JPH07281004A

JPH07281004A - 着色低抵抗膜形成用塗布液、着色低抵抗膜、及びその製造方法

Info

Publication number: JPH07281004A
Application number: JP6069709A
Authority: JP
Inventors: Kazuya Hiratsuka; 和也平塚; Yasuhiro Sanada; 恭宏真田; Keisuke Abe; 啓介阿部; Takeshi Morimoto; 剛森本; Keiko Ohashi; 恵子大橋
Original assignee: Asahi Glass Co Ltd
Current assignee: AGC Inc
Priority date: 1994-04-07
Filing date: 1994-04-07
Publication date: 1995-10-27

Abstract

(57)【要約】【構成】１次粒径１０〜１００ｎｍのカーボンブラック
を含み、さらにはＳｎ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｔ
ｉ、Ｓｉ及びＧａの群から選ばれる少なくとも１種の元
素の化合物を含む、着色低抵抗膜形成用塗布液。【効果】従来技術ではなし得なかった高品位の着色及び
帯電防止のみならず電磁波シールド領域もカバーし得る
低抵抗性を膜に付与し得る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は主として陰極線管用パネ
ル等に適用される着色低抵抗膜形成用塗布液、それを塗
布して得られる着色低抵抗膜及びその製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】低抵抗膜、着色膜、着色帯電防止膜、低
反射帯電防止膜、着色低反射帯電防止膜のコーティング
方法は従来より光学機器においてはいうまでもなく、民
生用機器特にＴＶ、コンピュータ端末の陰極線管（ＣＲ
Ｔ）に関し多く検討がなされてきた。

【０００３】帯電防止に関しては、ブラウン管パネル表
面を３５０℃程度に加熱してＣＶＤ法により酸化スズ及
び酸化インジウム等の導電性酸化物層を設ける方法が提
案されている（特開昭６３−７６２４７）。しかしＣＶ
Ｄ法により帯電防止膜を付与させる手法は装置コストが
かかることに加えてブラウン管表面を高温に加熱するた
めブラウン管内の蛍光体の脱落を生じたり、寸法精度が
低下する等の問題があった。またこの場合通常４００℃
程度の高温を必要とし、低温で焼成した場合充分低抵抗
である膜が得られない欠点があり、また電磁波シールド
効果を発現し得る低抵抗膜を得にくい欠点があった。

【０００４】膜の着色に関しては、水溶性フタロシアニ
ン化合物を用いる方法が提案されている（特開平１−２
７５６６４）。また、帯電防止能を持つ着色膜について
は、メチルバイオレットを用いた帯電防止膜の記述があ
る（特開平１−２５１５４５）。しかしこれらの着色剤
は本質的に絶縁体であり、膜を低抵抗化する際には補助
成分として導電物質を添加する必要があった。

【０００５】低反射性に関しては、たとえばブラウン管
表面に防眩効果をもたせるために表面に微細な凹凸を有
するＳｉＯ₂ 層を付着させたり、フッ酸により表面をエ
ッチングして凹凸を設ける等の方法が採られてきた（特
開昭６１−１１８９３１）。しかし、これらの方法は、
外部光を散乱させるノングレア処理と呼ばれ、本質的に
低反射層を設ける方法ではないため、反射率の低減には
限界があり、またブラウン管等においては解像度を低下
させる原因ともなっていた。

【０００６】低反射低抵抗膜については、イオンプレー
ティング法による光学多層膜を設ける方法が記載されて
いる（特開平３−９３１３６）。しかし、イオンプレー
ティングによる方法は工業的に安価とはいえない。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上述の問題点
を解決すべくなされたものであり、高性能を有する新規
な着色低抵抗膜形成用塗布液、着色低抵抗膜、着色低反
射低抵抗膜及びこれらの製造方法を提供する。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、１次粒径１０
〜１００ｎｍのカーボンブラックを含むことを特徴とす
る着色低抵抗膜形成用塗布液である。

【０００９】本発明の着色膜、着色低抵抗膜及び着色低
反射低抵抗膜はディスプレイ用途に供されるガラス物品
に好ましく用いられる。ガラス物品としての陰極線管は
近年コンピュータ端末表示等に使用される場合高解像度
の要求とともにハイコントラストの要求も高まりつつあ
る。

【００１０】しかしコントラストの向上を期してガラス
自体の透過率を低下させた場合、ディスプレイの大型化
に伴ってフェイスプレートの肉厚も厚くなっていること
から、特に大型ディスプレイでは透過率の著しい低下が
問題となる。

【００１１】本発明ではガラス自体の透過率を下げるこ
となくその表面に膜を形成しこの膜で光吸収を生じさせ
ることによりコントラストの向上を図る。したがって、
種々の肉厚を持つディスプレイ用ガラスパネルへの適用
がきわめて容易となる。

【００１２】陰極線管の発光スペクトルは複数のスペク
トルで構成されるが、発光スペクトルのバランスを崩さ
ずにコントラストの向上を図るには特定の光吸収を持つ
着色膜よりも可視光の波長領域、特に３８０〜７００ｎ
ｍにわたって均一の光吸収をもつ着色膜が好ましい。

【００１３】また近年はコンピュータの普及にともない
ＣＤＴから放射される電磁波の人体への有害性が問題視
されており、この対策としてＣＤＴパネル表面を低抵抗
化することにより電磁波漏洩を遮断する試みが行われて
いる。

【００１４】真空装置を用いない湿式コートによる塗膜
形成法は安価な手法ではあるが公知の導電物質では着色
力をほとんど有しておらず、前述の着色に対するニーズ
をも満足させるためには着色かつ低抵抗を有する物質を
含む塗布液を用いることが好ましい。

【００１５】本発明は、カーボンブラックを均一に分散
させた液を含む塗布液を用いることにより、低抵抗を有
しかつ充分な着色力を有する着色低抵抗膜を製造できる
ことが明らかとなったという新規知見に基づく。

【００１６】本発明において用いられるカーボンブラッ
クは特に限定されず、種々の物質が使用できる。カーボ
ンブラックには製法によって多様な種類があり、たとえ
ば不完全燃焼法によるファーネスブラック、チャンネル
ブラック、ランプブラック及び熱分解法によるサーマル
ブラック、アセチレンブラック等が知られている。本発
明においてはこれらのいずれも好適に使用できる。

【００１７】用いるカーボンブラックの１次粒径は１０
ｎｍ〜１００ｎｍの範囲とされる。１０ｎｍ未満の１次
粒径では液中での分散安定性に乏しく、１００ｎｍ超の
１次粒径では塗膜外観が悪化するため好ましくない。カ
ーボンブラックの塗布液中での含有量は全固形分量に対
し１〜９０重量％の範囲であることが好ましく、これ以
下の場合着色性能が充分でなく、またこれ以上の場合膜
の強度が低下するため好ましくない。

【００１８】カーボンブラックを含む液を合成する際に
は粒子が均一に分散していることが必要であるが、粒子
の均一分散が可能な手法であれば分散媒、分散法等には
特に限定されず、公知の種々の分散媒、分散法が使用で
きる。特に好ましくは水あるいはアルコール等の有機溶
媒中に粒子を添加し界面活性剤、酸、アルカリ等の分散
助剤を添加し、コロイドミル、サンドミル、ホモジナイ
ザー等の市販の粉砕器で分散させて得ることができる。
特に分散助剤としては界面活性剤が分散効率の点から有
効であり、特に陰イオン系及び非イオン系界面活性剤は
好ましい。

【００１９】本発明においては塗布液中にカーボンブラ
ックを含むことで所期の目標を達成できるが、塗布液中
にＳｎ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｓｉ及びＧａ
の群から選ばれる少なくとも１種の元素の化合物を含有
させることにより透過率、表面抵抗の制御ができ、さら
に成膜性を向上させることができる。

【００２０】特にＳｂをドープした酸化スズあるいはＳ
ｎをドープした酸化インジウムを塗布液中に添加した場
合、前記酸化物は可視光に対しほぼ透明でかつ導電性を
有しているため塗膜の表面抵抗の上昇を抑制しつつ、透
過率の上昇が可能となる。

【００２１】本発明においては、塗布液中に公知の染料
あるいは顔料を添加することにより、得られる着色低抵
抗膜の色調を変化させることもできる。染料としては公
知のアゾ染料、アントラキノン染料等が使用でき、また
顔料としてはスピネル系顔料等種々使用できる。

【００２２】顔料のうち窒素を０．１〜３０重量％含有
するＴｉＯ_x （１．０≦ｘ＜２．０）は着色力に優れ、
またある程度の電導性も有しており、かつ分散性、安定
性に優れるため特に好ましい。

【００２３】これら酸化物は塗布液中に粒子として分散
させることもでき、また別の化合物溶液として用いて基
体上で酸化物化させることもできる。これら酸化物の粒
子を分散させる手法には特に制限はないが、水あるいは
アルコール等の有機溶媒中に粒子を添加し界面活性剤、
酸、アルカリ等の分散助剤を添加し、コロイドミル、サ
ンドミル、ホモジナイザー等の市販の粉砕器で分散させ
る手法が好ましい。またこの場合、金属酸化物粒子を単
独で分散して用いることもできるし、前述のカーボンブ
ラックと混合して分散させることもできる。

【００２４】またＳｉ化合物を添加した場合、膜外観が
向上するため好ましい。Ｓｉ化合物としては特に制限さ
れないが、Ｓｉ（ＯＲ）_m Ｒ_n （ｍ＋ｎ＝４、ｍ＝１〜
４、Ｒ＝Ｃ₁ 〜Ｃ₄ のアルキル基）で示される化合物あ
るいはその加水分解物を用いることが好ましい。またケ
イ酸ソーダのイオン交換法等公知手法によって得られる
重合ケイ酸よりなるシリカゾルを用いることも好まし
い。

【００２５】本発明においては、着色低抵抗膜塗布液と
してカーボンブラックを分散させた液をそのまま用いる
こともできるし、また種々の溶媒で希釈して用いること
もできる。使用できる溶媒としては特に限定はなく、
水、アルコールあるいはケトン、エーテル、エステル類
等種々の有機溶媒が使用できる。

【００２６】さらに上記着色低抵抗膜形成用塗布液を用
いて得られる着色低抵抗膜上に当該被膜よりも低屈折率
を有する膜を形成し、解像度を損なうことなく蛍光灯の
写り込み等を制御する低反射性能をも付与することを可
能とした。

【００２７】一般に、薄膜の光学的性能はその膜を構成
する屈折率と膜厚で決定される。ここで一定の屈折率ｎ
_S を有する基体上に屈折率ｎを有する薄膜を付着させ、
屈折率ｎ₀ の溶質中より波長λの光が入射した場合のエ
ネルギー反射率Ｒは光が膜中を通過する際の位相差をΔ
とするとΔ＝４πｎｄ／λ（ｄ：膜厚）であり、Δ＝
（２ｍ＋１）π、すなわち位相差Δが半波長の奇数倍の
とき、極小値をとり、このとき、数１のようになる。

【００２８】

【数１】

【００２９】無反射条件を満たすには、数１において、
Ｒ＝０とおき、数２を満たすことが必要とされる。

【００３０】

【数２】

【００３１】数２を２層構成に拡張した場合、数３のよ
うになる。ただし、ｎ₁ は媒質側層、ｎ₂ は基体側層の
屈折率である。

【００３２】

【数３】

【００３３】ここでｎ₀ ＝１（空気）、ｎ_S ＝１．５２
（ガラス）を数３に適用した場合、ｎ₂ ／ｎ₁ ＝１．２
３となり、この場合、２層構成膜の最大の低反射性が得
られる。勿論ｎ₂ ／ｎ₁ ＝１．２３を満たさなくても、
２層膜の屈折率がこれに近い値をとれる場合、低反射性
が得られる。したがって、基体側に設ける高屈折率層と
媒質側に設ける低屈折率層は両者の屈折率比ができるだ
け１．２３に近い値を選択するのが望ましい。本発明に
おいて、所望の低反射膜を得るには、多層膜間の屈折率
差と合わせて膜厚も重要な要素である。

【００３４】反射防止性能を有する多層の低反射膜の構
成としては、反射防止をしたい波長をλとして、基体側
より高屈折率層及び低屈折率層を光学厚みλ／２及びλ
／４で構成した低反射膜や、基体側より中屈折率層、高
屈折率層及び低屈折率層を光学厚みλ／４、λ／２及び
λ／４で順次形成した３層の低反射膜や、基体側より低
屈折率層、中屈折率層、高屈折率層及び低屈折率層を光
学厚みλ／４、λ／４、λ／２及びλ／４で順次形成し
た４層の低反射膜等が典型的な例として知られている。

【００３５】また、着色低反射低抵抗膜において低屈折
率膜を構成する物質としてはケイ素化合物が屈折率、膜
強度の点より好ましく用いられる。

【００３６】ケイ素化合物としてはＳｉ（ＯＲ）_m Ｒ_n
（ｍ＋ｎ＝４、ｍ＝１〜４、Ｒ＝Ｃ１〜Ｃ４のアルキル
基）で示される化合物あるいは部分加水分解物を用いる
ことが好ましいが、ケイフッ化水素酸、ホウ酸を含む水
溶液に二酸化ケイ素粉末を飽和させてなる溶液より析出
させてできるケイ素化合物も使用できる。

【００３７】Ｓｉ（ＯＲ）_m Ｒ_n で示される化合物ある
いは部分加水分解物の着色低抵抗膜上への塗布方法とし
ては、スピンコート法、ディップコート法、スプレー
法、ロールコーター法、メニスカスコーター法等、種々
考えられる。特にスピンコート法は量産性、再現性に優
れ、好ましくい。かかる方法によって１０ｎｍ〜１μｍ
程度の膜が形成できる。

【００３８】本発明における着色低抵抗膜は基体上に着
色低抵抗膜形成用塗布液を前述の方法で塗布し、必要に
応じて乾燥し、その後続けて低屈折率を有する膜を形成
することもできるし、また、着色低抵抗膜形成用塗布液
を塗布した後に加熱及び／又は紫外線照射をした後低屈
折率を有する膜を形成することもできる。また、本発明
では低屈折率を有する膜を形成した後に加熱及び／又は
紫外線照射をすることにより、実用的な強度が得られる
ため好ましい。

【００３９】本発明の着色膜では、高屈折率のカーボン
ブラックを用いるので、上記低屈折率膜との２層で構成
することにより、前述の低反射性能が容易に発現され
る。

【００４０】本発明において、着色膜、着色帯電防止膜
及び着色低反射帯電防止膜を形成する基体としては特に
限定されず、目的に応じてソーダライムシリケートガラ
ス、アルミノシリケートガラス、ホウケイ酸塩ガラス、
リチウムアルミノシリケートガラス、石英ガラス等のガ
ラス、鋼玉等の単結晶、マグネシア、サイアロン等の透
光性セラミックス、ポリカーボネート等のプラスチック
も使用できる。

【００４１】

【作用】本発明の着色低抵抗膜においては着色低抵抗成
分として着色力、導電性に優れたカーボンブラックが均
一分散された塗布液を用いて成膜されるため容易に高性
能を有する膜が得られる。

【００４２】

【実施例】以下に実施例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明はこれらの実施例によって限定されるもの
ではない。

【００４３】１）透過率評価：日立製作所製スペクトロ
フォトメータＵ−３５００により視感透過率を測定し
た。

【００４４】２）導電性評価：三菱油化製ハイレスタ抵
抗測定器により相対湿度３０％以下の雰囲気中で膜表面
の表面抵抗を測定した。

【００４５】３）耐擦傷性：１ｋｇ重の荷重下、消しゴ
ムで膜表面を５０回往復後、その表面の傷のつき方を目
視で判断した。評価基準は、○：傷が全くつかない、
△：傷が多少つく、×：多く傷がつくか剥離、とした。

【００４６】４）視感反射率：ＧＡＭＭＡ分光反射スペ
クトル測定器により膜の３８０〜７００ｎｍの視感反射
率を測定した。なお、視感反射率は２層コートの膜につ
いてのみ測定した。

【００４７】［実施例１］カーボンブラック（１次粒径
３５ｎｍ）１０ｇをあらかじめ界面活性剤（ノニルフェ
ノールエトキシレート）３．０ｇを添加した水溶液５０
ｇ中に添加してサンドミルで２時間粉砕処理した後、水
で濃度１０重量％に調整し、平均粒径１３０ｎｍのゾル
を得た（Ａ液）。

【００４８】Ａ液を水：エタノール＝８０：２０の重量
比の液で炭素換算で固形分濃度１．２重量％となるよう
になるように希釈した後、ブラウン管パネル表面に１０
０ｒｐｍの回転速度で６０秒間塗布し、その後１６０℃
で３０分間加熱し約１００ｎｍの厚さの着色低抵抗膜を
得た。

【００４９】［実施例２］Ｓｂが１５ｍｏｌ％ドープさ
れたＳｎＯ₂ 粉末（１次粒径１０ｎｍ）１５ｇを水８５
ｇ中に添加してサンドミルで１６時間粉砕して９０℃で
１時間加熱した後、水で酸化物換算固形分濃度１０重量
％に調整し、平均粒径５０ｎｍのゾルを得た（Ｂ液）。

【００５０】Ａ液とＢ液を３：７の重量比となるように
混合し、さらに水：エタノール＝８０：２０重量比の液
で固形分濃度１．２重量％となるようになるように希釈
した後ブラウン管パネル表面に１００ｒｐｍの回転速度
で６０秒間塗布し、その後１６０℃で３０分間加熱し約
１００ｎｍの厚さの着色低抵抗膜膜を得た。

【００５１】［実施例３］酸性シリカゾル（溶媒：水、
１次粒径：１５ｎｍ、ｐＨ：３．０、酸化物換算固形分
濃度：２０重量％）を水で酸化物換算固形分濃度１０重
量％に希釈した（Ｃ液）。

【００５２】Ａ液とＣ液を３：７の重量比となるように
混合し、さらに水：エタノール＝８０：２０の重量比の
液で固形分濃度１．２重量％となるように希釈した後ブ
ラウン管パネル表面に１００ｒｐｍの回転速度で６０秒
間塗布し、その後１６０℃で３０分間加熱し約１００ｎ
ｍの厚さの着色低抵抗膜を得た。

【００５３】［実施例４］窒素を０．１〜３０重量％含
有するＴｉＯ_x （１．０≦ｘ＜２．０）１５ｇをあらか
じめｐＨ３．０に調整した水溶液８５ｇ中に添加してサ
ンドミルで４時間粉砕して９０℃で１時間加熱した後、
水で濃度１０重量％に調整し、平均粒径９０ｎｍのゾル
を得た（Ｄ液）。

【００５４】Ａ液とＤ液を３：７の重量比となるように
混合し、さらに水：エタノール＝８０：２０の重量比の
液で固形分濃度１．２重量％となるように希釈した後ブ
ラウン管パネル表面にスピンコーターで１００ｒｐｍの
回転速度で６０秒間塗布し、その後１６０℃で３０分間
加熱し約１００ｎｍの厚さの着色低抵抗膜を得た。

【００５５】［実施例５］Ａ液とＣ液を９：１の重量比
となるように混合し、さらに水で固形分濃度２重量％と
なるように希釈した。この液を６０℃で１時間加熱処理
した（Ｅ液）。

【００５６】Ｅ液中の固形分濃度：Ｂ液中の固形分濃度
＝３：７となるように、Ｅ液にＢ液を添加した。さらに
水：エタノール＝８０：２０の重量比の液で総固形分濃
度１．２重量％となるように希釈した後、ブラウン管パ
ネル表面にスピンコーターで１００ｒｐｍの回転速度で
６０秒間塗布し、その後１６０℃で３０分間加熱し約１
００ｎｍの厚さの着色低抵抗膜を得た。

【００５７】［実施例６］カーボンブラック（１次粒径
３５ｎｍ）１０ｇをあらかじめ界面活性剤（ドデシルベ
ンゼンスルホン酸アンモニウム）３．０ｇを添加した水
溶液５０ｇ中に添加してサンドミルで２時間粉砕処理し
た後、水で濃度１０重量％に調整し、平均粒径１３０ｎ
ｍのゾルを得た（Ｆ液）。

【００５８】Ｆ液を水：エタノール＝８０：２０の重量
比の液で炭素換算で固形分濃度１．２重量％となるよう
になるように希釈した後、ブラウン管パネル表面にスピ
ンコーターで１００ｒｐｍの回転速度で６０秒間塗布
し、その後１６０℃で３０分間加熱し約１００ｎｍの厚
さの着色低抵抗膜を得た。

【００５９】［実施例７］Ｓｉ（ＯＣ₂ Ｈ₅ ）₄ のエタ
ノール溶液（酸化物換算固形分５重量％）にＳｉ（ＯＣ
₂ Ｈ₅ ）₄ ：水のモル比が１：８となるように、水をｐ
Ｈ２．８に調整した硝酸酸性水溶液として添加し、８０
℃で２時間加熱還流した（Ｇ液）。

【００６０】Ａ液中の固形分濃度：Ｇ液中の固形分濃度
＝３：７の重量比となるように、Ａ液にＧ液を添加し
た。さらにプロピレングリコールモノメチルエーテルア
セテート：イソプロピルアルコール：ジアセトンアルコ
ール＝５：４：１の重量比に調整された混合有機溶媒で
固形分濃度１．２重量％となるように希釈した。その後
ブラウン管パネル表面にスピンコーターで１００ｒｐｍ
の回転速度で６０秒間塗布し、その後１６０℃で３０分
間加熱し約１００ｎｍの厚さの着色低抵抗膜を得た。

【００６１】［実施例８］実施例２におけるＳｂが１５
ｍｏｌ％ドープされたＳｎＯ₂ 粉末（１次粒径１０ｎ
ｍ）をＩＴＯ粉末（Ｓｎ／Ｉｎ＝１０／９０ｍｏｌ比、
１次粒径３０ｎｍ）に変更した以外は実施例２と同様に
行い、約９０ｎｍの厚さの着色低抵抗膜を得た。

【００６２】［実施例９］Ｓｉ（ＯＣ₂ Ｈ₅ ）₄ のエタ
ノール溶液（酸化物換算固形分５重量％）にＳｉ（ＯＣ
₂ Ｈ₅ ）₄ ：水のモル比が１：８となるように、水をｐ
Ｈ２．８に調整した硝酸酸性水溶液として添加し、１時
間撹拌した後、プロピレングリコールモノメチルエーテ
ルアセテート：イソプロピルアルコール：ジアセトンア
ルコール＝５：４：１の重量比に調整された混合有機溶
媒で固形分濃度１．０重量％となるように希釈した（Ｈ
液）。

【００６３】実施例１における１６０℃、３０分の加熱
処理を６０℃、１０分の加熱処理に変更し約１１０ｎｍ
の厚さの膜を得た。この膜の上にＨ液をスピンコーター
で１００ｒｐｍの回転速度で６０秒間塗布し、その後１
６０℃で３０分間加熱し約１００ｎｍの厚さの着色低反
射低抵抗膜を得た。

【００６４】［実施例１０］実施例２における１６０
℃、３０分の加熱処理を６０℃、１０分の加熱処理に変
更し約１１０ｎｍの厚さの膜を得た。この膜の上にＨ液
をスピンコーターで１００ｒｐｍの回転速度で６０秒間
塗布し、その後１６０℃で３０分間加熱し約１００ｎｍ
の厚さの着色低反射低抵抗膜を得た。

【００６５】［実施例１１］実施例４における１６０
℃、３０分の加熱処理を６０℃、１０分の加熱処理に変
更し約１１０ｎｍの厚さの膜を得た。この膜の上にＨ液
をスピンコーターで１００ｒｐｍの回転速度で６０秒間
塗布し、その後１６０℃で３０分間加熱し約１００ｎｍ
の厚さの着色低反射低抵抗膜を得た。

【００６６】［実施例１２］実施例５における１６０
℃、３０分の加熱処理を６０℃、１０分の加熱処理に変
更し約１０５ｎｍの厚さの膜を得た。この膜の上にＨ液
をスピンコーターで１００ｒｐｍの回転速度で６０秒間
塗布し、その後１６０℃で３０分間加熱し約１００ｎｍ
の厚さの着色低反射低抵抗膜を得た。

【００６７】［実施例１３］実施例７における１６０
℃、３０分の加熱処理を６０℃、１０分の加熱処理に変
更し約１０５ｎｍの厚さの膜を得た。この膜の上にＨ液
をスピンコーターで１００ｒｐｍの回転速度で６０秒間
塗布し、その後１６０℃で３０分間加熱し約１００ｎｍ
の厚さの着色低反射低抵抗膜を得た。

【００６８】［比較例１］銅フタロシアニンブルーをエ
タノール中に固形分濃度１重量％となるように分散した
（Ｉ液）。

【００６９】Ｉ液とＨ液を重量比３：７となるように混
合し、スピンコーターで１００ｒｐｍの回転速度で６０
秒間塗布し、その後１６０℃で３０分間加熱し約１００
ｎｍの厚さの膜を得た。

【００７０】［比較例２］Ｂ液をエタノールで固形分濃
度１．２重量％となるように希釈した後、スピンコータ
ーで１００ｒｐｍの回転速度で６０秒間塗布し、その後
１６０℃で３０分間加熱し約１００ｎｍの厚さの膜を得
た。

【００７１】［比較例３］ＩＴＯ粉末（Ｓｎ／Ｉｎ＝１
０／９０のｍｏｌ比、１次粒径３０ｎｍ）１５ｇを水８
５ｇ中に添加してサンドミルで１６時間粉砕して、９０
℃で１時間加熱した後、水で酸化物換算固形分濃度１０
重量％に調整し、平均粒径５０ｎｍのゾルを得た。この
ゾルをエタノールで固形分濃度１．２重量％となるよう
に希釈した後、スピンコーターで１００ｒｐｍの回転速
度で６０秒間塗布し、その後１６０℃で３０分間加熱し
約１００ｎｍの厚さの膜を得た。

【００７２】［比較例４］比較例２における１６０℃、
３０分間の加熱を、６０℃、１０分間の加熱に変更し、
約１１０ｎｍの厚さの膜を得た。この膜の上にＨ液をス
ピンコーターで１００ｒｐｍの回転速度で６０秒間塗布
し、その後１６０℃で３０分間加熱し約１００ｎｍの厚
さの膜を得た。

【００７３】

【表１】

【００７４】

【発明の効果】本発明におけるカーボンブラック分散液
を含む着色低抵抗膜形成用塗布液により従来技術ではな
し得なかった高品位の着色及び帯電防止のみならず電磁
波シールド領域もカバーし得る低抵抗性を膜に付与し得
る。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者森本剛神奈川県横浜市神奈川区羽沢町1150番地旭硝子株式会社中央研究所内 (72)発明者大橋恵子神奈川県横浜市神奈川区羽沢町1150番地旭硝子株式会社中央研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】１次粒径１０〜１００ｎｍのカーボンブラ
ックを含むことを特徴とする着色低抵抗膜形成用塗布
液。
【請求項２】Ｓｎ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｓ
ｉ及びＧａの群から選ばれる少なくとも１種の元素の化
合物を含むことを特徴とする請求項１の着色低抵抗膜形
成用塗布液。
【請求項３】窒素を０．１〜３０重量％含有するＴｉＯ
_x （１．０≦ｘ＜２．０）を含むことを特徴とする請求
項１又は２の着色低抵抗膜形成用塗布液。
【請求項４】基体表面に形成される着色低抵抗膜の製造
方法において、請求項１〜３のいずれかの着色低抵抗膜
形成用塗布液を塗布した後、加熱及び／又は紫外線照射
をすることを特徴とする着色低抵抗膜の製造方法。
【請求項５】基体表面に形成される着色低抵抗膜の製造
方法において、請求項１〜３のいずれかの着色低抵抗膜
形成用塗布液を塗布し、さらに低屈折率を有する膜を形
成し得る塗布液を塗布した後、加熱及び／又は紫外線照
射をすることを特徴とする着色低抵抗膜の製造方法。
【請求項６】請求項１〜３のいずれかの着色低抵抗膜形
成用塗布液を塗布し、加熱及び／又は紫外線照射をする
ことにより得られる、可視光の波長領域において透過率
が低下されることを特徴とする着色低抵抗膜。
【請求項７】基体上に形成される多層膜において、該多
層膜のうちの少なくとも１層が請求項６の着色低抵抗膜
であることを特徴とする多層着色低抵抗膜。
【請求項８】基体上に形成される多層膜において、基体
側から請求項６の着色低抵抗膜、その上に該着色低抵抗
膜より低屈折率を有する膜が順次形成されることを特徴
とする多層着色低抵抗膜。
【請求項９】請求項６〜８のいずれかの着色低抵抗膜が
基体表面に形成されることを特徴とするガラス物品。
【請求項１０】請求項６〜８のいずれかの着色低抵抗膜
がパネル表面に形成されることを特徴とする陰極線管。