JPH07267625A - 超高純度モノシランの製造方法及び装置 - Google Patents
超高純度モノシランの製造方法及び装置Info
- Publication number
- JPH07267625A JPH07267625A JP6082618A JP8261894A JPH07267625A JP H07267625 A JPH07267625 A JP H07267625A JP 6082618 A JP6082618 A JP 6082618A JP 8261894 A JP8261894 A JP 8261894A JP H07267625 A JPH07267625 A JP H07267625A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- monosilane
- rectification column
- rectification
- liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 51
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 40
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 25
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 9
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 7
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 41
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000002912 waste gas Substances 0.000 abstract description 2
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 abstract 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 abstract 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 abstract 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 abstract 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000005194 fractionation Methods 0.000 description 4
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 4
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical compound Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/04—Hydrides of silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/04—Hydrides of silicon
- C01B33/046—Purification
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D3/00—Distillation or related exchange processes in which liquids are contacted with gaseous media, e.g. stripping
- B01D3/14—Fractional distillation or use of a fractionation or rectification column
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S62/00—Refrigeration
- Y10S62/902—Apparatus
- Y10S62/905—Column
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Separation By Low-Temperature Treatments (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明の目的は超高純度の高圧モノシランガ
ス及び高圧液体モノシランを容易に連続的に製造する方
法及び装置を得るにある。 【構成】 モノシラン原料ガスを加圧、冷却して気液分
離し、分離したガスを下部精留塔に導入して精留し、こ
の精留により得たガスを上部精留塔に導入して精留し、
超高純度高圧の製品モノシランガスまたは製品液体モノ
シランを上記上部精留塔の底部から取り出すようにした
超高純度モノシランの製造方法及び装置。
ス及び高圧液体モノシランを容易に連続的に製造する方
法及び装置を得るにある。 【構成】 モノシラン原料ガスを加圧、冷却して気液分
離し、分離したガスを下部精留塔に導入して精留し、こ
の精留により得たガスを上部精留塔に導入して精留し、
超高純度高圧の製品モノシランガスまたは製品液体モノ
シランを上記上部精留塔の底部から取り出すようにした
超高純度モノシランの製造方法及び装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は超高純度モノシランの製
造方法及び装置、特にモノシラン原料ガスを液化精留し
てモノシランより沸点の低い水素及びモノシランより沸
点の高い塩化物等を含有しない超高純度の高圧モノシラ
ンガスや高圧液体モノシランを製造する方法及び装置に
関するものである。
造方法及び装置、特にモノシラン原料ガスを液化精留し
てモノシランより沸点の低い水素及びモノシランより沸
点の高い塩化物等を含有しない超高純度の高圧モノシラ
ンガスや高圧液体モノシランを製造する方法及び装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、超ＬＳＩや太陽電池、光感光体
等の製造にはモノシランガス等が不可欠である。
等の製造にはモノシランガス等が不可欠である。
【０００３】このようなモノシランガスの製造方法とし
ては、特公昭６４−３８０６号公報に示すものが知られ
ている。
ては、特公昭６４−３８０６号公報に示すものが知られ
ている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このようなモノシラン
ガスとしては、例えば９９．９９９９％以上の高純度の
ものが好ましいが、現在このような超高純度のものを連
続して得る好ましい方法及び装置は開発されていない。
ガスとしては、例えば９９．９９９９％以上の高純度の
ものが好ましいが、現在このような超高純度のものを連
続して得る好ましい方法及び装置は開発されていない。
【０００５】本発明は上記目的を達成しようとするもの
である。
である。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の超高純度モノシ
ランの製造方法は、モノシラン原料ガスを加圧，冷却し
て気液分離し、分離した加圧ガスを下部精留塔の中段に
導入し、この下部精留塔内で精留し、この精留により得
たガスを上部精留塔の中段に導入して精留し、この精留
により得た超高純度高圧の製品モノシランガスまたは製
品液体モノシランを上記上部精留塔の底部から取り出す
ことを特徴とする。
ランの製造方法は、モノシラン原料ガスを加圧，冷却し
て気液分離し、分離した加圧ガスを下部精留塔の中段に
導入し、この下部精留塔内で精留し、この精留により得
たガスを上部精留塔の中段に導入して精留し、この精留
により得た超高純度高圧の製品モノシランガスまたは製
品液体モノシランを上記上部精留塔の底部から取り出す
ことを特徴とする。
【０００７】本発明の超高純度モノシランの製造方法
は、更に上記下部精留塔底部に貯留した液体をリボイラ
ーで加温し、該液体中に溶解している低沸点成分をガス
化し下部精留塔に戻す工程を有することを特徴とする。
は、更に上記下部精留塔底部に貯留した液体をリボイラ
ーで加温し、該液体中に溶解している低沸点成分をガス
化し下部精留塔に戻す工程を有することを特徴とする。
【０００８】本発明の超高純度モノシランの製造装置
は、頂部にリボイラーコンデンサを配置し、下方部分に
冷却用コンデンサを配置した下部精留塔と、頂部に冷却
用コンデンサを配置し底部を上記下部精留塔のリボイラ
ーコンデンサに対接せしめた上部精留塔と、上記各冷却
用コンデンサを冷却する手段と、上記下部及び上部精留
塔内に夫々配置した上側及び下側精留部と、モノシラン
原料ガスを加圧、冷却し、気液分離せしめる手段と、こ
の手段によって得た加圧原料ガスを上記下部精留塔内の
上記上側及び下側精留部間に導入する手段と、上記下部
精留塔内で精留されたガスを上記上部精留塔内の上記上
側及び下側精留部間に導入するための手段と、より成
り、上記上部精留塔の底部より超高純度高圧の製品モノ
シランガスまたは製品液体モノシランを得るようにした
ことを特徴とする。
は、頂部にリボイラーコンデンサを配置し、下方部分に
冷却用コンデンサを配置した下部精留塔と、頂部に冷却
用コンデンサを配置し底部を上記下部精留塔のリボイラ
ーコンデンサに対接せしめた上部精留塔と、上記各冷却
用コンデンサを冷却する手段と、上記下部及び上部精留
塔内に夫々配置した上側及び下側精留部と、モノシラン
原料ガスを加圧、冷却し、気液分離せしめる手段と、こ
の手段によって得た加圧原料ガスを上記下部精留塔内の
上記上側及び下側精留部間に導入する手段と、上記下部
精留塔内で精留されたガスを上記上部精留塔内の上記上
側及び下側精留部間に導入するための手段と、より成
り、上記上部精留塔の底部より超高純度高圧の製品モノ
シランガスまたは製品液体モノシランを得るようにした
ことを特徴とする。
【０００９】
【実施例】以下図面によって本発明の実施例を説明す
る。
る。
【００１０】本発明においては原料流体物質としてモノ
シラン原料ガスを用いる。
シラン原料ガスを用いる。
【００１１】本発明の実施例において用いるモノシラン
原料ガスの組成及び沸点は表１に示す通りである。
原料ガスの組成及び沸点は表１に示す通りである。
【００１２】
【表１】
【００１３】本発明においては、下部精留塔１と上部精
留塔２とにより複式精留塔を構成し、上記下部精留塔１
の頂部にリボイラーコンデンサＲＣを配置し、このリボ
イラーコンデンサＲＣの下側に冷却用コンデンサＣ1 を
配置する。同様にして上記上部精留塔２の頂部に夫々冷
却用コンデンサＣ2 ，Ｃ3 を配置する。
留塔２とにより複式精留塔を構成し、上記下部精留塔１
の頂部にリボイラーコンデンサＲＣを配置し、このリボ
イラーコンデンサＲＣの下側に冷却用コンデンサＣ1 を
配置する。同様にして上記上部精留塔２の頂部に夫々冷
却用コンデンサＣ2 ，Ｃ3 を配置する。
【００１４】また、例えば上記表１に示す組成のモノシ
ラン原料ガスを温度約０℃、圧力約２．５ｋｇ／ｃｍ2
Ｇで配管Ｐ1 を通じて圧縮機３に導入し、温度約４０
℃、圧力約３０ｋｇ／ｃｍ2 Ｇに昇圧し、配管Ｐ2 を通
じて冷却器４に導入し、高圧を維持せしめたまま温度約
−２０℃に冷却し、重質分を液化し、配管Ｐ3 を通じて
気液分離器５に導入し、重質分は液体として分離し、こ
の液体部分は気液分離器５の底部より配管Ｐ4 、弁Ｖ1
及び配管Ｐ5 を通して原料系へ戻し再利用する。
ラン原料ガスを温度約０℃、圧力約２．５ｋｇ／ｃｍ2
Ｇで配管Ｐ1 を通じて圧縮機３に導入し、温度約４０
℃、圧力約３０ｋｇ／ｃｍ2 Ｇに昇圧し、配管Ｐ2 を通
じて冷却器４に導入し、高圧を維持せしめたまま温度約
−２０℃に冷却し、重質分を液化し、配管Ｐ3 を通じて
気液分離器５に導入し、重質分は液体として分離し、こ
の液体部分は気液分離器５の底部より配管Ｐ4 、弁Ｖ1
及び配管Ｐ5 を通して原料系へ戻し再利用する。
【００１５】気液分離器５内の残りの気体は配管Ｐ6 を
通して温度約−２０℃、圧力約３０ｋｇ／ｃｍ2 Ｇで下
部精留塔１内の下部と中間部に配置されている精留部ａ
と精留部ｂとの間に導入し、精留部ｂを通過させ、配管
Ｐ7 からの冷媒Ｆ1 で約−３４℃に冷却されている冷却
用コンデンサＣ1 で上記精留部ｂを通過した気体の一部
を凝縮液化し、精留部ｂの還流液として精留部ｂを流下
させ、上昇する気体と気液接触させる。
通して温度約−２０℃、圧力約３０ｋｇ／ｃｍ2 Ｇで下
部精留塔１内の下部と中間部に配置されている精留部ａ
と精留部ｂとの間に導入し、精留部ｂを通過させ、配管
Ｐ7 からの冷媒Ｆ1 で約−３４℃に冷却されている冷却
用コンデンサＣ1 で上記精留部ｂを通過した気体の一部
を凝縮液化し、精留部ｂの還流液として精留部ｂを流下
させ、上昇する気体と気液接触させる。
【００１６】この結果精留部ｂを通る液体はその重質分
が濃縮され、気体はその軽質分が濃縮される。精留部ｂ
を流下した液体は精留部ａを通り精留塔１の底部に貯留
される。
が濃縮され、気体はその軽質分が濃縮される。精留部ｂ
を流下した液体は精留部ａを通り精留塔１の底部に貯留
される。
【００１７】この貯留された液体は配管Ｐ8 、配管Ｐ9
を通し、加熱源（温水）Ｆ2 で加熱されたリボイラーＲ
1 に導入して気化し、配管Ｐ10で取り出し、精留部ａの
下部に導入する。
を通し、加熱源（温水）Ｆ2 で加熱されたリボイラーＲ
1 に導入して気化し、配管Ｐ10で取り出し、精留部ａの
下部に導入する。
【００１８】上記冷媒Ｆ1 は上記冷却用コンデンサＣ1
を冷却した後配管Ｐ11で取り出し循環使用する。
を冷却した後配管Ｐ11で取り出し循環使用する。
【００１９】上記配管Ｐ10より上記精留部ａの下部に導
入された気体は精留部ａを上昇し、精留部ａを流下する
液体と気液接触して精留される。更に精留部ａを上昇し
た気体は、前記配管Ｐ6 からの気体と合流し、精留部ｂ
を上昇し、冷却用コンデンサＣ1 で気体の一部は液化さ
れ精留部ｂの還流液として使用され、残りの気体は上記
下部精留塔１の上部に配置されている精留部ｃを上昇
し、リボイラーコンデンサＲＣに導入され、その気体の
中のモノシランの一部及びモノクロルシランを含む高沸
点物質はほぼすべて液化され精留部ｃ、精留部ｂ及び精
留部ａの還流液として使用され、同時に、リボイラーコ
ンデンサＲＣに対接する位置の上記上部精留塔２の底部
に貯留している液体モノシラン及び液体モノシラン中に
溶解している水素等の低沸点物質を気化させ、液体モノ
シランの純度をあげる。
入された気体は精留部ａを上昇し、精留部ａを流下する
液体と気液接触して精留される。更に精留部ａを上昇し
た気体は、前記配管Ｐ6 からの気体と合流し、精留部ｂ
を上昇し、冷却用コンデンサＣ1 で気体の一部は液化さ
れ精留部ｂの還流液として使用され、残りの気体は上記
下部精留塔１の上部に配置されている精留部ｃを上昇
し、リボイラーコンデンサＲＣに導入され、その気体の
中のモノシランの一部及びモノクロルシランを含む高沸
点物質はほぼすべて液化され精留部ｃ、精留部ｂ及び精
留部ａの還流液として使用され、同時に、リボイラーコ
ンデンサＲＣに対接する位置の上記上部精留塔２の底部
に貯留している液体モノシラン及び液体モノシラン中に
溶解している水素等の低沸点物質を気化させ、液体モノ
シランの純度をあげる。
【００２０】リボイラーコンデンサＲＣ内で液化されな
い気体はその頂部より配管Ｐ12で取り出し、弁Ｖ2 でわ
ずかに減圧し、上部精留塔２内の下部と中間部に配置さ
れている精留部ｄと精留部ｅの間に導入する。このよう
に上記上部精留塔２内に導入されたモノシラン及び水素
の混合ガスは精留部ｅを通り冷却用コンデンサＣ3 及び
Ｃ2 により冷却され、モノシランは液化され精留部ｅ及
び精留部ｄを流下し、精留部ｅ及び精留部ｄでは液化モ
ノシランは還流液となり、その下から上昇する気体と接
触して精留され高純度モノシランとしてリボイラーコン
デンサＲＣに対接する上記上部精留塔２の底部に圧力約
３０ｋｇ／ｃｍ2 Ｇで貯留され、この部分から超高純度
高圧の製品モノシランガスが配管Ｐ13、弁Ｖ3 を通して
取り出され、超高純度高圧の製品液体モノシランが配管
Ｐ14，弁Ｖ4 を通して取り出される。
い気体はその頂部より配管Ｐ12で取り出し、弁Ｖ2 でわ
ずかに減圧し、上部精留塔２内の下部と中間部に配置さ
れている精留部ｄと精留部ｅの間に導入する。このよう
に上記上部精留塔２内に導入されたモノシラン及び水素
の混合ガスは精留部ｅを通り冷却用コンデンサＣ3 及び
Ｃ2 により冷却され、モノシランは液化され精留部ｅ及
び精留部ｄを流下し、精留部ｅ及び精留部ｄでは液化モ
ノシランは還流液となり、その下から上昇する気体と接
触して精留され高純度モノシランとしてリボイラーコン
デンサＲＣに対接する上記上部精留塔２の底部に圧力約
３０ｋｇ／ｃｍ2 Ｇで貯留され、この部分から超高純度
高圧の製品モノシランガスが配管Ｐ13、弁Ｖ3 を通して
取り出され、超高純度高圧の製品液体モノシランが配管
Ｐ14，弁Ｖ4 を通して取り出される。
【００２１】上記冷却用コンデンサＣ3 及びＣ2 で液化
されない水素ガスは上記上部精留塔２の頂部より配管Ｐ
15を通して取り出し、弁Ｖ5 で圧力調整し、廃ガスとし
て排出する。
されない水素ガスは上記上部精留塔２の頂部より配管Ｐ
15を通して取り出し、弁Ｖ5 で圧力調整し、廃ガスとし
て排出する。
【００２２】上記冷却用コンデンサＣ2 には配管Ｐ16を
通して冷媒として液体窒素Ｆ3 を導入し、上記冷却用コ
ンデンサＣ2 で気化後配管Ｐ17で取り出し、弁Ｖ6 で減
圧後上記冷却用コンデンサＣ3 で再度冷媒として使用
し、この結果昇温されたものを配管Ｐ18で窒素ガスとし
て取り出す。上記冷却用コンデンサＣ2 の冷媒としては
−８０℃以下の他の冷媒、例えば液化エチレン、液化メ
タン等を使用することも可能である。
通して冷媒として液体窒素Ｆ3 を導入し、上記冷却用コ
ンデンサＣ2 で気化後配管Ｐ17で取り出し、弁Ｖ6 で減
圧後上記冷却用コンデンサＣ3 で再度冷媒として使用
し、この結果昇温されたものを配管Ｐ18で窒素ガスとし
て取り出す。上記冷却用コンデンサＣ2 の冷媒としては
−８０℃以下の他の冷媒、例えば液化エチレン、液化メ
タン等を使用することも可能である。
【００２３】なお、Ｖ7 は配管Ｐ5 とＰ8 間に介挿した
弁であって、必要に応じて上記下部精留塔１の底部に貯
留された液体の一部を原料系に戻す場合に開かれる。
弁であって、必要に応じて上記下部精留塔１の底部に貯
留された液体の一部を原料系に戻す場合に開かれる。
【００２４】
【発明の効果】上記のように本発明の超高純度モノシラ
ンの製造方法及び装置によれば超高純度の高圧モノシラ
ンガス及び高圧液体モノシランを容易に連続的に得るこ
とができ、低圧モノシランガスの製造設備に比べ圧力が
高い分だけ容積が小さくて済み、全体の設備をコンパク
トにまとめることができる等大きな利益がある。
ンの製造方法及び装置によれば超高純度の高圧モノシラ
ンガス及び高圧液体モノシランを容易に連続的に得るこ
とができ、低圧モノシランガスの製造設備に比べ圧力が
高い分だけ容積が小さくて済み、全体の設備をコンパク
トにまとめることができる等大きな利益がある。
【図１】本発明の超高純度モノシランの製造方法及び装
置を実施するための装置の説明図である。
置を実施するための装置の説明図である。
１ 下部精留塔 ２ 上部精留塔 ３ 圧縮機 ４ 冷却器 ５ 気液分離器 ＲＣ リボイラーコンデンサ Ｃ1 冷却用コンデンサ Ｃ2 冷却用コンデンサ Ｃ3 冷却用コンデンサ Ｐ1 配管 Ｐ2 配管 Ｐ3 配管 Ｐ4 配管 Ｐ5 配管 Ｖ1 弁 Ｖ2 弁 Ｖ3 弁 Ｖ4 弁 Ｖ 5 弁 ａ 精留部 ｂ 精留部 ｃ 精留部 ｄ 精留部 Ｒ1 リボイラー
Claims (3)
- 【請求項１】 モノシラン原料ガスを加圧，冷却して気
液分離し、分離した加圧ガスを下部精留塔の中段に導入
し、この下部精留塔内で精留し、この精留により得たガ
スを上部精留塔の中段に導入して精留し、この精留によ
り得た超高純度高圧の製品モノシランガスまたは製品液
体モノシランを上記上部精留塔の底部から取り出すこと
を特徴とする超高純度モノシランの製造方法。 - 【請求項２】 上記下部精留塔底部に貯留した液体をリ
ボイラーで加温し、該液体中に溶解している低沸点成分
をガス化し下部精留塔に戻すことを特徴とする請求項１
記載の超高純度モノシランの製造方法。 - 【請求項３】 頂部にリボイラーコンデンサを配置し、
下方部分に冷却用コンデンサを配置した下部精留塔と、 頂部に冷却用コンデンサを配置し底部を上記下部精留塔
のリボイラーコンデンサに対接せしめた上部精留塔と、 上記各冷却用コンデンサを冷却する手段と、 上記下部及び上部精留塔内に夫々配置した上側及び下側
精留部と、 モノシラン原料ガスを加圧、冷却し、気液分離せしめる
手段と、 この手段によって得た加圧原料ガスを上記下部精留塔内
の上記上側及び下側精留部間に導入する手段と、 上記下部精留塔内で精留されたガスを上記上部精留塔内
の上記上側及び下側精留部間に導入するための手段と、 より成り、上記上部精留塔の底部より超高純度高圧の製
品モノシランガスまたは製品液体モノシランを得るよう
にしたことを特徴とする超高純度モノシランの製造装
置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08261894A JP3501171B2 (ja) | 1994-03-30 | 1994-03-30 | 超高純度モノシランの製造方法及び装置 |
| US08/553,532 US5617740A (en) | 1994-03-30 | 1995-03-22 | Method of producing ultra high purity monosilane and apparatus therefor |
| KR1019950705363A KR960702815A (ko) | 1994-03-30 | 1995-03-22 | 초-고순도 모노실란의 제조방법 및 이에 사용되는 장치 (method of producing ultra high purity monosilane and apparatus therefor) |
| EP95913886A EP0701533B1 (en) | 1994-03-30 | 1995-03-22 | Method of producing ultra high purity monosilane and apparatus therefor |
| PCT/EP1995/001084 WO1995026927A1 (en) | 1994-03-30 | 1995-03-22 | Method of producing ultra high purity monosilane and apparatus therefor |
| DE69502458T DE69502458T2 (de) | 1994-03-30 | 1995-03-22 | Verfahren zur herstellung von ultrareinem monosilan sowie vorrichtung dafür |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08261894A JP3501171B2 (ja) | 1994-03-30 | 1994-03-30 | 超高純度モノシランの製造方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07267625A true JPH07267625A (ja) | 1995-10-17 |
| JP3501171B2 JP3501171B2 (ja) | 2004-03-02 |
Family
ID=13779460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08261894A Expired - Lifetime JP3501171B2 (ja) | 1994-03-30 | 1994-03-30 | 超高純度モノシランの製造方法及び装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5617740A (ja) |
| EP (1) | EP0701533B1 (ja) |
| JP (1) | JP3501171B2 (ja) |
| KR (1) | KR960702815A (ja) |
| DE (1) | DE69502458T2 (ja) |
| WO (1) | WO1995026927A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012014497A1 (ja) | 2010-07-30 | 2012-02-02 | Ｊｘ日鉱日石エネルギー株式会社 | 排ガス処理システム |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2164218C1 (ru) * | 1999-12-15 | 2001-03-20 | Открытое акционерное общество "Новосибирский завод химконцентратов" | Установка получения моносилана |
| DE102009003163A1 (de) * | 2009-05-15 | 2010-11-25 | Wacker Chemie Ag | Silandestillation mit reduziertem Energieeinsatz |
| RU2437698C1 (ru) * | 2010-05-04 | 2011-12-27 | Николай Александрович Войнов | Способ ректификации |
| EP2426089A1 (en) | 2010-09-03 | 2012-03-07 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Process for separating monosilane from chlorosilanes-rich mixture |
| CN113772676A (zh) * | 2021-09-28 | 2021-12-10 | 南通友拓新能源科技有限公司 | 一种低污染高纯度电子级多晶硅提纯方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6163514A (ja) * | 1984-09-03 | 1986-04-01 | Mitsui Toatsu Chem Inc | モノシランの精製方法 |
| DE3518283C2 (de) * | 1985-05-22 | 1994-09-22 | Messer Griesheim Gmbh | Verfahren zur Entfernung leichter flüchtiger Verunreinigungen aus Gasen |
| JP2832786B2 (ja) * | 1992-12-01 | 1998-12-09 | 日本エア・リキード株式会社 | 超高純度モノシランの製造方法及び装置 |
-
1994
- 1994-03-30 JP JP08261894A patent/JP3501171B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-03-22 EP EP95913886A patent/EP0701533B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-03-22 WO PCT/EP1995/001084 patent/WO1995026927A1/en not_active Ceased
- 1995-03-22 DE DE69502458T patent/DE69502458T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-03-22 KR KR1019950705363A patent/KR960702815A/ko not_active Abandoned
- 1995-03-22 US US08/553,532 patent/US5617740A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012014497A1 (ja) | 2010-07-30 | 2012-02-02 | Ｊｘ日鉱日石エネルギー株式会社 | 排ガス処理システム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0701533A1 (en) | 1996-03-20 |
| DE69502458D1 (de) | 1998-06-18 |
| KR960702815A (ko) | 1996-05-23 |
| WO1995026927A1 (en) | 1995-10-12 |
| US5617740A (en) | 1997-04-08 |
| JP3501171B2 (ja) | 2004-03-02 |
| DE69502458T2 (de) | 1999-02-11 |
| EP0701533B1 (en) | 1998-05-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3294390B2 (ja) | 超高純度亜酸化窒素製造方法及び装置 | |
| CA2388266C (en) | System and method for liquefied petroleum gas recovery | |
| JPH08507364A (ja) | 天然ガスの液化方法および装置 | |
| JP2007508516A (ja) | 液化天然ガスの処理 | |
| CN1003600B (zh) | 从分流中分离出c3+-碳氢化合物的方法 | |
| FI77642C (fi) | Foerfarande foer att separera kvaeve fraon naturgas. | |
| US5329775A (en) | Cryogenic helium production system | |
| JP3532345B2 (ja) | 超高純度三弗化窒素製造方法及びその装置 | |
| JPH05296651A (ja) | 超高純度窒素・酸素製造装置 | |
| GB2379975A (en) | Recycling a portion of an initial feed stream, which cools a fractionation column-top reflux process, back into the bottom of the column | |
| CN112414003B (zh) | 一种基于深冷精馏生产空气产品的方法及设备 | |
| CA1127961A (en) | Interrelated rectification of gaseous mixtures | |
| US2214790A (en) | Process and apparatus for separating gases | |
| JP3501171B2 (ja) | 超高純度モノシランの製造方法及び装置 | |
| JP2893562B2 (ja) | 超高純度窒素製造方法及びその装置 | |
| RU2133931C1 (ru) | Способ извлечения стабильного конденсата из природного газа | |
| JP2832786B2 (ja) | 超高純度モノシランの製造方法及び装置 | |
| US4530708A (en) | Air separation method and apparatus therefor | |
| KR102555508B1 (ko) | 두 개의 탄소 원자를 가진 탄화수소를 주로 포함하는 분리 생성물 회수방법 및 설비 | |
| US4582517A (en) | Separation of ethane and higher hydrocarbons from natural gas | |
| JP3082092B2 (ja) | 酸素の精製方法及び装置 | |
| JPH07127971A (ja) | アルゴンの分離装置 | |
| JPH0252980A (ja) | 空気分離装置 | |
| CN219037381U (zh) | 一种ppb级超高纯制氮机精馏塔 | |
| CN111156789B (zh) | 含氮甲烷气脱氮设备 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20031125 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081212 Year of fee payment: 5 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081212 Year of fee payment: 5 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081212 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091212 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101212 Year of fee payment: 7 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101212 Year of fee payment: 7 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111212 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121212 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131212 Year of fee payment: 10 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |