JPH072855B2 - プリプレグおよび銅張積層板 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 （技術分野） この発明は、プリプレグと銅張積層板とに関するもので
ある。さらに詳しくは、この発明は、メッキ液のしみ込
みによる絶縁性低下を防止した不飽和ビスイミド樹脂含
浸ガラス基材からなるプリプレグとそれを用いた銅張積
層板に関するものである。

（背景技術） 近年、プリント配線板の高多層化、高密度化が進み、さ
らにその需要は高まっている。

従来、プリント配線板に用いる銅張積層板としては、ガ
ラス布、紙などに樹脂ワニスを含浸させたプリプリグを
多数枚積層し、その表面に銅箔を配設したものが用いら
れてきている。この場合の樹脂ワニスとしては、絶縁
性、強度などの点において優れたエポキシ樹脂、フェノ
ール樹脂、ポリイミド樹脂、などのワニスが用いられて
きている。

このうち、特に、ビスマレイミド、またはビスマレイミ
ドとトリアジンとの反応物からなる樹脂が耐熱性、誘電
特性、絶縁特性等において注目されてきている。

しかしながら、従来の樹脂含浸基材の積層体を用いた銅
張積層板においては、基材、たとえば樹脂含浸ガラス基
材層に沿って、スルーホーン等のメッキ時にメッキ液が
しみ込むという欠点があった。このメッキ液のしみ込み
は、たとえば第１図に示したような多層プリンシ配線板
などにおいては重大な問題となる。

たとえば、樹脂含浸ガラス基材層（１）を積層し、その
表面に銅箔等から形成した導体層（２）と内層としての
導体層（３）を有する多層・高密度プリント配線板にお
いては、スルーホール（４）のメッキ処理時にメッキ液
が基材層（１）に沿ってしみこみ、メッキ液の金属イオ
ンが成長して導体層（２）（３）を導通させてメッキ導
通部（５）を生成し、絶縁特性を低下させてプリント配
線板の品質を劣化させる。

今後の高密度化、高多層化配線の動向を考慮すると、こ
のようなメッキ液のしみ込みによる絶縁性の低下は早急
に解決すべき問題になっている。

（発明の目的） この発明は、以上の通りの事情を鑑みてなされたもので
あり、従来の樹脂含浸基材銅張積層板の欠点を改善し、
メッキ液のしみ込みを防止した、改良された樹脂含浸基
材からなるプリプレグとそれをを用いた銅張積層板を提
供することを目的としている。

（発明の開示） この発明のプリプレグは、上記の目的を実現するため
に、次式 で示される不飽和ビスイミド（R₁、R₂、R₄およびR₅は、
H,CH₃、C₂H₅または他の炭化水素基を示す）のうちの、R
₁、R₂、R₄およびR₅がＨの不飽和ビスイミド（A₁）と、R
₁、R₂、R₄およびR₅のうちの１以上がCH₃またはC₂H₅の不
飽和ビスイミド（A₂）とを、モル比A₂／A₁が0.02〜0.50
において混合し、さらに、該不飽和ビスイミド（A₁＋
A₂）と次式 で示されるジアミン（R₆は炭化水素基を示す）（Ｂ）と
を、モル比A₁＋A₂/Bが1.7〜3.0で反応させて得られたワ
ニスをガラス布またはガラスマットに含浸させてなるこ
とを特徴としている。

また、この発明のガラス基材銅張積層版は、上記の樹脂
ワニスを含浸させたガラス布またはガラスマットからな
るプリプレグを積層し、その表面に銅箔を配設したこと
を特徴としている。

この発明に用いる不飽和ビスイミドについては、R₁、
R₂、R₄およびR₅は、Ｈ、CH₃、C₂H₅または他の炭化水素
基を示し、メチル基、エチル基以外にも、プロピル、ブ
チルなどのアルキル基の適宜なものとすることができ
る。また、フェニル環を連結するR₃についても、メチレ
ン、エチレン、プロピレン、イソプロピレン、ブチレ
ン、イソブチレン等の適宜なアルキレン基、あるいはま
た、炭素鎖に酸素原子を結合するものや、フェニル基な
どを結合するその他の適宜な炭化水素基とすることがで
きる。

R₁、R₂、R₄およびR₅がＨの不飽和ビスイミド（A₁）と、
R₁、R₂、R₄およびR₅のうちの１以上がCH₃またはC₂H₅の
不飽和ビスイミド（A₂）とを、モル比（A₂／A₁）が0.02
〜0.50の範囲で混合し、次いでこの不飽和ビスイミド
（A₁＋₂）をジアミン（Ｂ）と反応させるが、この場合
のジアミンのフェニル環を連結するR₆についても、メチ
レン、エチレン、プロビレン、イソプロピレン、さらに
は炭素鎖に酸素原子を結合するものや、フェニル基など
を結合するものなどの適宜な炭化水素基とすることがで
き、また、この不飽和ビスイミド（A₁＋A₂）とジアミン
（Ｂ）との反応は、モル比（A₁＋A₂/B）が1.7〜3.0の範
囲にいおいて、DMAC、DMF、DMAA、DMSO,などの有機溶媒
中で反応させることができる。

不飽和ビスイミド（A₂）を混合することにより、可橈性
を付与し、メッキ液のしみ込みを抑制することができ
る。不飽和ビスイミド（A₁＋A₂）とジアミンとの反応
は、50〜150℃、１〜４時間程度で行なうことができ
る。

次いで、得られた樹脂をガラス布またはガラスマットに
含浸させてプリプレグを形成するが、この含浸において
は、上記反応によって得られた樹脂を、40〜60重量％含
有するようにすることが好ましい。

ガラス布またはガラスマットとしては、約0.05〜1mm程
度の厚さのものを用い、樹脂含浸させたプリプレグとし
て所要の枚数を重ね合わせて積層板とする。この積層板
の片面または両面に配設する銅箔としては、たとえば、
0.018〜0.07mm程度の厚さとすることができる。

以上の通りのプリプレグおよびこのプリプレグを用いた
銅張積層版においては、スルーホール等のメッキ処理に
おいてメッキ液のしみ込みと、それによる絶縁性の低下
を防止することができる。

次に実施例を示し、さらに詳しくこの発明について説明
する。もちろん、この発明は、以下の実施例によって限
定されるものではない。

実施例 次の配合および、反応の条件において、樹脂ワニスを製
造した。

（ｉ） 配合 （ii） 反応条件 80℃（温度） ３時間（反応時間） この樹脂ワニスをガラス布に含浸させて、樹脂の含有量
が50重量％、流れ性が30％のプレプレグを得た。硬化時
間は、170℃の温度において400秒であった。

得られたプレプリグを60枚積層し、圧縮成形して厚板を
作製した。この厚板に0.35φのドリルを用いて穴あけ加
工し、無電解メッキを行って、メッキ液のしみ込み性に
ついて評価した。

その結果を従来のものと比較して示したものが表−１で
ある。メッキ液のしみ込み量が約40％低減し、プリント
配線板の信頼性が大幅に向上した。

（発明の効果） この発明により、以上詳しく説明した通り、メッキ液の
しみ込みとそれによるプリント配線板の絶縁性の低下を
効果的に防止することができる。プリント配線板の品質
の信頼性は大幅に向上する。

【図面の簡単な説明】

第１図は、積層板へのメッキ液のしみ込みを模式的に示
した断面図である。 １……ガラス基材層、2,3……導体層、４……スルーホ
ール、５……メッキ導通部。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】次式 で示される不飽和ビスイミド（R₁，R₂，R₄およびR₅は、
   H,CH₃、C₂H₅または他の炭化水素基を示す）のうちの、R
   ₁、R₂、R₄およびR₅がＨの不飽和ビスイミド（A₁）と、R
   ₁、R₂、R₄およびR₅のうちの１以上がCH₃またはC₂H₅の不
   飽和ビスイミド（A₂）とを、モル比、A₂／A₁が0.02〜0.
   50において混合し、さらに、 該不飽和ビスイミド（A₁＋A₂）と次式 で示されるジアミン（R₆は炭化水素基を示す）（Ｂ）と
   を、モル比、A₁＋A₂/Bが1.7〜3.0で反応させて得られた
   ワニスをガラス布またはガラスマットに含浸させてなる
   ことを特徴とするプリプレグ。
2. 【請求項２】次式 で示される不飽和ビスイミド（R₁，R₂、R₄およびR₅は、
   H,CH₃，C₂H₅または他の炭化水素基を示し、R₃は、炭化
   水素基を示す）のうちの、R₁，R₂，R₄およびR₅がＨの不
   飽和ビスイミド（A₁）と、R₁，R₂，R₄およびR₅のうちの
   １以上がCH₃またはC₂H₅の不飽和ビスイミド（A₂）と
   を、モル比、A₂／A₁が0.02〜0.50おいて混合し、さら
   に、 該不飽和ビスイミド（A₁＋A₂）と次式 で示されるジアミン（R₆は炭化水素基を示す）（Ｂ）と
   を、モル比、A₁＋A₁/Bが1.7〜3.0で反応させて得られた
   ワニスをガラス布またはガラスマットに含浸させ、得ら
   れたプリプレグを積層して表面に銅箔を配設してなるこ
   とを特徴とする銅張積層板。