JPH07282745A - 陰極線管及びその製造方法 - Google Patents
陰極線管及びその製造方法Info
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Landscapes
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- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【目的】CRT表示面からの電磁波を遮断する。
【構成】陰極線管の画像表示面の外表面に、平均粒子径
が0.1μm以下の酸化アンチモン、酸化錫、酸化イン
ジュウム、酸化亜鉛からなる導電性微粒子とテトラアル
コキシシランから誘導された加水分解率が100〜60
0%のシリカゾル微粒子とからなる第一層、平均粒子径
が0.1μm以下の酸化アンチモン、酸化錫、酸化イン
ジュウム、酸化亜鉛からなる導電性微粒子とテトラアル
コキシシランから誘導された加水分解率が100〜10
00%のシリカゾル微粒子とからなる第二層、テトラア
ルコキシシランから誘導された加水分解率が600〜1
000%のシリカゾル粒子またはこのシリカゾルが全体
の50重量%以上を含んでいるテトラアルキルチタネー
トとの反応生成物からなる第三層の塗膜を被覆する。
が0.1μm以下の酸化アンチモン、酸化錫、酸化イン
ジュウム、酸化亜鉛からなる導電性微粒子とテトラアル
コキシシランから誘導された加水分解率が100〜60
0%のシリカゾル微粒子とからなる第一層、平均粒子径
が0.1μm以下の酸化アンチモン、酸化錫、酸化イン
ジュウム、酸化亜鉛からなる導電性微粒子とテトラアル
コキシシランから誘導された加水分解率が100〜10
00%のシリカゾル微粒子とからなる第二層、テトラア
ルコキシシランから誘導された加水分解率が600〜1
000%のシリカゾル粒子またはこのシリカゾルが全体
の50重量%以上を含んでいるテトラアルキルチタネー
トとの反応生成物からなる第三層の塗膜を被覆する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は帯電防止、光反射防止、
電磁波遮断効果を有する陰極線管及びその製造法に関す
る。
電磁波遮断効果を有する陰極線管及びその製造法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】パーソナルコンピュータ、テレビ等の表
示画面として陰極線管(CRT)が広く使われている。
CRTは電源スイッチ点滅時に静電誘導により帯電する
がこれを取り除くため及び高コントラストを達成するた
めに有機染料と酸化錫、酸化インジュウムまたは酸化ア
ンチモンを用いて着色透明電導膜を形成する方法が知ら
れている(特開平3−11532号)。更にこの膜の上
に反射防止と保護の役割を持つシリカゲル層を設ける事
も知られている(特開平4−218247号)。
示画面として陰極線管(CRT)が広く使われている。
CRTは電源スイッチ点滅時に静電誘導により帯電する
がこれを取り除くため及び高コントラストを達成するた
めに有機染料と酸化錫、酸化インジュウムまたは酸化ア
ンチモンを用いて着色透明電導膜を形成する方法が知ら
れている(特開平3−11532号)。更にこの膜の上
に反射防止と保護の役割を持つシリカゲル層を設ける事
も知られている(特開平4−218247号)。
【0003】一方、CRTからは30Hzから300G
Hzにわたる広範囲の電磁波が発生しており、これらが
直接人体に悪影響を与えるという事は証明されていない
が、外国において10KHz以下の低周波のものが発ガ
ン性や妊娠異常の原因ではないかなどと取りざたされ、
スウェーデンなどではMPRー2と呼ばれる規格が制定
され、日本でも電磁波対策が取られつつ有る。
Hzにわたる広範囲の電磁波が発生しており、これらが
直接人体に悪影響を与えるという事は証明されていない
が、外国において10KHz以下の低周波のものが発ガ
ン性や妊娠異常の原因ではないかなどと取りざたされ、
スウェーデンなどではMPRー2と呼ばれる規格が制定
され、日本でも電磁波対策が取られつつ有る。
【0004】テレビ本体のCRTの表示面即ちガラスプ
レート面部分以外から発生する電磁波についてはアルミ
ニュウム、銅、真鍮などの金属のシートやフィルムで遮
断したり、繊維状の銅あるいはカーボンファイバなどを
使ったシールド材で遮断されるが、これらは透明体でな
いのでCRT表示面に適用する事が出来ない。このため
表示面に導電性の細い繊維のメッシュ体を配置する事が
行われているが画面をかなり暗くする欠点がある。
レート面部分以外から発生する電磁波についてはアルミ
ニュウム、銅、真鍮などの金属のシートやフィルムで遮
断したり、繊維状の銅あるいはカーボンファイバなどを
使ったシールド材で遮断されるが、これらは透明体でな
いのでCRT表示面に適用する事が出来ない。このため
表示面に導電性の細い繊維のメッシュ体を配置する事が
行われているが画面をかなり暗くする欠点がある。
【0005】一方でCRT表示面に、インジュウムー錫
酸化物(ITO)あるいはアンチモンー錫酸化物(AT
O)の透明薄膜をスパッタリング法、CVD法などで形
成して電磁波を遮断する事も行われているが歩留まりが
低くコスト高であり、また成膜面積にも限度があるため
大型品に適用しにくい欠点がある。
酸化物(ITO)あるいはアンチモンー錫酸化物(AT
O)の透明薄膜をスパッタリング法、CVD法などで形
成して電磁波を遮断する事も行われているが歩留まりが
低くコスト高であり、また成膜面積にも限度があるため
大型品に適用しにくい欠点がある。
【0006】また、ITOやATOの微粉末をCRT表
示面上に塗布する試みもなされているがこの方法では透
明性を保ったままで表面抵抗値を1×105Ωのレベル
にする事が最高であって、これは帯電防止の観点からは
十分な低抵抗であるが電磁波シールド剤としては不十分
である。ITO粉末を超微粉にして透明性を高める試み
もなされているが微粉になるほど二次凝集が起こり易く
超微粒状にしただけでは均一分散が困難である。従って
微紛状で均一分散出来てガラス面との接着性と形成被膜
の硬度も充分となるような新たなバインダーの開発が望
まれている。
示面上に塗布する試みもなされているがこの方法では透
明性を保ったままで表面抵抗値を1×105Ωのレベル
にする事が最高であって、これは帯電防止の観点からは
十分な低抵抗であるが電磁波シールド剤としては不十分
である。ITO粉末を超微粉にして透明性を高める試み
もなされているが微粉になるほど二次凝集が起こり易く
超微粒状にしただけでは均一分散が困難である。従って
微紛状で均一分散出来てガラス面との接着性と形成被膜
の硬度も充分となるような新たなバインダーの開発が望
まれている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】CRTの表示面上に塗
布方法で、耐擦過性で、透明性が高く、低反射であり、
電磁波シールド効果を有する被膜を形成した陰極線管を
提供する事を目的とする。
布方法で、耐擦過性で、透明性が高く、低反射であり、
電磁波シールド効果を有する被膜を形成した陰極線管を
提供する事を目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、陰極線管の画
像表示面の外表面に(a)平均粒子径が0.1μm以下
の微粒子形状を有する酸化アンチモン、酸化錫、酸化イ
ンジュウム及び/または酸化亜鉛からなる導電性微粒子
とテトラアルコキシシランから誘導された加水分解率が
100〜600%のシリカゾル微粒子とからなりシリカ
ゾルが50重量%以上含有する均一混合物からなる第一
層、(b)平均粒子径が0.1μm以下の微粒子形状を
有する酸化アンチモン、酸化錫、酸化インジュウム及び
/または酸化亜鉛からなる導電性微粒子とテトラアルコ
キシシランから誘導された加水分解率が100〜100
0%のシリカゾル微粒子とからなり導電性微粒子が50
重量%以上含有する均一混合物からなる第二層、(c)
テトラアルコキシシランから誘導された加水分解率が6
00〜1000%のシリカゾル粒子またはこのシリカゾ
ルが全体の50重量%以上を含んでいるテトラアルキル
チタネートとの反応生成物からなる第三層を構成した陰
極線管及びその製造法である。以下に本発明を詳しく説
明する。
像表示面の外表面に(a)平均粒子径が0.1μm以下
の微粒子形状を有する酸化アンチモン、酸化錫、酸化イ
ンジュウム及び/または酸化亜鉛からなる導電性微粒子
とテトラアルコキシシランから誘導された加水分解率が
100〜600%のシリカゾル微粒子とからなりシリカ
ゾルが50重量%以上含有する均一混合物からなる第一
層、(b)平均粒子径が0.1μm以下の微粒子形状を
有する酸化アンチモン、酸化錫、酸化インジュウム及び
/または酸化亜鉛からなる導電性微粒子とテトラアルコ
キシシランから誘導された加水分解率が100〜100
0%のシリカゾル微粒子とからなり導電性微粒子が50
重量%以上含有する均一混合物からなる第二層、(c)
テトラアルコキシシランから誘導された加水分解率が6
00〜1000%のシリカゾル粒子またはこのシリカゾ
ルが全体の50重量%以上を含んでいるテトラアルキル
チタネートとの反応生成物からなる第三層を構成した陰
極線管及びその製造法である。以下に本発明を詳しく説
明する。
【0009】本発明に用いられるアンチモン、錫、イン
ジュウム及びまたは亜鉛の酸化物微粒子は平均粒子径が
0.1μm以下の微粒子形状を有するものが用いられ、
好ましくは0.01〜0.06μmの範囲のものが用い
られる。0.1μm以上の時は被膜の厚みを相当に厚く
しないと電磁波のシールド効果を持たせるのが困難であ
り、厚くすると所定の透明性を保つ事が困難で、実用に
耐えられる塗膜硬度の達成が出来ない。
ジュウム及びまたは亜鉛の酸化物微粒子は平均粒子径が
0.1μm以下の微粒子形状を有するものが用いられ、
好ましくは0.01〜0.06μmの範囲のものが用い
られる。0.1μm以上の時は被膜の厚みを相当に厚く
しないと電磁波のシールド効果を持たせるのが困難であ
り、厚くすると所定の透明性を保つ事が困難で、実用に
耐えられる塗膜硬度の達成が出来ない。
【0010】本発明で用いられる酸化物微粉末は、例え
ばアンチモンをドープした錫酸化物、錫をドープしたイ
ンジュウム酸化物あるいは、アンチモン、錫もしくはア
ルミニュウムをドープした亜鉛酸化物などが用いられ
る。特に錫が酸化物(SnO2)として1〜10%含有
する様にドープしたインジュウム酸化物(ITO)が好
ましい。これらの酸化物は完全な酸化物系よりやや酸素
の格子欠陥のあるものの方が電導性に優れているので好
ましい。このような酸素格子欠陥のある酸化物微粒子は
酸化物微粒子をアルコールまたはヒドラジン水化物の存
在下に加熱して得られる。あるいは、各々の金属化合物
から加水分解で得られる水酸化物などの沈澱物を酸素雰
囲気下に焼成するとき酸素含有量を調節し青灰色の微粒
子が得られるようにして製造できる。
ばアンチモンをドープした錫酸化物、錫をドープしたイ
ンジュウム酸化物あるいは、アンチモン、錫もしくはア
ルミニュウムをドープした亜鉛酸化物などが用いられ
る。特に錫が酸化物(SnO2)として1〜10%含有
する様にドープしたインジュウム酸化物(ITO)が好
ましい。これらの酸化物は完全な酸化物系よりやや酸素
の格子欠陥のあるものの方が電導性に優れているので好
ましい。このような酸素格子欠陥のある酸化物微粒子は
酸化物微粒子をアルコールまたはヒドラジン水化物の存
在下に加熱して得られる。あるいは、各々の金属化合物
から加水分解で得られる水酸化物などの沈澱物を酸素雰
囲気下に焼成するとき酸素含有量を調節し青灰色の微粒
子が得られるようにして製造できる。
【0011】またこの微粒子は原料となる金属のコロイ
ド溶液をアトマイザーから高温に加熱した酸素コントロ
ール下の雰囲気に噴霧し、乾燥、焼成する事で得られ
る。
ド溶液をアトマイザーから高温に加熱した酸素コントロ
ール下の雰囲気に噴霧し、乾燥、焼成する事で得られ
る。
【0012】本発明で用いられるシリカゾルはテトラア
ルコキシシランを各々所定の範囲の水で加水分解したも
のである。第一層に用いられるシリカゾルは100〜6
00%の範囲で加水分解されたものでシリカゾルとして
の重縮合度は第三層用のものに比べると低く適度な量の
シラノール基及びアルコキシ基を含んでいる。シリカゾ
ルに含まれるシラノール基は水と共存していると水和さ
れた状態でシリカゾルを安定化しており、約100℃に
加熱されると水和状態が壊れてシラノール基に戻る。更
にこれ以上の温度で加熱または焼成されるとシラノール
基及びアルコキシ基は互いにまたは被塗布面上の水酸基
と結合反応を起こす。このように残存しているシラノー
ル基やアルコキシ基はCRT観察面のようなガラスとの
密着性を保つために重要であり、一方で導電性酸化物微
粒子同士の結合を保つ役割をはたしている。加水分解率
が100%未満では乾燥後の塗膜の硬さが軟らかすぎ、
600%を越えると塗膜が硬くなり第二層との接着性が
悪くなるので好ましくない。
ルコキシシランを各々所定の範囲の水で加水分解したも
のである。第一層に用いられるシリカゾルは100〜6
00%の範囲で加水分解されたものでシリカゾルとして
の重縮合度は第三層用のものに比べると低く適度な量の
シラノール基及びアルコキシ基を含んでいる。シリカゾ
ルに含まれるシラノール基は水と共存していると水和さ
れた状態でシリカゾルを安定化しており、約100℃に
加熱されると水和状態が壊れてシラノール基に戻る。更
にこれ以上の温度で加熱または焼成されるとシラノール
基及びアルコキシ基は互いにまたは被塗布面上の水酸基
と結合反応を起こす。このように残存しているシラノー
ル基やアルコキシ基はCRT観察面のようなガラスとの
密着性を保つために重要であり、一方で導電性酸化物微
粒子同士の結合を保つ役割をはたしている。加水分解率
が100%未満では乾燥後の塗膜の硬さが軟らかすぎ、
600%を越えると塗膜が硬くなり第二層との接着性が
悪くなるので好ましくない。
【0013】第二の層である中間の層に用いるシリカゾ
ルはテトラアルコキシシランの加水分解率が100〜1
000重量%のものが用いられる。このシリカゾルは導
電性微粉末を結合させるためであり、第一層及び第三層
で使用されているシリカゾルと結合するためであるから
加水分解率は広範囲に変えられる。
ルはテトラアルコキシシランの加水分解率が100〜1
000重量%のものが用いられる。このシリカゾルは導
電性微粉末を結合させるためであり、第一層及び第三層
で使用されているシリカゾルと結合するためであるから
加水分解率は広範囲に変えられる。
【0014】第三の層である最外表面に用いられるシリ
カゾルは加水分解率が比較的高く、重縮合度の高いもの
が用いられる。これは最外表面は硬く、また対摩耗性に
優れ、耐擦過性のある保護層の役割を持つ必要があるか
らで、そのためにテトラアルコキシシランの加水分解率
は600〜1000%の範囲とする。600%より低い
ときは塗膜が軟らかく、1000%を越えるとシリカゾ
ルの保存安定性が低下するので好ましくない。又、ここ
に用いられるシリカゾルは第一層及び第二層に用いられ
るシリカゾルよりも粒径の大きなものを含んでいる事が
好ましい。これは表面に微細な凹凸を形成する事で艶消
し効果を持たせ、低反射性にする事が出来るためであ
り、このためにテトラアルコキシシランから誘導される
シリカゾルの他にシリカコロイド溶液を少量加えても良
い。
カゾルは加水分解率が比較的高く、重縮合度の高いもの
が用いられる。これは最外表面は硬く、また対摩耗性に
優れ、耐擦過性のある保護層の役割を持つ必要があるか
らで、そのためにテトラアルコキシシランの加水分解率
は600〜1000%の範囲とする。600%より低い
ときは塗膜が軟らかく、1000%を越えるとシリカゾ
ルの保存安定性が低下するので好ましくない。又、ここ
に用いられるシリカゾルは第一層及び第二層に用いられ
るシリカゾルよりも粒径の大きなものを含んでいる事が
好ましい。これは表面に微細な凹凸を形成する事で艶消
し効果を持たせ、低反射性にする事が出来るためであ
り、このためにテトラアルコキシシランから誘導される
シリカゾルの他にシリカコロイド溶液を少量加えても良
い。
【0015】又、第三層には第二層との接着性をより高
めるためにテトラアルキルチタネートを加える事が出来
る。加える量は存在しているシリカゾルよりも少ない範
囲が好ましい。更に第三層には第二層に用いた導電性微
粒子をシリカゾルよりも少ない量で加える事もできる。
多く加えると保護層の役目を果たさなくなるし、第二層
との屈折率差も小さくなり低反射効果を阻害する。
めるためにテトラアルキルチタネートを加える事が出来
る。加える量は存在しているシリカゾルよりも少ない範
囲が好ましい。更に第三層には第二層に用いた導電性微
粒子をシリカゾルよりも少ない量で加える事もできる。
多く加えると保護層の役目を果たさなくなるし、第二層
との屈折率差も小さくなり低反射効果を阻害する。
【0016】本発明で言うテトラアルコキシシランの加
水分解率とはテトラアルコキシシランが水と反応する下
記のごとき反応を想定し、 Si(OR)4+2H2O→SiO2+4ROH テトラアルコキシシラン1モルに対し水2モル使用して
加水分解させたときを加水分解率100%として定義し
たものである。従って、テトラアルコキシシランと水の
使用量(重量)との関係では次式によって算出される。
水分解率とはテトラアルコキシシランが水と反応する下
記のごとき反応を想定し、 Si(OR)4+2H2O→SiO2+4ROH テトラアルコキシシラン1モルに対し水2モル使用して
加水分解させたときを加水分解率100%として定義し
たものである。従って、テトラアルコキシシランと水の
使用量(重量)との関係では次式によって算出される。
【0017】
【数1】
【0018】このような加水分解率のシリカゾルはメチ
ル、エチル、プロピルなどの低級アルキルシリケートを
アルコールなどの溶媒下、所定量の水を加えて室温程度
の低温でゆっくりと加水分解を行うことで得る事が出来
る。加水分解に際しては酸触媒、塩基性触媒の何れも用
いられるが、得られたシリカゾルは導電性酸化物微粒子
を添加しても安定で無ければならない。このため塩酸や
硫酸を用いた場合は電解質を作りゾルのゲル化を起こし
易いのでこれらを用いた場合は反応後イオン交換法など
により電解質除去の操作を施すのが好ましい。アルカリ
金属水酸化物などのアルカリ性下で水溶液中でゆっくり
と加水分解すると安定したシリカゾルが得られる。得ら
れたシリカゾルの安定性を保つにはナトリウム、カリウ
ムもしくはリチウムなどのアルカリ金属をシリカに対し
1〜10モル%存在させるのが好ましく、形成塗膜の硬
さなどの点からリチウム化合物が特に好ましい。
ル、エチル、プロピルなどの低級アルキルシリケートを
アルコールなどの溶媒下、所定量の水を加えて室温程度
の低温でゆっくりと加水分解を行うことで得る事が出来
る。加水分解に際しては酸触媒、塩基性触媒の何れも用
いられるが、得られたシリカゾルは導電性酸化物微粒子
を添加しても安定で無ければならない。このため塩酸や
硫酸を用いた場合は電解質を作りゾルのゲル化を起こし
易いのでこれらを用いた場合は反応後イオン交換法など
により電解質除去の操作を施すのが好ましい。アルカリ
金属水酸化物などのアルカリ性下で水溶液中でゆっくり
と加水分解すると安定したシリカゾルが得られる。得ら
れたシリカゾルの安定性を保つにはナトリウム、カリウ
ムもしくはリチウムなどのアルカリ金属をシリカに対し
1〜10モル%存在させるのが好ましく、形成塗膜の硬
さなどの点からリチウム化合物が特に好ましい。
【0019】本発明の第一層用に使用するシリカゾルを
得るにはテトラアルコキシシラン、例えばテトラエトキ
シシランをアルコールに溶解し、該シラン1モルに対し
2〜12モルの水とアルカリ成分、例えば水酸化リチウ
ムを加えて室温でゆっくりと加水分解すると良い。第三
層で用いるような加水分解率が高く、粒子径の大きいシ
リカゾルを得るには比較的強酸性下に室温よりも高温で
加水分解してシリカの重合度を高める事で達成できる。
重合度が高まるとコロイド状からゲル化が起こり易くな
るので前記酸触媒に由来する電解質を除去し、アルカリ
を少量加えるなどしてゲル化を起こらないようにする事
が好ましい。
得るにはテトラアルコキシシラン、例えばテトラエトキ
シシランをアルコールに溶解し、該シラン1モルに対し
2〜12モルの水とアルカリ成分、例えば水酸化リチウ
ムを加えて室温でゆっくりと加水分解すると良い。第三
層で用いるような加水分解率が高く、粒子径の大きいシ
リカゾルを得るには比較的強酸性下に室温よりも高温で
加水分解してシリカの重合度を高める事で達成できる。
重合度が高まるとコロイド状からゲル化が起こり易くな
るので前記酸触媒に由来する電解質を除去し、アルカリ
を少量加えるなどしてゲル化を起こらないようにする事
が好ましい。
【0020】シリカゾルの安定性を向上させる他の方法
はアルミナを少量添加する事である。アルミニュウム化
合物は電解質であるから通常これを添加するとシリカコ
ロイドの電荷状態が壊れてゲル化し易くなるが、シリカ
に対し1.2モル%以下の添加であるとかえって安定化
を増大する。好ましい添加量は0.7〜0.9モル%で
あり、この場合は弱酸性下においてもコロイドは安定化
している。アルミナ成分として添加する化合物はアルミ
ン酸ナトリウム、アルミン酸リチウムなどが好ましい。
はアルミナを少量添加する事である。アルミニュウム化
合物は電解質であるから通常これを添加するとシリカコ
ロイドの電荷状態が壊れてゲル化し易くなるが、シリカ
に対し1.2モル%以下の添加であるとかえって安定化
を増大する。好ましい添加量は0.7〜0.9モル%で
あり、この場合は弱酸性下においてもコロイドは安定化
している。アルミナ成分として添加する化合物はアルミ
ン酸ナトリウム、アルミン酸リチウムなどが好ましい。
【0021】導電性酸化物微粒子とシリカゾルとの混合
割合は第一層、第二層、第三層で変えるのがよい。最内
層にあたる第一層はシリカゾルリッチの組成とし、シリ
カ1重量部に対し0.1〜1重量部の導電性酸化物を混
合したものを用いる。中間層である第二層は実質的に電
磁波を遮断する層であるから導電性酸化物リッチの組成
とし、シリカ1重量部に対し1〜20、好ましくは1〜
5重量部の導電性酸化物を混合したものを用いる。導電
性酸化物粒子の量がこれより少ない場合はこの層の表面
抵抗値を9×104Ω以下にする事が出来なく、電磁波
の遮断効果も充分でなくなる。20部以上になると導電
性酸化物微粒子同士の結合力が十分でなくわずかな衝撃
で皮膜が破壊し易くなる。最外層にあたる第三層は帯電
防止効果と低反射効果を有するものであり、導電性酸化
物は必ずしも存在させる必要はないがシリカ量より少な
い範囲で存在させても良い。
割合は第一層、第二層、第三層で変えるのがよい。最内
層にあたる第一層はシリカゾルリッチの組成とし、シリ
カ1重量部に対し0.1〜1重量部の導電性酸化物を混
合したものを用いる。中間層である第二層は実質的に電
磁波を遮断する層であるから導電性酸化物リッチの組成
とし、シリカ1重量部に対し1〜20、好ましくは1〜
5重量部の導電性酸化物を混合したものを用いる。導電
性酸化物粒子の量がこれより少ない場合はこの層の表面
抵抗値を9×104Ω以下にする事が出来なく、電磁波
の遮断効果も充分でなくなる。20部以上になると導電
性酸化物微粒子同士の結合力が十分でなくわずかな衝撃
で皮膜が破壊し易くなる。最外層にあたる第三層は帯電
防止効果と低反射効果を有するものであり、導電性酸化
物は必ずしも存在させる必要はないがシリカ量より少な
い範囲で存在させても良い。
【0022】本発明で媒体として用いられる溶媒は水ま
たはアルコールを主体とするものであり、少量のケト
ン、エステルなどを含んでも良い。アルコール類として
はメタノール、エタノール、nもしくはiso−プロパ
ノール、n,secまたはt−ブタノールなどが用いら
れる。共存させても良いケトン類としてはアセトン、メ
チルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘ
キサノンなど;エステルとしては酢酸エチル、プロピ
ル、ブチルなどである。好ましい媒体は水、メタノー
ル、エタノール、イソプロパノールなどであり、これら
の混合系も好ましい。水系媒体を用いるときは媒体であ
る水によってシリカゾルがゲル化しないように残存触媒
を除去しておく事が望ましい。
たはアルコールを主体とするものであり、少量のケト
ン、エステルなどを含んでも良い。アルコール類として
はメタノール、エタノール、nもしくはiso−プロパ
ノール、n,secまたはt−ブタノールなどが用いら
れる。共存させても良いケトン類としてはアセトン、メ
チルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘ
キサノンなど;エステルとしては酢酸エチル、プロピ
ル、ブチルなどである。好ましい媒体は水、メタノー
ル、エタノール、イソプロパノールなどであり、これら
の混合系も好ましい。水系媒体を用いるときは媒体であ
る水によってシリカゾルがゲル化しないように残存触媒
を除去しておく事が望ましい。
【0023】本発明の陰極線管を製造するには導電性微
粒子及びシリカゾルを媒体に分散した分散液を第一、
二、三層の順でCRTの表示面の全面を被覆するように
塗布する。各層の塗布毎に乾燥が必要であるがその程度
は完全である必要はなく、次に塗布される層と完全一体
化しない程度の乾燥で充分である。塗布方法は特に限定
されず、吹き付け、浸漬、回転塗布、バーコートなど何
れも使用できる。媒体中に含有させる導電性微粒子及び
シリカゾルの濃度は塗布方法に適した濃度にすれば良
い。均一な厚さの皮膜を形成するためあるいはその制御
を容易にするため、この濃度は1〜40重量%程度、特
に2〜25重量%が好ましい。粒子は小さくなるほど衝
突による粒子の肥大化が起こり易くなるので分散液の安
定化のためには濃度は薄い方が好ましいが、塗膜形成の
総合的効率の点からは2%以上の濃度にするのが良い。
粒子及びシリカゾルを媒体に分散した分散液を第一、
二、三層の順でCRTの表示面の全面を被覆するように
塗布する。各層の塗布毎に乾燥が必要であるがその程度
は完全である必要はなく、次に塗布される層と完全一体
化しない程度の乾燥で充分である。塗布方法は特に限定
されず、吹き付け、浸漬、回転塗布、バーコートなど何
れも使用できる。媒体中に含有させる導電性微粒子及び
シリカゾルの濃度は塗布方法に適した濃度にすれば良
い。均一な厚さの皮膜を形成するためあるいはその制御
を容易にするため、この濃度は1〜40重量%程度、特
に2〜25重量%が好ましい。粒子は小さくなるほど衝
突による粒子の肥大化が起こり易くなるので分散液の安
定化のためには濃度は薄い方が好ましいが、塗膜形成の
総合的効率の点からは2%以上の濃度にするのが良い。
【0024】導電性微粒子とシリカゾルの分散を安定化
するために界面活性剤を添加しても良い。界面活性剤と
しては非イオン性のものが好ましく、例えばポリオキシ
エチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンポリオ
キシプロピレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレン
アルキルフェニルエーテル、ソルビタン脂肪酸エステ
ル、ポリグリセリン脂肪酸エステル、ポリエチレングリ
コール脂肪酸エステル、シリコーン系などが用いられ
る。界面活性剤の使用量は全体の0.05〜5重量%が
好ましい。
するために界面活性剤を添加しても良い。界面活性剤と
しては非イオン性のものが好ましく、例えばポリオキシ
エチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンポリオ
キシプロピレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレン
アルキルフェニルエーテル、ソルビタン脂肪酸エステ
ル、ポリグリセリン脂肪酸エステル、ポリエチレングリ
コール脂肪酸エステル、シリコーン系などが用いられ
る。界面活性剤の使用量は全体の0.05〜5重量%が
好ましい。
【0025】各層の乾燥後の厚さは各々の層の持つ目的
が達成されれば薄いほど好ましいが、塗布されない面が
生じるのを防ぐため通常は0.3μm以上とするのが好
ましい。第一層はガラス面と第二層との接着の役目を持
つものであり、0.3〜1μmの範囲で充分である。第
二層は高い導電性を持つ事が必要であるので厚みもある
程度必要になり、通常1〜4μm程度の範囲となる。外
層の第三層は硬度と反射防止機能をもつものであまり薄
いとその機能を発揮しないので0.5〜4μm程度の範
囲となる。各層の塗布後80〜250℃好ましくは10
0〜200℃で10〜120分乾燥兼焼成する事により
本発明の陰極線管を得る事が出来る。
が達成されれば薄いほど好ましいが、塗布されない面が
生じるのを防ぐため通常は0.3μm以上とするのが好
ましい。第一層はガラス面と第二層との接着の役目を持
つものであり、0.3〜1μmの範囲で充分である。第
二層は高い導電性を持つ事が必要であるので厚みもある
程度必要になり、通常1〜4μm程度の範囲となる。外
層の第三層は硬度と反射防止機能をもつものであまり薄
いとその機能を発揮しないので0.5〜4μm程度の範
囲となる。各層の塗布後80〜250℃好ましくは10
0〜200℃で10〜120分乾燥兼焼成する事により
本発明の陰極線管を得る事が出来る。
【0026】本発明の陰極線管表示部に形成された被膜
はCRTの爆縮防止のために設けられている補強金属バ
ンドと導電部材を介して接続しておく事が好ましい。導
電部材としては市販の導電性テープや塗料が用いられる
が、第二層と金属バンドとの接続が良ければ特に必要は
ない。このようにして画面表示部分に発生した静電気を
有効に減衰、除去できる。
はCRTの爆縮防止のために設けられている補強金属バ
ンドと導電部材を介して接続しておく事が好ましい。導
電部材としては市販の導電性テープや塗料が用いられる
が、第二層と金属バンドとの接続が良ければ特に必要は
ない。このようにして画面表示部分に発生した静電気を
有効に減衰、除去できる。
【0027】以下に本発明の陰極線管の製法を具体的に
説明する。部は重量部を表す。 実施例 (1)第一層用のシリカゾル液の調整 攪拌機、温度計、還流冷却器を取り付けた500mlの
セパラブルフラスコにメチルアルコール50部及びテト
ラエチルシリケート8部を加え、30℃で攪拌均一化し
た。これに水酸化リチウム0.2部を溶解したイオン交
換水6部を加え、30℃に維持したまま3時間反応し加
水分解液を調整した。この液の固形分濃度はSiO2と
して3.6%であり、加水分解率は430%であった。
説明する。部は重量部を表す。 実施例 (1)第一層用のシリカゾル液の調整 攪拌機、温度計、還流冷却器を取り付けた500mlの
セパラブルフラスコにメチルアルコール50部及びテト
ラエチルシリケート8部を加え、30℃で攪拌均一化し
た。これに水酸化リチウム0.2部を溶解したイオン交
換水6部を加え、30℃に維持したまま3時間反応し加
水分解液を調整した。この液の固形分濃度はSiO2と
して3.6%であり、加水分解率は430%であった。
【0028】(2)第三層用のシリカゾル液の調整 攪拌機、温度計、還流冷却器を取り付けた500mlの
セパラブルフラスコにメチルアルコール50部及びテト
ラエチルシリケート8部を加え、30℃で攪拌均一化し
た。これに硫酸0.1部を溶解したイオン交換水12部
を加え、70℃に昇温して3時間反応し加水分解液を調
整した。この液の固形分濃度はSiO2として3.3%
であり、加水分解率は865%であった。
セパラブルフラスコにメチルアルコール50部及びテト
ラエチルシリケート8部を加え、30℃で攪拌均一化し
た。これに硫酸0.1部を溶解したイオン交換水12部
を加え、70℃に昇温して3時間反応し加水分解液を調
整した。この液の固形分濃度はSiO2として3.3%
であり、加水分解率は865%であった。
【0029】(3)使用したITO分散液 平均粒径0.03μmの錫ーインジュウム酸化物を有機
媒体に分散させたものを使用した。固形分濃度は40%
である。
媒体に分散させたものを使用した。固形分濃度は40%
である。
【0030】第一層用塗布液として上記(1)のシリカ
ゾル液30部(固形分として1.08部)とITO分散
液1部(ITOとして0.4部)の均一分散混合物をバ
ーコート法でCRT表示面に塗布し、100℃で30分
乾燥した。膜厚は0.5μmとした。この上に第三層用
に製造した上記(2)のシリカゾル液30部(固形分と
して0.99部)とITO分散液5部(ITOとして2
部)との均一混合物である第二層用塗布液を膜厚が2μ
mとなるようにバーコートし、100℃で30分乾燥し
た。最後に(2)のシリカゾル液を膜厚が1μmとなる
ように表示面の半分だけに塗布し、100℃で乾燥後更
に170℃で2時間焼成した。
ゾル液30部(固形分として1.08部)とITO分散
液1部(ITOとして0.4部)の均一分散混合物をバ
ーコート法でCRT表示面に塗布し、100℃で30分
乾燥した。膜厚は0.5μmとした。この上に第三層用
に製造した上記(2)のシリカゾル液30部(固形分と
して0.99部)とITO分散液5部(ITOとして2
部)との均一混合物である第二層用塗布液を膜厚が2μ
mとなるようにバーコートし、100℃で30分乾燥し
た。最後に(2)のシリカゾル液を膜厚が1μmとなる
ように表示面の半分だけに塗布し、100℃で乾燥後更
に170℃で2時間焼成した。
【0031】3層に被覆した面の表面抵抗値は1×10
8Ωであったが、これは最外層表面が実質的にシリカ層
のみからなっている為であり、シリカ層を塗布しなかっ
た部分の表面抵抗値は2×103Ωであった。この値は
電磁波シールド効果としては50デシベル以上が予測さ
れるものである。密着性はセロハンテープ法に充分耐え
るものであり、透明性も良好であった。なお、最外層表
面処理をしてない部分の密着性試験では塗膜の一部が剥
離した。
8Ωであったが、これは最外層表面が実質的にシリカ層
のみからなっている為であり、シリカ層を塗布しなかっ
た部分の表面抵抗値は2×103Ωであった。この値は
電磁波シールド効果としては50デシベル以上が予測さ
れるものである。密着性はセロハンテープ法に充分耐え
るものであり、透明性も良好であった。なお、最外層表
面処理をしてない部分の密着性試験では塗膜の一部が剥
離した。
【0032】
【発明の効果】本発明により、高度の透明性と密着性を
保ったままで電磁波を遮断できる程度に導電性の被膜を
形成した陰極線管を得る事が出来る。又被膜表面は硬
く、耐摩耗性に富んでおり、更に低反射の効果も持って
いる。
保ったままで電磁波を遮断できる程度に導電性の被膜を
形成した陰極線管を得る事が出来る。又被膜表面は硬
く、耐摩耗性に富んでおり、更に低反射の効果も持って
いる。
Claims (4)
- 【請求項1】陰極線管の画像表示面の外表面に(a)平
均粒子径が0.1μm以下の微粒子形状を有する酸化ア
ンチモン、酸化錫、酸化インジュウム及び/または酸化
亜鉛からなる導電性微粒子とテトラアルコキシシランか
ら誘導された加水分解率が100〜600%のシリカゾ
ル微粒子とからなり該シリカゾルが50重量%以上含有
する均一混合物からなる第一層、(b)平均粒子径が
0.1μm以下の微粒子形状を有する酸化アンチモン、
酸化錫、酸化インジュウム及び/または酸化亜鉛からな
る導電性微粒子とテトラアルコキシシランから誘導され
た加水分解率が100〜1000%のシリカゾル微粒子
とからなり導電性微粒子が50重量%以上含有する均一
混合物からなる第二層、(c)テトラアルコキシシラン
から誘導された加水分解率が600〜1000%のシリ
カゾル粒子またはこのシリカゾルが全体の50重量%以
上を含んでいるテトラアルキルチタネートとの反応生成
物からなる第三層を構成した陰極線管。 - 【請求項2】導電性微粒子として錫を酸化物(Sn
O2)に換算して1〜10%ドープした錫ーインジュウ
ムの酸化物であって、酸素格子欠陥のある粒子を用いた
請求項1の陰極線管。 - 【請求項3】請求項1における第三層を構成するシリカ
ゾル粒子もしくはこれとテトラアルキルチタネートとの
反応生成物に、シリカゾルよりも少ない量で導電性微粒
子を含んでいる事を特徴とする請求項1の陰極線管 - 【請求項4】陰極線管の画像表示面の外表面に(A)平
均粒子径が0.1μm以下の微粒子形状を有する酸化ア
ンチモン、酸化錫、酸化インジュウム及び/または酸化
亜鉛からなる導電性微粒子とテトラアルコキシシランか
ら誘導された加水分解率が100〜600%のシリカゾ
ル微粒子とからなり該シリカゾルが50重量%以上含有
する混合物を均一分散した分散液を塗布後乾燥し、
(B)平均粒子径が0.1μm以下の微粒子形状を有す
る酸化アンチモン、酸化錫、酸化インジュウム及び/ま
たは酸化亜鉛からなる導電性微粒子とテトラアルコキシ
シランから誘導された加水分解率が100〜1000%
含有するシリカゾル微粒子とからなり導電性微粒子が5
0重量%以上含有する混合物を均一分散した分散液を塗
布後乾燥し、ついで(C)テトラアルコキシシランから
誘導された加水分解率が600〜1000%であるシリ
カゾル粒子またはこのシリカゾルを全体の50重量%以
上含んでいるテトラアルコキシチタネートとの反応生成
物を均一分散した分散液を塗布後加熱乾燥する工程、を
含む陰極線管の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6099174A JPH07282745A (ja) | 1994-04-14 | 1994-04-14 | 陰極線管及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6099174A JPH07282745A (ja) | 1994-04-14 | 1994-04-14 | 陰極線管及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07282745A true JPH07282745A (ja) | 1995-10-27 |
Family
ID=14240294
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6099174A Pending JPH07282745A (ja) | 1994-04-14 | 1994-04-14 | 陰極線管及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07282745A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0890974A1 (en) * | 1997-07-08 | 1999-01-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Conductive anti-reflection film and cathode ray tube |
| EP0911859A1 (en) * | 1997-10-23 | 1999-04-28 | Sumitomo Metal Mining Company Limited | Transparent electro-conductive structure, process for its production, transparent electro-conductive layer forming coating fluid used for its production, and process for preparing the coating fluid |
| JP2002216543A (ja) * | 2001-01-22 | 2002-08-02 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 低反射性・低抵抗性導電膜およびこれを形成するための塗料 |
| US6686249B1 (en) | 1999-11-25 | 2004-02-03 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Transparent conductive layered structure, display in which this transparent conductive layered structure is applied, and coating liquid for forming transparent conductive layer |
| JP2016009150A (ja) * | 2014-06-26 | 2016-01-18 | 平岡織染株式会社 | 透過投映スクリーン |
| WO2016056489A1 (ja) * | 2014-10-07 | 2016-04-14 | 富士フイルム株式会社 | 防汚層付積層体、監視カメラ用保護材、及び監視カメラ |
-
1994
- 1994-04-14 JP JP6099174A patent/JPH07282745A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0890974A1 (en) * | 1997-07-08 | 1999-01-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Conductive anti-reflection film and cathode ray tube |
| US6411028B1 (en) | 1997-07-08 | 2002-06-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Conductive anti-reflection film and cathode ray tube |
| EP0911859A1 (en) * | 1997-10-23 | 1999-04-28 | Sumitomo Metal Mining Company Limited | Transparent electro-conductive structure, process for its production, transparent electro-conductive layer forming coating fluid used for its production, and process for preparing the coating fluid |
| US6261479B1 (en) | 1997-10-23 | 2001-07-17 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Transparent electro-conductive structure, process for its production, transparent electro-conductive layer forming coating fluid used for its production, and process for preparing the coating fluid |
| US6398985B2 (en) | 1997-10-23 | 2002-06-04 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Transparent electro-conductive structure, process for its production, transparent electro-conductive layer forming coating fluid used for its production, and process for preparing the coating fluid |
| US6482466B2 (en) | 1997-10-23 | 2002-11-19 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Transparent electro-conductive structure, process for its production, transparent electro-conductive layer forming coating fluid used for its production, and process for preparing the coating fluid |
| US6558581B2 (en) | 1997-10-23 | 2003-05-06 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Transparent electro-conductive structure, process for its production, transparent electro-conductive layer forming coating fluid used for its production, and process for preparing the coating fluid |
| US6686249B1 (en) | 1999-11-25 | 2004-02-03 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Transparent conductive layered structure, display in which this transparent conductive layered structure is applied, and coating liquid for forming transparent conductive layer |
| JP2002216543A (ja) * | 2001-01-22 | 2002-08-02 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 低反射性・低抵抗性導電膜およびこれを形成するための塗料 |
| JP2016009150A (ja) * | 2014-06-26 | 2016-01-18 | 平岡織染株式会社 | 透過投映スクリーン |
| WO2016056489A1 (ja) * | 2014-10-07 | 2016-04-14 | 富士フイルム株式会社 | 防汚層付積層体、監視カメラ用保護材、及び監視カメラ |
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