JPH0727102B2 - カメラの自動焦点検出装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は固体撮像素子を用いたカメラの自動焦点検出装
置に関する。

従来の技術 固体撮像素子の一種である電荷蓄積型ホトセンサー（例
えばCCD（Charge Coupled Device））を用いた自動焦点
検出装置において、電荷蓄積型ホトセンサーに電荷を蓄
積するのに要する積分時間は、電荷蓄積型ホトセンサー
に入射する入射光強度に依存する。入射光強度が弱い
（被写体輝度が低い）場合、電荷蓄積型ホトセンサーの
積分時間を長くしないとピント状態を検出するのに十分
な画素信号が得られない。しかし、電荷蓄積型ホトセン
サーを用いた自動焦点カメラにおいては、積分時間が長
くなると手振れが起こりやすくなり、これによるカメラ
の振動のために、ホトセンサー上に結像する映像がず
れ、正確な焦点検出が行なえなくなる。又積分時間が長
いために、シャッターチャンスを逃がす機会が多くな
り、さらには動いている被写体に対する焦点検出の追従
性が悪くなると言った問題点が現われる。前記問題点を
解決する為には被写体の輝度が低下しても積分時間を長
くすることなく制限し、その制限によって不足する積分
時間を補う手段として前記画素信号を増幅することが本
出願人より先に特願昭58−217391号にて提案されてい
る。この提案による焦点検出装置は、積分時間を、例え
ば最長200msecに制限しておき、本来400msecの積分時間
を要する場合には、画素信号を２倍だけ増加して、見掛
上400msecの積分を行なった場合の画素信号を得るよう
にしたものである。

発明が解決しようとする課題 しかしながら、この装置では、設定された増幅率の上限
値で増幅しても不足分を補いきれないような被写体輝度
に対しては焦点検出が行えないという問題がある。この
問題に対しては、更に高い増幅率で増幅できるように構
成すれば不足分は補えるようになるが、増幅率をあまり
高く設定すると画像信号に含まれるノイズ成分をも大き
く増幅してしまうためやはり正確な焦点検出が行えな
い。本発明は、上記問題点を鑑みて構成されたものであ
り、焦点検出の応答性を低下させることなく、低輝度の
被写体に対しても焦点検出が行える焦点検出装置を得る
ことを目的とする。

課題を解決するための手段 上記課題を解決するために、本発明のカメラの自動焦点
検出装置は、複数の電荷蓄積型受光素子によって構成さ
れ、撮影レンズを透過した被写体光を受光して被写体像
データを出力する撮像手段と、被写体輝度に応じて、上
記撮像手段の電荷蓄積を終了させる積分制御手段と、上
記積分制御手段による電荷蓄積が終了していなくても電
荷蓄積時間が所定の制限時間に達すると強制的に上記電
荷蓄積を終了させる強制終了手段と、上記被写体像デー
タに所定の処理を行う処理手段と、上記処理手段に処理
された上記被写体像データに基づいて、上記撮影レンズ
における焦点検出が可能か否かを判別する判別手段と、
上記積分手段の判別の結果、焦点検出が不可能であると
判別された場合には、上記制限時間より長い第２制限時
間に変更する変更手段とを有することを特徴とするもの
である。

作 用 本発明は、撮像手段の電荷蓄積時間を所定の制限時間に
制限し、その時の被写体像データで焦点検出が行えない
場合には制限時間をより長い第２の制限時間に変更する
ことにより、焦点検出を可能とするものである。

実 施 例 以下図面を参照して本発明の実施例を説明する。第１図
は本発明の一実施例の焦点検出装置に用いる光学系の一
例を示す。（TL）は撮影レンズ、（Ｆ）はフイルム等価
面、（CL）はコンデンサーレンズ、（L1），（L2）は結
像レンズ、（Ｍ）は結像レンズに入射する光を制限する
絞り、（I1），（I2）は電荷蓄積型イメージセンサーで
あってフイルム等価面（Ｆ）のA,Bの範囲の像を、コン
デンサーレンズ（CL），結像レンズ（L1），（L2）によ
ってイメージセンサー（I1），（I2）上に各々像（A
1），（B1）及び（A2），（B2）として再形成する。イ
メージセンサー（I1），（I2）は、その上に形成された
２つの像の強度分布に対応する２つの像信号を焦点検出
回路に送出し、焦点検出回路ではそれぞれの像信号があ
る相関関係を持つことにより、像のずれ量及び合焦状態
を判定する。

第２図は、上述のイメージセンサー（I1），（I2）を含
む光電変換部（10）（第６図参照）を示したもので、こ
の光電変換部はP1,P2,……,P（ｎ−１）,Pnからなるホ
トセンサーアレイ（PA）、このホトセンサーアレイ（P
A）を初期設定する積分クリア回路（ICG）、前記ホトセ
ンサーアレイ（PA）に蓄えられた蓄積電荷を後述するCC
Dシフトレジスタ（SR）に転送するシフトゲート回路（S
G）、R1,R2,……,R（ｎ＋２）,R（ｎ＋３）からなるCCD
シフトレジスタを備えている。ここで、前記ホトセンサ
ーアレイ（PA）から送られてきた蓄積電荷を、転送パル
ス（φ１），（φ２）に同期して、順次映像信号出力回
路（VS）に転送する転送部であるCCDシフトレジスタ（S
R）のセル数は、ホトセンサーアレイ（PA）のホトセン
サー数よりも３個多い。CCDシフトレジスタ（SR）のセ
ルR1,R2,R3は空送り用であり、ホトセンサーアレイ（P
A）の各ホトセンサーP1,P2,……,P（ｎ−１）,Pnの蓄積
電荷は、後述のシフトパルス（SH）によってCCDシフト
レジスタ（SR）のセルR4,R5,……,R（ｎ＋２）,R（ｎ＋
３）に並列的に転送される。各ホトセンサーは第３図に
示すように、ホトダイオード（D1）、PN接合の接合容量
を利用した電荷蓄積用ダイオード（D2）、ホトダイオー
ド（D1）のカソードと電荷蓄積用ダイオード（D2）のカ
ソードとに接続され、ゲートが接地されているFET回路
（Q10）、電荷蓄積用ダイオード（D2）のカソードと電
源＋Ｄとに直列に接続されたスイッチ（Ｓ）から構成さ
れている。このスイッチ（Ｓ）は積分クリア回路（IC
G）の半導体スイッチング素子に相当するものであり、
このスイッチが閉成（積分クリア信号（ICGS）が送られ
半導体スイッチング素子がON）されると、電荷蓄積用ダ
イオード（D2）のカソード側のレベルが電源＋Ｖのレベ
ルまでひきあげられる。すなわちホトセンサーが初期状
態にセットされる。スイッチ（Ｓ）が開かれると（積分
クリア信号（ICGS）の消滅後、半導体スイッチング素子
がOFFになると）、FET回路（Q10）を介してホトダイオ
ード（D1）の光電流が、電荷蓄積用ダイオード（D2）の
電荷を放電し、電荷蓄積用ダイオード（D2）のカソード
電圧は時間の経過と共に降下する。すなわち光電流積分
が行なわれるが、これはホトダイオード（D1）に入射す
る光の強度に応じた速度で電荷蓄積用ダイオード（D2）
のカソードに負の電荷が蓄積されると考えてよい。した
がって、各ホトセンサーは入射光強度に応じた速度で電
荷を蓄積すると考えられる。ホトセンサーの電荷の蓄積
は、前記積分クリア信号（ICGS）が消滅してから開始さ
れ、シフトゲート回路（SG）にシフトパルスが入力され
ると終了する。すなわちシフトパルスの入力によりホト
センサーの蓄積電荷がCCDシフトレジスタ（SR）に転送
される。CCDシフトレジスタ（SR）では転送パルス（φ
１），（φ２）により、転送された蓄積電荷を１セル分
ずつ順次映像信号出力回路（VS）へ出力する。

第２図の（T8），（T9）はホトセンサーアレイ（PA）、
輝度モニター回路（MC）、基準信号発生回路（RS）、映
像信号出力回路（VS）に電源＋Ｖを供給する為の端子で
ある。（MP）は輝度モニター用受光素子でホトセンサー
アレイ（PA）の近傍に配置されており、前記輝度モニタ
ー回路（MC）、基準信号発生回路（RS）、映像信号出力
回路（VS）を含めて、これらも光電変換部（10）（第６
図参照）を構成している。輝度モニター回路（MC）は、
FET回路（Q1），（Q2），（Q3）とコンデンサー（C1）
とからなり、FET回路（Q1）のゲートは、積分クリア回
路（ICG）に接続され、前記積分クリア信号（ICGS）に
より導通し、FET回路（Q1），（Q2）のゲートとコンデ
ンサー（C1）の接続点（J1）を電源＋Ｖに引き上げる。
輝度モニター用受光素子（MP）は、前記ホトセンサーの
説明と同じ動作を行なう。すなわち積分クリア信号（IC
GS）の消滅後、輝度モニター用受光素子（MP）は、入射
する光の強度に応じた速度で電源＋Ｖにひき上げられて
いるコンデンサー（C1）に、負の電荷を蓄積していく。
FET回路（Q2），（Q3）はバッファを構成しており、FET
回路（Q2），（Q3）の接続点から引き出されている端子
（T1）から、接続点（J1）の電圧と等しい電圧（AGCO
S）が出力される。

第４図は、この出力電圧（AGCOS）の時間的変化を示し
たものであり、（l1）〜（l7）は輝度によって電圧降下
の速度が変化することを示している。（RN）で示されて
いる立上がりの波形は積分クリア信号（ICGS）による誘
導ノイズを表わしている。

第２図に戻って、基準電圧発生回路（RS）は、FET回路
（Q4），（Q5），（Q6）及びコンデンサー（C2）から構
成されており、接続点（J2）がFET回路（Q4）とFET回路
（Q5）のゲート及びコンデンサー（C2）にしか接続され
ていない点を除いては、輝度モニター回路（MC）と全く
同じであり、同一集積回路内につくられる為、各々の特
性も同じである。したがって積分クリア信号（ICGS）の
消滅直後の端子（T2）の基準電圧（DOS）と、輝度モニ
ター回路（MC）の（T1）端子の電圧（AGCOS）とは、ほ
とんど同じである。この為時間経過と共に降下する電圧
量を測定するための基準電圧として用いることができ
る。

映像信号出力回路（VS）は、FET回路（Q7），（Q8），
（Q9）及びコンデンサー（C3）から構成され、接続点
（J3）は、FET回路（E7）とFET回路（Q8）のゲート及び
コンデンサー（C3）に加えて、CCDシフトレジスタ（S
R）の出力に接続されている。FET回路（Q7）のゲート
は、転送パルス（φ１）の（T4）端子に接続され、この
パルス（φ１）が入力される毎にFET回路（Q7）が導通
してコンデンサー（C3）は電源電圧＋Ｖのレベルまで充
電され、映像信号出力回路（VS）がリセットされる。そ
の後転送パルス（φ１）により前記コンデンサー（C3）
は転送されるCCDシフトレジスタ（SR）の蓄積電荷に応
じた電荷の放電を繰り返して行ない、バッファを形成す
るFET回路（Q8），（Q9）の接続点の端子（T3）から各
ホトセンサーに対応した電圧が、各画素の映像信号（O
S）として出力され、それらが全体で映像信号を形成す
る。

第５図は、本実施例におけるCCDシフトレジスタ（SR）
の各セルの機能分担を示すマップである。セルは１番か
ら128番まであり、31番から57番までの27セルが第１図
のイメージセンサー（I1）に相当し、80番〜114番まで
の35セルが第１図のイメージセンサー（I2）に相当す
る。イメージセンサー（I2）に相当する部分のセル数が
多いのは、まず最初に、イメージセンサー（I1）に相当
する27セルとイメージセンサー（I2）に相当する80番か
ら106番までの27セルとを対比し、次に一画素ずらし81
番から107番までの27セルとを対比し最後に87番から114
番までの27セルを対比するというように、イメージセン
サー（I2）に相当する出力を１個ずつずらしながら、順
次イメージセンサー（I1）に相当する出力の比較を行な
うためである。前記それぞれの比較による結果の相関を
とることによって、合焦、前ピン、後ピンが判断され
る。１番〜３番のセルは空送りセルであり、４番から15
番の半分までは、光が完全に入射しないようにアルミ蒸
着による遮光マスクがしてあり、このアルミ蒸着によっ
て電気的特性も若干変化している。

第６図は本発明の一実施例の回路構成を示す。この回路
構成において制御回路（11）及び積算判別回路（12）は
マイクロコンピュータで構成されている。レリーズボタ
ン不示図）の第１ストロークの押下によるオートフォー
カス（以下AF）スイッチ（AFSW）のONが制御回路（11）
によって検出されると制御回路（11）は焦点検出の制御
の開始を行なう。すなわち制御回路（11）からまず積分
クリア信号（ICGS）が光電変換回路（10）に送られ各ホ
トセンサーが初期状態にリセットされると共に、輝度モ
ニター回路（MC）の出力（AGCOS）が電源電圧レベルま
で回復する。一方制御回路（11）からはこれと同時にHi
ghレベルのシフトパルス許可信号（SHEN）が出力され
る。そして積分クリア信号（ICGS）が消滅すると同時
に、光電変換回路（10）の各ホトセンサーが光積分を開
始すると共に、輝度モニター回路（MC）が被写体の輝度
の測定を開始し、その出力（AGCOS）は被写体輝度に応
じた速度で降下していく。利得制御回路（５）は、基準
電圧発生回（RS）の出力である基準電圧（DOS）と輝度
モニター回路（MC）の出力（AGCOS）とを入力し、基準
電圧（DOS）をもとにして作られた４段階の他の基準電
圧を内部でつくり、これらの電圧と輝度モニター電圧
（AGCOS）とを比較し、利得を決める。積分クリア信号
（ICGS）の消滅から所定時間TM1（50msec）内に輝度モ
ニター回路（MC）の出力（AGCOS）の電圧降下が大き
く、所定電圧以下になると、利得制御回路（５）からHi
ghレベルのTINT）信号が出力され、制御回路（11）とア
ンド回路（AN）に送られる。これにより、前記シフトパ
ルス許可信号（SHEN）とでアンド回路（AN）はHighレベ
ルを出力する。この出力はオア回路（OR）を通してシフ
トパルス発生回路（６）に入力され、シフトパルス発生
回路（６）はこれに応答してシフトパルス（SH）を光電
変換回路（10）に出力する。この信号（SH）により光電
変換回路（10）の各ホトセンサーは積分を終了し、蓄積
された電荷がCCDシフトレジスタ（SR）の対応するセル
にパラレルに転送される。一方制御回路（11）はAFスイ
ッチ（AFSW）がONした時間からクロックパルス（CL）を
転送パルス発生回路（７）へ出力する。転送パルス発生
回路（７）はクロックパルス（CL）に基づいて、互いに
位相が180゜ずれた転送パルスφ1,φ２を出力する。転
送パルス発生回路（７）は、オア回路（OR）の出力がHi
ghレベルになると、これと同期して立上がる転送パルス
（φ１）を出力する。すなわち転送パルス（φ１）はシ
フトパルス（SH）と同期することになるが、CCDシフト
レジスタ（SR）は、わずかながら光感度を有するため、
前記シフトパルス（SH）と転送パルス（φ１）とが同期
していない場合には、同期していないずれ時間だけ、CC
Dシフトレジスタ（SR）は光を感じ、光の強度に応じた
電荷が誤信号として蓄積される。そこで転送パルス（φ
１）をシフトパルス（SH）に同期させて、前記ずれ時間
をなくし、誤信号が発生しないようにしている。この
後、転送パルス発生回路（７）から前記転送パルス（φ
１），（φ２）が光電変換回路（10）に送られる。光電
変換回路（10）はこれらの転送パルスのうち（φ１）の
立下がりに同期して、CCDシフトレジスタ（SR）に蓄え
られた電荷がセルの端（第５図セルの１番）から順に、
映像信号（OS）として出力され、減算回路（４）に出力
される。映像信号（OS）は、対応するホトセンサーに入
射する光の強度が強い程、低い電圧となっており、減算
回路（４）で基準電圧（DOS）から減算された電圧（DOS
−OS）が画素信号として出力される。

前記積分クリア信号（ICGS）の消滅後、積分制御時間T1
（50msec）以内に輝度モニター回路（MC）の出力電圧
（AGCOS）が所定電圧以下にならず、利得制御回路
（５）から（TINT）信号が出力されない場合、積分制限
時間T1（50msec）経過後に制御回路（11）かシフトパル
ス発生指令信号（SHM）がオア回路（OR）を通してシフ
トパルス発生回路（６）に送られる。シフトパルス発生
回路（６）は、この信号を受けてシフトパルス（SH）を
光電変換回路（10）に出力し、ホトセンサーアレイ（P
A）の蓄積電荷をCCDシフトレジスタ（SR）に転送させ
る。そして前述の場合と同様に転送パルス（φ１），
（φ２）によって映像信号出力回路（VS）から映像信号
（OS）が出力され、減算回路（４）から（DOS−OS）が
出力される。（１）のピークホールド回路は、CCDシフ
トレジスタ（SR）の７番目から10番目のアルミマスク部
に対応する画素信号（DOS−OS）が出力されたときに、
制御回路（11）から送られてくるサンプルホールド信号
（S/H）を受け、それらの画素信号を保持する。この信
号は利得可変増幅回路（２）に出力され、この信号と減
算回路（４）から出力される11番目以降の画素信号とが
利得可変増幅回路（２）で減算され、この差の出力が、
利得制御回路（５）により制御される利得で増幅され
る。この増幅された信号はA/D変換回路（３）でA/D変換
され、画素信号データとして、制御回路（11）を通して
演算判別回路（12）に送られる。一方、利得制御回路
（５）で得られた利得制御データも制御回路（11）を通
して演算判別回路（12）に送られその結果演算判別回路
（12）では両データの演算が行なわれる。この演算の結
果、焦点検出可能と判断されたときには、合焦までの像
のずれ量が演算判別回路（12）で演算される。又、像の
ずれ量に相当するだけのレンズの駆動量も前記画素信号
データにもとづいて演算判別回路（12）で演算され、レ
ンズ駆動装置（８）に出力される。この駆動装置（８）
は、撮影レンズ（９）を前記レンズの駆動量だけ駆動す
る。そして撮影レンズ（９）が合焦位置に到達するま
で、制御回路（11）による積分クリア信号（ICGS）発生
からレンズ駆動までのシーケンスが繰り返される。前記
焦点検出の演算の結果、焦点検出不能と判断されたとき
には、表示回路（13）において焦点検出不能の表示が行
なわれる。前記焦点検出が、低輝度（LO−LIGHT）の為
に焦点検出不能と判断されたときに、補助光による焦点
検出が可能であれば制御回路（11）からの指令で補助光
による焦点検出を行なう。補助光による焦点検出が可能
でなければ、積分時間を長くして焦点検出を再度行な
う。積分時間を長くした焦点検出において焦点検出不能
と判断されたときは、焦点検出不能の表示を表示回路
（13）で行ない、焦点検出可能と判断されたときは合焦
までの演算及びレンズ駆動を繰り返す。ここで補助光に
よる焦点検出では、ストロボ側から（C3），（C4）接
点、カメラ側のデータ交信回路（15）を介して、制御回
路（11）へ補助光準備完了を示す信号が送られたとき
に、制御回路（11）から補助光の点灯を指令する補助光
発光信号が接点（C1）を介してストロボ側に送られ補助
光が点灯し、これによる焦点検出が行なわれる。

次に上述の制御回路（11）及び演算判別回路（12）の動
作の流れを示すフローチャートを第７図に示す。図中TM
1,TM2は固体撮像素子の一種であるCCDに電荷を蓄積する
のに要する時間の制限を示したもの（以下積分制限時
間）であり、TM1＜TM2なる関係にある。不示図の電源ス
イッチをONさせると、カメラに電源が供給される。する
と第７図のフローがスタートし、＃１のAFスイッチ判別
フローでAFスイッチがONされるのを待っており、AFスイ
ッチがONされると、＃２のTM2フラグクリアフローに入
り、制御回路（11）はTM2フラグをクリアーし「０」に
する。このTM2フラグはCCDの積分制限時間を設定するフ
ラグであり、「０」にクリアされると、制御回路（11）
はCCDの積分制御時間を短い方のTM1に設定する。制御回
路（11）は＃３のTM2フラグ判別フローではTM2フラグが
セットされているか否かを判別しており、＃２のTM2フ
ラグクリアフローから＃３のTM2フラグ判別フローに入
ると、TM2フラグが「０」にクリアされているので、＃
４のCCD積分時間MaxTM1セットフローでCCDの積分時間を
TM1に設定する。制御回路（11）は＃６のCCD積分フロー
でCCDに電荷蓄積を行なわせ、これが終了すると＃７のD
ata DumpフローでCCDの出力を映像信号（OS）として順
次出力させる。この映像信号（OS）は減算回路（４）で
減算されて画素信号となるが、この画素信号は被写体に
応じた利得で増幅された後、さらに、A/D変換回路
（３）でA/D変換されてデジタル値となる。演算判別回
路（12）は制御回路（11）を通してこのデータと前記利
得のデータとを受けると＃８の焦点検出演算フローで演
算を行ない、その演算結果にもとづいて＃９の焦点検出
不能判別フローで焦点検出不能か否かを判別する。焦点
検出不能でない場合、演算判別回路（12）はレンズのデ
イフォーカス量を演算し、さらにその値にもとづいてレ
ンズ駆動用モーターの制御量を演算する。これに対し＃
８の焦点検出演算フローでの演算の結果にもとづいて＃
９の焦点検出不能を判別フローで焦点検出不能と判断す
ると＃10の低輝度（LO−LIGHT）判別フローへ進み、反
対に、＃９の焦点検出不能判別フローで焦点検出不能で
ないと判断すると、＃17の合焦判別フローへ進む。＃17
の合焦判別フローで＃８の焦点検出演算フローの演算の
結果がら合焦状態であることを判別すれば＃19のモータ
ー停止フロー及び＃20の合焦表示フローでモーターの停
止をさせると共に合焦表示を行なわせる。一方合焦状態
でないと判別すると、＃18のモーター駆動フローで、＃
８の焦点検出演算フローで演算したレンズのデイフオー
カス量に相当するレンズ駆動用モーター制御量に応じて
モーターを駆動させる。そして再び＃３のT2フラグ判別
フローに入り、＃17の合焦判別フローで合焦と判断する
まで前述のルーチンを繰り返す。一方＃９の焦点検出不
能判別フローで焦点検出不能であると判別した後の＃10
の低輝度（LO−LIGHT）判別フローで、演算判別回路（1
2）は焦点検出不能と判別した原因が低輝度（LO−LIGH
T）であるためか否かの判別を行なう。その原因が低輝
度である場合には、＃６のCCD積分フローで実際に積分
に要した時間が、そのときに設定された積分制限時間に
なっており、さらに＃７のData Dumpフローで得られた
利得があらかじめ決められた利得以上になっているので
これを判別する。これに対し焦点検出不能の原因が低輝
度（LO−LIGHT）ではなくてコントラストが低いためで
あるときには、実際に積分に要した時間が、そのときに
設定された積分制限時間以内であること又は、＃７のDa
ta Dumpフローで得られた利得があらかじめ決められた
利得よりも小さいことを＃10の定期度（LO−LIGHT）判
別フローでこれを判別し、＃16の焦点検出不能表示フロ
ーで焦点検出不能の表示を行なう。焦点検出不能の原因
が低輝度である場合には＃11の補助光可能判別フローに
入り、このフローで補助光による焦点検出が可能であれ
ば後述の＃15の補助光モードルーチンに入り、被写体の
輝度不足を補うための補助光を用いた焦点検出を行なわ
せる。補助光による焦点検出が可能でない場合には、＃
12のTM2フラグ判別フローに入る。TM2フラグはこれが
「１」のときにCCD積分制限時間を長い方のTM2に設定す
るフラグである。今、＃２のT2フラグクリアフローでTM
2フラグがクリアーされ積分制限時間としてTM1が設定さ
れているので、＃13のTM2フラグセットフローに入り、T
M2フラグをセットし、＃３のTM2フラグ判別フローに戻
る。TM2フラグは＃13のTM2フラグセットフローでセット
されているので、このときは＃５のCCD積分時間MaxTM2
セットフローに進み、積分制限時間を長い方のTM2に設
定する。そして前述の積分制限時間TM1のときと同様
に、CCDへの電荷蓄積から、焦点検出演算までの動作を
行ない、積分制限時間を長くしたことで焦点検出可能と
なっているときは、＃９の焦点検出不能判別フローから
＃17の合焦判別フローに入り、合焦状態を判別するま
で、積分制限時間を長い方のTM2に設定した状態で、前
述の積分制限時間TM1の焦点検出可能な場合と同じルー
チンを繰り返す。一方積分制限時間を長くしたにもかか
わらず焦点検出不能であるときには、＃11の補助光可能
判別フローで、補助光による焦点検出が可能でないこと
を判別し、さらに＃12のTM2フラグ判別フローでTM2フラ
グがセットされていることを判別して、次の＃14の焦点
検出不能表示フローで焦点検出不能の表示を行なわせ
る。これは被写体輝度が低い為にCCD積分時間を長くし
たが、補助光照明が行なわれないために焦点検出が行な
えるだけの情報が得られず合焦状態に導くことができな
いと判断したからである。

第８図はCCDの積分制限時間の設定の違い（TM1＝50mse
c,TM2＝200msec）とCCD出力（増幅後）との関係を示し
た両対数グラフである。

図において横軸はCCDセル面照度（被写体の輝度に依存
する）を示しており、縦軸はCCD積分時間とCCD出力を示
している。このCCD出力は、第６図の利得可変増幅回路
（２）によって、増幅されたものである。前記増幅回路
（２）の利得は、利得制御回路（５）が輝度モニター回
路（MC）から被写体の輝度に応じた信号を受け、×1,×
2,×4,×８と選択したものである。グラフとはCCD
積分時間の制限を200msecと設定した場合を示してい
る。はCCDの積分時間、は増幅後のCCDの出力であ
る。のCCD積分時間は、CCDセル面照度が0.051x（ルク
ス）より明るい場合、セル面照度が明るくなるにつれ、
短くなってゆく。CCDセル面照度が0.05lx（ルクス）よ
り暗くなるとCCD積分時間は一定の200msecに固定され
る。一方のCCD出力は0.05lx（ルクス）より明るい場
合一定の500mVに固定されているが0.05lx（ルクス）よ
り暗くなると、前記利得制御回路（５）の利得がステッ
プ的に切り換わり、この利得がCCD出力に掛けられ×８
の利得が選択された後は、CCDセル面照度が暗くなるに
つれてCCD出力は低下してゆく。次にグラフとはCCD
積分時間の制限を50msecと設定した場合を示している。
は積分時間、は増幅後のCCDの出力である。の積
分時間に関して、CCDセル面照度が0.2lx（ルクス）より
暗い場合、積分時間が50msecに固定され、0.2lx（ルク
ス）より明るい場合は、セル面照度が明るくなるにつれ
積分時間は短かくなっている。一方のCCDの出力は、
0.2lx（ルクス）より明るい場合は一定の出力500mVに固
定されているが0.2lx（ルクス）より暗くなると、利得
制御回路（５）の利得がステップ的に切り換わり、この
利得がCCDの出力に掛けられる。焦点検出の限界は一般
にCCD出力値に依存しており標準的な被写体を考えるとC
CD出力で0.15V以上あれば焦点検出可能と言える。この
ことからセル面照度が0.2lx（ルクス）〜0.008lx（ルク
ス）まではCCD積分の制限時間を50msecに設定しても、
利得を変えてCCD出力を0.15Vよりも大きくすれば焦点検
出可能であり、200msecと比べると積分時間が短かくな
り、焦点検出の繰り返し周期が短かくなる為、動体追従
性がよくなる。

第１表は上記本実施例の積分時間と利得との関係を、先
願例（特願昭58−217391）と合わせて示したものであ
る。

前記利得は第２図の輝度モニター回路（MC）の出力電圧
（AGCOS）を入力とする利得制御回路（５）で決定され
る。輝度モニター回路（MC）の出力電圧（AGCOS）の時
間的変化を示す第４図に戻ると、横軸は積分時間、縦軸
は電圧を表わしており、詳しくは基準電圧からの電圧降
下を５つのゾーン（Ａ），（Ｂ），（Ｃ），（Ｄ），
（Ｅ）に分けている。ゾーン（Ａ）は電圧降下が0.35V
未満、同様にゾーン（Ｂ）は0.35V以上0.7V未満、ゾー
ン（Ｃ）は0.7V以上1.4V未満、ゾーン（Ｄ）は1.4V以上
2.8V未満、ゾーン（Ｅ）は2.8V以上電源電圧までになっ
ており、積分時間TM1又はTM2の経過後、輝度モニター電
圧（AGCOS）がゾーン（Ａ）〜（Ｅ）のどれに入ってい
るかによって、利得が決められる。積分制限時間がTM1
（50msec）に設定されている場合,TM1（50msec）内に輝
度モニター電圧（AGCOS）がゾーン（Ｅ）に入ったとき
は、直ちに積分を終了し、利得は×１になる。それ以外
の場合、積分時間TM1（50msec）の経過後、輝度モニタ
ー電圧（AGCOS）が（Ｄ）ゾーンにあるときには×１、
同じようにして（Ｃ）ゾーンにあるときには×２、
（Ｂ）ゾーンにあるときには×４、（Ａ）ゾーンにある
ときには×８の利得になる。第４図の輝度モニター電圧
（AGCOS）がl1〜l7となる各場合についてみると、l1の
場合はTM1（50msec）以内に電荷蓄積を終了し、l2の場
合は×１、l3の場合は×２、l4の場合は×４、l5〜l7の
場合は×８の利得が利得制御回路（５）で選択される。
積分制御時間TM1（50msec）において、焦点検出不能で
かつ低輝度（本実施例では積分時間TM1経過後、利得が
×４以上）と判断された場合に、積分制限時間がTM2（2
00msec）に変更され、積分時間TM2（200msec）の経過
後、輝度モニター電圧（AGCOS）がどのゾーンに入って
いるかでもう一度利得設定が行なわれゾーン（Ｄ）にあ
るときは×１、ゾーン（Ｃ）にあるときは×２、ゾーン
（Ｂ）にあるときは×４、ゾーン（Ａ）にあるときには
×８の利得が利得制御回路（５）で選択される。

第９図は第６図の利得制御回路（５）及び利得可変増幅
回路（２）の一例を示している。（T11），（T12），
（T13）は各々第２図（T1），（T2），（T3）に接続さ
れる端子である。（T14）は設定された積分制限時間TM1
（50msec）又はTM2（200msec）の経過後、制御回路（1
1）から出力されるシフトパルス発生指令信号（SHM）を
入力する端子、（T15）は積分制限時間内に第４図にお
けるゾーン（Ｅ）に入った時に出力される（TINT）信号
の出力端子、（T16）は利得可変増幅回路（２）で増幅
された画素信号を、A/D変換回路（３）に出力する為の
出力端子である。（B1），（B2），（B3）はバッファ、
（４）は映像信号（電圧）OSと基準電圧（DOS）とを減
算する減算回路（４）、（１）は暗出力補正データを保
持するピークホールド回路（１）である。まず利得制御
回路（５）から説明すると、積分クリア信号（ICGS）の
消滅後、輝度モニター回路（MC）の出力電圧（AGCOS）
の降下の程度をステップ的に判別するコンパレーター
（AC1），（AC2），（AC3），（AC4）が設けられてい
る。各コンパレーターの反転入力はバッファ（B1）を介
して輝度モニター回路（MC）の出力電圧（AGCOS）が入
力される端子（T11）に夫々接続されている。コンパレ
ータ（AC1），（AC2），（AC3），（AC4）の非反転入力
は、抵抗（R1）と定電流（I1）との接続点（J4）、抵抗
（R2）と定電流（I2）との接続点（J5）、抵抗（R3）と
定電流（I3）との接続点（J6）、抵抗（R4）と定電流
（I4）との接続点（J7）に夫々接続されている。抵抗
（R1），（R2），（R3），（R4）はバッファ（B2）を介
して基準電圧（DOS）が入力される端子（T12）に接続さ
れている。コンパレーターの基準電圧は、基準電圧発生
回路（RS）の出力電圧（DOS）から、（抵抗の値）と
（定電流の値）とを掛けた電圧を減算したものであり、
抵抗の値と定電流の値とを適当に選べば任意の基準電圧
を作ることが可能である。このようにして所望のコンパ
レーターの基準電圧をステップ的に作れば、輝度モニタ
ー回路（MC）の出力電圧（AGCOS）の降下の程度に応じ
て、ステップ的にコンパレーターを反転させることが可
能となる。コンパレーター（AC1），（AC2），（AC3）
の出力は夫々Ｄフリップフロップ（DF1），（DF2），
（DF3）のデータ端子（Ｄ）の入力されている。これら
のＤフリップフロップのデータを取り込むタイミングを
決定するクロックパルスの入力端子（CP）には、制御回
路（11）のシフトパルス発生指令信号（SHM）が入力さ
れる。具体的には積分制限時間TM1（50msec）又はTM2
（200msec）の経過後にシフトパルス指令信号（SHM）が
クロックパルスの入力端子（CP）に入力され、このタイ
ミングでコンパレーター（AC1），（AC2），（AC3）の
情報を取り込む。コンパレーター（AC4）の出力信号
（ｅ）は、積分制限時間内に輝度モニター回路（MC）の
出力電圧（AGCOS）が第４図のゾーン（Ｅ）に入った時
に出力される（TINT）信号である。アンド回路（AN1）
はＤフリップフロップ（DF1）の出力Ｑと同じくＤフリ
ップフロップ（DF2）の出力とを入力とし、アンド回
路（AN2）はＤフリップフロップ（DF2）の出力Ｑと同じ
くＤフリップフロップ（DF3）の出力を入力とし、出
力信号を夫々（ｂ），（ｃ）としている。又Ｄフリップ
フロップ（DF1）の出力の出力信号を（ａ）、Ｄフリ
ップフロップ（DF3）の出力Ｑの出力信号を（ｄ）と
し、これらの信号（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）と
（TINT）信号（ｅ）は、夫々第４図のゾーン（Ａ），
（Ｂ），（Ｃ），（Ｄ），（Ｅ）ゾーンに対応してい
る。これらの信号の状態を第２表に示す。

これらの信号のうち（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）を
受け、各信号に対応する利得が下記に説明する利得可変
増幅回路（２）において設定される。利得可変増幅回路
（２）において、（OP）は演算増幅器であり、その入力
端子（ｆ），（ｇ）は入力抵抗（R5），（R6）を介し
て、減算回路（４）、サンプルホールド回路（１）に夫
々接続されている。抵抗（R5）〜（R14）は利得を決定
する抵抗であり、抵抗（R5），（R6），（R7），（R
8），（R11），（R12）の抵抗値をｒとすると、抵抗（R
9），（R13）は2r、抵抗（R10），（R14）は4rとなるよ
うな抵抗比を持つ抵抗値に設定してある。（AS1）〜（A
S8）はアナログスイッチであり、前記（ａ），（ｂ），
（ｃ），（ｄ）の信号を受けアナログスイッチ（AS1）
〜（AS4）は抵抗（R7）〜（R10）を選択し、演算増幅器
（OP）の帰還抵抗値を決めるのに対し、アナログスイッ
チ（AS5）〜（AS8）は抵抗（R11）〜（R14）を選択し、
演算増幅器（OP）のバイアス抵抗値を決めている。前記
（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）の各信号が夫々「Hig
h」になるときに導通するアナログスイッチ（AS1）〜
（AS8）との対応及びそのときに選択される抵抗と利得
を第３表に示す。

第10図は第７図のフローチャートにおける＃15の補助光
モードフローの具体的な流れを示すフローチャートであ
る。第７図に戻って、前記＃15の補助光モードフローに
入る流れを簡単に説明すると、演算判別回路（12）が＃
８の焦点検出演算フローでの演算結果にもとづいて＃９
の焦点検出不能判別フローで焦点検出不能と判別し、続
いてその原因が低輝度（LO−LIGHT）であることを＃10
の低輝度判別フローで判別したときに、＃11の補助光可
能判別フローに入る。このときにストロボ回路からの補
助光可能信号がカメラ側の制御回路（11）に送られてい
れば、＃15の補助光モードフローに進み、補助光による
焦点検出を行なわせる。第10図に返って、＃21の補助光
発光信号フローでは、カメラ側の制御回路（11）が「Hi
gh」レベルの補助光発光信号をストロボ側に送り、スト
ロボ側はこの信号に応答して補助光照射手段である発光
ダイオードを発光させる。制御回路（11）は＃22のCCD
積分制限時間MaxTM3セットフローでCCD積分制限時間をT
M3（200msec）に設定する。そして＃23のCCD積分フロー
で積分を行なわせ、CCDの積分が終了すると、制御回路
（11）が補助光を停止するために補助光停止信号とし
て、補助光信号をLowレベルにした信号をストロボ側の
回路に送り、これにより発光ダイオードの発光が停止さ
れる。これが＃24の補助光停止信号フローである。＃25
のData Dumpフローで光電変換部（10）から映像信号（O
S）を順次出力させると減算回路（４）から（DOS−OS）
が画素信号として出力される。この信号は利得可変増幅
器（２）で被写体の輝度に応じた利得で増幅され、増幅
された信号はA/D変換回路（３）でA/D変換されてデジタ
ル値として、利得のデータと共に制御回路（11）を通し
て演算判別回路（12）に送られる。演算判別回路（12）
は＃26の焦点検出演算フローでそれらのデータにもとづ
いて演算を行なうが、このフローでは焦点検出可能か否
かを判別し、可能な場合にはレンズのデイフオーカス量
に相当するモーターの制御量が演算される。この演算結
果、焦点検出不能（例えば補助光照射したにもかかわら
ず、距離が遠い、或いは反射率が低いために焦点検出に
必要な十分な光が、CCDに帰ってこなかった場合）と判
断したときは、＃27の焦点検出不能判別フローから＃28
の焦点検出不能表示フローへ行き、焦点検出不能の表示
を行なわせる。これらに対しその演算の結果が焦点検出
可能であることを判別すれば、＃27の焦点検出不能判別
フローから＃29の合焦判別フローへ行き、合焦状態であ
ることを判別すれば＃30のモータ停止フローでモーター
を停止し、合焦の表示を＃31の合焦表示フローで行なわ
せる。合焦でなければ、＃32のモーター駆動フローで前
記焦点検出演算において演算されたレンズのデイフオー
カス量に相当するモーターの制御量に応じてモーターを
駆動する。そして合焦までこのルーチンを繰り返す。

第11図は本実施例のカメラに装着或いは内蔵されるスト
ロボ装置に使用されるストロボ回路の実施例である。
（S₀）は電源スイッチで、これが操作によりON（閉成）
されるとストロボの各回路への給電が行なわれる。（L
D）は補助光を被写体に向けて投射する補助光用発光ダ
イオード、（101）は前記補助光用発光ダイオード（L
D）を制御する制御回路、（102）は充電完了検出回路で
不示図のストロボ発光用メインコンデンサーの充電電圧
が所定電圧以上になると、充電完了信号を（104）のシ
リアル交信回路へ出力する。（103）は補助光スイッチ
で不示図のストロボ外枠又はストロボを内蔵したカメラ
上にとりつけられており、撮影者が操作によりON−OFF
できるようになっている。このスイッチを設けたのは、
この実施例では補助光として近赤外のような可視光を用
いていることと関係している。具体的に述べると、補助
光を被写体に向けて投射すると近赤外光は可視光域にあ
るために、被写体には投与された補助光がうつる。その
為に見た目に不愉快であるとか、或いは、地の撮影者が
同一の被写体を撮るときに、補助光がうつった写真とな
り、この撮影者の意図にそぐわない場合がおこる。前記
スイッチはこのようなときに、撮影者が目でその光を観
察して補助光による焦点検出を簡単に禁止できるように
設けられたスイッチである。このスイッチのON,OFF信号
もシリアル交信回路（104）に入力されている。（105）
は撮影時にストロボ発光を行なわせる為のストロボ駆動
回路である。なお発光ダイオード（LD）から照射される
光は650nm〜750nm程度の波長特性を有している。（C1）
〜（C4）はストロボをカメラに装着する形式とした場合
のカメラとストロボの接点である。接点（C1）は補助光
用発光ダイオード（LD）を制御するものであり、これに
「High」の信号が印加されると回路（101）が発光ダイ
オード（LD）を発光させる。接点（C2）はアース、接点
（C3），（C4）はカメラとストロボ間でお互いのデータ
ーをシリアルで交信するための交信用接点である。

第12図は、本実施例に用いられるストロボの外観図であ
る。（108）はストロボ装置本体、（106）は撮影時にス
トロボ発光を行なわせるためのキセノン管が背後に収納
されている主発光窓である。（107）は補助光用LED（L
D）が背後に収納された補助発光窓であり、カメラ側か
らの補助光発光信号が、接点（C1）を介してストロボ側
に入力されると、この窓を通して被写体に向けて補助光
が投射される。

第13図は被写体の低輝度（LO−LIGHT）の判断をどのよ
うにして行なっているかの流れを示すフローチャートで
ある。第13図において＃40のTM2フラグセット判別フロ
ーは、CCDの積分制限時間がTM2（200msec）に設定され
ているか否かを判定するフローである。積分制限時間が
TM1（50msec）に設定されているときは＃41の利得判定
フローへ入り。ここで利得が４以上であるかを演算判別
回路（12）が判別し４以上であれば低輝度（LO−LIGH
T）と判断して＃42の低輝度（LO−LIGHT）フローへ進
み、４未満であれば低輝度でないと判断して＃43の否低
輝度（NOT LO−LIGHT）フロー（第７図ではこののち＃1
6の焦点検出不能表示フローへ行く）に入る。一方積分
制限時間がTM2（200msec）に設定されているときは＃40
のT2フラグセット判別フローから、直ちに＃42の低輝度
（LO−LIGHT）フローに入る。

第14図は、低輝度（LO−LIGHT）の判断がなされる場合
において、補助光可変信号が発生した場合の流れを示す
フローチャートである。ここでは補助光可能信号が発生
している場合には、低輝度（LO−LIGHT）の判別レベ
ル、詳しくは利得の判別レベルを下げて、低輝度（LO−
LIGHT）と判断しやすくしてある。これを行なった理由
は、通常光による焦点検出よりも補助光による焦点検出
の方が焦点検出の精度が増すと考えられるからである。
というのは、通常光ではコントラストの乏しい被写体で
も、補助光を照射することにより、コントラストを大き
くすることができるからである。第14図において、補助
光可能信号が発生していなければ、＃44の補助光可能判
別フローから、＃49のTM2フラグセット判別フローに入
り、この後は第13図における低輝度（LO−LIGHT）判断
のルーチンと同じである。一方補助光可能信号が発生し
ている場合、＃45のTM2フラグセット判別フローへ行
く。ここでCCDの積分制限時間がTM1（50msec）であれ
ば、＃46の利得判定フローで判定利得を前記第14図の＃
41のフローの利得よりも１ステップ少なくした「２」と
している。これにより、補助光可能信号が発生している
ときは低輝度（LO−LIGHT）と判断されやすくし、次の
フロー（＃47の低輝度（LO−LIGHT）と判断された後の
フロー）で補助光による焦点検出を行なうようにしてい
る。

尚本発明は前記実施例に限定されるものではない。まず
第１に本発明で用いることができる固体撮像素子として
は、CCDだけでなくBBD（Bucket Brigate Devce）、CID
（Charge Injection Device）、MOS（Metal Oxide Semi
conductor）型ホトセンサー等を挙げることができる。
次に焦点検出方式も第１図の焦点光学系を用いるものに
限られるのではなく、例えば特開昭54−159259合公報、
特開昭57−70504号公報、特開昭57−45510号公報等に示
されているように、撮影レンズの予定焦点面乃至はそれ
に共役な面にレンズレットを配置すると共にその背後に
固定撮像素子を配置することにより、撮像レンズの焦点
調節状態としてデイフオーカス量とデイフオーカス方向
を共に算出する方式、或いは特開昭55−155308号公報、
特開昭57−72110号公報、特開昭57−88418号公報等に示
されているように、撮影レンズの予定焦点面乃至はそれ
と共役な面上及びその前後に夫々固体撮像素子を配置
し、撮像レンズの焦点調節状態としてデイフオーカス方
向のみ検出する方式等にもこの発明は適用可能である。
又、前記実施例では積分制限時間に関して、TM1＝50mse
c,TM2＝TM3＝200msecとしているが、これに限られるも
のではなく、TM1＜TM2,TM1＜TM3という関係があり、積
分時間に依存するCCDの出力が、常にほぼ一定になるよ
うに利得を変化させられるものであれば、TM1,TM2,TM3
は長くなりすぎない時間の範囲で任意に設定すれば良
い。さらに補助光による焦点検出に関して、第12図にお
ける補助光は発光ダイオードを用いたがガイドナンバー
の小さくしたキセノン管，或いはランプ等でも代用可能
である。同じく第12図において補助光照射手段がストロ
ボ装置内に設置されているが、カメラ本体又はカメラに
装着される他の装置に設置されても良い。又補助光照射
用専用装置でも良い。さらにスイッチ（103）は、補助
光が赤外光のように目に見えない光であるときは必ずし
も必要でない。そして低輝度（LO−LIGHT）判断に関し
ては前記実施例の場合、利得増幅回路（２）の利得のレ
ベルが通常モードでは４以上のとき補助光モードでは２
以上のとき低輝度であるとしているがこれに限るもので
はない。又、前記実施例の如く利得増幅回路（２）の利
得レベルから輝度レベルを判定するのではなく、モニタ
ー用受光素子とは別に被写体光を受光する受光素子を設
け、その出力にもとづいて輝度判定を行なうこともでき
る。

発明の効果 本発明によれば、撮像手段の電荷蓄積時間を所定の制限
時間に制限されるので、カメラが振動してもその影響が
少なく正確な焦点券種が行え、また焦点検出に要する時
間が短くなるのでシャッターチャンスに即応でき、動く
被写体に対する追従性も向上する。

更に、上記所定の制限時間に電荷蓄積時間を制限したと
きの被写体像データで焦点検出が行えない場合には制限
時間をより長い第２の制限時間に変更するため、低輝度
の被写体に対しても焦点検出可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の自動焦点検出装置における光学系の一
実施例を示す。第２図は本実施例に用いたホトセンサー
アレイ及びCCDシフトレジスタを含む光電変換部の説明
図、第３図は前記ホトセンサーの具体的な回路図、第４
図は被写体の輝度に対応する輝度モニター回路の出力の
時間的変化を示すグラフ、第５図は前記CCDシフトレジ
スタの各セルの機能分担を示すマップ、第６図は実施例
の全体の回路構成を示すブロック図、第７図は第６図の
制御回路及び演算判別回路の動作の流れを示すフローチ
ャート、第８図はCCDの積分制限時間の設定の違いと増
幅後のCCD出力との関係を示すグラフ、第９図は第６図
における利得制御回路の全部と利得可変増幅回路の一部
を示す具体的な回路図、第10図は第７図中の補助光モー
ドの具体的な流れを示すフローチャート、第11図は補助
光照射のための制御回路を備えたストロボの回路図、第
12図は補助光源として発光ダイオードを含むストロボの
外観図、第13図は第７図中の低輝度判別モードの具体的
な流れを示すフローチャート、第14図は補助光発光可能
なときの低輝度判別モードの具体的な流れの他の例を示
すフローチャートである。 （PA）……ホトセンサーアレイ、（SR）……CCDシフト
レジスタ、（T1）……撮影レンズ，（CL）……コンデン
サーレンズ，（L1），（L2）……結像レンズ，（Ｍ）…
…絞り，（２）……利得可変増幅回路，（12）……演算
判別回路，（５）……利得制御手段，（13）……表示回
路，（108）……ストロボ装置，（107）……補助光照射
手段。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】複数の電荷蓄積型受光素子によって構成さ
   れ、撮影レンズを透過した被写体光を受光して被写体像
   データを出力する撮像手段と、 被写体輝度に応じて、上記撮像手段の電荷蓄積を終了さ
   せる積分制御手段と、 上記積分制御手段による電荷蓄積が終了していなくても
   電荷蓄積時間が所定の制限時間に達すると強制的に上記
   電荷蓄積を終了させる強制終了手段と、 上記被写体像データに所定の処理を行う処理手段と、 上記処理手段に処理された上記被写体像データに基づい
   て、上記撮影レンズにおける焦点検出が可能か否かを判
   別する判別手段と、 上記積分手段の判別の結果、焦点検出が不可能であると
   判別された場合には、上記制限時間より長い第２制限時
   間に変更する変更手段と、 を有することを特徴とするカメラの自動焦点検出装置。
2. 【請求項２】上記処理手段は、上記被写体像データを増
   幅する増幅手段を有し、上記強制終了手段によって電荷
   蓄積が終了された場合には、この増幅手段を作動させる
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のカメラ
   の自動焦点検出装置。
3. 【請求項３】上記積分制御手段は、上記撮像手段とは別
   設で、上記受光素子に沿って配置され、該受光素子とほ
   ぼ同一の被写体光を受光する受光手段と、 上記受光手段の出力を積分する積分手段と、 上記積分手段の出力が所定値に達すると上記撮像手段の
   電荷蓄積を終了させる終了手段と、 を有することを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載
   のカメラの自動焦点検出装置。
4. 【請求項４】上記変更手段は、焦点検出不能である原因
   が低輝度であるか否かを判別する手段を有し、低輝度で
   ある場合に上記制限時間をより長い第２制限時間に変更
   することを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のカ
   メラの自動焦点検出装置。