に、本発明は、透明基板／記録膜／
反射膜／保護膜の積層体で構成され、上記フタロシアニ
ン化合物の光記録材料を記録膜に用いた事を特徴とする
追記型コンパクトデイスクに関する。

【０００８】本発明の光記録材料であるフタロシアニン
化合物の特徴は、１ないし３個の置換基を有しても良い
直鎖または分枝のアルコキシ基と１ないし４個のハロゲ
ン原子もしくはニトロ基との両者を持ったフタロシアニ
ン化合物で構成され、かつそれら置換基の置換位置がフ
タロシアニン骨格を構成する４つのベンゼン環のα位で
あることにある。さらに、一つのベンゼン環に置換基を
有しても良い直鎖または分枝のアルコキシ基とハロゲン
原子もしくはニトロ基の両者が導入される場合には、そ
れらの導入位置関係がパラ位である事が好ましい。ま
た、アルコキシ基としては、分岐のアルコキシ基および
フッ素含有のアルコキシ基が好ましく、さらに好ましく
はフッ素置換の分岐のアルコキシ基である。

【０００９】このように、導入する置換基を有しても良
い直鎖または分枝のアルコキシ基の個数を１ないし３個
とすることにより、アルコキシ基の電子供与性の効果を
導入数により制御すること、また電子供与性の弱いフッ
素置換アルコキシ基を用いて制御する事の２つの効果を
利用する事により、容易にフタロシアニン化合物の吸収
波長域を制御する事が可能になる。その結果、７８５ｎ
ｍ付近の光学特性の最適化が容易になると同時に、あえ
て高価な中心金属を用いる必要もなく、安価な光記録材
料が実現できる。また、ハロゲン原子もしくはニトロ基
をアルコキシ基のパラ位に導入することで立体障害の効
果が大きくなり、記録膜内のフタロシアニン分子のスタ
ッキング性が低下し、熱分解温度が低くなり記録感度の
向上が図れる。

【００１０】本発明のフタロシアニン化合物に導入され
る置換基を有しても良い直鎖または分枝のアルコキシ基
の代表例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキ
シ基、ブトキシ基、ペントキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ
基、２，４−ジメチル−３−ペントキシ基、２−メチル
−１−ヘキシロキシ基、４−メチル−シクロヘキシロキ
シ基、２−メチル−１−ｉｓｏ−プロピルプロポキシ
基、１，３−ジメチルブトキシ基、２，２−ジメチル−
１−ｉｓｏ−プロピルプロポキシ基１，１，１−トリフ
ルオロメトキシ基、エトキシエトキシ基、２−ジエチル
アミノエトキシ基、２，２，２−トリクロロエトキシ
基、２−メチル−２−ニトロ−１−プロポキシ基、１，
１，２，２−テトラフルオロプロポキシ基、１，１，
１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロポキシ基、
２，２，２，−トリフルオロエトキシ基、２，２，３，
３，３−ペンタフルオロプロポキシ基、２，２，３，
３，４，４、−ヘキサフルオロブトキシ基、１Ｈ，１
Ｈ，５Ｈ−オクタフルオロペンチルオキシ基、１Ｈ，１
Ｈ，７Ｈ−ドデカフルオロヘプチルオキシ基、１Ｈ，１
Ｈ，９Ｈ−ヘキサデカフルオロノニルオキシ基、２−
（パーフルオロヘキシル）エトキシ基等がそれぞれ挙げ
られるが、これらに限定されるものではない。

【００１１】本発明で用いられるハロゲン原子として
は、塩素、臭素、フッ素、ヨウ素が挙げられる。また、
本発明のフタロシアニン化合物には、置換基を有しても
良い直鎖または分枝のアルコキシ基およびハロゲン原子
もしくはニトロ基の他に、シアノ基、アミノ基を有して
いても良い。

【００１２】本発明のフタロシアニン色素のＭで示され
る中心金属の代表例としては、無金属の場合のプロトン
を始めとして、Ｃｕ，Ｚｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｒｕ，
Ｒｈ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｂｅ，Ｃａ，Ｂａ，Ｃ
ｄ，Ｈｇ，Ａｌ−Ｃｌ，Ａｌ−ＯＨ，Ｃａ，Ｉｎ−Ｃ
ｌ，Ｉｎ−ＯＨ，Ｔｉ＝Ｏ，Ｖ＝Ｏ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｓ
ｎ，Ｓｉ（ＯＨ）2，Ｇｅ（ＯＨ）2等がある。また、３
価あるいは４価の金属の場合には、フタロシアニン環の
軸方向にも置換基が導入できるが、軸方向に嵩高い置換
基を導入した場合には、記録膜に成膜した際、分子のパ
ッキングが阻害され光学密度が著しく低下するため、Ｃ
Ｄ−Ｒ用の記録膜としての最適膜厚が厚くなる傾向にあ
る。そのため記録時のピット形成の体積変化が大きくな
り、隣接するトラックへの影響が現れ信号品質を低下さ
せる場合がある。さらに、ニトロ基のような電子吸引性
基を導入した場合には、軸方向に導入される置換基が脱
離しやすくなり、耐久性を低下させる事が考えられる。
従って、本発明のフタロシアニン色素では、軸方向に導
入できる置換基としては酸素、水酸基、ハロゲン等の比
較的小さい置換基に限られる。

【００１３】本発明のフタロシアニン色素は、例えば以
下の方法により製造することができる。すなわち、下記
一般式［３］で示されるフタロニトリル類と一般式
［４］で示されるフタロニトリル類の混合物と一般式
［１］中のＭで示される金属の各種金属塩を出発原料と
して常法により、１ないし３個の置換基を有しても良い
直鎖または分岐のアルコキシ基を有するフタロシアニン
化合物を製造できる。

【００１４】一般式［３］ ［式中、Ｒは一般式［１］記載のＲと同じ意味を表
す。］

【化３】 一般式［４］

【化４】 また、一般式［３］および［４］のフタロニトリルの代
わりに、これらのフタロニトリルにアンモニアを反応さ
せたインドリン化合物を使用しても同様に１ないし３個
の置換基を有しても良い直鎖または分岐のアルコキシ基
を有するフタロシアニン化合物を製造できる。次に、得
られた１ないし３個の置換基を有しても良い直鎖または
分岐のアルコキシ基を有するフタロシアニン化合物を常
法によりハロゲン化あるいはニトロ化することにより、
本発明のフタロシアニン色素を製造することができる。

【００１５】本発明のフタロシアニン色素の代表的な例
として下記に示すフタロシアニン化合物（ａ）〜（ｋ）
等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

【００１６】

【表１】

【００１７】

【表２】

【００１８】本発明のフタロシアニン色素を用いた記録
膜層には、記録膜の耐光性、耐環境性等の安定性、繰り
返し再生の安定性をさらに向上させる目的で、酸素クエ
ンチャー、紫外線吸収剤等の添加剤を加えても良い。

【００１９】記録膜層の成膜方法としては、ドライプロ
セス、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法によって
も可能であるが、ウエットプロセス、例えば、スピンコ
ート法、デップ法、スプレー法、ロールコート法あるい
はＬＢ（ラングミュアーブロジェット）法によっても可
能である。本発明の記録膜素材は、汎用の有機溶媒、例
えば、アルコール系、ケトン系、セロソルブ系、ハロゲ
ン系、炭化水素系、フロン系等に溶解するため、生産性
および記録膜の均一性からスピンコート法により成膜す
る方法が好ましい。

【００２０】このように、いわゆる塗布法で成膜する場
合には、必要に応じて高分子バインダーを加えても良
い。高分子バインダーとしてはアクリル樹脂、ポリカー
ボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、塩
化ビニル系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、ニトロセルロー
ス、フェノール樹脂等が挙げられるがこれに限られるも
のではない。高分子バインダーの混合比としては特に制
限はないが、色素に対して３０ｗｔ％以下が好ましい。
本発明の記録膜層の最適膜厚は、記録膜材料の種類およ
び組み合わせにより異なるため特に制限はなく、５００
〜３０００Ａが好ましく、さらに７００〜２５００Ａが
最適膜厚範囲である。

【００２１】本発明の反射膜素材としては、金、銀、
銅、白金、アルミニウム、コバルト、スズ等の金属およ
びこれらを主成分とした合金、ＭｇＯ，ＺｎＯ，ＳｎＯ
等の金属酸化物、ＳｉＮ４、ＡｌＮ、ＴｉＮ等の窒化物
等が挙げられるが、絶対反射率が高く安定性に優れてい
る点から金が最適である。 また、場合によっては有機
性の高反射膜を使用することもできる。このような反射
膜の成膜方法としては、ドライプロセス例えば真空蒸着
法、スパッタリング法が最も好ましいがこれらに限られ
るものではない。本発明の反射膜の最適膜厚について
は、特に制限はないが４００〜１３００Ａの範囲が好ま
しい。

【００２２】さらに、反射膜の上より、デイスク特に記
録膜層および反射膜層の化学的劣化（例えば酸化、吸水
等）および物理的劣化（例えば傷、けずれ等）を防ぐ目
的でデイスクを保護するための保護層を設ける。保護層
用の材料としては、紫外線硬化型樹脂を用いて、スピン
コートにより塗布し、紫外線照射により硬化させる方法
が好ましいがこれに限られるものではない。保護層の最
適膜厚については、薄い場合には、保護の効果が低下
し、厚い場合には樹脂の硬化時の収縮によりデイスクの
そり等の機械特性の悪化の原因になるため、２〜２０ミ
クロンの範囲で成膜することが好ましい。

【００２３】また、本発明に用いられるデイスク基板と
しては信号の書き込みや読みだしを行うための光の透過
率が好ましくは８５％以上であり、かつ光学異方性の小
さいものが好ましい。例えば、ガラス、またはアクリル
樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリ
アミド樹脂、塩化ビニル系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、ポ
リスチレン系樹脂、ポリオレフィン系樹脂（ポリ−４−
メチルペンテン等）、ポリエーテルスルホン樹脂などの
熱可塑性樹脂やエポキシ樹脂、アリル樹脂等の熱硬化性
樹脂からなる基板が挙げられる。 これらの中で、成形
のしやすさ、ＡＴＩＰ用ウオッブル信号および案内溝等
の付与のしやすさなどから熱可塑性樹脂からなるものが
好ましく、さらに光学特性や機械特性およびコストから
みてアクリル樹脂やポリカーボネート樹脂からなるもの
が特に好ましい。また、ＡＴＩＰウォブル信号および案
内溝などの付与は熱可塑性樹脂を成形（射出成形、圧縮
成形）する際のスタンパーなどを用いて付与する方法が
好ましいが、フォトポリマー樹脂を用いるいわゆる２Ｐ
法による方法によっても行うことが出来る。

【００２４】本発明の案内溝の形状については、特に制
限はなく台形あるいはＵ字形であっても良い。また、案
内溝の寸法については、記録膜材料の種類および組み合
わせ等により最適値はそれぞれ異なるが、平均溝幅（溝
深さの１／２の位置の幅）が０．４〜０．６ミクロン、
また、溝深さが７００〜２０００Ａの範囲が好ましい。

【００２５】本発明のデイスク形態は、記録後ＣＤある
いはＣＤ−ＲＯＭとして機能する必要があるため、ＣＤ
あるいはＣＤ−ＲＯＭの規格（レッドブック）およびＲ
−ＣＤの規格（オレンジブック）に準拠していることが
好ましい。

【００２６】

【実施例】以下の実施例および比較例により本発明を具
体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限られるも
のではない。はじめに、本発明で使用されるフタロシア
ニン化合物の代表例の製造法について説明する。

【００２７】 製造例１：フタロシアニン化合物（ａ）の製造 ｎ−アミルアルコール１００部、ジアザビシクロウンデ
セン（ＤＢＵ）３０部にｏ−フタロニトリルと３−（ネ
オペンチル）オキシ−ｏ−フタロニトリルのモル比１：
１の混合物１０部および塩化第一銅１５部を加え、１３
０〜１３５℃で３時間加熱撹拌後、冷却し、５００部の
メタノールで希釈した。析出した沈澱を濾別、メタノー
ル／水（４／１）混合溶液で洗浄、乾燥して青色の粉末
１０部を得た。このようにして得られた銅フタロシアニ
ン化合物５部を無水酢酸１００部中、無水酢酸と発煙硝
酸より合成した硝酸アセチル５部を用いてニトロ化を行
い、氷水１０００部中に注入した。析出した沈澱を濾別
し、水洗、乾燥してフタロシアニン化合物（ａ）を４部
得た。

【００２８】 製造例２：フタロシアニン化合物（ｂ）の製造 製造例１と同様に、ｎ−アミルアルコール１００部、Ｄ
ＢＵ３０部にｏ−フタロニトリルと３−（２，４−ジメ
チル−３−ペンチル）オキシ−ｏ−フタロニトリルのモ
ル比１：３の混合物１０部および塩化第一銅１５部を加
え、１３０〜１３５℃で３時間加熱撹拌後、冷却し、メ
タノール１０００部で希釈、析出した沈澱を濾別、メタ
ノール／水（３／１）混合溶液で洗浄、乾燥して青色の
粉末５．５部を得た。このようにして得られた銅フタロ
シアニン化合物５部を無水酢酸１００部中、無水酢酸と
発煙硝酸より合成した硝酸アセチル５部を用いてニトロ
化を行い、氷水１０００部中に注入した。 析出した沈
澱を濾別し、水洗、乾燥してフタロシアニン化合物
（ｂ）を３部得た。

【００２９】 製造例３：フタロシアニン化合物（ｃ）の製造 製造例１と同様に、ｎ−アミルアルコール１００部、Ｄ
ＢＵ３０部に（１，３−ジメチルブチル）オキシ−ｏ−
フタロニトリルとｏ−フタロニトリルのモル比１：１の
混合物１０部および塩化ニッケル５部を加え、１３０〜
１３５℃で５時間加熱撹拌後、冷却し、２０００部のメ
タノールで希釈した。 析出した沈澱を濾別、メタノー
ル／水（４／１）混合溶液で洗浄、乾燥して緑色の粉末
８部を得た。このようにして得られたニッケルフタロシ
アニン体５部を無水酢酸１００部中、無水酢酸と発煙硝
酸より合成した硝酸アセチル５部を用いてニトロ化を行
い、氷水１０００部中に注入した。 析出した沈澱を濾
別し、水洗、乾燥してフタロシアニン化合物（ｃ）を７
部得た。

【００３０】 製造例４：フタロシアニン化合物（ｄ）の製造 製造例１と同様に、ｏ−フタロニトリルと３−（２，４
−ジメチル−３−ペンチル）オキシ−ｏ−フタロニトリ
ルのモル比１：３の混合物１０部および塩化亜鉛３部を
加え、１３０〜１３５℃で５時間加熱撹拌後、冷却し、
１５００部のメタノールで希釈した。析出した沈澱を濾
別、メタノール／水（４／１）混合溶液で洗浄、乾燥し
て緑色の粉末８部を得た。このようにして得られた亜鉛
フタロシアニン体５部を酢酸７５部に溶解し、臭素１５
部および鉄粉１部を加え、５０〜６０℃、３時間加熱撹
拌後、１％亜硫酸水素ナトリウム水溶液１０００部に注
入し、析出した沈澱を濾別、１％亜硫酸水素ナトリウム
水溶液５００部で洗浄、乾燥してフタロシアニン化合物
（ｃ）を７部得た。

【００３１】実施例１ 深さ１２００オングストローム、幅０．５０ミクロン、
ピッチ１．６ミクロンの案内溝を有する厚さ１．２０ｍ
ｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカーボネート
基板上に、フタロシアニン化合物［ａ］をエトキシエタ
ノールに５０ｍｇ／ｍｌの濃度で溶解し、０．２ミクロ
ンのフイルタリングを行い塗液を調整し、この塗液を用
いて、スピンコーターにより記録膜厚６５０オングスト
ロームに成膜した。次に、このようにして得た記録膜の
上にスパッタリングにより金を膜厚８００オングストロ
ームに成膜した。さらに、この上に紫外線硬化型樹脂に
より保護膜層を５ミクロンの膜厚で設けて光デッスクを
作成した。このようにして作成した光デイスクを用い、
波長７８５ｎｍの半導体レーザーを使用して線速度１．
４ｍ／ｓｅｃでＥＦＭ−ＣＤフォーマット信号を記録し
たところ、反射率は６６％、最適記録レーザーパワーが
６．２ｍＷで記録が可能であり、得られた記録の制御信
号は良好でオレンジブックの記載項目はすべて規格値を
満足するものであった。

【００３２】実施例２ 深さ１２００オングストローム、幅０．５０ミクロン、
ピッチ１．６ミクロンの案内溝を有する厚さ１．２０ｍ
ｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカーボネート
基板上に、フタロシアニン化合物［ｂ］をジアセトンア
ルコールに６０ｍｇ／ｍｌの濃度で溶解し、０．２ミク
ロンのフイルタリングを行い塗液を調整し、この塗液を
用いて、スピンコーターにより記録膜厚７００オングス
トロームに成膜した。次に、このようにして得た記録膜
の上にスパッタリングにより金を膜厚８００オングスト
ロームに成膜した。さらに、この上に紫外線硬化型樹脂
により保護膜層を５ミクロンの膜厚で設けて光デッスク
を作成した。このようにして作成した光デイスクを用
い、波長７８５ｎｍの半導体レーザーを使用して線速度
１．４ｍ／ｓｅｃでＥＦＭ−ＣＤフォーマット信号を記
録したところ、反射率は６８％、最適記録レーザーパワ
ーが６．５ｍＷで記録が可能であり、得られた記録の制
御信号は良好でオレンジブックの記載項目はすべて規格
値を満足するものであった。

【００３３】実施例３ 深さ１２００オングストローム、幅０．５０ミクロン、
ピッチ１．６ミクロンの案内溝を有する厚さ１．２０ｍ
ｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカーボネート
基板上に、フタロシアニン化合物［ｃ］をエトキシエタ
ノールに５０ｍｇ／ｍｌの濃度で溶解し、０．２ミクロ
ンのフイルタリングを行い塗液を調整し、この塗液を用
いて、スピンコーターにより記録膜厚８５０オングスト
ロームに成膜した。次に、このようにして得た記録膜の
上にスパッタリングにより金を膜厚８００オングストロ
ームに成膜した。さらに、この上に紫外線硬化型樹脂に
より保護膜層を５ミクロンの膜厚で設けて光デッスクを
作成した。このようにして作成した光デイスクを用い、
波長７８５ｎｍの半導体レーザーを使用して線速度１．
４ｍ／ｓｅｃでＥＦＭ−ＣＤフォーマット信号を記録し
たところ、反射率は７１％、最適記録レーザーパワーが
６．４ｍＷで記録が可能であり、得られた記録の制御信
号は良好でオレンジブックの記載項目はすべて規格値を
満足するものであった。

【００３４】実施例４ 深さ１２５０オングストローム、幅０．４８ミクロン、
ピッチ１．６ミクロンの案内溝を有する厚さ１．２０ｍ
ｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカーボネート
基板上に、フタロシアニン化合物（ｄ）をエトキシエタ
ノールに５０ｍｇ／ｍｌの濃度で溶解し、０．２ミクロ
ンのフイルタリングを行い塗液を調整し、この塗液を用
いて、スピンコーターにより記録膜厚７００オングスト
ロームに成膜した。次に、このようにして得た記録膜の
上にスパッタリングにより金を膜厚８００オングストロ
ームに成膜した。さらに、この上に紫外線硬化型樹脂に
より保護膜層を５ミクロンの膜厚で設けて光デイスクを
作成した。このようにして作成した光デイスクを用い、
波長７８５ｎｍの半導体レーザーを使用して線速度１．
４ｍ／ｓｅｃでＥＦＭ−ＣＤフォーマット信号を記録し
たところ、反射率は６６％、最適記録レーザーパワーが
６．２ｍＷで記録が可能であり、得られた記録の制御信
号は良好でオレンジブックの記載項目はすべて規格値を
満足するものであった。

【００３５】

【発明の効果】本発明のフタロシアニン色素は、１ない
し３個の置換基を有しても良いアルコキシ基を有し、さ
らにニトロ基またはハロゲン原子が導入されたフタロシ
アニン化合物を記録膜とする事により、ＣＤ−Ｒで対象
となる７８５ｎｍ付近の光学特性が最適化され、反射率
と記録感度のバランスがよい、耐久性に優れた追記型コ
ンパクトディスクを実現する事ができる。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一般式［１］で示されるフタロシアニン
   化合物からなることを特徴とする光記録材料。 一般式［１］ ＭＰｃ−（Ｏ−Ｒ）n（Ｘ）m ［式中、Ｐｃは式［２］で示されるフタロシアニン骨格
   を表し、Ｍは水素原子（Ｈ2）又は酸素、水酸基もしく
   はハロゲン原子が置換してもよい金属原子を表し、Ｒは
   炭素数１ないし２０の直鎖または分岐の置換基を有して
   もよいアルキル基を表し、Ｘはニトロ基またはハロゲン
   原子を表し、ｎは１〜３の整数を表し、ｍは１〜４の整
   数を表す。ただし、置換基（Ｏ−Ｒ）および置換基Ｘの
   置換位置は、式［２］で示されるフタロシアニン骨格の
   １、４、５、８、９、１２、１３または１６の位置から
   選ばれる。］ 式［２］ 【化１】
2. 【請求項２】 一般式［１］のｎとｍが１ないし３の同
   数（１≦ｎ＝ｍ≦３）であり、かつ置換基（Ｏ−Ｒ）お
   よび置換基Ｘは、それぞれフタロシアニン骨格の１また
   は４位、５または８位、９または１２位および１３また
   は１６位から選ばれる１ないし３個の置換位置に存在す
   る請求項１記載の光記録材料。
3. 【請求項３】 一般式［１］で示される置換基Ｒが、炭
   素数１ないし２０の直鎖または分岐のフッ素含有のアル
   キル基である請求項１または２記載の光記録材料。
4. 【請求項４】 透明基板／記録膜／反射膜／保護膜の積
   層体で構成され、請求項１ないし３のフタロシアニン化
   合物の光記録材料を記録膜に用いた事を特徴とする追記
   型コンパクトデイスク。