JPH07273144A - シングル・ポイント・ボンディング方法 - Google Patents

シングル・ポイント・ボンディング方法

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JPH07273144A
JPH07273144A JP6061739A JP6173994A JPH07273144A JP H07273144 A JPH07273144 A JP H07273144A JP 6061739 A JP6061739 A JP 6061739A JP 6173994 A JP6173994 A JP 6173994A JP H07273144 A JPH07273144 A JP H07273144A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】リードを一本づつ接合するシングルポイントボ
ンディング方法では、ボンディング時間がかかるため、
ボンディング時に加える温度によりベースフィルムが変
形し、リードズレを発生してしまう。そのボンディング
順序を最適化し、リードズレによる不良を防止する。 【構成】工程で第１のコーナー部分のインナーリード
２６を接続し、次に工程で第２のコーナー部分のイン
ナーリード２８から中央部分のインナーリード２７まで
順次接続し、次の工程でインナーリード２６の次から
インナーリード２７まで順次接続する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シングル・ポイント・
ボンディング方法に関し、特にＴＡＢ（ＴａＰｅ Ａｕ
ｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式の接合に用いる
シングル・ポイント・ボンディング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＴＡＢ方式の実装に用いられるフィルム
キャリアテープは図５（ａ）・（ｂ）に示すように、ポ
リイミド等の絶縁性のベースフィルム１に搬送及び位置
決め用のスプロケットホール２を形成し、かつ半導体チ
ップ１０が入る為の開口部である方形のデバイスホール
３を形成し、このベースフィルム１の表面には、銅箔等
の金属箔を接着し、かつこれをフォトリソグラフィ技術
により所要パターンに形成して、多数のリード６や電気
選別のためのパッド７等を形成する。リード６は、デバ
イスホール３内に突出したインナーリード６Ａと、テス
トパッド７が接続されたアウターリード６Ｂとで構成さ
れ、この表面に金や錫、半田等の金属メッキが施されて
いる。また、アウターリード６Ｂの直下部のベースフィ
ルム１には方形のアウターリードホール４が４箇所形成
されており、このアウターリードホール４とデバイスホ
ール３との間は、リード６を保持するサスペンダ５が４
隅で、ベースフィルム１の本体に連絡している。そし
て、このフィルムキャリアテープのリード６と半導体チ
ップ１０とをボンディングする際には、あらかじめ半導
体チップ１０の電極上に金属突起物であるバンプ８を設
けておき、このバンプ８上に接合するインナーリード６
Ａを直下部に位置させ、上方よりボンディングツールで
インナーリード６Ａとバンプ８とをボンディングしてい
る（以下単に接続と略記する）。このような接続方法
を、ＩＬＢ（Ｉｎｎｅｒ Ｌｅａｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）
という。
【０００３】半導体チップ１０は平面が、方形の主表面
を有し、各辺に沿って多数のバンプ８が設けられている
が、このような突起のないいわゆるバンプレスの電極も
ある。各バンプ８に対向したインナーリード６Ａは、各
辺ごとにサスペンダ５に固着し、アウターリード６Ｂと
なってベースフィルム１の本体に固着している。接続後
の工程では、テストパッド７やベースフィルム１等は除
去される。各辺のバンプ８は図示されているよりも実際
は多数であり、一部のリード６が欠けて配列されている
場合もある。
【０００４】このＩＬＢ方法には、一般に２種類あり、
インナーリード６Ａとバンプ８とをボンディングツール
にて一括で接合する方式（ギャング・ボンディング方
式）とインナーリード６Ａとバンプ８とを一本づつ接続
する方式（シングル・ポイント・ボンディング方式）で
ある。前者の方式は、半導体チップ１０の寸法が大きく
なり、かつリード６の数が増加するとボンディング・ツ
ールと半導体チップ１０の平行度を保つことが困難にな
る。また、その平行度を調整する為、半導体チップ１０
の大きさが変わる度に、長時間の設定が必要で多品種・
小量生産に要求される汎用性に乏しい。これに対し後者
の方式であるとインナーリードをボンディングツールで
一本づつ確実に接合するため、前者のような微調整はい
らず、半導体チップ１０の大型化および汎用化に伴い、
採用される機械が多くなっている。
【０００５】上述したシングル・ポイント・ボンディン
グ法を用いてＩＬＢをする場合、インナーリード６Ａを
一本づつ接合する為、例えば、約２００ピン以上のピン
数を有するとき、ボンディング時間が長くなってしま
う。この為、ボンディング時にボンディング・ツールに
加えられる熱により、ベースフィルム１が熱膨張し、イ
ンナーリード６Ａがボンディングされるにつれ、しだい
に位置ズレを起こす。この結果、インナーリード６Ａを
ボンディングツールで押すことができず、ボンディング
時位置ズレの不良を発生したり、たとえ接合しても接続
強度が低くなるという不具合を生じてしまう。
【０００６】この問題に対処する特開平５−７４８７５
号公報に記載されている技術によると、図６（ａ）に示
すように、半導体チップ（図示せず）の方形の主表面の
各辺に沿って、デバイスホール３内に配列された多数の
インナーリード６Ａ（一部省略してある）のうち、まず
中央部分のインナーリード６１を接続し、次に反対側の
辺の中央部分のインナーリード６２，次でインナーリー
ド６３，その次にインナーリード６４と接続することに
より、ベースフィルムの熱膨張を分散させ、リード位置
ずれを緩和できるものと記載されている。
【０００７】他の従来例として示す図６（ｂ）に示す
「ＩＭＣ １９９０ Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ，Ｔｏｋ
ｙｏ，Ｍａｙ３０〜Ｊｕｎｅ１，１９９０」第２０２頁
乃至第２０７頁の技術によれば、方形のデバイスホール
の各辺に沿って多数のインナーリード６Ａ（一部省略さ
れている）が配列され、最初にコーナー部インナーリー
ド７１を接合し、順次コーナー部インナーリード７２，
７３，７４，７５，７６，７７，７８を接続すれば、位
置ズレを防止できると記載されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た図６（ａ），（ｂ）の従来技術のボンディング順序で
はいずれも、ボンディグ時間とこれにともなう放射熱等
による熱膨張との関係を十分に考慮に入れていないこ
と、ベースフィルムの変形を横方向（辺方向）のみしか
考慮していないため、位置ズレの発生を解決するまでに
は至らない。
【０００９】例えば、左端の第１のコーナー部分から右
端の第２のコーナー部分まで順次ボンディグしていく
と、加熱してある半導体チップの伝導熱やボンディング
・ツール等の放射熱がインナーリードよりベースフィル
ムに伝わり、これが熱膨張するため、ある程度ボンディ
グ時間が経過すると未接続のインナーリードが次第に位
置ズレを起こし、半導体チップの電極上に正確にインナ
ーリードが位置しなくなる。この状態で、ボンディング
・ツールを当接すると電気的及び機械的な接着不良が発
生する。
【００１０】特に図６（ａ）の中央部分のインナーリー
ドを先に接続する場合には、結局接続したインナーリー
ドの一方辺のリードをボンディングしている間に反対側
の辺のインナーリードは、最初に接続した中央部インナ
ーリードから熱が伝わり、やはりリードズレを発生して
しまう。このような横の位置ズレを防止するため、両コ
ーナー部分（第１，第２のコーナー部分）のインナーリ
ードからボンディングする図６（ｂ）の従来例では、ベ
ースフィルムの膨張は変わらないため殆どの場合、上方
向（半導体チップとインナーリード間距離が広がる方
向）に凸の形に変形してしまう。その結果、インナーリ
ードからパッド電極迄の距離が長くなる。このため、イ
ンナーリードの長さが不足して、ボンディング不良を発
生したり、ベースフィルムが円弧を描いて浮いているた
め、この円弧のピークの左右に位置するインナーリード
は、半導体チップのパッド電極平面に対して傾いてしま
う。この状態でボンディングをおこなうと、パッド電極
上に確実にインナーリードを密着できずに、インナーリ
ードが滑りボンディング不良を発生してしまう。上記円
弧のピーク値の変位は、コーナー部分の水準から、３０
μｍ乃至７０μｍ（ベースフィルム厚みが１２５μｍの
場合）程度あり、単に一方向へ順次ボンディングしてい
くと、電極上にインナーリードが位置しなくなってしま
う。
【００１１】本発明は、以上のような諸問題点を解決す
るため、次の（Ａ）乃至（Ｅ）の目的を備える。
【００１２】（Ａ）インナーリードと半導体チップ上の
電極との位置ズレを極めて少なくした状態に接合するこ
と。
【００１３】（Ｂ）インナーリードを配列したベースフ
ィルムの熱変位を少なくすること。
【００１４】（Ｃ）ベースフィルムが熱膨張によってイ
ンナーリードが電極から離間しても接続できるように、
接合順序を変更すること。
【００１５】（Ｄ）上記位置ズレにともなう電気的及び
機械的接続不良をなくすこと。
【００１６】（Ｅ）半導体チップの大型化・多ピン化に
対応できるようにボンディング順序を最適化し、高歩留
まりで生産できるようにすること。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の構成は、
半導体チップの方形の主表面の各辺に沿って多数配列さ
れた電極に、それぞれ対抗するインナーリードをベース
フィルムに配列してなるインナーリード列を備えたフィ
ルム・キャリア・テープを用いて、前記電極とこれに対
向した前記インナーリードとを順次接続するシングル・
ポイント・ボンディング方法において、前記インナーリ
ード列のうち第１のコーナー部分のインナーリードを最
初に接続した後第２のコーナー部分のインナーリードか
ら中央部分のインナーリードまでを順次接続し次いで前
記第１のコーナー部分のインナーリードの次のインナー
リードから前記中央部分のインナーリードに達するまで
のインナーリードを順次接続することを特徴とする。
【００１８】本発明の第２の構成は、半導体チップの方
形の主表面の各辺に沿って多数配列された電極に、それ
ぞれ対向するインナーリードをベースフィルムに配列し
てなるインナーリード列を備えたフィルム・キャリア・
テープを用いて、前記電極とこれに対向した前記インナ
ーリードとを順次接続するシングル・ポイント・ボンデ
ィング方法において、前記インナーリード列のうち第１
のコーナー部分のインナーリードを最初に接続した後、
中央部分のインナーリードを接続し、この次に第２のコ
ーナー部分のインナーリードから前記中央部分のインナ
ーリードに達するまでのインナーリードを順次接続し、
この次に前記第１のコーナー部分の次のインナーリード
から前記中央部分のインナーリードに達するまでのイン
ナーリードを順次接続することを特徴とする。
【００１９】本発明の第３の構成は、半導体チップの方
形の主表面の各辺に沿って多数配列された電極に、それ
ぞれ対向するインナーリードをベースフィルムに配列し
てなるインナーリード列を備えたフィルム・キャリア・
テープを用いて、前記電極とこれに対向した前記インナ
ーリードとを順次接続するシングル・ポイント・ボンデ
ィング方法において、前記インナーリード列のうち第１
のコーナー部分のインナーリードを最初に接続した後、
第２のコーナー部分のインナーリードに向けて複数の中
間部分のインナーリードを順次接続し、次いで前記第２
のコーナー部分のインナーリードから中央部分のインナ
ーリードまでを前記中間部分のインナーリードを除いて
順次接続し、次いで前記第１のコーナー部分のインナー
リードの次のインナーリードから前記中央部分のインナ
ーリードに達するまでを前記中間部分のインナーリード
を除いて順次接続することを特徴とする。
【００２０】
【実施例】図１は本発明の第１の実施例のシングル・ポ
イント・ボンディング方法を示すベースフィルム及び半
導体チップ等の斜視図である。図１において、この実施
例は、方形の半導体チップ１０の一辺に沿った部分と、
これに対向した部分だけのインナーリードを有するＴＡ
Ｂテープのベースフィルム１とを示しており、他の３辺
はこの一辺のボンディング方法と共通しているため、図
示された一辺に沿った部分のみの説明を行う。
【００２１】この実施例では、半導体チップ１０の一辺
に沿って多数のバンプ１１が配列され、これにそれぞれ
対向したインナーリード２６，２７，２８が配列された
ベースフィルム１が用意される。
【００２２】ここで、バンプとインナーリードとは、第
１のコーナー部分のインナーリード２６，中央部分のイ
ンナーリード２７，第２のコーナー部分のインナーリー
ド２８とこれにボンディングされるバンプとを除いて、
図示されていないが、同様に配列されている。図１の下
方の，，は、ボンディングの作業順序を番号で示
したマークであり、工程は第１のコーナー部分のイン
ナーリード２６の、工程は第２のコーナー部分のイン
ナーリード２８の、工程は上記第１のコーナー部分に
続く次の未接合インナーリードの各ボンディング工程に
対応させている。まず、ボンディング前、半導体チップ
１０の主表面からインナーリードの対向面までの距離を
０．０５ｍｍ乃至０．１ｍｍに設定する。ここであらか
じめ２５０度ｃ程度に半導体チップ１０を加熱手段（図
示しない）で加熱している。ボンディング・ツールは、
これ以上の温度で加熱することもあるが、特に加熱せず
常温で使用することもある。この実施例で使用される半
導体チップの平面サイズは、８ｍｍ角程度またはこのサ
イズ以内である。
【００２３】以上の設定の後、まず工程において第１
のコーナー部分のインナーリード２６を２本乃至３本接
続する。次に、ボンディング・ツールは非接続状態です
みやかに第１のコーナー部分のインナーリード２６の次
まで移動する。次に、ボンディング・ツールは非接続状
態ですみやかに第２のコーナー部分のインナーリード２
８まで移動する。次の工程において、第２のコーナー
部分のインナーリード２８から中央部分のインナーリー
ド２７まで順次接続する。次に第１のコーナー部分のイ
ンナーリード２６まで非接続状態ですみやかに移動す
る。次に第１のコーナー部分のインナーリード２６に続
く次の未接続インナーリードから上記中央部分のインナ
ーリード２７に向かって順次接続して行く（工程）。
こうして、この辺のすべての接続が終了する。
【００２４】中央部分のインナーリードは、例えばその
辺の全インナーリード総数が１００の場合にはコーナー
から数えて５０番目のリードとなる。
【００２５】以上の接続方法によれば、ベースフィルム
があまり熱膨張しない内に、第２のコーナー部分のイン
ナーリード２８を接続するため、位置ズレを実質的に生
じず、次にこの位置ズレの極めて小さいインナーリード
２８から順に左方に接続するため、さらなる位置ズレも
実質的に発生せず、これを中央部分のインナーリード２
７で止めるため、それ以前の位置ズレが集積する心配が
なく、次に左方から右方へ向けて順次接続して行くと、
左右の位置ズレをあたかも打ち消すように、接続され
る。
【００２６】以上のように、ベースフィルム１の熱膨張
による変位を緩和しつつ、互いに打ち消すように接続す
るため、位置ズレが少なく、電気的及び機械的に不良な
接続は生じなくなる。
【００２７】ここで、中央部分のインナーリードとは、
第１及び第２のコーナー部分のインナーリード２６，２
８を接続した時に実際に発生するか、もしくは当然に想
定し得る前記ベースフィルムの最大変位の位置に最も近
いインナーリードと定める。
【００２８】例えば、中央部分のインナーリードを複数
とする場合には、上記最大変位の位置に最も近いインナ
ーリードを中心として等分にリード数を振り分けて構成
（振り分け数が偶数の場合）し、奇数の振り分け数の場
合には左右のうち一方のリード数が１だけ多くなるよう
に構成される。
【００２９】第１，第２の両コーナー部分のインナーリ
ードを接続すると、熱圧着時の放射熱等でベースフィル
ム１が膨張して、上方が凸となるように山形に屈曲す
る。この山型の頂上が、即ち最大変位（第１の実施例で
は１０μｍ以上）の部分となり、この部分に最も近い位
置にあるインナーリードが、中央部分のインナーリード
２７となる。このインナーリードが複数の場合には、上
記構成となる。
【００３０】従って、中央部分のインナーリードが、第
１，第２のコーナー部分のインナーリード２６，２８か
ら等距離にあるインナーリードとなる場合もあれば、第
１，第２のコーナー部分のインナーリード２６，２８か
ら数えて等数だけ離れた位置にあるインナーリードとな
る場合もあり、またインナーリードが一部欠けた配列の
時は等距離，等数に関係なく上記ベースフィルムの最大
変位の位置にあるかもしくはこれを中心として複数のイ
ンナーリードとなる場合もある。
【００３１】尚、上記等距離、等数の説明ではその辺の
インナーリード総数が奇数の場合について説明したが、
偶数の場合には上記等距離又は等数に最も近い左又は右
のインナーリードを示す。上記中央部分のインナーリー
ドの定義は、第２の実施例以下においても共通する。
【００３２】尚上記実施例では、すべて第１のコーナー
部分のインナーリードを左、第２のコーナー部分のイン
ナーリードを右として説明したが、この逆であってもよ
い。また、上記実施例では、バンプ１１を使用したが、
バンプレスの電極であってもよく、第１，第２のコーナ
ー部分、中央部分の各インナーリード２６，２８，２７
は、いずれも２本又は３本で示したが、１本であって
も、４本以上であってもよく、特に第１のコーナー部分
のインナーリード数がその辺の全インナーリード総数の
２５％以内であることが好ましい。上記実施例の工程
，，は、すべて中央部分のインナーリードの方向
へ接続方向が向いており、このようにすることが好まし
い。
【００３３】図２は本発明の２の実施例のボンディング
方法を示す斜視図である。図２において、この実施例
は、接続順序が上記第１の実施例と相違すること以外第
１の実施例と共通するため、この共通する部分の説明は
省略する。この実施例では、工程で第１のコーナー部
分のインナーリード１６を２本乃至３本接続し、次に工
程で中央部分のインナーリード１７を２本乃至３本接
続し、次に工程で中央部分のインナーリード１７を２
本乃至３本接続し、次に第２のコーナー部分のインナー
リード１８から前記インナーリード１７まで順次接続し
（工程）、次に工程でインナーリード１６の次のイ
ンナーリードからインナーリード１７まで順次接続する
（工程）。こうして、すべてのインナーリードの接続
が終了する。この実施例は、第１の実施例で使用された
半導体チップの平面サイズよりもより大きい場合（例え
ば１０ｍｍ乃至１５ｍｍ）の場合に用いられる。この実
施例では、一辺のインナーリードの総数も図１の場合よ
り多いため、中央部分のインナーリード１７を工程で
接続して、浮きあがりを防止しておくとが好ましい。上
記第１のコーナー部分及び中央部分の各インナーリード
１６，１７の２本乃至３本という数は、工程の接続す
る間にベースフィムウ１が熱膨張し、変位するのを防ぐ
ため、できるだけ少なくする方が好ましい。さらに、イ
ンナーリード１６，１７を放置する時間を最短にする上
でも、上記方法が好ましい。この実施例で、各インナー
リードが均等に配置されていない場合には、インナーリ
ード１６，１８間の距離の半分に相当する位置にあるか
又はこの位置に最も近いインナーリードを中央部分のイ
ンナーリードと定めてもよい。
【００３４】図３は本発明の第３の実施例のボンディン
グ方法を示す斜視図である。図３において、この実施例
は、接続順序及び半導体チップ１０のサイズ以外、上記
第１の実施例と共通するため、この共通する部分の説明
を省略する。この実施例では、工程で第１のコーナー
部分のインナーリード３６の接続後、工程で第１の中
間部分のインナーリード３７を接続し、さらに工程で
第２の中間部分のインナーリード３９を接続し、次に工
程で第２のコーナー部分のインナーリード４０から、
中央部分のインナーリード３８までこの方向に順次未接
続インナーリードを接続する。次に第１のコーナー部分
のインナーリード３６の次のインナーリードから、中央
部分のインナーリード３８に達するまで未接続インナー
リードを順次接続し、すべての接続を終了する。この実
施例で使用される半導体チップ１０は、上記第２の実施
例の平面サイズより大きいサイズが適している。インナ
ーリードの総数も図２の場合よりも多いため、中間位置
で２個所接続しているが、さらに、チップサイズに応じ
て３個所以上で接続してもよい。
【００３５】以上の各実施例は、一辺についてのみ説明
したが、他の３辺との接続順序については図４に示すよ
うに例えば超音波振動子１２を備えたボンディング・ツ
ール５０のホーン１３がある辺とこの反対辺のインナー
リード列はあとから接続し、最初に左右のインナーリー
ド列を接続することが好ましい。この接続順序は、超音
波併用のボンディング方法の場合であり、超音波振動子
１２より発信される振動の方向によっては位置ズレを促
進するから、超音波振動子の振導方向に対して平行に伸
びる左右のインナーリード列を先に接続する方が好まし
い。たたし、この辺に対する順序は、ボンディング前の
ＴＡＢテープのリードの位置精度が、最も悪い辺より実
施する選択をした方がよいので、位置精度が辺によって
差がない場合に特に効果的である。
【００３６】
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、上記目的
が達成され、インナーリードと電極との位置ズレが実質
的にない状態で接続されるため、電気的及び機械的に良
好な接続が得られ、半導体チップの大型化・多ピン化に
対応でき、高歩留まりを確保できる等の効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明第１の実施例のシングル・ポイント・ボ
ンディング方法を示す斜視図である。
【図２】本発明の第２の実施例の斜視図である。
【図３】本発明の第３の実施例の斜視図である。
【図４】本発明の実施例の応用例を示す斜視図である。
【図５】（ａ），（ｂ）はフィルムキャリアと半導体チ
ップとを示すそれぞれ平面図、断面図である。
【図６】（ａ），（ｂ）は従来のインナーリードのボン
ディング方法を示す平面図である。
【符号の説明】
１ ベースフィルム ２ スプロケットホール ３ デバイスホール ４ アウターリードホール ５ サスペンダ ６ リード ６Ａ，１６，１７，１８，２６，２７，２８，３６，３
７，３８，３９，４０，６１乃至６４，７１乃至７８
インナーリード ６Ｂ アウターリード ７ テストパッド ８ バンプ １０ 半導体チップ １１ バンプ １２ 超音波振動子 １３ ホーン ５０ ボンディング・ツール

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体チップの方形の主表面の各辺に沿
    って多数配列された電極に、それぞれ対向するインナー
    リードをベースフィルムに配列してなるインナーリード
    列を備えたフィルム・キャリア・テープを用いて、前記
    電極とこれに対向した前記インナーリードとを順次接続
    するシングル・ポイント・ボンディング方法において、
    前記インナーリード列のうち第１のコーナー部分のイン
    ナーリードを最初に接続した後第２のコーナー部分のイ
    ンナーリードから中央部分のインナーリードまでを順次
    接続し次いで前記第１のコーナー部分のインナーリード
    の次のインナーリードから前記中央部分のインナーリー
    ドに達するまでのインナーリードを順次接続することを
    特徴とするシングル・ポイント・ボンディング方法。
  2. 【請求項２】 半導体チップの方形の主表面の各辺に沿
    って多数配列された電極に、それぞれ対向するインナー
    リードをベースフィルムに配列してなるインナーリード
    列を備えたフィルム・キャリア・テープを用いて、前記
    電極とこれに対向した前記インナーリードとを順次接続
    するシングル・ポイント・ボンディング方法において、
    前記インナーリード列のうち第１のコーナー部分のイン
    ナーリードを最初に接続した後、中央部分のインナーリ
    ードを接続し、この次に第２のコーナー部分のインナー
    リードから前記中央部分のインナーリードに達するまで
    のインナーリードを順次接続し、この次に前記第１のコ
    ーナー部分の次のインナーリードから前記中央部分のイ
    ンナーリードに達するまでのインナーリードを順次接続
    することを特徴とするシングル・ポイント・ボンディン
    グ方法。
  3. 【請求項３】 半導体チップの方形の主表面の各辺に沿
    って多数配列された電極に、それぞれ対向するインナー
    リードをベースフィルムに配列してなるインナーリード
    列を備えたフィルム・キャリア・テープを用いて、前記
    電極とこれに対向した前記インナーリードとを順次接続
    するシングル・ポイント・ボンディング方法において、
    前記インナーリード列のうち第１のコーナー部分のイン
    ナーリードを最初に接続した後、第２のコーナー部分の
    インナーリードに向けて複数の中間部分のインナーリー
    ドを順次接続し、次いで前記第２のコーナー部分のイン
    ナーリードから中央部分のインナーリードまでを前記中
    間部分のインナーリードを除いて順次接続し、次いで前
    記第１のコーナー部分のインナーリードの次のインナー
    リードから前記中央部分のインナーリードに達するまで
    を前記中間部分のインナーリードを除いて順次接続する
    ことを特徴とするシングル・ポイント・ボンディング方
    法。
  4. 【請求項４】 前記中央部分のインナーリードを接続す
    る際に、前記第１及び第２のコーナー部分のインナーリ
    ードを接続した時に発生する前記ベースフィルムの最大
    変位の位置に最も近いインナーリードかもしくはこのイ
    ンナーリードを含む複数のインナーリードを前記中央部
    分のインナーリードとして接続する請求項１記載のシン
    グル・ポイント・ボンディング方法。
  5. 【請求項５】 前記第１，第２のコーナー部分のインナ
    ーリード内の各インナーリードを接続する順序が、前記
    中央部分のインナーリードの方向に向かう請求項１乃至
    ３記載のシングル・ポイント・ボンディング方法。
  6. 【請求項６】 前記第１のコーナー部分のインナーリー
    ドの接続数が、その辺の全インナーリード総数の２５％
    以内の接続数となっている請求項１乃至３記載のシング
    ル・ポイント・ボンディング方法。
  7. 【請求項７】 前記中央部分のインナーリードの接続数
    が、その辺の全インナーリード総数２５％以内の接続数
    となっている請求項２乃至３記載のシングル・ポイント
    ・ボンディング方法。
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