JPH072854B2 - プリプレグおよび銅張積層板 - Google Patents
プリプレグおよび銅張積層板Info
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- JPH072854B2 JPH072854B2 JP12551387A JP12551387A JPH072854B2 JP H072854 B2 JPH072854 B2 JP H072854B2 JP 12551387 A JP12551387 A JP 12551387A JP 12551387 A JP12551387 A JP 12551387A JP H072854 B2 JPH072854 B2 JP H072854B2
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Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Reinforced Plastic Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （技術分野） この発明は、プリプレグと銅張積層板とに関するもので
ある。さらに詳しくは、この発明は、メッキ液のしみ込
みによる絶縁性低下を防止した不飽和ビスイミド樹脂含
浸ガラス基材からなるプリプレグとそれを用いた銅張積
層板に関するものである。
ある。さらに詳しくは、この発明は、メッキ液のしみ込
みによる絶縁性低下を防止した不飽和ビスイミド樹脂含
浸ガラス基材からなるプリプレグとそれを用いた銅張積
層板に関するものである。
（背景技術） 近年、プリント配線板の高多層化、高密度化が進み、さ
らにその需要は高まってきている。
らにその需要は高まってきている。
従来、プリント配線板に用いる銅張積層板としては、ガ
ラス布、紙などに樹脂ワニスを含浸させたプリプリグを
多数枚積層し、その表面に銅箔を配設したものが用いら
れてきている。この場合の樹脂ワニスとしては、絶縁
性、強度などの点において優れたエポキシ樹脂、フェノ
ール樹脂、ポリイミド樹脂、などのワニスが用いられて
きている。
ラス布、紙などに樹脂ワニスを含浸させたプリプリグを
多数枚積層し、その表面に銅箔を配設したものが用いら
れてきている。この場合の樹脂ワニスとしては、絶縁
性、強度などの点において優れたエポキシ樹脂、フェノ
ール樹脂、ポリイミド樹脂、などのワニスが用いられて
きている。
このうち、特に、ビスマレイミド、またはビスマレイミ
ドとトリアジンとの反応物からなる樹脂が耐熱性、誘電
特性、絶縁特性等において注目されてきている。
ドとトリアジンとの反応物からなる樹脂が耐熱性、誘電
特性、絶縁特性等において注目されてきている。
しかしながら、従来の樹脂含浸基材の積層体を用いた銅
張積層板においては、基材、たとえば樹脂含浸ガラス基
材層に沿って、スルーホール等のメッキ時にメッキ液が
しみ込むという欠点があった。このメッキ液のしみ込み
は、たとえば第１図に示したような多層プリンシ配線板
などにおいては重大な問題となる。
張積層板においては、基材、たとえば樹脂含浸ガラス基
材層に沿って、スルーホール等のメッキ時にメッキ液が
しみ込むという欠点があった。このメッキ液のしみ込み
は、たとえば第１図に示したような多層プリンシ配線板
などにおいては重大な問題となる。
たとえば、樹脂含浸ガラス基材層（１）を積層し、その
表面に銅箔等から形成した導体層（２）と、内層として
の導体層（３）を有する多層・高密度プリント配線板に
おいては、スルーホール（４）のメッキ処理時にメッキ
液が基材層（１）に沿ってしみこみ、メッキ液の金属イ
オンが成長して導体層（２）（３）を導通させるメッキ
導通部（５）を生成し、絶縁特性を低下させてプリント
配線板の品質を劣化させる。
表面に銅箔等から形成した導体層（２）と、内層として
の導体層（３）を有する多層・高密度プリント配線板に
おいては、スルーホール（４）のメッキ処理時にメッキ
液が基材層（１）に沿ってしみこみ、メッキ液の金属イ
オンが成長して導体層（２）（３）を導通させるメッキ
導通部（５）を生成し、絶縁特性を低下させてプリント
配線板の品質を劣化させる。
今後の高密度化、高多層化配線の動向を考慮すると、こ
のようなメッキ液のしみ込みによる絶縁性の低下は早急
に解決すべき問題になっている。
のようなメッキ液のしみ込みによる絶縁性の低下は早急
に解決すべき問題になっている。
（発明の目的） この発明は、以上の通りの事情を鑑みてなされたもので
あり、従来の樹脂含浸基材銅張積層板の欠点を改善し、
メッキ液のしみ込みを防止した、改良された樹脂含浸基
材からなるプリプレグとそれをを用いた銅張積層板を提
供することを目的としている。
あり、従来の樹脂含浸基材銅張積層板の欠点を改善し、
メッキ液のしみ込みを防止した、改良された樹脂含浸基
材からなるプリプレグとそれをを用いた銅張積層板を提
供することを目的としている。
（発明の開示） この発明のプリプレグは、上記の目的を実現するため
に、次式 で示される不飽和ビスイミド（R1，R2，R4およびR5は、
H,CH3、C2H5または他の炭化水素基を示す）のうちの、R
1、R2、R4およびR5がＨの不飽和ビスイミド（A1）と、R
1、R2、R4およびR5のうちの１以上がCH3またはC2H5の不
飽和ビスイミド（A2）との配合比を、モル比A2／A1が０
〜0.50とし、該不飽和ビスイミド（A1＋A2）と次式 で示されるジアミン（R6は炭化水素基を示す）（Ｂ）と
を、モル比A1＋A2/Bが1.7〜3.0で反応させて得られたワ
ニスを、SiO265〜90％およびB2O3７〜30％を含有する低
誘電率ガラス布またはガラスマットにクロルシラン系、
またはエポキシシラン系のカップリング剤で処理したも
のに含浸してなることを特徴としている。
に、次式 で示される不飽和ビスイミド（R1，R2，R4およびR5は、
H,CH3、C2H5または他の炭化水素基を示す）のうちの、R
1、R2、R4およびR5がＨの不飽和ビスイミド（A1）と、R
1、R2、R4およびR5のうちの１以上がCH3またはC2H5の不
飽和ビスイミド（A2）との配合比を、モル比A2／A1が０
〜0.50とし、該不飽和ビスイミド（A1＋A2）と次式 で示されるジアミン（R6は炭化水素基を示す）（Ｂ）と
を、モル比A1＋A2/Bが1.7〜3.0で反応させて得られたワ
ニスを、SiO265〜90％およびB2O3７〜30％を含有する低
誘電率ガラス布またはガラスマットにクロルシラン系、
またはエポキシシラン系のカップリング剤で処理したも
のに含浸してなることを特徴としている。
また、この発明の銅張積層版は、上記の樹脂ワニスを含
浸させたガラス布またはガラスマットからなるプリプレ
グを積層し、その表面に銅箔を配設してなることを特徴
としている。
浸させたガラス布またはガラスマットからなるプリプレ
グを積層し、その表面に銅箔を配設してなることを特徴
としている。
この発明に用いる不飽和ビスイミドについては、上記式
中のR1、R2、R4およびR5は、Ｈ、CH3、C2H5または他の
炭化水素基を示し、メチル基、エチル基以外にも、プロ
ピル、ブチルなどのアルキル基の適宜なものとすること
ができる。また、フェニル環を連結するR3についても、
メチレン、エチレン、プロピレン、イソプロピレン、ブ
チレン、イソブチレン等の適宜なアルキレン基、あるい
はまた、炭素鎖に酸素原子を結合するアルキレン−オキ
シ−アルキレン基や、フェニル基などを結合するその他
の適宜な炭化水素基とすることができる。
中のR1、R2、R4およびR5は、Ｈ、CH3、C2H5または他の
炭化水素基を示し、メチル基、エチル基以外にも、プロ
ピル、ブチルなどのアルキル基の適宜なものとすること
ができる。また、フェニル環を連結するR3についても、
メチレン、エチレン、プロピレン、イソプロピレン、ブ
チレン、イソブチレン等の適宜なアルキレン基、あるい
はまた、炭素鎖に酸素原子を結合するアルキレン−オキ
シ−アルキレン基や、フェニル基などを結合するその他
の適宜な炭化水素基とすることができる。
この発明においては、R1、R2、R4およびR5がＨの不飽和
ビスイミド（A1）と、R1、R2、R4およびR5のうちの１以
上がCH3またはC2H5の不飽和ビスイミド（A2）とを、モ
ル比（A2／A1）が０〜0.50の範囲で混合するが、好まし
くは、モル比A2／A1＝0.02〜0.50とする。不飽和ビスイ
ミド（A2）の混合によって、可橈性を付与し、メッキ液
のしみ込みを抑制することができる。次いでこの不飽和
ビスイミド（A1＋2）をジアミン（Ｂ）と反応させる
が、上記式中のジアミンのフェニル環を連結するR6につ
いても、メチレン、エチレン、プロビレン、イソプロピ
レン、さらには炭素鎖に酸素原子を結合するものや、フ
ェニル基などを結合するものなどの適宜な炭化水素基と
することができ、また、この不飽和ビスイミド（A1＋
A2）とジアミン（Ｂ）との反応は、モル比（A1＋A2/B）
が1.17〜3.0の範囲において、有機溶媒中で反応させる
ことができる。
ビスイミド（A1）と、R1、R2、R4およびR5のうちの１以
上がCH3またはC2H5の不飽和ビスイミド（A2）とを、モ
ル比（A2／A1）が０〜0.50の範囲で混合するが、好まし
くは、モル比A2／A1＝0.02〜0.50とする。不飽和ビスイ
ミド（A2）の混合によって、可橈性を付与し、メッキ液
のしみ込みを抑制することができる。次いでこの不飽和
ビスイミド（A1＋2）をジアミン（Ｂ）と反応させる
が、上記式中のジアミンのフェニル環を連結するR6につ
いても、メチレン、エチレン、プロビレン、イソプロピ
レン、さらには炭素鎖に酸素原子を結合するものや、フ
ェニル基などを結合するものなどの適宜な炭化水素基と
することができ、また、この不飽和ビスイミド（A1＋
A2）とジアミン（Ｂ）との反応は、モル比（A1＋A2/B）
が1.17〜3.0の範囲において、有機溶媒中で反応させる
ことができる。
その際に、反応には、マレイミドのホモポリマー化抑制
溶剤、たとえば、ジオキサン、MC等を含む溶剤を用いる
とが好ましい。反応は、50〜150℃、１〜４時間程度で
行なうことができる。この反応において得られる樹脂
は、好ましくは、分子量15,000以上のものが５％以下と
する。これ以上の場合には、ガラス基材に含浸させる樹
脂ワニスとしては、粘度が大きすぎる等の理由によって
あまり好ましくない。
溶剤、たとえば、ジオキサン、MC等を含む溶剤を用いる
とが好ましい。反応は、50〜150℃、１〜４時間程度で
行なうことができる。この反応において得られる樹脂
は、好ましくは、分子量15,000以上のものが５％以下と
する。これ以上の場合には、ガラス基材に含浸させる樹
脂ワニスとしては、粘度が大きすぎる等の理由によって
あまり好ましくない。
次いで、得られた樹脂をガラス布またはガラスマットに
含浸させてプリプリグを形成するが、この含浸において
は、上記反応によって得られた樹脂を、40〜60重量％含
有するようにすることが好ましい。
含浸させてプリプリグを形成するが、この含浸において
は、上記反応によって得られた樹脂を、40〜60重量％含
有するようにすることが好ましい。
ガラス布またはガラスマットとしては、Si265〜90％お
よびB2O3７〜30％を含有する低誘電率（高周波特性に優
れた）ガラス布またはガラスマットを、クロルシラン系
またはエポキシシラン系のカップリング剤で処理したも
のを用いる。約0.05〜1mm程度の厚さのものを用い、樹
脂含浸させたプリプレグとして所要の枚数を重ね合わせ
て積層板とする。この積層板の片面または両面に配設す
る銅箔としては、たとえば、0.018〜0.07mm程度の厚さ
とすることができる。
よびB2O3７〜30％を含有する低誘電率（高周波特性に優
れた）ガラス布またはガラスマットを、クロルシラン系
またはエポキシシラン系のカップリング剤で処理したも
のを用いる。約0.05〜1mm程度の厚さのものを用い、樹
脂含浸させたプリプレグとして所要の枚数を重ね合わせ
て積層板とする。この積層板の片面または両面に配設す
る銅箔としては、たとえば、0.018〜0.07mm程度の厚さ
とすることができる。
以上の通りのプリプレグおよびこのプリプレグを用いた
銅張積層版においては、スルーホール等のメッキ処理に
おいてメッキ液のしみ込みを効果的に防止することがで
きる。さらに低誘電率のガラス布またはガラスマットを
用いることから、樹脂との界面密着性、耐熱性、および
プリント配線板の信号処理速度を向上させることができ
る。
銅張積層版においては、スルーホール等のメッキ処理に
おいてメッキ液のしみ込みを効果的に防止することがで
きる。さらに低誘電率のガラス布またはガラスマットを
用いることから、樹脂との界面密着性、耐熱性、および
プリント配線板の信号処理速度を向上させることができ
る。
次に実施例を示し、さらに詳しくこの発明について説明
する。もちろん、この発明は、以下の実施例によって限
定されるものではない。
する。もちろん、この発明は、以下の実施例によって限
定されるものではない。
実施例１ 次の配合および、反応の条件において、樹脂ワニスを製
造した。
造した。
（ｉ） 配合 （ii） 反応条件 80℃（温度） ３時間（反応時間） この樹脂ワニスを、SiO273％およびB2O321％、その他６
％の組成からなる低誘電率ガラスで、フィラメント径７
μｍ、集束板200x200本、厚さ0.10mmガラス布をクロル
シランカップリング剤で処理したものに含浸させて、樹
脂の含有量が50重量％、流れ性が30％のプリプレグを得
た。硬化時間は、170℃の温度において400秒であった。
％の組成からなる低誘電率ガラスで、フィラメント径７
μｍ、集束板200x200本、厚さ0.10mmガラス布をクロル
シランカップリング剤で処理したものに含浸させて、樹
脂の含有量が50重量％、流れ性が30％のプリプレグを得
た。硬化時間は、170℃の温度において400秒であった。
得られたプリプレグを60枚積層し、圧縮成形して厚板を
作製した。この厚板に0.35φのドリルを用いて穴あけ加
工し、無電解メッキを行って、メッキ液のしみ込み性に
ついて評価した。
作製した。この厚板に0.35φのドリルを用いて穴あけ加
工し、無電解メッキを行って、メッキ液のしみ込み性に
ついて評価した。
その結果を従来のものと比較してすると、従来のもの
（ケルイミド樹脂）は、しみ込み量が30μｍであった
が、この例のもののしみ込み量は80μｍにしかすぎなか
った。メッキ液のしみ込み量は著しく低減している。ま
た耐熱性も、Ｅ−0.5/300℃からＥ−0.5/310℃にまで向
上している。
（ケルイミド樹脂）は、しみ込み量が30μｍであった
が、この例のもののしみ込み量は80μｍにしかすぎなか
った。メッキ液のしみ込み量は著しく低減している。ま
た耐熱性も、Ｅ−0.5/300℃からＥ−0.5/310℃にまで向
上している。
実施例２〜３ 実施例１と同様にして、次の表に配合からなる条件で樹
脂ワニスを製造した。同様にガラス布に含浸して、樹脂
量50％、流れ性30％、硬化時間（170℃）400秒のプリプ
レグを得た。実施例１と同様にしてメッキ液のしみ込み
性について評価した。その結果も表−１に示した。
脂ワニスを製造した。同様にガラス布に含浸して、樹脂
量50％、流れ性30％、硬化時間（170℃）400秒のプリプ
レグを得た。実施例１と同様にしてメッキ液のしみ込み
性について評価した。その結果も表−１に示した。
メッキ液のしみ込みは従来のものに比べて、はるかに低
減している。
減している。
（発明の効果） この発明により、以上詳しく説明した通り、メッキ液の
しみ込みとそれによるプリント配線板用積層板の絶縁性
の低下を効果的に防止することができる。また、耐熱性
の向上した低誘電率積層板が得られる。プリント配線板
の品質の信頼性は大幅に向上する。
しみ込みとそれによるプリント配線板用積層板の絶縁性
の低下を効果的に防止することができる。また、耐熱性
の向上した低誘電率積層板が得られる。プリント配線板
の品質の信頼性は大幅に向上する。
第１図は、積層板へのメッキ液のしみ込みを模式的に示
した断面図である。 １……ガラス基材層、2,3……導体層、４……スルーホ
ール、５……メッキ導通部。
した断面図である。 １……ガラス基材層、2,3……導体層、４……スルーホ
ール、５……メッキ導通部。
Claims (2)
- 【請求項１】次式 で示される不飽和ビスイミド（R1，R2，R4およびR5は、
H,CH3、C2H5または他の炭化水素基を示す）のうちの、R
1、R2、R4およびR5がＨの不飽和ビスイミド（A1）と、R
1、R2、R4およびR5のうちの１以上がCH3またはC2H5の不
飽和ビスイミド（A2）との配合比を、モル比A2／A1が０
〜0.50とし、該不飽和ビスイミド（A1＋A2）と次式 で示されるジアミン（R6は炭化水素基を示す）（Ｂ）と
をモル比A1＋A2/Bが1.7〜3.0で反応させて得られたワニ
スを、SiO265〜90％およびB2O3７〜30％を含有する低誘
電率ガラス布またはガラスマットにクロルシラン系、ま
たはエポキシシラン系のカップリング剤で処理したもの
に含浸させてなることを特徴とするプリプレグ。 - 【請求項２】次式 で示される不飽和ビスイミド（R1，R2、R4およびR5は、
H,CH3，C2H5または他の炭化水素基を示し、R3は、炭化
水素基を示す）のうちの、R1，R2，R4およびR5がＨの不
飽和ビスイミド（A1）と、R1，R2，R4およびR5のうちの
１以上がCH3またはC2H5の不飽和ビスイミド（A2）との
配合比、モル比A2／A1が０〜0.50とし、該不飽和ビスイ
ミド（A1＋A2）と次式 で示されるジアミン（R6は炭化水素基を示す）（Ｂ）と
を、モル比A1＋A1/Bが1.7〜3.0で反応させて得られたワ
ニスを、SiO265〜90およびB2O3７〜30％を含有する低誘
電率ガラス布またはガラスマットにクロルシラン系、ま
たはエポキシシラン系のカップリング剤で処理したもの
に含浸させ、得られたプリプレグを積層して表面に銅箔
を配設してなることを特徴とする銅張積層板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12551387A JPH072854B2 (ja) | 1987-05-22 | 1987-05-22 | プリプレグおよび銅張積層板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12551387A JPH072854B2 (ja) | 1987-05-22 | 1987-05-22 | プリプレグおよび銅張積層板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63289036A JPS63289036A (ja) | 1988-11-25 |
| JPH072854B2 true JPH072854B2 (ja) | 1995-01-18 |
Family
ID=14911998
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12551387A Expired - Lifetime JPH072854B2 (ja) | 1987-05-22 | 1987-05-22 | プリプレグおよび銅張積層板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH072854B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0611802B2 (ja) * | 1989-08-25 | 1994-02-16 | 新日鐵化学株式会社 | プリプレグ製造法 |
-
1987
- 1987-05-22 JP JP12551387A patent/JPH072854B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63289036A (ja) | 1988-11-25 |
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