JPH0727765B2 - Wafer holding device - Google Patents
Wafer holding deviceInfo
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- JPH0727765B2 JPH0727765B2 JP60253520A JP25352085A JPH0727765B2 JP H0727765 B2 JPH0727765 B2 JP H0727765B2 JP 60253520 A JP60253520 A JP 60253520A JP 25352085 A JP25352085 A JP 25352085A JP H0727765 B2 JPH0727765 B2 JP H0727765B2
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明はウエハーにイオンを注入するときのそのウエ
ハーを保持する保持装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a holding device for holding a wafer when implanting ions into the wafer.
（従来の技術） ウエハーにイオンを注入する場合、そのウエハーを基盤
に固定して保持することは従来より行われている。第３
図はその従来構成を示し、１はアルミニウムのような熱
伝導の良い金属材料からなる基盤で、平面状とされてい
るその表面に接着剤２によってラバー３が固定されてあ
る。４はこのラバー３の表面に保持されるウエハーであ
る。(Prior Art) When implanting ions into a wafer, it has been conventionally performed to fix and hold the wafer on a substrate. Third
The figure shows the conventional structure, and 1 is a base made of a metal material having good heat conductivity such as aluminum, and a rubber 3 is fixed to the surface of the base by an adhesive agent 2. A wafer 4 is held on the surface of the rubber 3.
ウエハー４とラバー３との密着性を良くしてウエハー４
から熱を吸収し易くするために、ウエハー４は押え具５
によってその周縁が押えられるようにして保持される。
この押え具５はバネ６によって下降力が与えられ、この
下降力によってウエハー４を保持している。７は基盤１
の内部に設けられてある冷媒たとえば水、フレオンなど
が流通する冷媒通路である。ここを流れる冷媒によって
基盤１を冷却し、これによってイオン注入時のウエハー
４を冷却する。The adhesion between the wafer 4 and the rubber 3 is improved to improve the wafer 4.
In order to make it easier to absorb heat from the
It is held so that its peripheral edge is pressed by.
A downward force is applied to the retainer 5 by the spring 6, and the wafer 4 is held by the downward force. 7 is the base 1
Is a refrigerant passage through which a refrigerant such as water, freon, etc., is provided inside. The substrate 1 is cooled by the coolant flowing therethrough, thereby cooling the wafer 4 at the time of ion implantation.
ラバー３はウエハー４を弾力的に支持するのに使用され
るものであるが、従来では図に示すようにこのラバー３
の裏面全面を、基盤１の表面に接着剤２によって接着す
るようにしていた。しかしこのように全面的に接着した
場合、次のような不都合があった。The rubber 3 is used to elastically support the wafer 4, but the rubber 3 is conventionally used as shown in the figure.
The entire back surface of the substrate was adhered to the surface of the substrate 1 with the adhesive 2. However, when the entire surface is adhered in this way, there are the following inconveniences.
すなわち基盤１の表面には加工精度のバラツキなどによ
り微細の凹凸が存在することがあり、あるいはラバー３
の厚さにもバラツキがあり、そのためラバー３の表面に
微細な凹凸が現れる。このような凹凸が存在すると、如
何に押え具５によってウエハー４を押えても、ラバー３
の表面とウエハー４の裏面とが全面的に密着することが
できず、どうしても局部的に接触する。そのため両者の
間には非接触部分が形成されるから、ウエハー４からの
熱伝導が損われる。したがってこれではウエハー４を充
分に冷却することができない。That is, there may be fine irregularities on the surface of the substrate 1 due to variations in processing accuracy, or the rubber 3
The thickness of the rubber 3 also varies, so that fine irregularities appear on the surface of the rubber 3. If such unevenness is present, no matter how the pressing tool 5 presses the wafer 4, the rubber 3
The front surface of the wafer 4 and the back surface of the wafer 4 cannot be brought into close contact with each other entirely, and inevitably make local contact. Therefore, a non-contact portion is formed between them, so that heat conduction from the wafer 4 is impaired. Therefore, this cannot sufficiently cool the wafer 4.
これを回避するためにはウエハー４に対する押え具５に
よる押え力を高めて、ラバー３の表面の凹凸をなくする
ようにすればよいが、しかし押え具５による押え力を高
めても、ラバー３はその裏面全面が基盤１に接着剤２に
よって固定されているため、ラバー３はその横方向に向
かって逃げることができない。すなわちラバー３の弾性
の自由度が制限されてしまっているため、前記凹凸をな
くすまでにはつぶれにくい。In order to avoid this, the pressing force of the pressing tool 5 on the wafer 4 may be increased so as to eliminate the unevenness of the surface of the rubber 3. However, even if the pressing force of the pressing tool 5 is increased, the rubber 3 Since the entire back surface of the rubber is fixed to the base 1 by the adhesive 2, the rubber 3 cannot escape in the lateral direction. That is, since the flexibility of elasticity of the rubber 3 is limited, the rubber 3 is unlikely to be crushed by the time the irregularities are eliminated.
更に実際ではラバー３と接着剤２との間および接着剤２
と基盤１との間は、ラバー３の貼付け作業により完全に
接着されずに隙間が形成されることがあり、この隙間が
ウエハー４からの熱の伝達を阻害することがある。また
接着剤２の存在自体も前記したような熱の伝達の阻害原
因となることもある。Furthermore, in practice, between the rubber 3 and the adhesive 2 and the adhesive 2
A gap may be formed between the substrate 1 and the substrate 1 without being completely adhered by the sticking operation of the rubber 3, and this gap may hinder the transfer of heat from the wafer 4. In addition, the presence of the adhesive 2 itself may be a cause of hindering the heat transfer as described above.
（発明が解決しようとする問題点） この発明はラバーの表面にウエハーを支持するにあた
り、ラバー、基盤の接着不良によるウエハーからの熱の
伝導が阻害されないようにすることを目的とする。(Problems to be Solved by the Invention) An object of the present invention is to prevent the conduction of heat from the wafer due to defective adhesion between the rubber and the substrate when the wafer is supported on the surface of the rubber.
（問題点を解決するための手段） この発明はウエハーを支持するラバーを、その裏面周縁
において局部的に基盤の表面に接着剤により接着するす
るようにし、これによってウエハーを介してラバーに押
え具による押え力が作用したときでも、基盤上の凹凸に
なじむように滑ることができるようにしたことを特徴と
する。(Means for Solving the Problems) The present invention allows a rubber supporting a wafer to be locally adhered to the surface of a substrate at the peripheral edge of the back surface thereof with an adhesive, whereby the rubber is pressed through the wafer. The feature is that even when the pressing force by the action is applied, it can slide so as to conform to the irregularities on the base.
（実施例） この発明の実施例を第１図によって説明する。なお第３
図と同じ符号を附した部分は同一または対応する部分を
示す。この発明にしたがい、ラバー３の裏面周縁に接着
剤２を塗布し、この接着剤２によってラバー３を基盤１
の表面に局部的に接着して固定するようにしている。(Embodiment) An embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The third
The parts given the same reference numerals as those in the figures indicate the same or corresponding parts. In accordance with the present invention, the adhesive 2 is applied to the periphery of the back surface of the rubber 3, and the rubber 3 is applied to the base 1 by the adhesive 2.
Locally adhered and fixed to the surface of.
このようにラバー３を基盤１の表面に取り付けると、接
着剤２による接着部分以外の部分では、ラバー３の自由
度は特に制限を受けることはなく、したがって基盤１に
対してラバー３は自由に滑ることができるようになる。
そのため第２図に示すように基盤１の表面に凸部８が存
在していたとしても、その上にのったラバー３はこれに
押え力が働くと、矢印Ａで示すように凸部８を中心に左
右に滑るようになる。この滑りによって凸部８に向い合
うラバー３の表面には、なんら凸部が生じないようにな
る。When the rubber 3 is attached to the surface of the base 1 in this way, the degree of freedom of the rubber 3 is not particularly limited except for the portion bonded by the adhesive 2, and therefore the rubber 3 can be freely attached to the base 1. You will be able to slide.
Therefore, even if there is a convex portion 8 on the surface of the base 1 as shown in FIG. 2, when the pressing force acts on the rubber 3 placed on the convex portion 8 as shown by an arrow A, the convex portion 8 is formed. You can slide to the left and right around the center. Due to this sliding, no convex portion is formed on the surface of the rubber 3 facing the convex portion 8.
この場合従来のようにラバー３が全面的に接着されてい
るときは、凸部８を中心とする左右の滑りは起きないの
で、凸部８に向い合うラバー３の表面には凸部８と相似
の凸部が生ずるようになる。このことは前述した通りで
ある。In this case, when the rubber 3 is adhered over the entire surface as in the conventional case, left and right sliding around the convex portion 8 does not occur, so that the convex portion 8 is formed on the surface of the rubber 3 facing the convex portion 8. Similar protrusions will be created. This is as described above.
以上の結果ラバー３とウエハー４とは互いに密に接触し
合い、従来よりもその接触面積が広くなるので、ウエハ
ー４からの熱は速やかにラバー３を介して基盤１に伝導
されてくる。また従来のようにラバー３の裏面全面に接
着剤は存在しないので、接着剤層での熱抵抗はなくな
り、これによっても前記した熱の伝導は促進される。As a result of the above, the rubber 3 and the wafer 4 are in intimate contact with each other and the contact area is wider than in the conventional case, so that the heat from the wafer 4 is quickly conducted to the substrate 1 through the rubber 3. Further, since there is no adhesive on the entire back surface of the rubber 3 as in the conventional case, the heat resistance in the adhesive layer is eliminated, and this also promotes the above-mentioned heat conduction.
本発明者の実験によれば、イオン注入にあたり従来構成
ではウエハーの表面温度が約160℃程度であったのが、
同じ注入条件であっても前記した実施例構成では、これ
が約80〜100℃程度に低下したことが確認されている。According to the experiments conducted by the present inventor, the surface temperature of the wafer was about 160 ° C. in the conventional configuration upon ion implantation.
It has been confirmed that, even under the same injection conditions, in the configuration of the above-mentioned embodiment, this is lowered to about 80 to 100 ° C.
（発明の効果） 以上詳述したようにこの発明によれば、ウエハーを保持
するのにラバーを使用する場合、これを支持する基盤１
の表面に凹凸があったとしても、ラバーとウエハーとは
確実に密着するようになり、したがってウエハーからの
熱が基盤に伝導されるのが阻害されるといった不都合
は、これをもって確実に回避できる効果を奏する。(Effect of the Invention) As described in detail above, according to the present invention, when a rubber is used to hold a wafer, a base 1 for supporting the rubber is used.
Even if there is unevenness on the surface of the wafer, the rubber and the wafer will surely come into close contact with each other, and thus the inconvenience that the heat from the wafer is prevented from being conducted to the substrate can be reliably avoided. Play.
第１図はこの発明の実施例を示す断面図、第２図は動作
説明用の断面図、第３図は従来例の断面図である。 １……基盤、２……接着剤、３……ラバー、４……ウエ
ハー、５……押え具、FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a sectional view for explaining the operation, and FIG. 3 is a sectional view of a conventional example. 1 ... Base, 2 ... Adhesive, 3 ... Rubber, 4 ... Wafer, 5 ... Presser,
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤沢 博 京都府京都市右京区梅津高畝町47番地 日 新電機株式会社内 (72)発明者 林 佳史 京都府京都市右京区梅津高畝町47番地 日 新電機株式会社内 (72)発明者 西川 和宏 京都府京都市右京区梅津高畝町47番地 日 新電機株式会社内 (56)参考文献 特開 昭59−28333（ＪＰ，Ａ) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Hiroshi Fujisawa, 47 Umezu Takaune-cho, Ukyo-ku, Kyoto City, Kyoto Prefecture Nissin Electric Co., Ltd. Incorporated (72) Inventor Kazuhiro Nishikawa 47 Umezu Takaunecho, Ukyo-ku, Kyoto Prefecture Nissin Electric Co., Ltd. (56) Reference JP-A-59-28333 (JP, A)
Claims (1)
面にラバーを介してウエハーを支持し、前記ウエハーの
周縁を弾力的に押えて保持してなるウエハー保持装置に
おいて、前記ラバーをその裏面周縁において局部的に前
記基盤の表面に接着剤により接着してなるウエハー保持
装置。1. A wafer holding device in which a wafer is supported on a flat surface of a base made of metal via a rubber, and the peripheral edge of the wafer is elastically pressed to hold the wafer. A wafer holding device which is locally adhered to the front surface of the substrate by an adhesive at the periphery of the back surface.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60253520A JPH0727765B2 (en) | 1985-11-11 | 1985-11-11 | Wafer holding device |
Applications Claiming Priority (1)
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| JPS62113347A JPS62113347A (en) | 1987-05-25 |
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ID=17252509
Family Applications (1)
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| JP60253520A Expired - Fee Related JPH0727765B2 (en) | 1985-11-11 | 1985-11-11 | Wafer holding device |
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| Country | Link |
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Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0017472A1 (en) * | 1979-04-06 | 1980-10-15 | Lintott Engineering Limited | Evacuable equipment containing a device for heat transfer and process for the manufacture of semi-conductor components using this equipment |
| JPS6231972Y2 (en) * | 1979-12-21 | 1987-08-15 | ||
| JPS58184248A (en) * | 1982-04-21 | 1983-10-27 | Kokusai Electric Co Ltd | Semi-conductor substrate holding device for ion implantation device |
-
1985
- 1985-11-11 JP JP60253520A patent/JPH0727765B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| JPS62113347A (en) | 1987-05-25 |
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