JPH072525A - 高温超伝導体先駆物質の製造方法 - Google Patents

高温超伝導体先駆物質の製造方法

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JPH072525A
JPH072525A JP6019269A JP1926994A JPH072525A JP H072525 A JPH072525 A JP H072525A JP 6019269 A JP6019269 A JP 6019269A JP 1926994 A JP1926994 A JP 1926994A JP H072525 A JPH072525 A JP H072525A
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temperature
precursor
powder
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Marc Neubacher
マルク・ノイバッヒャー
Joachim Bock
ヨアヒム・ボック
Christoph Dr Lang
クリストフ・ラング
Eberhard Preisler
エベルハルト・プライスラー
Helga Weiss
ヘルガ・ヴァイス
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Hoechst AG
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 高温超伝導体の先駆物質の製造方法を提供す
ること。 【構成】 本発明はオキシドーパウダーインーチューブ
(oxide-powder-in-tube)方法のための先駆物質としての
高−Tc超伝導体の製造方法に関し、この方法はBi、
Sr、Ca及びCu元素の酸化物を混合し、これらを≧
1000℃の温度において完全に溶融し、次に溶融物を
室温に保持される基板上に流延し、冷却した溶融物体を
壊変させ、粉砕して粉末にすることを含む。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はオキシドーパウダーイン
ーチューブ(oxide-powder-in-tube)(OPIT)方法の
ための先駆物質としての高−Tc超伝導体の製造方法に
関する。
【0002】
【従来の技術】ビスマス、ストロンチウム、カルシウム
及び銅の元素から形成される超伝導性セラミックのファ
ミリーは、充分に研究されている、既知の本質的に3種
類の代表的な物質を含む。これらは“三層化合物”とし
て知られ、110Kの遷移温度を有するBi2Sr2Ca
2Cu3x[H.マエダ(Maeda)等,Japan.J.A
ppl.Phys.27(1988)L209]と;9
2Kの遷移温度を有する、Bi2Sr2Ca1Cu2
x(“二層化合物”)[M.A.サブラマニアン(Subram
anian)等,Science239(1988)1015
参照]と;10Kの遷移温度を有する化合物、Bi2
2CuOx(“一層化合物”)[J.M.タラスコン(T
arascon)等,Physica C172(1990)1
3参照]とである。液体窒素の温度を越える用途に関し
ては、現在のところ、この構造ファミリーから最初に挙
げた2種類の化合物のみが適切である。77Kを越える
遷移温度を有する、他の工業的に適切な超伝導性化合物
はYBa2Cu37-x(Tc=92K)である。
【0003】酸化物セラミック超伝導体の実際の製造は
高温における固相反応によって実施される。この反応に
用いられる中間体、いわゆる先駆物質の反応性は、超伝
導性相を形成するために要する時間の決定において重要
な観点である。先駆物質の反応性に決定的な影響を与え
る要素の内で、挙げるべき重要な要素は使用粉末の組
成、均質性、粒度及び相組成(phase composition)であ
る。
【0004】金属の酸化物又は、例えば炭酸塩もしくは
硝酸塩等のような、他の化合物の予焼成した機械的混合
物を出発物質として用いる(固相経路)場合には、ほぼ
相−純粋な(phase-pure)三層物質の合成のための反応時
間は明らかに100時間を越える[例えば、フレイハー
ツ(Freyhardt)等,Supercond.Sci.Te
chnol.3(1990)602]。
【0005】先駆物質を湿式化学経路によって、例えば
共沈、凍結乾燥又は噴霧熱分解(spray pyrolysis)によ
って製造する場合には、非常に均質な反応性粉末が得ら
れる。しかし、これらの物質を合成するためには、固相
経路に比べてあまり好ましくなく、高い割合の使用でき
ない副生成物を含み、プロセス工学の点でより複雑な経
路に従うことが必要である[例えば、ワード(Ward)等,
Physica C200(1992)31参照]。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、高い
反応性を有し、それ故、OPIT方法に先駆物質として
使用するために特に適した、非常に微小で、均質な粉末
を生ずる、比較的簡単な方法を開発することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】この目的は、本発明によ
ると、ビスマス、ストロンチウム、カルシウム及び銅を
含む高温超伝導体先駆物質の製造方法において、超伝導
体に一致する原子比で該金属を含む、金属酸化物の機械
的混合物を空気中で1000℃を越える温度において完
全に溶融し、次に溶融物を室温である基板上に注入し、
続いて、冷却した溶融物体を壊変させ、次に続いて、粉
砕して粉末にし、この粉末を次に酸素の存在下で700
℃を越える温度に加熱することによって反応させて、完
成高温超伝導体を得ることから成る前記方法によって達
成される。他の可能性は、粉砕の前に、粗く予粉砕した
凝固溶融物を一定のガス雰囲気中で600〜900℃の
温度において二次テンパーする(secondary tempering)
ことにある。
【0008】本発明による溶融プロセスは反応成分の非
常に均質な混合物を生ずる。その後の冷却操作は溶融物
体中に一定の相組成を有する組成物をもたらし、最終的
な粉砕プロセスは非常に微小で、均質な粉末を生ずる。
粉砕プロセスの終了時に、高い反応性を有する先駆物質
粉末が得られ、これはさらに高温超伝導体に容易に加工
することができる。
【0009】上記プロセスは、式:Bi2(Sr,C
a)2CuOx、Bi4(Sr,Ca)5CuOx、Bi2
2CaCu2x及びBi2Sr2Ca2Cu3xで示され
るビスマス含有超伝導体に特に適する。全ての化合物に
おいて、ビスマスを50モル%の量まで鉛及び/又はア
ンチモンによって置換することができる。ストロンチウ
ム及びカルシウムは部分的にイットリウムによって置換
することができる。特に、OPITテクノロジーに用い
るために、例えば、Bi1.8Pb0.4Sr2Ca2.2Cu3
x、Bi1.8Pb0.33Sr1.93Ca1.93Cu3x、Bi
1.7Pb0.4Sr1.9Ca2.0Cu3.1x又はBi1.7Pb
0.4Sr1.9Ca1.0Cu2.1xのような、種々な組成を
有する中間体を製造することも可能である。
【0010】第1工程では、アルカリ土類金属炭酸塩を
破壊して、酸化物を得る。これは、コランダムるつぼ中
で≧99%の純度を有する、ストロンチウムとカルシウ
ムとを空気中で24時間にわたって1300℃の温度に
加熱する。次に、乳鉢中で粉砕し、続いて空気中で13
00℃においてさらに48時間焙焼することによって、
再均質化が達成される。破壊反応(break-down)の完成は
熱重量分析による(thermogravimetric)測定(DTA/
TG測定熱重量分析を伴う示差熱分析)によってチェ
ックする、観察される重量損失は1%未満、好ましくは
0.1%未満である。第2工程では、このようにして得
られたアルカリ金属酸化物に残りの金属酸化物を一定の
割合で混合する。このために、≧99.9%の純度を有
するCuOとBi23、PbO又はPbO2、SrO及
びCaO(純度≧99%)を適当な量で計り入れ、次に
乳鉢中で粉砕することによって混合する。このようにし
て得られた機械的な混合物をタンブラー中で再び均質化
して、完全な配合を達成する。
【0011】好ましいプロセスでは、SrCO3、Ca
CO3、Bi23、PbO2又はPbO及びCuO又はC
2Oを化学量論比で混合し、600〜900℃、好ま
しくは700〜800℃の温度において一定雰囲気の流
動ガス流下で加熱する。用いるガスは純粋な酸素、合成
空気であることができるが、好ましくは純粋な窒素であ
る。テンパー操作は、粉末を再び混合するために、1回
又は数回中断することができるが、総テンパー時間は少
なくとも2時間、好ましくは少なくとも6時間であるこ
とが望ましい。C含量が5000ppm未満、好ましく
は1000未満である粉末が得られる。
【0012】その後、酸化物混合物をるつぼ中に充填
し、次にマッフル炉中で1000℃を越える、好ましく
は1050℃を越える温度において溶融する。該機械的
混合物を完全に溶融するために、溶融時間は15分間を
越える、好ましくは30分間を越える。
【0013】適当なるつぼ材料は酸化マグネシウム、酸
化アルミニウム又は酸化ジルコニウムであるが、白金る
つぼを用いることが好ましい。凝固した溶融物の定量的
原子放出分析(quantitative atomic emission analysi
s)(ICP−AES分析)は、るつぼ材料と溶融物との
反応によって製造される個々の不純物の含量を示す。特
に、下記値が測定された: Al>3000ppm Mg>500ppm Pt<500ppm 次に、液体溶融物を含むるつぼを炉から取り出し、中味
を他の容器に移す(emptied)。このようにする場合に、
るつぼを最初に炉中で短時間回して振動させ、その後直
ちに、炉の外で中味を他の容器に移す。このようにする
場合に、溶融物がまだるつぼ中にあるときに溶融物の一
部の早期の凝固が生じないように、取り出してから中味
を出すまでの時間はできるだけ短く維持し、好ましくは
5秒以下であるべきである。傾斜可能な溶融炉を用いる
場合には、早期凝固を避けるように、最初にるつぼを炉
から取り出さずに、液体溶融物を注ぎ出すことができ
る。注ぎ出す前に、撹拌ツールが白金被覆されているモ
ーター駆動撹拌機を用いて溶融物を撹拌することもでき
る。
【0014】本発明によると、溶融物を好ましくは耐熱
性ガラスセラミック[例えば、ショット(Schott)、マイ
ンツからのセラム(Ceram)(登録商標)]もしくは銅か
ら成る、熱に安定なプレート上に、種々な長さと種々な
直径の石英管中または銅トラフ中にに注ぎ出す[溶融流
延(melt casting)]。溶融物をその上に流延する基板は
室温であり、溶融物の冷却速度は1〜100K/秒、好
ましくは5〜30K/秒の範囲内である。このようにし
て得られた溶融物体のX線粉末回析検査は、結晶質部分
(fraction)として、一層化合物、酸化銅、アルカリ土類
金属の銅(II)酸塩及び鉛酸塩を示し、顕微鏡検査は
20〜80%の結晶質相の推定部分を示す。
【0015】溶融物を冷却するプロセスを例えば氷水中
への注入することによって又は共に圧縮した銅プレート
の間で急冷することによって非常に迅速に実施する場合
には、主として非晶質部分を有する物質が得られる[イ
バラ(Ibara)等、Jap.J.Appl.Phys.2
8(1989)L37参照]、然るに炉によって冷却プ
ロセスを遅延させる方法は主として結晶質部分を有する
物質が得られる。
【0016】次に、凝固した溶融物体を乳鉢中で手でも
しくはハンマーによって、又は任意にジョークラッシャ
ー(jaw crusher)によって機械的に、粗く破壊する。プ
ロセスのこの時点において、粗く破壊した物質にテンパ
ー処理することができる。600〜900℃、好ましく
は700〜850℃の温度における1工程テンパーし、
好ましくは多重工程テンパーによって、特にOPIT先
駆物質のために必要な相組成を設定することができる。
このためには、一定の酸素分圧をテンパー中に維持しな
ければならない。テンパーの開始時の前記圧は5%を越
える、好ましくは15%を越えるものであり、温度は8
00℃を越えることが好ましい。第2工程では、温度は
好ましくは800℃未満であり、この場合に酸素分圧は
5%未満、より有利には1%未満、特に≦0.1%であ
る。この物質を次にさらに、粗く破壊するが、この破壊
は自動モルタルミル(mortar mill)又は分析用ミル(anal
ytical mill)において少なくとも15分間、好ましくは
2〜4時間にわたって実施される。最終粉砕工程では、
例えばプラネタリーミル(planetary mill)、エアージェ
ットミル(air-jet mill)等のような、種々な系で達す
ることができる最高の粉末度が得られるまで、物質をさ
らにサイズ縮小する。レーザー光線散乱方法によって、
下記粒度が典型的に測定された: プラネタリーミル d=3〜5μm;d90=13〜15
μm エアージェットミル d=1〜4μm;d90=2〜6μ
m サイズ縮小及び粉砕工程中に、生ずる粉砕力は粉砕媒体
の摩耗を生ずる。これは問題の粉砕ストックの汚染をも
たらす。例えば、ZrO2から成る粉砕媒体を用いるプ
ラネタリーミルでは、粉砕ストック中に50ppm未満
のZrが認められた。エアージェットミルでは、鋼パー
ツ(part)を炭化タングステンで被覆することによって、
鉄による汚染度を500ppmを大きく越える汚染度か
ら明らかに200ppm未満までに減ずることができ
る。
【0017】
【実施例】下記実施例では、本発明を当業者にさらに明
確に説明するが、本発明はここに特に述べる実施態様に
限定されないものである。
【0018】実施例1 組成物Bi1.8Pb0.4Sr2Ca2.2Cu310.3のバッ
チをマッフル炉内の白金るつぼ中で空気中、1080℃
の温度において1時間にわたって溶融し、500mlの
容積を有するCuトラフ中に流延した。このようにして
得られた溶融物ブロックをジョークラッシャー中及び分
析用ミル中で粗く粉砕し、炭化タングステンでライニン
グを施されたエアージェットミル内で粉末に粉砕した。
このようにして得られた粉末は次のように特徴づけられ
る: a.ICP−AES分析による組成: Bi1.83Pb0.40Sr2.0Ca2.09Cu3x(x≦1
0.3) b.るつぼ材料と粉砕媒体とによる汚染 Fe=70ppm;Pt=450ppm c.平均粒度d50は、レーザー光線回析による測定で、
2.8μmである。
【0019】d.X線粉末回析図形は、非晶質部分50
%の他に、次のように構成される結晶質相さらに50%
を示す: *一層化合物 60% *アルカリ土類金属銅(II)酸塩 25% *アルカリ土類金属鉛酸塩 5% *酸化銅 10% e.光学顕微鏡写真は50%の非晶質部分を示す。
【0020】f.SEM図は均一で、均質な粒子を示
す。
【0021】実施例2 Bi23、PbO2、SrCO3、CaCO3、及びCu
Oを、Bi1.7Pb0.4Sr1.9Ca2.0Cu3.110+x
割合で、計り入れ、混合し、次に流動窒素下で750℃
に12時間加熱した後に、新たに混合し、同じ条件下で
さらに40時間テンパーした。このようにして得られた
物質をPtるつぼ中で空気中、1150℃において30
分間にわたって溶融し、Cuプレート上に流延した。粗
く予粉砕した溶融物塊を次に流動ガス雰囲気(100リ
ットル/時、N2:O2=80:20)中、820℃にお
いて12時間加熱し、次に同様に流動ガス雰囲気(10
0リットル/時、N2:O2=99.9:0.1)中、7
80℃においてさらに12時間加熱した。このようにし
て得られた物質をさらに、粗く粉砕してから、炭化タン
グステンでライニングを施されたエアージェットミル内
で粉砕した。
【0022】このようにして得られた粉末は次のように
特徴づけられる: a)るつぼ材料と粉砕媒体とによる汚染 Fe≦50ppm Pt=400ppm b)平均粒度d50は、レーザー光線回析による測定で、
2.6μmである。
【0023】c)X線粉末回析検査から下記相組成を測
定することができる: ・二層化合物 80% ・アルカリ土類金属銅(II)酸塩 15% ・CuO 5%
【0024】
【発明の効果】本発明によれば、高い反応性を有し、そ
れ故、OPIT方法に先駆物質として使用するのに特に
適した、非常に微小で均質な粉末を生ずることができ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C04B 35/45 ZAA 35/653 ZAA H01B 13/00 ZAA 7244−5G 565 D 7244−5G // H01B 12/04 ZAA 7244−5G C04B 35/60 ZAA A (72)発明者 クリストフ・ラング ドイツ連邦共和国デー−65929 フランク フルト・アム・マイン,ハイムヒェンヴェ ーク 82 (72)発明者 エベルハルト・プライスラー ドイツ連邦共和国デー−50374 エルフト シュタット,ベルトホルト−ブレヒト−シ ュトラーセ 55 (72)発明者 ヘルガ・ヴァイス ドイツ連邦共和国デー−65929 フランク フルト・アム・マイン,ティオトマンシュ トラーセ 11

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ビスマス、ストロンチウム、カルシウム
    及び銅を含む高温超伝導体先駆物質の製造方法におい
    て、超伝導体に一致する原子比で該金属を含む、金属酸
    化物の機械的混合物を空気中で1000℃を越える温度
    において完全に溶融し、次に溶融物を室温である基板上
    に注入し、続いて、冷却した溶融物体を壊変させ、次に
    続いて、粉砕して粉末にすることから成る前記方法。
  2. 【請求項2】 式:Bi2(Sr,Ca)2CuO6、B
    4(Sr,Ca)5CuO12、Bi2Sr2CaCu28
    及びBi2Sr2Ca2Cu310で示される超伝導体を用
    いるが、これらの超伝導体においてビスマスを50モル
    %の量まで鉛及び/又はアンチモンによって置換するこ
    とができ、ストロンチウム及びカルシウムを0〜30モ
    ル%の量でイットリウムによって置換することができる
    請求項1記載の方法。
  3. 【請求項3】 混合物が付加的にアルカリ土類金属炭酸
    塩を含み、溶融の前に付加的に、流動ガス雰囲気中で6
    00〜900℃の範囲内の温度に加熱する請求項1又は
    2に記載の方法。
  4. 【請求項4】 混合物を、溶融の前に、好ましくは白金
    から成るるつぼ中に充填し、次に炉中で1050℃を越
    える温度において溶融する請求項1〜3のいずれかに記
    載の方法。
  5. 【請求項5】 溶融期間が15分間を越える、好ましく
    は30分間を越える請求項1〜4のいずれかに記載の方
    法。
  6. 【請求項6】 溶融物を特にセラミック又は金属から、
    好ましくは銅から成る、熱に安定なプレート上に注入
    し、溶融物の冷却速度が1〜100K/秒、好ましくは
    5〜30K/秒の範囲内である請求項1〜5のいずれか
    に記載の方法。
  7. 【請求項7】 凝固した溶融物体を乳鉢中で又はハンマ
    ーによって粗く破壊し、次にさらにまた、粗く粉砕し、
    次に、この物質をd50≦5μm、好ましくはd50≦3μ
    mの範囲内の粒度が得られるまで、さらにサイズ縮小す
    る請求項1〜6のいずれかに記載の方法。
  8. 【請求項8】 粗く破壊した凝固溶融物体を一定の酸素
    分圧下で、600〜900℃の範囲内の温度において加
    熱し、次にさらにサイズ縮小ずる請求項1〜7のいずれ
    かに記載の方法。
  9. 【請求項9】 請求項1〜8のいずれかに記載の方法に
    よって製造される、Bi−2223高温超伝導体の先駆
    物質において、 式:Bi1.8Pb0.4Sr2Ca2.2Cu
    310+x、Bi1.8Pb0.33Sr1.93Ca1.93Cu3
    10+x、Bi1.7Pb0.4Sr1.9Ca2.0Cu3.110+x
    又はBi1.7Pb0.4Sr1.9Ca1.0Cu2.18+x(式
    中、xは≦0.3の値を表す)に一致する組成を有する
    前記先駆物質。
  10. 【請求項10】 オキシドーパウダーインーチューブ(o
    xide-powder-in-tube)方法による細長い導電体の製造へ
    の請求項9記載の先駆物質の使用。
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