JPH0727765B2 - ウエハ−保持装置 - Google Patents
ウエハ−保持装置Info
- Publication number
- JPH0727765B2 JPH0727765B2 JP60253520A JP25352085A JPH0727765B2 JP H0727765 B2 JPH0727765 B2 JP H0727765B2 JP 60253520 A JP60253520 A JP 60253520A JP 25352085 A JP25352085 A JP 25352085A JP H0727765 B2 JPH0727765 B2 JP H0727765B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- rubber
- wafer
- adhesive
- substrate
- holding device
- Prior art date
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明はウエハーにイオンを注入するときのそのウエ
ハーを保持する保持装置に関する。
ハーを保持する保持装置に関する。
（従来の技術） ウエハーにイオンを注入する場合、そのウエハーを基盤
に固定して保持することは従来より行われている。第３
図はその従来構成を示し、１はアルミニウムのような熱
伝導の良い金属材料からなる基盤で、平面状とされてい
るその表面に接着剤２によってラバー３が固定されてあ
る。４はこのラバー３の表面に保持されるウエハーであ
る。
に固定して保持することは従来より行われている。第３
図はその従来構成を示し、１はアルミニウムのような熱
伝導の良い金属材料からなる基盤で、平面状とされてい
るその表面に接着剤２によってラバー３が固定されてあ
る。４はこのラバー３の表面に保持されるウエハーであ
る。
ウエハー４とラバー３との密着性を良くしてウエハー４
から熱を吸収し易くするために、ウエハー４は押え具５
によってその周縁が押えられるようにして保持される。
この押え具５はバネ６によって下降力が与えられ、この
下降力によってウエハー４を保持している。７は基盤１
の内部に設けられてある冷媒たとえば水、フレオンなど
が流通する冷媒通路である。ここを流れる冷媒によって
基盤１を冷却し、これによってイオン注入時のウエハー
４を冷却する。
から熱を吸収し易くするために、ウエハー４は押え具５
によってその周縁が押えられるようにして保持される。
この押え具５はバネ６によって下降力が与えられ、この
下降力によってウエハー４を保持している。７は基盤１
の内部に設けられてある冷媒たとえば水、フレオンなど
が流通する冷媒通路である。ここを流れる冷媒によって
基盤１を冷却し、これによってイオン注入時のウエハー
４を冷却する。
ラバー３はウエハー４を弾力的に支持するのに使用され
るものであるが、従来では図に示すようにこのラバー３
の裏面全面を、基盤１の表面に接着剤２によって接着す
るようにしていた。しかしこのように全面的に接着した
場合、次のような不都合があった。
るものであるが、従来では図に示すようにこのラバー３
の裏面全面を、基盤１の表面に接着剤２によって接着す
るようにしていた。しかしこのように全面的に接着した
場合、次のような不都合があった。
すなわち基盤１の表面には加工精度のバラツキなどによ
り微細の凹凸が存在することがあり、あるいはラバー３
の厚さにもバラツキがあり、そのためラバー３の表面に
微細な凹凸が現れる。このような凹凸が存在すると、如
何に押え具５によってウエハー４を押えても、ラバー３
の表面とウエハー４の裏面とが全面的に密着することが
できず、どうしても局部的に接触する。そのため両者の
間には非接触部分が形成されるから、ウエハー４からの
熱伝導が損われる。したがってこれではウエハー４を充
分に冷却することができない。
り微細の凹凸が存在することがあり、あるいはラバー３
の厚さにもバラツキがあり、そのためラバー３の表面に
微細な凹凸が現れる。このような凹凸が存在すると、如
何に押え具５によってウエハー４を押えても、ラバー３
の表面とウエハー４の裏面とが全面的に密着することが
できず、どうしても局部的に接触する。そのため両者の
間には非接触部分が形成されるから、ウエハー４からの
熱伝導が損われる。したがってこれではウエハー４を充
分に冷却することができない。
これを回避するためにはウエハー４に対する押え具５に
よる押え力を高めて、ラバー３の表面の凹凸をなくする
ようにすればよいが、しかし押え具５による押え力を高
めても、ラバー３はその裏面全面が基盤１に接着剤２に
よって固定されているため、ラバー３はその横方向に向
かって逃げることができない。すなわちラバー３の弾性
の自由度が制限されてしまっているため、前記凹凸をな
くすまでにはつぶれにくい。
よる押え力を高めて、ラバー３の表面の凹凸をなくする
ようにすればよいが、しかし押え具５による押え力を高
めても、ラバー３はその裏面全面が基盤１に接着剤２に
よって固定されているため、ラバー３はその横方向に向
かって逃げることができない。すなわちラバー３の弾性
の自由度が制限されてしまっているため、前記凹凸をな
くすまでにはつぶれにくい。
更に実際ではラバー３と接着剤２との間および接着剤２
と基盤１との間は、ラバー３の貼付け作業により完全に
接着されずに隙間が形成されることがあり、この隙間が
ウエハー４からの熱の伝達を阻害することがある。また
接着剤２の存在自体も前記したような熱の伝達の阻害原
因となることもある。
と基盤１との間は、ラバー３の貼付け作業により完全に
接着されずに隙間が形成されることがあり、この隙間が
ウエハー４からの熱の伝達を阻害することがある。また
接着剤２の存在自体も前記したような熱の伝達の阻害原
因となることもある。
（発明が解決しようとする問題点） この発明はラバーの表面にウエハーを支持するにあた
り、ラバー、基盤の接着不良によるウエハーからの熱の
伝導が阻害されないようにすることを目的とする。
り、ラバー、基盤の接着不良によるウエハーからの熱の
伝導が阻害されないようにすることを目的とする。
（問題点を解決するための手段） この発明はウエハーを支持するラバーを、その裏面周縁
において局部的に基盤の表面に接着剤により接着するす
るようにし、これによってウエハーを介してラバーに押
え具による押え力が作用したときでも、基盤上の凹凸に
なじむように滑ることができるようにしたことを特徴と
する。
において局部的に基盤の表面に接着剤により接着するす
るようにし、これによってウエハーを介してラバーに押
え具による押え力が作用したときでも、基盤上の凹凸に
なじむように滑ることができるようにしたことを特徴と
する。
（実施例） この発明の実施例を第１図によって説明する。なお第３
図と同じ符号を附した部分は同一または対応する部分を
示す。この発明にしたがい、ラバー３の裏面周縁に接着
剤２を塗布し、この接着剤２によってラバー３を基盤１
の表面に局部的に接着して固定するようにしている。
図と同じ符号を附した部分は同一または対応する部分を
示す。この発明にしたがい、ラバー３の裏面周縁に接着
剤２を塗布し、この接着剤２によってラバー３を基盤１
の表面に局部的に接着して固定するようにしている。
このようにラバー３を基盤１の表面に取り付けると、接
着剤２による接着部分以外の部分では、ラバー３の自由
度は特に制限を受けることはなく、したがって基盤１に
対してラバー３は自由に滑ることができるようになる。
そのため第２図に示すように基盤１の表面に凸部８が存
在していたとしても、その上にのったラバー３はこれに
押え力が働くと、矢印Ａで示すように凸部８を中心に左
右に滑るようになる。この滑りによって凸部８に向い合
うラバー３の表面には、なんら凸部が生じないようにな
る。
着剤２による接着部分以外の部分では、ラバー３の自由
度は特に制限を受けることはなく、したがって基盤１に
対してラバー３は自由に滑ることができるようになる。
そのため第２図に示すように基盤１の表面に凸部８が存
在していたとしても、その上にのったラバー３はこれに
押え力が働くと、矢印Ａで示すように凸部８を中心に左
右に滑るようになる。この滑りによって凸部８に向い合
うラバー３の表面には、なんら凸部が生じないようにな
る。
この場合従来のようにラバー３が全面的に接着されてい
るときは、凸部８を中心とする左右の滑りは起きないの
で、凸部８に向い合うラバー３の表面には凸部８と相似
の凸部が生ずるようになる。このことは前述した通りで
ある。
るときは、凸部８を中心とする左右の滑りは起きないの
で、凸部８に向い合うラバー３の表面には凸部８と相似
の凸部が生ずるようになる。このことは前述した通りで
ある。
以上の結果ラバー３とウエハー４とは互いに密に接触し
合い、従来よりもその接触面積が広くなるので、ウエハ
ー４からの熱は速やかにラバー３を介して基盤１に伝導
されてくる。また従来のようにラバー３の裏面全面に接
着剤は存在しないので、接着剤層での熱抵抗はなくな
り、これによっても前記した熱の伝導は促進される。
合い、従来よりもその接触面積が広くなるので、ウエハ
ー４からの熱は速やかにラバー３を介して基盤１に伝導
されてくる。また従来のようにラバー３の裏面全面に接
着剤は存在しないので、接着剤層での熱抵抗はなくな
り、これによっても前記した熱の伝導は促進される。
本発明者の実験によれば、イオン注入にあたり従来構成
ではウエハーの表面温度が約160℃程度であったのが、
同じ注入条件であっても前記した実施例構成では、これ
が約80〜100℃程度に低下したことが確認されている。
ではウエハーの表面温度が約160℃程度であったのが、
同じ注入条件であっても前記した実施例構成では、これ
が約80〜100℃程度に低下したことが確認されている。
（発明の効果） 以上詳述したようにこの発明によれば、ウエハーを保持
するのにラバーを使用する場合、これを支持する基盤１
の表面に凹凸があったとしても、ラバーとウエハーとは
確実に密着するようになり、したがってウエハーからの
熱が基盤に伝導されるのが阻害されるといった不都合
は、これをもって確実に回避できる効果を奏する。
するのにラバーを使用する場合、これを支持する基盤１
の表面に凹凸があったとしても、ラバーとウエハーとは
確実に密着するようになり、したがってウエハーからの
熱が基盤に伝導されるのが阻害されるといった不都合
は、これをもって確実に回避できる効果を奏する。
第１図はこの発明の実施例を示す断面図、第２図は動作
説明用の断面図、第３図は従来例の断面図である。 １……基盤、２……接着剤、３……ラバー、４……ウエ
ハー、５……押え具、
説明用の断面図、第３図は従来例の断面図である。 １……基盤、２……接着剤、３……ラバー、４……ウエ
ハー、５……押え具、
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤沢 博 京都府京都市右京区梅津高畝町47番地 日 新電機株式会社内 (72)発明者 林 佳史 京都府京都市右京区梅津高畝町47番地 日 新電機株式会社内 (72)発明者 西川 和宏 京都府京都市右京区梅津高畝町47番地 日 新電機株式会社内 (56)参考文献 特開 昭59−28333（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】金属からなる基盤の平面状とされている表
面にラバーを介してウエハーを支持し、前記ウエハーの
周縁を弾力的に押えて保持してなるウエハー保持装置に
おいて、前記ラバーをその裏面周縁において局部的に前
記基盤の表面に接着剤により接着してなるウエハー保持
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60253520A JPH0727765B2 (ja) | 1985-11-11 | 1985-11-11 | ウエハ−保持装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60253520A JPH0727765B2 (ja) | 1985-11-11 | 1985-11-11 | ウエハ−保持装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62113347A JPS62113347A (ja) | 1987-05-25 |
| JPH0727765B2 true JPH0727765B2 (ja) | 1995-03-29 |
Family
ID=17252509
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60253520A Expired - Fee Related JPH0727765B2 (ja) | 1985-11-11 | 1985-11-11 | ウエハ−保持装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0727765B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0017472A1 (en) * | 1979-04-06 | 1980-10-15 | Lintott Engineering Limited | Evacuable equipment containing a device for heat transfer and process for the manufacture of semi-conductor components using this equipment |
| JPS6231972Y2 (ja) * | 1979-12-21 | 1987-08-15 | ||
| JPS58184248A (ja) * | 1982-04-21 | 1983-10-27 | Kokusai Electric Co Ltd | イオン注入装置の半導体基板保持装置 |
-
1985
- 1985-11-11 JP JP60253520A patent/JPH0727765B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62113347A (ja) | 1987-05-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |