JPH07334880A

JPH07334880A - 光磁気記録媒体及びその再生方法

Info

Publication number: JPH07334880A
Application number: JP12372994A
Authority: JP
Inventors: Toshifumi Kawano; 敏史川野
Original assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Current assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Priority date: 1994-06-06
Filing date: 1994-06-06
Publication date: 1995-12-22

Abstract

(57)【要約】（修正有）【目的】再生時に高温部を磁化反転させることより、
優れた再生特性を得る。【構成】再生層１、切断層２、記録層３のキュリー温
度を各々Ｔc1、Ｔc2、Ｔc3としたときに、Ｔc1、Ｔc2、
Ｔc3は５０℃以上であり、且つＴc1＞Ｔc2、Ｔc3＞Ｔc2 という関係を満たし、磁性層は再生光による加熱によっ
てＴc2近傍もしくはそれ以上の温度に加熱された際、記
録層３と再生層１の間の交換結合力が減少するかあるい
は無くなり、その結果高温部分において再生層１の副格
子磁化がその部分の低温時の方向に対して反転する光磁
気記録媒体であって、外部磁界を印可しない状態での再
生層の室温におけるカー回転角θk1とＴc2におけるカー
回転角θk2が θk1/θk2＜０．３という関係を持つ。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は光磁気記録媒体及びその
再生方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】光磁気記録媒体は、高密度、低コストの
書換え可能な情報記録媒体として実用化されている。特
に希土類金属と遷移金属のアモルファス合金の記録層を
用いた媒体は非常に優れた特性を示している。

【０００３】光磁気ディスクは非常に大容量の記録媒体
であるが、社会の情報量の増大に伴いさらなる大容量化
が望まれている。光ディスクの記録密度は通常の場合、
その再生光のスポットの大きさで決ってしまう。スポッ
トの大きさはレーザーの波長が短いほど小さくすること
ができるため、レーザーの短波長化の検討が進められて
いるが、非常に困難を伴っている。

【０００４】一方、レーザーの波長によって決定される
以上の分解能を色々な工夫によって得ようとする、いわ
ゆる超解像技術の試みが近年行われている。その一つ
に、光磁気ディスクを用い、多層膜間の交換結合力を用
いた超解像(Magnetically induced super resolution以
下ＭＳＲ)が報告されている。この方式の一つの形態
は、保磁力の小さな再生層、キュリー温度の低いスイッ
チング層、キュリー温度、保磁力が高い記録層の互いに
交換結合した３層からなる媒体を用いる。

【０００５】再生磁界を印加しながら再生光により加熱
したとき、媒体の高温部で交換結合が切れる。再生層は
単独での保磁力が小さいので高温部では磁化が一様に再
生磁界の方向を向き記録ビットが消去される。この結
果、低温部のみが再生され、結果的に再生範囲が狭くな
るため、再生光を絞った場合と同じ効果が得られ、高密
度の記録ビットの再生を行うことができる。

【０００６】消去された記録ビットは、媒体温度が低く
なり交換結合が回復したときに、記録層から転写される
ことにより復活する。この方式は、信号を再生光スポッ
トの前部で検出するため、Front aperture detection(F
AD)と呼ばれる。FAD方式の欠点として再生時に再生磁界
（Hr）が必要な点が挙げられる。

【０００７】再生磁界は、通常２４０００Ａ／ｍ以上の
磁界が必要であり、再生磁界を印加しつつ再生すること
によって、記録層に記録されたビットが不安定になると
いう欠点があった。また、記録に必要な磁界より大きな
磁界が再生に必要となる可能性もあり、磁気ヘッドを小
型化し、装置を簡略化しようとする際に大きな問題とな
る。

【０００８】特に、磁界変調記録では記録磁界が１００
００Ａ／ｍ以下であることも多く、再生磁界の印加が磁
気ヘッドには大きな負担となる。我々はこれに対し先の
出願で、ＦＡＤと同様に記録層、切断層、再生層の交換
結合した３層の磁性層を用いながら、温度が上がり交換
結合が切れた際に、記録層と再生層の静磁的な結合によ
り再生層の副格子磁化が交換結合が強い場合に対して反
転し、これによって超解像が可能となる、言うなれば静
磁結合型超解像が可能であることを示した。この方法で
は、再生磁界が無い状態、あるいは非常に低い再生磁界
において超解像再生が可能である。

【０００９】

【発明が解決しょうとする課題】しかしこの方式におい
ては、高温部の反転した信号と低温部の非反転の信号と
が同時に読み込まれるため、両者の干渉により再生波形
に歪が生じることが挙げられる。こういった歪は特にＰ
ＷＭ記録において再生能力の低下につながる。さらにこ
の方式では低温部からかなりの信号が発生するため、ク
ロストークの低減効果が不十分であった。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明では再生時に高温
部を磁化反転させることより、マスクを用いる従来の原
理とは異なる方法で超解像効果をえる媒体において、再
生層の膜厚を特定の厚さにすることによって優れた再生
特性を得るものである。本発明の要旨は、少なくとも希
土類金属と遷移金属よりなる再生層、切断層、記録層の
３層よりなる互いに交換結合した磁性層が基板上に設け
られており、再生層、切断層、記録層のキュリー温度を
各々Ｔc1、Ｔc2、Ｔc3としたときに、Ｔc1、Ｔc2、Ｔc3
は５０℃以上であり、且つ

【００１１】

【数３】Ｔc1＞Ｔc2、Ｔc3＞Ｔc2 という関係を満たし、磁性層は再生光による加熱によっ
てＴc2近傍もしくはそれ以上の温度に加熱された際、記
録層と再生層の間の交換結合力が減少するかあるいは無
くなり、その結果高温部分において再生層の副格子磁化
がその部分の低温時の方向に対して反転する光磁気記録
媒体であって、外部磁界を印可しない状態での再生層の
室温におけるカー回転角θk1とＴc2におけるカー回転角
θk2が

【００１２】

【数４】θk1/θk2＜０．３という関係を持つことを特徴とする光磁気記録媒体に存
する。本発明に使用される媒体は再生光の加熱によって
磁区がその低温時の状態に対して反転を示すものであ
る。

【００１３】先の出願において、我々はこういった高温
部で磁化の反転が生じる媒体が作成可能であることを示
した。以下、その原理を図を用いて説明する。図１は本
発明の光磁気記録再生方式の説明図、図２は本発明の光
磁気記録媒体の縦断面説明図、図３は本発明の光磁気記
録媒体の平面説明図である。１は再生層、２は切断層、
３は記録層、４は交換結合力、５は静磁結合力、６は記
録磁区、７は高温部、８は再生スポット、９は再生ビー
ム移動方向、１０はトラックをそれぞれ示す。

【００１４】再生層１と記録層３が各々希土類金属と遷
移金属のフェリ磁性合金であり、Ｔc2以下の交換結合力
が強い状態で互いに優勢な副格子磁化が異なる場合、交
換結合力４のため互いの磁化は逆方向を向いて安定して
いる。このような媒体を再生光により加熱した際、切断
層２のキュリー温度Ｔc2の近傍で記録層と再生層の間の
交換結合力が小さくなるか、あるいは無くなる。

【００１５】この時、再生層の磁化に働く力は、記録層
と再生層の間の磁化同士の静磁結合５による力が主であ
る。Ｔc2において、記録層１と再生層３とで優勢な副格
子磁化が異なる場合は、交換結合力と静磁結合力の方向
が逆となるため、静磁結合力５によって、再生層１の副
格子磁化はその低温時の交換結合力が支配的な状態に対
して反転を起こす。

【００１６】すなわちＴc2において記録層３が希土類金
属優勢ならば再生層１を遷移金属優勢とし、記録層３が
遷移金属優勢ならば再生層１を希土類金属優勢とすれば
こういう状態を実現できる。通常の再生の場合、記録磁
区の間隔を縮めていくと記録方向と消去方向の信号が互
いに打ち消し合い、信号の区別ができなくなくなり信号
レベルが低下してしまう。

【００１７】これに対し、本発明の方法では図２に示す
ように再生している高温部７の副格子磁化が反転してし
まうため、その部分から得られるそのカー回転による信
号も極性が逆になる。従って、図３のように高温部７が
記録方向の場合信号は周囲の消去部からの信号と同一の
極性となり再生スポット８の内部で両者が足し合わされ
ることにより大きな信号レベルがとれる。

【００１８】高温部が消去方向の場合、信号は周囲の記
録部からの信号と同一の極性となりやはり大きな信号レ
ベルがとれる。また、本発明の方法では磁化反転が再生
スポットの高温部７でのみ起こるため、再生スポット８
全体が信号に関与してくる従来の方法と比べ、非常に幅
の狭いシャープな再生信号が得られ、微細な記録でも容
易に再生可能である。

【００１９】ところでこいった媒体で信号を再生する場
合、低温部は高温部と逆の極性の信号を発生し、さらに
高温部に対し若干先行しているため、磁区端部での再生
信号に突起ないし歪が形成される。こういった突起ない
し歪は信号再生、特に記録を磁区端部の検出で行うエッ
ジ記録方式では再生の信頼性に対して大きな問題を生じ
る。

【００２０】この問題を解決するには低温部からの信号
をなるべく低減させ、高温部からの信号のみを再生する
ようにするのが好ましい。具体的方法として再生層を室
温で垂直磁気異方性が小さくなるほど希土類金属が大き
く優勢な組成とし、再生パワーによって昇温したとき磁
化が小さくなり、垂直磁気異方性が高くなるようにすれ
ばよい。

【００２１】この結果、磁化がほぼ膜面内にある低温部
では再生信号が小さく、高温部では磁化が垂直になって
高い再生信号がとれることにより、主に高温部のみを再
生することが可能である。外部磁界の印可されてない状
態での室温でのカー回転角をθk1、Ｔc2におけるカー回
転角をθk2とすると

【００２２】

【数５】θk1/θk2＜０．３・・・・（１）であれば十分に歪の小さな信号を得ることが可能であ
る。「光磁気記録国際シンポジウム’９２」（Proceedi
ng, p201）において、上記のような再生層で記録層との
２層膜により超解像再生が可能であることを示してい
る。

【００２３】しかしこの方法ではカー回転角が温度上昇
に応じて少しずつ増加するため、高温部で充分なカー回
転角を得るまで加熱すれば、かなり広い範囲にわたる周
囲の信号を同時に再生してしまう。この結果超解像の効
果としては不十分なものにならざるをえない。これに対
し、静磁結合型超解像では反転部と周囲の信号の干渉に
より広い再生範囲であっても高い超解像効果を得ること
ができるため、こういった高温部を主体に再生する再生
層と静磁結合型超解像を組み合わせることにより、超解
像効果を落とすことなく再生信号の歪を低減できる。

【００２４】この方法の今一つの利点としてクロストー
ク（隣接記録トラックからの信号の漏れ込み）の低減が
挙げられる。静磁結合型超解像では反転を行っていない
低温部の信号も再生するためトラックピッチが縮まるに
従ってクロストークの増大が問題となる。これに対し、
低温部でのカー回転角を（１）式のように相対的に小さ
くとれば、クロストークを小さくすることが可能であ
る。

【００２５】静磁結合による反転を安定に行うためには
記録層がＴc2において十分な大きさの記録ビットに応じ
た磁界を発生していなくてはならない。このためには記
録層がある程度以上の磁化を有している必要がある。記
録層の体積磁化率はＴc2において８０emu/cc以上が必要
である。しかし室温において記録層の体積磁化率が大き
すぎる場合は、記録層内部での微小反転磁区が生じた
り、磁気異方性の低下が起こり再生層の磁化を完全に垂
直に立たせる事ができなくなるため、室温において３０
０emu/cc以下であることが必要である。

【００２６】Ｔc2において好ましくは１２０emu/cc以上
であり、さらに好ましくは１５０emu/cc以上である。室
温において好ましくは２５０emu/cc以下であり、さらに
好ましくは２００emu/cc以下である。ここで言う室温と
は、使用環境温度であり、代表的には２５℃である。

【００２７】一方、再生層の受ける力は再生層の磁化も
影響する。従って再生層もＴc2においてある程度以上の
磁化を持つことが好ましい。Ｔc2における再生層の好ま
しい体積磁化率は１５０emu/cc以上であり、さらに好ま
しくは２００emu/cc以上、特に好ましいのは２５０emu/
cc以上である。一方、室温において磁化が大きすぎる場
合は、記録層と交換結合を行った場合、垂直磁気異方性
の低い再生層の影響を受けて記録層の磁化が完全に垂直
に立たない、あるいは磁化が局所的に反転を起こすよう
な状況が生じる。

【００２８】室温において再生層の好ましい体積磁化率
は５００emu/cc以下であり、さらに好ましくは４５０em
u/cc以下、特に好ましくは４００emu/cc以下である。記
録層がＴc2にいたるまで希土類金属優勢であるような組
成では記録磁界依存性等の記録特性が悪化してしまう。
従って、再生層を希土類金属優勢の組成にしておくこと
が好ましい組成であり、Ｔc2において再生層が希土類金
属優勢であるためには再生層の補償温度Ｔcompが、

【００２９】

【数６】Ｔcomp＞Ｔc2 となる必要がある。また、磁化反転を起こすには再生層
の保磁力Ｈｃがある程度小さい必要がある。しかし、小
さ過ぎる場合は再生信号の劣化が生じるため、Ｔc2にお
いてＨｃは２ｋＡ／ｍ以上、４０ｋＡ／ｍ以下であるこ
とが好ましい。

【００３０】記録層は安定に記録を蓄えるため、Ｔc2に
おいて８００ｋＡ／ｍ以上の保磁力を有するのが望まし
い。また、再生層が希土類金属優勢で温度上昇による磁
化の減少に伴って垂直磁気異方性が増加していくような
組成は磁化反転による磁壁エネルギーの増加を小さくで
き、かつ高温部で垂直磁気異方性が高いため、再生信号
が大きくとれ好ましい。

【００３１】再生層に用いられる物質としては、ＧｄＦ
ｅＣｏ、ＧｄＣｏ、ＧｄＦｅ、ＧｄＤｙＦｅ、ＧｄＤｙ
Ｃｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ、ＧｄＴｂＣ
ｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＤｙＣｏ、Ｔｂ
Ｃｏ、ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＣｏ
等の希土類と遷移金属の合金が好ましく用いられる。中
でも、Ｇｄを含有する合金を用いるのがキュリー温度や
保磁力の点から好ましい。

【００３２】キュリー温度としては、２５０℃以上であ
ることが好ましい。ＰｔＣｏや、ＰｔとＣｏの超格子等
の磁性体を単独で、あるいは希土類と遷移金属との合金
との積層で再生層として用いることもできる。中でも、
保磁力を小さくできるＧｄＦｅＣｏを主体とした合金が
好ましく用いられる。

【００３３】

【数７】Ｇｄ_x（Ｆｅ_yＣｏ_100-y）_100-x（いずれも原子％）と表した場合、30≦x≦35、0≦y≦100であることが好ま
しい。ただし、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｍｏ等の添加物を５
原子％程度まで添加しても良い。再生層の垂直磁気異方
性を大きくするには、磁性層にある程度の膜応力をもた
せて逆磁歪効果による異方性を発生させるのが好まし
い。

【００３４】膜応力は大きすぎると膜の耐久性に悪影響
を与えるため１×１０⁹erg/cc以上５×１０⁹erg/cc以下
であることが好ましい。再生層の膜厚が薄すぎる場合、
交換結合のため再生層の磁化が低温で膜面に水平に向く
ことができない。また、厚すぎると高温で膜面に垂直に
向かなくなる上、感度が悪くなる。

【００３５】再生層の膜厚は５０ｎｍ以上、１２０ｎｍ
以下であることが好ましい。さらに好ましくは６０ｎｍ
以上、１００ｎｍ以下である。切断層は、キュリー温度
が再生層や記録層と比べて小さいものである必要があ
る。切断層のキュリー温度は、１００〜１８０℃程度が
好ましい。

【００３６】切断層は垂直磁気異方性が高く、再生層の
磁化に強い力を発生させるものが好ましい。用いられる
物質としては、ＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣ
ｏ、ＤｙＦｅ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ等の希土類と遷移金属
の合金が好ましい。切断層の膜厚は２ｎｍ以上、３０ｎ
ｍ以下であることが好ましい。

【００３７】記録層は、安定して記録を蓄えている層で
あるから、再生ビームで劣化しない大きさのキュリー温
度を有していることが必要である。記録層はキュリー温
度が、２００〜２８０℃程度のものが好ましい。キュリ
ー温度が高すぎるものだと、記録に要するレーザーのパ
ワーが大きくなりすぎてしまう。

【００３８】記録層は、再生層の磁化に強い力を与える
ために、高い垂直磁気異方性を持つことも、必要であ
る。記録層の物質としては、ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＣｏ、
ＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ、Ｇｄ
ＴｂＦｅＣｏ等の希土類と遷移金属の合金が好ましく用
いられる。

【００３９】記録層としては特に垂直磁気異方性の大き
いＴｂＦｅＣｏを主体とした合金が好ましく用いられ
る。中でも、

【００４０】

【数８】Ｔｂ_x（Ｆｅ_yＣｏ_100-y）_100-x （いずれも原子％）と表した場合、17≦x≦24、70≦y≦85 であることが好
ましい。ただし、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｍｏ等の添加物を
５原子％程度まで添加しても良い。

【００４１】記録層の膜厚は１０ｎｍ以上、５０ｎｍ以
下であることが好ましい。記録層の記録を安定に蓄えて
おくには記録層の保磁力は再生層の保磁力よりも大きい
ことが好ましい。記録層の保磁力は２４０ｋＡ／ｍ以上
であることが好ましい。希土類金属と遷移金属の合金は
酸化しやすいため、磁性層の両側に保護膜をつけた態様
をとることが好ましい。

【００４２】保護膜としては、酸化Ｓｉ、酸化Ａｌ、酸
化Ｔａ、酸化Ｔｉ、窒化Ｓｉ、窒化Ａｌ、炭化Ｓｉなど
の単体あるいはそれらの混合物が好ましく用いられる。
保護膜の膜厚は５０ｎｍ〜１５０ｎｍ程度が好ましい。
基板側の保護膜を形成後、表面をプラズマエッチングす
ることで磁性層の磁気異方性を向上させることができ
る。

【００４３】磁性層の記録層側に直接あるいは保護層を
介して、放熱層としてＡｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ等の単
体、あるいはそれを主体とした合金よりなる高熱伝導物
質層を設けることは、再生時の熱分布を安定させるうえ
で望ましい構成である。放熱層の膜厚は１０ｎｍ〜１０
０ｎｍ程度が好ましい。光変調記録を行う際には、消去
の方向を向いている磁区と記録の方向を向いている磁区
との形状が異なるため、高温で反転磁区が生じる場合の
磁壁の生成しやすさが記録方向と消去方向で若干異な
る。

【００４４】このため、再生時にいずれかの方向に再生
磁界を印可してもよい。特に消去時の磁界印可方向と同
じ方向に印可することが好ましい。ただし再生磁界が記
録層と再生層の間の静磁界と同程度以上の大きさになる
と、再生層の反転に影響を及ぼすため再生磁界は１６０
００Ａ／ｍ以下であることが好ましい。

【００４５】特に好ましくは１００００Ａ／ｍ以下であ
る。また本発明の方式ではクロストークを非常に低く抑
えられるため、通常のランド記録あるいはグルーブ記録
の他にランドとグルーブの両方に記録を行うことも可能
である。

【００４６】

【実施例】以下に実施例をもって本発明をさらに詳細に
説明するが、本発明はその要旨を越えない限り以下の実
施例に限定されるものではない。実施例１〜６、比較例１スパッタリング装置に１．２μｍのトラックピッチの案
内溝を持ったポリカーボネート基板を導入し、５×１０
−５Ｐａ以下の真空度まで排気を行った。

【００４７】保護層として基板上に８０ｎｍの酸化Ｔａ
を反応性スパッタリングを用い形成した。次に酸化Ｔａ
上に、Ｇｄ₃₃(Ｆｅ₈₀Ｃｏ₂₀)₆₇よりなる再生層、Ｔｂ₂₀
Ｆｅ₈₀よりなる１５ｎｍの切断層を設け、Ｔｂ₂₁(Ｆｅ
₈₀Ｃｏ₂₀)₇₉よりなる４０ｎｍの記録層を設けた。

【００４８】最後にＳｉＮよりなる８０ｎｍの保護層を
設けた。再生層の膜厚は４０ｎｍ〜１４０ｎｍまで変化
させた。再生層、切断層、記録層のキュリー温度を測定
したところ、各々３００℃以上、１２０℃、２４０℃で
あった。また、再生層は室温においては希土類金属の磁
化が優勢であり補償温度は１９０℃であった。

【００４９】その他の層は室温において遷移金属の磁化
が優勢であった。また、再生層の室温（２５℃）におけ
る体積磁化率は３８０emu/ccであり、１２０℃において
体積磁化率は２５０emu/ccであった。再生層の膜厚に対
しての磁界を印可しない状態でのカー回転角を測定した
結果を表１に示す。

【００５０】このようにして作製したディスクを波長７
８０ｎｍ、開口数０．５５の評価機を用いて光変調記録
によりＣＮＲ（狭帯域の信号対雑音比）の評価を行っ
た。記録条件は線速７ｍ／ｓ、周波数７ＭＨｚ、記録パ
ワー９ｍＷ、記録duty３０％である。再生時に磁界の印
可は行っていない。

【００５１】再生パワーを変えて測定を行ったところ、
再生パワー１．６ｍＷ以上で高温部の磁区の反転が生
じ、超解像が起こった。再生信号には通常のＦＡＤ超解
像で生じるような磁化方向の揃った「マスク」に起因す
る直流バイアス成分は観測されなかった。再生パワー
２．４ｍＷでのＣＮＲの評価結果を表１にまとめた。

【００５２】また、クロック周波数１４ＭＨｚで（１，
７）ＲＬＬのＰＷＭ記録を行ったときのジッター（信号
検出タイミングの乱れ）と、２ＭＨｚで記録を行ったと
きの隣接トラックで測定したクロストークを示す。クロ
ストークは記録トラックでの信号強度I1と隣接トラック
での信号強度I2を用い、20log₁₀(I2/I1)で定義される。

【００５３】実施例１のディスクを再生する際に８００
０Ａ／ｍの再生磁界を消去方向に印可したところ、再生
磁界を印可しない場合と比較してＣＮＲが０．５ｄＢ増
加し４８．８ｄＢが得られた。再生磁界を２００００Ａ
／ｍとしたところＣＮＲは３７ｄＢとなった。

【００５４】［比較例２］再生層の組成をＧｄ₂₁(Ｆｅ
₈₀Ｃｏ₂₀)₇₉とし、記録層の組成をＴｂ_20.5(Ｆｅ₈ ₀Ｃｏ
₂₀)_79.5とした以外は実施例１と同様にしてディスクを
作製した。再生層のキュリー温度は３００℃以上であっ
た。再生層、記録層共に室温で遷移金属優勢であり、補
償温度は室温以上には存在しなかった。

【００５５】再生層の室温における保磁力は３８０００
Ａ／ｍでカー回転角θk1＝０．３３、１２０℃における
保磁力は３２０００Ａ／ｍでカー回転角θk2＝０．３２
であった。その後、実施例１と同条件で再生磁場を印可
せず再生パワーＰｒ＝２．４ｍＷでＣＮ比を測定したと
ころ３５ｄＢであった。

【００５６】消去方向に再生磁場を４００００Ａ／ｍ印
可して再生を行ったところ４８．５ｄＢが得られた。こ
のとき信号には直流バイアス成分が生じており、高温部
での磁化方向が一定となる「マスク」の生成が確認され
た。さらに実施例１〜６と同様にしてクロストークの測
定を行ったところ−２２ｄＢであった。

【００５７】［比較例４］同一の基板を用い、保護層と
して酸化Ｔａを９０ｎｍ、記録層としてＴｂ₂₁(Ｆｅ₉₃C
ｏ₇)₇₉を２８ｎｍ、中間層としてＳｉＮを３０ｎｍ、反
射層としてＡｌを４０ｎｍ設けたディスクを作製した。
その後、実施例１と同条件で再生磁場を印可せず再生パ
ワーＰｒ＝２．０ｍＷでＣＮ比を測定したところ２９ｄ
Ｂであった。信号の位相の反転は観察されなかった。さ
らに実施例１〜６と同様にしてクロストークの測定を行
ったところ−２２ｄＢであった。

【００５８】

【表１】 θk1:２５℃でのカー回転角 θk2:１２０℃でのカー回転角

【００５９】

【発明の効果】本発明の光磁気記録媒体及び、その記録
再生方法を用いることによって、低い再生磁界において
ＰＷＭ記録に適した良好な再生波形が得られ、クロスト
ークも低い高密度記録に適した信号再生が行える。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光磁気記録再生方式の説明図

【図２】本発明の光磁気記録媒体の縦断面説明図

【図３】本発明の光磁気記録媒体の平面説明図

【符号の説明】

１再生層２切断層３記録層４交換結合力５静磁結合力６記録磁区７高温部８再生スポット９再生ビーム移動方向１０トラック

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも希土類金属と遷移金属よりな
る再生層、切断層、記録層の３層よりなる互いに交換結
合した磁性層が基板上に設けられており、再生層、切断
層、記録層のキュリー温度を各々Ｔc1、Ｔc2、Ｔc3とし
たときに、Ｔc1、Ｔc2、Ｔc3は５０℃以上であり、且つ【数１】Ｔc1＞Ｔc2、Ｔc3＞Ｔc2 という関係を満たし、磁性層は再生光による加熱によっ
てＴc2近傍もしくはそれ以上の温度に加熱された際、記
録層と再生層の間の交換結合力が減少するかあるいは無
くなり、その結果高温部分において再生層の副格子磁化
がその部分の低温時の方向に対して反転する光磁気記録
媒体であって、外部磁界を印可しない状態での再生層の
室温におけるカー回転角θk1とＴc2におけるカー回転角
θk2が【数２】θk1/θk2＜０．３という関係を持つことを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項２】室温からＴc2にいたるまで再生層の磁化
が希土類金属優勢であり、記録層の磁化がＴc2において
遷移金属が優勢となる組成である請求項１に記載の光磁
気記録媒体。
【請求項３】再生層の膜厚が５０ｎｍ以上、１２０ｎ
ｍ以下である請求項１に記載の光磁気記録媒体。
【請求項４】請求項１に記載の光磁気記録媒体を用
い、少なくとも再生部分の一部の再生層の副格子磁化が
反転する強度の再生光を照射し、１６０００Ａ／ｍ以下
の再生磁界を印可するか、あるいは再生磁界を印可しな
い状態で再生を行うことを特徴とする光磁気記録媒体の
再生方法。